RU2012104635A - Соединение замещенного бензохалькогенацена, тонкая пленка, включающая такое соединение, и органическое полупроводниковое устройство, включающее такую тонкую пленку - Google Patents

Соединение замещенного бензохалькогенацена, тонкая пленка, включающая такое соединение, и органическое полупроводниковое устройство, включающее такую тонкую пленку Download PDF

Info

Publication number
RU2012104635A
RU2012104635A RU2012104635/04A RU2012104635A RU2012104635A RU 2012104635 A RU2012104635 A RU 2012104635A RU 2012104635/04 A RU2012104635/04 A RU 2012104635/04A RU 2012104635 A RU2012104635 A RU 2012104635A RU 2012104635 A RU2012104635 A RU 2012104635A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
formula
compound according
group
optionally
fluorinated
Prior art date
Application number
RU2012104635/04A
Other languages
English (en)
Inventor
Ясуо МИЯТА
Еидзи ЙОСИКАВА
Сигехиро ЯМАГУТИ
Original Assignee
Сумитомо Кемикал Компани, Лимитед
Нэшнл Юниверсити Корпорейшн Нагоя Юниверсити
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сумитомо Кемикал Компани, Лимитед, Нэшнл Юниверсити Корпорейшн Нагоя Юниверсити filed Critical Сумитомо Кемикал Компани, Лимитед
Publication of RU2012104635A publication Critical patent/RU2012104635A/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D495/00Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D495/12Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains three hetero rings
    • C07D495/14Ortho-condensed systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D495/00Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D495/02Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D495/04Ortho-condensed systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0803Compounds with Si-C or Si-Si linkages
    • C07F7/081Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
    • C07F7/0812Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring
    • C07F7/0814Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring said ring is substituted at a C ring atom by Si
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40Organic transistors
    • H10K10/46Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40Organic transistors
    • H10K10/46Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)

Abstract

1. Соединение замещенного бензохалькогенацена, представленное формулой (1)где каждый из Е независимо представляет собой атом серы или селена и каждый из Rи Rнезависимо представляет собой атом водорода, необязательно замещенную Cалкильную группу, необязательно замещенную Cалкоксильную группу, необязательно замещенную Cарильную группу, необязательно замещенную Cаралкильную группу, необязательно замещенную Cгетероарильную группу, необязательно замещенную Cгетероаралкильную группу или необязательно фторированную Cтриалкилсилильную группу, где Rи Rне являются одновременно атомами водорода.2. Соединение по п.1, где все Е в формуле (1) являются атомами серы.3. Соединение по п.1 или 2, где каждый из Rи Rв формуле (1) независимо представляет собой атом водорода, необязательно фторированную Cалкильную группу, необязательно фторированную Cалкоксильную группу, необязательно алкилированную или алкоксилированную Cарильную группу, которая является необязательно фторированной, необязательно фторированную Cаралкильную группу, необязательно алкилированную или алкоксилированную Cгетероарильную группу, которая является необязательно фторированной, или необязательно фторированную Cгетероаралкильную группу.4. Соединение по п.1, где соединением, представленным формулой (1), является соединение, представленное формулой (2)где E, Rи Rимеют такие же значения, как описанные выше.5. Соединение по п.4, где в формуле (2) каждый Е независимо представляет собой атом серы или селена и каждый из Rи Rнезависимо представляет собой атом водорода, необязательно фторированную Cалкильную группу или необязательно алкилированную или фторированную Cтриа�

Claims (27)

1. Соединение замещенного бензохалькогенацена, представленное формулой (1)
Figure 00000001
где каждый из Е независимо представляет собой атом серы или селена и каждый из R1 и R2 независимо представляет собой атом водорода, необязательно замещенную C4-30 алкильную группу, необязательно замещенную C4-30 алкоксильную группу, необязательно замещенную C6-30 арильную группу, необязательно замещенную C7-30 аралкильную группу, необязательно замещенную C4-30 гетероарильную группу, необязательно замещенную C5-30 гетероаралкильную группу или необязательно фторированную C3-30 триалкилсилильную группу, где R1 и R2 не являются одновременно атомами водорода.
2. Соединение по п.1, где все Е в формуле (1) являются атомами серы.
3. Соединение по п.1 или 2, где каждый из R1 и R2 в формуле (1) независимо представляет собой атом водорода, необязательно фторированную C4-30 алкильную группу, необязательно фторированную C4-30 алкоксильную группу, необязательно алкилированную или алкоксилированную C6-30 арильную группу, которая является необязательно фторированной, необязательно фторированную C7-30 аралкильную группу, необязательно алкилированную или алкоксилированную C4-30 гетероарильную группу, которая является необязательно фторированной, или необязательно фторированную C5-30 гетероаралкильную группу.
4. Соединение по п.1, где соединением, представленным формулой (1), является соединение, представленное формулой (2)
Figure 00000002
где E, R1 и R2 имеют такие же значения, как описанные выше.
5. Соединение по п.4, где в формуле (2) каждый Е независимо представляет собой атом серы или селена и каждый из R1 и R2 независимо представляет собой атом водорода, необязательно фторированную C4-30 алкильную группу или необязательно алкилированную или фторированную C3-30 триалкилсилильную группу.
6. Соединение по п.5, где каждый из R1 и R2 в формуле (2) независимо представляет собой C4-30 алкильную группу или C3-30 триалкилсилильную группу.
7. Соединение по п.5, где R1 и R2 в формуле (2) представляют собой C4-30 алкильные группы.
8. Соединение по п.5, где R1 и R2 в формуле (2) являются одинаковыми и представляют собой C4-20 алкильные группы.
9. Соединение по п.5, где R1 и R2 в формуле (2) представляют собой C6-12 алкильные группы.
10. Соединение по п.4, где каждый из R1 и R2 в формуле (2) независимо представляет собой атом водорода, необязательно фторированную C4-30 алкильную группу, необязательно фторированную C4-30 алкоксильную группу, необязательно алкилированную C6-30 арильную группу, которая является необязательно фторированной, или необязательно фторированную C7-30 аралкильную группу.
11. Соединение по п.4, где R1 и R2 в формуле (2) являются одинаковыми и представляют собой C4-20 алкоксильные группы.
12. Соединение по п.4, где R1 и R2 в формуле (2) являются одинаковыми и представляют собой C6-10 арильные группы, имеющие C1-20 алкильные группы.
13. Соединение по п.4, где R1 и R2 в формуле (2) являются одинаковыми и представляют собой C7-20 аралкильные группы.
14. Соединение по п.5, где каждый из R1 и R2 в формуле (2) независимо представляет собой C3-30 триалкилсилильную группу.
15. Соединение по п.5, где каждый из R1 и R2 в формуле (2) независимо представляет собой C3-14 триалкилсилильную группу.
16. Соединение по п.4 или 5, где R1 и R2 в формуле (2) являются одинаковыми и представляют собой гексил или додецил.
17. Соединение по любому из пп.4-15, где все Е в формуле (2) представляют собой атомы серы.
18. Соединение по п.4, где все Е в формуле (2) представляют собой атомы серы и R1 и R2 в формуле (2) являются одинаковыми и представляют собой гексил.
19. Соединение по п.4, где все Е в формуле (2) представляют собой атомы серы и R1 и R2 в формуле (2) являются одинаковыми и представляют собой додецил.
20. Соединение по п.4, где все Е в формуле (2) представляют собой атомы серы и каждый из R1 и R2 в формуле (2) независимо представляет собой C6-12 алкильную группу.
21. Соединение, представленное ниже формулами [5], [7], [12], [14], [15], [18] или [42]
Figure 00000003
22. Соединение по любому из пп.1 и 2, где соединением, представленным формулой (1), является соединение, представленное формулой (3)
Figure 00000004
где E, R1 и R2 имеют такие же значения, как описанные выше.
23. Соединение по п.22, где R1 и R2 в формуле (3) являются одинаковыми и представляют собой C4-20 алкильные группы.
24. Тонкая пленка, включающая соединение по любому из пп.1-23.
25. Тонкая пленка, состоящая из соединения по любому из пп.1-23.
26. Органическое полупроводниковое устройство, включающее тонкую пленку по п.24 или 25.
27. Органический транзистор, включающий тонкую пленку по п.24 или 25.
RU2012104635/04A 2009-07-10 2010-07-08 Соединение замещенного бензохалькогенацена, тонкая пленка, включающая такое соединение, и органическое полупроводниковое устройство, включающее такую тонкую пленку RU2012104635A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009163919 2009-07-10
JP2009-163919 2009-07-10
PCT/JP2010/061634 WO2011004869A1 (ja) 2009-07-10 2010-07-08 置換ベンゾカルコゲノアセン化合物、該化合物を含有する薄膜及び該薄膜を含有する有機半導体デバイス

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2012104635A true RU2012104635A (ru) 2013-08-20

Family

ID=43429294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012104635/04A RU2012104635A (ru) 2009-07-10 2010-07-08 Соединение замещенного бензохалькогенацена, тонкая пленка, включающая такое соединение, и органическое полупроводниковое устройство, включающее такую тонкую пленку

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20120190868A1 (ru)
EP (1) EP2452942A4 (ru)
JP (1) JP2011032268A (ru)
KR (1) KR20120090939A (ru)
CN (1) CN102574868B (ru)
RU (1) RU2012104635A (ru)
TW (1) TW201125871A (ru)
WO (1) WO2011004869A1 (ru)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB201013820D0 (en) 2010-08-18 2010-09-29 Cambridge Display Tech Ltd Low contact resistance organic thin film transistors
EP2755978A1 (en) 2011-09-12 2014-07-23 Polyera Corporation Compounds having semiconducting properties and related compositions and devices
GB201116251D0 (en) 2011-09-20 2011-11-02 Cambridge Display Tech Ltd Organic semiconductor composition and organic transistor
US8372312B1 (en) 2011-10-17 2013-02-12 Xerox Corporation Non-symmetrical dibenzodithienothiophene compounds
KR101571590B1 (ko) 2012-11-21 2015-11-25 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 이용하는 유기 전계 발광 소자
JP2015122383A (ja) * 2013-12-20 2015-07-02 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP6240544B2 (ja) * 2014-03-28 2017-11-29 富士フイルム株式会社 有機半導体膜形成用組成物
JP2016113434A (ja) * 2014-12-18 2016-06-23 住友化学株式会社 化合物、該化合物と高分子化合物を含む組成物、該化合物を含む有機薄膜および有機半導体素子
JP6318452B2 (ja) * 2015-01-19 2018-05-09 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
CN104766802B (zh) * 2015-03-26 2019-05-03 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板、阵列基板及其薄膜晶体管的制造方法
JP6833475B2 (ja) * 2015-12-28 2021-02-24 キヤノン株式会社 インク、インクカートリッジ、及びインクジェット記録方法
WO2018061821A1 (ja) 2016-09-29 2018-04-05 富士フイルム株式会社 有機半導体膜形成用組成物、有機半導体膜及びその製造方法、並びに、有機半導体素子
DE102019107163B3 (de) * 2019-03-20 2020-09-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Dünnschichttransistor und Verfahren zum Herstellen eines Dünnschichttransistors
CN110048025B (zh) * 2019-05-13 2022-06-24 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示屏、显示面板及其自组装封装方法
EP4116304A4 (en) * 2020-03-04 2024-03-13 Tosoh Corp AROMATIC COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR LAYER AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI393724B (zh) * 2004-03-10 2013-04-21 Japan Science & Tech Agency 含硫族縮環多環式有機材料及其製造方法
JP5499422B2 (ja) * 2006-06-28 2014-05-21 コニカミノルタ株式会社 有機半導体材料、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法
JP4581062B2 (ja) * 2006-10-20 2010-11-17 日本化薬株式会社 電界効果トランジスタ、半導体デバイス作製用インク、電界効果トランジスタの製造方法、および有機複素環化合物
JP5134297B2 (ja) * 2007-07-12 2013-01-30 山本化成株式会社 有機トランジスタ
JP5141154B2 (ja) * 2007-09-21 2013-02-13 Jnc株式会社 [1]ベンゾカルコゲノ[3,2−b][1]ベンゾカルコゲノフェン骨格を有する化合物およびこれを用いた有機トランジスタ
JP2009152355A (ja) * 2007-12-20 2009-07-09 Konica Minolta Holdings Inc 有機薄膜トランジスタの製造方法、及び有機薄膜トランジスタ
JP5436811B2 (ja) * 2008-07-31 2014-03-05 山本化成株式会社 有機トランジスタ

Also Published As

Publication number Publication date
EP2452942A1 (en) 2012-05-16
CN102574868B (zh) 2015-01-14
TW201125871A (en) 2011-08-01
EP2452942A4 (en) 2013-01-23
JP2011032268A (ja) 2011-02-17
CN102574868A (zh) 2012-07-11
WO2011004869A1 (ja) 2011-01-13
KR20120090939A (ko) 2012-08-17
US20120190868A1 (en) 2012-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012104635A (ru) Соединение замещенного бензохалькогенацена, тонкая пленка, включающая такое соединение, и органическое полупроводниковое устройство, включающее такую тонкую пленку
RU2014115454A (ru) Производные карбазола для органических электролюминисцентных устройств
EP1492173A3 (en) Light emitting device containing a rare earth complex as luminescent medium
JP2011501743A5 (ru)
ECSP12011756A (es) Nuevos maitansinoides y el uso de dichos maitansinoides
BRPI0701605A (pt) heteroacenos e dispositvos eletrÈnicos gerados a partir deles
JP2008538221A5 (ru)
EA200601830A1 (ru) Ортозамещённые арильные или гетероарильные амидные соединения
AR084646A1 (es) Pesticidas mesoionicos
RU2010107684A (ru) Конденсированные гетероциклы
EP2339660A3 (en) Monoamine compound, charge transporting material and organic electroluminescent device
RU2008139192A (ru) N-формилгидроксиламины
TW200600971A (en) Calixresorcinarene compounds, photoresist base materials, and compositions thereof
RU2020108470A (ru) Аддитивная композиция для культуральной среды, аддитивное соединение для культуральной среды и способ культивирования клеток или тканей с использованием этой композиции и соединения
JP2008539193A5 (ru)
JP2008150365A5 (ru)
JP2015117235A5 (ja) 有機化合物、発光素子、モジュール、発光装置、表示装置、照明装置及び電子機器
CO6450648A2 (es) Compuesto ciclico que tiene grupo fenilo sustituido
TW200602456A (en) Anthracene compound and organic electroluminescent device including the anthracene compound
MXPA05007848A (es) Derivados de arilalquilcarbamatos, su preparacion y su aplicacion en terapeutica.
EP4219436A3 (en) Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and an electronic device thereof
GB2470170A (en) Dithienothiophene derivatives
ATE517087T1 (de) Cbp-verbindung
CY1112279T1 (el) Εποξειδικη ενωση και μεθοδος για την παρασκευη της
RU2012142222A (ru) Пространственно-затрудненные амины