JP2014522545A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2014522545A5
JP2014522545A5 JP2014503034A JP2014503034A JP2014522545A5 JP 2014522545 A5 JP2014522545 A5 JP 2014522545A5 JP 2014503034 A JP2014503034 A JP 2014503034A JP 2014503034 A JP2014503034 A JP 2014503034A JP 2014522545 A5 JP2014522545 A5 JP 2014522545A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acid
etching
medium
printable
protective layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014503034A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014522545A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE102011016335A external-priority patent/DE102011016335B4/de
Application filed filed Critical
Publication of JP2014522545A publication Critical patent/JP2014522545A/ja
Publication of JP2014522545A5 publication Critical patent/JP2014522545A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Description

エッチングする保護層によって、エッチング媒体はさらに例えば塩酸、硫酸または硝酸のような無機の鉱酸を含む場合がある。有機酸で例えばアルキル残基が1から10の炭素原子を持ち、アルキルカルボン酸類、ヒドロキシカルボン酸類およびジカルボン酸類の群から選択されたものがエッチング媒体に含まれる場合がある。これらの例にはギ酸、酢酸、乳酸およびシュウ酸がある。あるいはエッチング媒体はエッチングアルカリ性化合物で構成される場合もあり、例えば水酸化カリウム(KOH)または苛性ソーダ(NaOH)を含みとりわけ薄いアモルファスシリコン層をエッチングできる。

Claims (9)

  1. 少なくとも1つの誘電体およびアモルファスシリコン、の少なくとも一方である保護層(9)をエッチングで開口するため、および前記保護層に隣接するシリコン基材(1)と導電接触を作り出すための印刷可能な媒体であって、
    前記保護層を化学的にエッチングするためのエッチング媒体と、
    ニッケル粒子およびチタン粒子のうちの少なくとも一方である5重量%および90重量%の間の金属粒子(15)、を含み、
    前記印刷可能な媒体はガラスフリットを含まず、
    前記エッチング媒体は、リン酸、リン酸塩および/またはリン酸化合物の1つ以上の形態を含む、かつ/または、
    前記エッチング媒体は、塩酸、リン酸、硫酸、フッ化水素酸、硝酸を含む無機鉱酸を含む、かつ/または、
    前記エッチング媒体は、ギ酸、酢酸、乳酸およびシュウ酸を含む、アルキルカルボン酸、ヒドロキシカルボン酸およびジカルボン酸の群から選択され、1から10のC原子を伴うアルキル残基を持つ有機酸を含む、かつ/または、
    前記エッチング媒体は、KOHまたはNaOHを含むエッチング用アルカリ化合物を含む印刷可能な媒体
  2. 前記印刷可能な媒体が前記保護層を化学的にエッチングするためのエッチング媒体を5重量%および90重量%の間で含む、請求項1に記載の印刷可能な媒体。
  3. 前記金属粒子の寸法が20nmおよび50μmの間である、請求項1または2に記載の印刷可能な媒体。
  4. 前記エッチング媒体が前記印刷可能な媒体で覆われた領域内の保護層を化学的に完全に溶解するように適合している、請求項1または2に記載の印刷可能な媒体。
  5. 前記保護層が窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素およびアモルファスシリコンから成る群から選択された少なくとも1つの誘電体を含む、請求項1または2に記載の印刷可能な媒体。
  6. 太陽電池を生産する方法であって、
    シリコン基材(1)を供給(S0)
    前記シリコン基材の表面(7)の上に誘電体およびアモルファスシリコンの少なくとも一方を伴う保護層(9)を堆積(S1)
    前記保護層上に印刷可能な媒体を塗布する(S2)ものであり
    前記印刷可能な媒体は、前記保護層を化学的にエッチングするためのエッチング媒体ニッケル粒子およびチタン粒子のうちの少なくとも一方である5重量%および90重量%の間の金属粒子(15)と、を含み、
    前記印刷可能な媒体はガラスフリットを含まず、
    前記エッチング媒体は、リン酸、リン酸塩および/またはリン酸化合物の1つ以上の形態を含む、かつ/または、
    前記エッチング媒体は、塩酸、リン酸、硫酸、フッ化水素酸、硝酸を含む無機鉱酸を含む、かつ/または、
    前記エッチング媒体は、ギ酸、酢酸、乳酸およびシュウ酸を含む、アルキルカルボン酸、ヒドロキシカルボン酸およびジカルボン酸の群から選択され、1から10のC原子を伴うアルキル残基を持つ有機酸を含む、かつ/または、
    前記エッチング媒体は、KOHまたはNaOHを含むエッチング用アルカリ化合物を含む方法
  7. さらに前記印刷可能な媒体を200℃および600℃の間の温度まで加熱する(S3)ことを含む、請求項に記載の方法。
  8. さらに前記印刷可能な媒体を200℃超で1秒および10分の間継続して加熱することを含む、請求項またはに記載の方法。
  9. さらに塗布された前記印刷可能な媒体により形成された金属接点構造体(11)の厚みを、付加的な導電性の層をつけることにより厚くする(S4)ことを含む、請求項6または7に記載の方法。
JP2014503034A 2011-04-07 2012-04-05 印刷可能な媒体で金属粒子を含みかつエッチングをもたらし、より具体的には太陽電池の生産中にシリコンと接点を作り出す、印刷可能な媒体 Pending JP2014522545A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011016335.2 2011-04-07
DE102011016335A DE102011016335B4 (de) 2011-04-07 2011-04-07 Nickelhaltige und ätzende druckbare Paste sowie Verfahren zur Bildung von elektrischen Kontakten beim Herstellen einer Solarzelle
PCT/EP2012/001608 WO2012136387A2 (de) 2011-04-07 2012-04-05 Metallpartikelhaltiges und ätzendes druckbares medium insbesondere zur kontaktbildung mit silizium beim herstellen einer solarzelle

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014522545A JP2014522545A (ja) 2014-09-04
JP2014522545A5 true JP2014522545A5 (ja) 2016-03-17

Family

ID=46025597

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014503034A Pending JP2014522545A (ja) 2011-04-07 2012-04-05 印刷可能な媒体で金属粒子を含みかつエッチングをもたらし、より具体的には太陽電池の生産中にシリコンと接点を作り出す、印刷可能な媒体

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20140021472A1 (ja)
JP (1) JP2014522545A (ja)
KR (1) KR20140038954A (ja)
CN (1) CN103493146A (ja)
DE (1) DE102011016335B4 (ja)
WO (1) WO2012136387A2 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012213077A1 (de) * 2012-07-25 2014-01-30 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleitermaterials mit einer Kontaktlage
KR101614186B1 (ko) * 2013-05-20 2016-04-20 엘지전자 주식회사 태양전지 및 이의 제조 방법
CN104241402A (zh) * 2013-06-20 2014-12-24 晶科能源有限公司 太阳能电池减反射膜及其制备方法
JP6425927B2 (ja) * 2014-07-03 2018-11-21 国立研究開発法人産業技術総合研究所 シリコン窒化膜用エッチング剤、エッチング方法
DE102014221584B4 (de) * 2014-10-23 2018-10-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Elektrochemisches Sintern von Metallpartikelschichten
US10532571B2 (en) 2015-03-12 2020-01-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printhead structure
CN106373792B (zh) * 2016-08-30 2021-06-08 南通万德科技有限公司 一种高分子材料和金属的复合材料及其制备工艺
KR102600380B1 (ko) * 2018-12-05 2023-11-09 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 태양 전지 및 이의 제조 방법, 그리고 태양 전지 패널
KR102212224B1 (ko) * 2019-09-11 2021-02-04 울산과학기술원 다공성 강유전체 박막을 포함하는 광전소자 및 이의 제조방법

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4183136A (en) * 1977-08-03 1980-01-15 Johnson Controls, Inc. Temperature sensing resistance device
US4968354A (en) * 1987-11-09 1990-11-06 Fuji Electric Co., Ltd. Thin film solar cell array
EP0452118B1 (en) * 1990-04-12 1996-08-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive ink composition and method of forming a conductive thick film pattern
JP3254044B2 (ja) * 1993-06-16 2002-02-04 ナミックス株式会社 太陽電池用電極
JP3398385B2 (ja) * 1993-07-29 2003-04-21 ヴィレケ・ゲルハルト 太陽電池の製作方法およびこの方法によって製作された太陽電池
JPH08279649A (ja) * 1995-04-05 1996-10-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザの製造方法,及び半導体レーザ
JP3889271B2 (ja) * 2000-12-15 2007-03-07 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
DE10150040A1 (de) * 2001-10-10 2003-04-17 Merck Patent Gmbh Kombinierte Ätz- und Dotiermedien
EP1378948A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-07 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Semiconductor etching paste and the use thereof for localised etching of semiconductor substrates
JP4549655B2 (ja) * 2003-11-18 2010-09-22 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 機能性塗料
JP4761714B2 (ja) * 2004-01-29 2011-08-31 京セラ株式会社 太陽電池およびこれを用いた太陽電池モジュール
JP3853793B2 (ja) * 2004-02-27 2006-12-06 京セラケミカル株式会社 太陽電池用導電性ペースト、太陽電池及び太陽電池の製造方法
JP4799881B2 (ja) * 2004-12-27 2011-10-26 三井金属鉱業株式会社 導電性インク
DE102005007743A1 (de) * 2005-01-11 2006-07-20 Merck Patent Gmbh Druckfähiges Medium zur Ätzung von Siliziumdioxid- und Siliziumnitridschichten
CN101098833A (zh) * 2005-01-11 2008-01-02 默克专利股份有限公司 用于二氧化硅和氮化硅层的蚀刻的可印刷介质
DE102005033724A1 (de) * 2005-07-15 2007-01-18 Merck Patent Gmbh Druckfähige Ätzmedien für Siliziumdioxid-und Siliziumnitridschichten
JP2007146117A (ja) * 2005-11-04 2007-06-14 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd ニッケルインク及びそのニッケルインクで形成した導体膜
DE102006030822A1 (de) * 2006-06-30 2008-01-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Herstellen einer metallischen Kontaktstruktur einer Solarzelle
US7888168B2 (en) * 2007-11-19 2011-02-15 Applied Materials, Inc. Solar cell contact formation process using a patterned etchant material
US8101231B2 (en) * 2007-12-07 2012-01-24 Cabot Corporation Processes for forming photovoltaic conductive features from multiple inks
US7820540B2 (en) * 2007-12-21 2010-10-26 Palo Alto Research Center Incorporated Metallization contact structures and methods for forming multiple-layer electrode structures for silicon solar cells
US8506849B2 (en) * 2008-03-05 2013-08-13 Applied Nanotech Holdings, Inc. Additives and modifiers for solvent- and water-based metallic conductive inks
TWI470041B (zh) * 2008-06-09 2015-01-21 Basf Se 用於施加金屬層之分散液
DE102009009840A1 (de) * 2008-10-31 2010-05-27 Bosch Solar Energy Ag Verfahren, Vorrichtung und Drucksubstanz zur Herstellung einer metallischen Kontaktstruktur
WO2010056826A1 (en) * 2008-11-14 2010-05-20 Applied Nanotech Holdings, Inc. Inks and pastes for solar cell fabrication
DE102008037613A1 (de) * 2008-11-28 2010-06-02 Schott Solar Ag Verfahren zur Herstellung eines Metallkontakts
CN101562217A (zh) * 2009-05-22 2009-10-21 中国科学院电工研究所 一种太阳电池前电极制备方法
JP2011060752A (ja) * 2009-08-12 2011-03-24 Nippon Kineki Kk 導電性ペースト組成物
TW201251084A (en) * 2010-12-02 2012-12-16 Applied Nanotech Holdings Inc Nanoparticle inks for solar cells

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014522545A5 (ja)
WO2011052966A3 (en) Method for manufacturing conductive metal thin film using carboxylic acid
KR101652787B1 (ko) 대면적 그라핀의 제조방법 및 전사방법
WO2012136387A4 (de) Metallpartikelhaltiges und ätzendes druckbares medium insbesondere zur kontaktbildung mit silizium beim herstellen einer solarzelle
WO2012043971A3 (ko) 롤 형상의 모기판을 이용한 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판
US9181100B2 (en) Method of transferring a graphene film
WO2009066624A1 (ja) ガラス基板のエッチング処理方法
JP2012099550A (ja) 窒化ケイ素用エッチング液
KR20170127410A (ko) 플렉시블 유리 기판상으로 단층 그래핀의 전사
WO2011019222A3 (ko) 구리 배선의 형성을 위한 식각액 조성물
US20140141571A1 (en) Integrated circuit manufacturing for low-profile and flexible devices
CN103414449B (zh) 一种基于石墨烯材料的高频纳机电谐振器及其制备工艺
CN104600024A (zh) 半导体装置及其制造方法
CN103303858B (zh) 采用koh溶液的硅基mems器件湿法释放方法
Oliva et al. A route for the top-down fabrication of ordered ultrathin GaN nanowires
TW201308667A (zh) Led磊晶粗化製造方法
TW201247422A (en) Method of transferring a graphene film
JP6652740B2 (ja) 膜付きガラス板の製造方法
CN104241108A (zh) 半导体器件形成方法
CN106629581B (zh) 全湿法腐蚀形成器件结构的方法
CN105321826B (zh) 半导体装置的制造方法以及半导体装置
CN108063088A (zh) SiC衬底的图形化方法
CN102437242B (zh) 一种太阳电池背面钝化层开口方法
CN102392248B (zh) Oled用含钼和/或铝金属膜的蚀刻液及其制备方法
JP2007322575A (ja) 表示装置