JP2014525634A - メモリリフレッシュ法および装置 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図5
Description
本出願は、2011年8月31日に出願された米国特許出願第13/222,282号に基づく優先権の利益を主張するものであり、それが参照によりその全体において本願に組み込まれる。
Claims (60)
- メモリデバイスの電源投入に応答して、誤りに関して前記メモリデバイスのメモリの一部分を確認することと、
誤りが発見された場合、訂正されたデータを前記メモリに対して再プログラムすることと、を含む、方法。 - 誤りに関して確認された前記メモリの前記一部分は、前記メモリの1ブロック以下である、請求項1に記載の方法。
- 誤りに関してメモリの一部分を確認することは、前記メモリの前記一部分に、前記メモリデバイスの電源投入時にリフレッシュする印がすでに付けられているかどうかを判定することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記一部分にすでに印が付けられていると判定された場合、前記メモリの前記一部分をリフレッシュすることをさらに含む、請求項3に記載の方法。
- 誤りに関してメモリの一部分を確認することは、前記メモリの前記一部分を読み取ることと、誤り訂正符号を用いて誤りの存在を判定することとを含む、請求項1に記載の方法。
- 誤りが発見された場合、訂正されたデータを前記メモリに対して再プログラムすることは、前記発見された誤りが誤り閾値を超える場合にのみ、訂正されたデータを再プログラムすることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記メモリの動作中に、誤りに関して前記メモリの付加的な部分を確認することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 動作中に誤りに関して前記メモリの付加的な部分を確認することは、読み取られたメモリページの数によりトリガされる、請求項7に記載の方法。
- 読み取り誤りに関して確認されるべきメモリブロックを識別するリフレッシュブロックポインタを維持することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 訂正されたデータを前記メモリに対して再プログラムすることは、前記メモリの前記一部分にリフレッシュの印を付けることと、前記メモリの前記一部分のデータをコピーすることと、前記コピーされたデータを再プログラムすることと、前記メモリの前記一部分の印を取ることと、を含む、請求項1に記載の方法。
- 装置であって、
メモリセルの配列と、
前記装置の少なくとも一部分の電源投入に応答して、誤りに関して前記メモリセルの一部分を確認して、誤りが発見された場合、前記メモリセルに対して訂正されたデータを再プログラムするように動作可能なコントローラと、を備える、装置。 - 不揮発性メモリの前記配列は、NANDフラッシュメモリを含む、請求項11に記載の装置。
- 前記コントローラは、前記メモリの一部分に、前記装置の前記少なくとも一部分の電源投入に応答してリフレッシュする印が付けられているかどうかを判定して、前記コントローラが、前記一部分にリフレッシュする印が付けられていると判定した場合、メモリの前記一部分をリフレッシュするようにさらに動作可能である、請求項11に記載の装置。
- 誤りに関して前記メモリセルの一部分を確認するように動作可能な前記コントローラは、前記メモリセルの前記一部分から読み取られたユーザデータに関連する誤り訂正符号データを用いて、誤りが前記読み取られたユーザデータ内に存在するかどうかを判定するように動作可能なコントローラを含む、請求項11に記載の装置。
- 訂正されたデータを再プログラムするように動作可能な前記コントローラは、前記発見された誤りが誤り閾値を超える場合に、データ訂正されたデータを前記メモリセルに対して再プログラムするように動作可能なコントローラを含む、請求項11に記載の装置。
- 前記コントローラは、前記メモリセルの動作中に、誤りに関して前記メモリセルの付加的な部分を確認するようにさらに動作可能である、請求項11に記載の装置。
- 動作中に誤りに関して前記メモリセルの付加的な部分を確認するように動作可能なコントローラは、動作中に読み取られたページの数に応答して、誤りに関して前記メモリセルの付加的な部分を確認するように動作可能なコントローラを含む、請求項16に記載の装置。
- 誤りに関してまだ確認されていない前記メモリのブロックを識別する、記憶されたリフレッシュブロックポインタをさらに備える、請求項11に記載の装置。
- 不揮発性メモリの前記一部分を再プログラムするように動作可能な前記コントローラは、リフレッシュ用の前記メモリの前記一部分を示しているマーカを記憶し、メモリの前記一部分をコピーし、前記データを前記メモリに対して再プログラムし、再プログラムが完了したときにメモリの前記一部分を示している前記記憶したマーカを除去するようにさらに動作可能なコントローラを含む、請求項11に記載の装置。
- メモリセルの前記配列は、マルチレベルのメモリセルの配列を含む、請求項11に記載の装置。
- コントローラの電源投入に応答して、誤りに関してメモリの一部分を確認し、誤りに関して前記一部分を確認する際、発見された誤りに応答して、前記メモリの前記一部分をリフレッシュするように動作可能なコントローラ。
- 前記コントローラは、電源投入に応答して、前記メモリの一部分にリフレッシュする印が付けられているかどうかを判定し、それに印がついている場合、前記メモリの一部分をリフレッシュするようにさらに動作可能である、請求項21に記載のコントローラ。
- 前記コントローラは、誤り訂正符号を不揮発性メモリの前記読み取られた部分に適用し、前記誤りの存在を判定し、不揮発性メモリの前記一部分から前記誤りを除去するようにさらに動作可能である、請求項21に記載のコントローラ。
- 前記コントローラは、不揮発性メモリの前記一部分にリフレッシュの印を付け、不揮発性メモリの前記一部分をコピーし、メモリの前記一部分で発見された前記誤りを訂正し、訂正されたデータを前記メモリに対して再プログラムし、メモリの前記一部分の印を取るようにさらに動作可能である、請求項21に記載のコントローラ。
- 前記コントローラは、前記メモリが通常のアクセス動作に利用可能である間、バックグラウンド法として誤りに関して前記メモリを確認するようにさらに動作可能である、請求項21に記載のコントローラ。
- 前記コントローラは、読み取られたメモリページの数に基づき、バックグラウンド過程として、誤りに関して前記不揮発性メモリデバイスを確認するように動作可能である、請求項25に記載のコントローラ。
- 前記コントローラは、発見された誤りが誤り閾値を超える場合のみ、前記不揮発性メモリの前記一部分をリフレッシュするように動作可能である、請求項21に記載のコントローラ。
- 装置の少なくとも一部分の電源投入に応答して、誤りに関して、メモリの一部分を確認して、誤りに関して前記メモリの前記一部分を確認する際に発見された誤りに応答して、前記メモリの前記一部分をリフレッシュするように動作可能なコントローラを備える、装置。
- 前記メモリを含むメモリデバイスをさらに備える、請求項28に記載の装置。
- 前記メモリデバイスは、フラッシュメモリカードを含む、請求項29に記載の装置。
- 前記コントローラは、前記メモリの一部分にリフレッシュする印が付けられているかどうかを判定し、前記装置の少なくとも一部分の電源投入に応答して、前記メモリの前記印が付けられた部分をリフレッシュするようにさらに動作可能である、請求項28に記載の装置。
- 前記コントローラは、前記メモリが通常の動作に利用可能である間、誤りに関して前記メモリの付加的な部分を確認し、誤りを有する部分をリフレッシュするようにさらに動作可能である、請求項28に記載の装置。
- 前記コントローラは、読み取られたメモリページの数に基づき、誤りに関して前記メモリの付加的な部分を確認するようにさらに動作可能である、請求項32に記載の装置。
- 前記コントローラは、前記メモリの前記一部分にリフレッシュする必要があるという印を付け、メモリの前記一部分のデータをコピーし、メモリの前記一部分においていかなる訂正可能な誤りも訂正し、訂正されたデータを前記メモリに対して再プログラムし、メモリの前記一部分のリフレッシュする必要があるという印を取るようにさらに動作可能である、請求項28に記載の装置。
- 前記装置は、携帯ゲーム機、スマートフォン、デジタルカメラ、パーソナルデジタルアシスタント、ソリッドステートフラッシュドライブ、またはコンピュータを含む、請求項28に記載の装置。
- メモリデバイスの電源投入に応答して、誤りに関してメモリデバイスのメモリの一部分を確認することと、
誤りが発見された場合、メモリの前記一部分をリフレッシュすることと、を含む方法。 - 誤りに関して前記メモリの一部分を確認することは、前記メモリデバイスの電源投入に応答してリフレッシュされる必要のある前記メモリの一部分を識別するマーカを確認することを含む、請求項36に記載の方法。
- 前記メモリデバイスの通常の動作中、前記メモリの付加的な部分を誤りに関して確認することをさらに含む、請求項36に記載の方法。
- 前記メモリデバイス内の読み取り誤りに関して確認されるべきメモリブロックを識別するリフレッシュブロックポインタを記憶することと、前記メモリデバイス内の読み取り誤りに関して確認されるべきメモリページを識別するリフレッシュページポインタを記憶することと、をさらに含む、請求項36に記載の方法。
- メモリデバイスに電源を投入することに応答して、前記メモリデバイスのメモリの識別されたブロックのデータを読み取ることと、
メモリの前記識別されたブロックの前記読み取られたデータが、閾値を超えた数の誤りを含むかどうかを判定することと、
前記誤りの数が前記閾値を超える場合、前記識別されたブロックにリフレッシュの印を付けることと、を含む、方法。 - 前記識別されたブロックのデータを読み取る前に、前記メモリデバイスのメモリの1ブロックにすでにリフレッシュする印が付けられているかどうかを判定し、ブロックにすでにリフレッシュする印が付けられている場合、前記すでに印が付けられたブロックをリフレッシュすることをさらに含む、請求項40に記載の方法。
- すでにリフレッシュする印が付けられているブロックがない場合のみ、前記識別されたブロックの前記データが読み取られる、請求項41に記載の方法。
- 前記識別されたブロックの前記データの読み取りは、前記すでに印が付けられたブロックをリフレッシュすることにさらに応答する、請求項41に記載の方法。
- メモリの1ブロックにすでにリフレッシュする印が付けられているかどうかを判定することは、不揮発性メモリ内の位置を確認することを含む、請求項41に記載の方法。
- メモリの1ブロックにすでにリフレッシュする印が付けられているかどうかを判定することは、メモリの前記ブロックに関連したフラグを確認することを含む、請求項41に記載の方法。
- 前記識別されたブロックにリフレッシュの印を付けることに応答して、前記識別されたブロックをリフレッシュすることをさらに含む、請求項40に記載の方法。
- 前記識別されたブロックをリフレッシュすることは、前記識別されたブロックの前記データをコピーすることと、前記識別されたブロックの前記データを再プログラムすることと、を含む、請求項46に記載の方法。
- メモリの前記識別されたブロックの前記読み取られたデータが、閾値を超える数の誤りを含むかどうかを判定することは、前記識別されたブロックから読み取られたデータの1ページあたりの誤りの数を計算することを含む、請求項40に記載の方法。
- 前記メモリデバイスのメモリの識別されたブロックのデータを読み取ることは、前記メモリデバイスに電源を投入することに応答して、事前に識別されたブロックに対するポインタを検索し、その後、前記識別されたブロックのデータを読み取ることを含む、請求項40に記載の方法。
- 前記識別されたブロックをリフレッシュすることに応答して、前記ポインタにより識別されたブロックを変化させることをさらに含む、請求項49に記載の方法。
- 前記メモリデバイスのメモリの識別されたブロックのデータを読み取ることは、メモリの単一の識別されたブロックのデータを読み取ることを含む、請求項40に記載の方法。
- メモリの前記識別されたブロックの前記読み取られたデータが、閾値を超える数の誤りを含むかどうかを判定することは、前記識別されたブロックから読み取られたデータのいずれのページにおける誤りの数も前記閾値を超えるかどうかを判定することを含む、請求項40に記載の方法。
- 前記識別されたブロックをリフレッシュすることは、
前記識別されたブロックの前記データをコピーすることと、
前記コピーされたデータにおける訂正可能誤りを訂正することと、
前記訂正されたデータを再プログラムすることと、を含む、請求項46に記載の方法。 - メモリページ読み取りの回数が閾値を超えるかどうかを判定することと、
メモリページ読み取りの前記回数が前記閾値を超える場合、メモリの1ブロックの特定の数のメモリページに記憶されたデータを読み取ることと、
前記読み取られたデータにおける誤りの数が閾値を超える場合、メモリの前記ブロックにリフレッシュの印を付けることと、を含む方法。 - メモリページの読み取り回数が閾値を超えるかどうかを判定することは、
メモリのページを読み取ることに応答して加算カウンタの値を増加させることと、
前記値が増加した加算カウンタの値が特定の値を超えるかどうかを判定することと、を含む、請求項54に記載の方法。 - メモリページの読み取り回数が閾値を超えるかどうかを判定することは、
メモリのページを読み取ることに応答して減算カウンタの値を減少させることと、
前記値が減少した減算カウンタの値が特定の値を下回っているかどうかを判定することと、を含む、請求項54に記載の方法。 - メモリの1ブロックの特定の数のメモリページに記憶されたデータを読み取ることは、メモリの識別されたブロックの特定の数のメモリページに記憶されたデータを読み取ることを含む、請求項54に記載の方法。
- メモリの識別されたブロックの特定の数のメモリページに記憶されたデータを読み取ることは、メモリの単一の識別されたブロックの特定の数のメモリページに記憶されたデータを読み取ることを含む、請求項57に記載の方法。
- メモリの識別されたブロックの特定の数のメモリページに記憶されたデータを読み取ることは、リフレッシュブロックポインタにより識別されたメモリの1ブロックの特定の数のメモリページに記憶されたデータを読み取ることを含む、請求項57に記載の方法。
- メモリの前記ブロックにリフレッシュの印を付けることは、前記読み取られたデータのいかなるページにおける誤りの数も閾値を超える場合、メモリの前記ブロックにリフレッシュの印を付けることを含む、請求項54に記載の方法。
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