JP2014521196A - 高性能リチウムイオン電池における多孔質フィルムシリコン負極材料及びその製造方法 - Google Patents
高性能リチウムイオン電池における多孔質フィルムシリコン負極材料及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014521196A JP2014521196A JP2014519406A JP2014519406A JP2014521196A JP 2014521196 A JP2014521196 A JP 2014521196A JP 2014519406 A JP2014519406 A JP 2014519406A JP 2014519406 A JP2014519406 A JP 2014519406A JP 2014521196 A JP2014521196 A JP 2014521196A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- negative electrode
- porous film
- dimensional porous
- film silicon
- electrode material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
- H01M4/134—Electrodes based on metals, Si or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
- H01M4/139—Processes of manufacture
- H01M4/1395—Processes of manufacture of electrodes based on metals, Si or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/38—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of elements or alloys
- H01M4/386—Silicon or alloys based on silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/64—Carriers or collectors
- H01M4/66—Selection of materials
- H01M4/661—Metal or alloys, e.g. alloy coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/64—Carriers or collectors
- H01M4/70—Carriers or collectors characterised by shape or form
- H01M4/80—Porous plates, e.g. sintered carriers
- H01M4/808—Foamed, spongy materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
Abstract
【選択図】図1
Description
空隙率が98.0%、孔の平均直径が100μm、厚みが70μmである銅箔テープをアセトン、10%(質量パーセント)の希塩酸、蒸留水及び無水エタノール超音波を使用し順次に洗浄し、表面の油汚れ及び表面の酸化物等の不純物を除去する。RFマグネトロンスパッタリング法を採用し、純度が99.99%であるSiをターゲット材とし、銅箔テープ集電体を基体とすると、バックグラウンド真空度は1.0×10−3Paであり、スパッタリングの際の作業気圧は0.2Paであり、アルゴンガスArの流量は40sccmであり、Siターゲットのスパッタリング仕事率は150Wであり、サンプル台の回転運動の速度は15rpmであり、スパッタリング時間は2時間であり、スパッタリングで得られたフィルム厚みは300nmである。得られた3次元多孔質フィルムシリコン電極の前駆体を箱型炉内に放置し、真空雰囲気または不活性雰囲気の中で熱処理を行い、700℃熱処理の温度、12℃/min昇温速度、3.5時間保温時間で合金形成の処理を行う;続いて、それを200℃まで降温させ、さらに1.5時間保温してアニール処理を行う;保温終了後、電気加熱を停止させ、それを炉の冷却に伴い室温にまで冷却させ、これにより、3次元多孔質フィルムシリコン負極材料が得られ、該電極活性材料は、主にSiである。酸化を防ぐために、熱処理の間、始終、真空雰囲気または不活性雰囲気を保持する。
空隙率が98.0%、孔の平均直径が150μm、厚みが400μmである発泡銅をアセトン、10%(質量パーセント)希塩酸、蒸留水及び無水エタノール超音波を使用し順次に洗浄し、表面の油汚れ及び表面の酸化物等の不純物を除去する。RFマグネトロンスパッタリング法を採用し、純度が99.999%であるSiをターゲット材とし、発泡銅集電体を基体とすると、バックグラウンド真空度は1.0×10−4Paであり、スパッタリングの際の作業気圧は0.8Paであり、アルゴンガスArの流量は60sccmであり、Siターゲットのスパッタリング仕事率は300Wであり、サンプル台の回転運動の速度は20rpmであり、スパッタリング時間は8時間であり、スパッタリングで得られたフィルム厚みは1.0μmである。得られた3次元多孔質フィルムシリコン電極の前駆体を箱型炉内に放置し、真空雰囲気または不活性雰囲気の中で熱処理を行い、800℃熱処理の温度、15℃/min昇温速度、2時間保温時間で合金形成の処理を行う;続いて、それを200℃まで降温し、さらに2時間保温してアニール処理を行う;保温終了後、電気加熱を停止させ、それを炉の冷却に伴い室温にまで冷却させ、これにより、3次元多孔質フィルムシリコン負極材料が得られ、該電極活性材料は、主にSiである。酸化を防ぐために、熱処理の間、始終、真空雰囲気または不活性雰囲気を保持する。
空隙率が98.0%、孔の平均直径が50μm、厚みが50μmである銅箔テープをアセトン、10%(質量パーセント)希塩酸、蒸留水及び無水エタノール超音波を使用し順次に洗浄し、表面の油汚れ及び表面の酸化物等の不純物を除去する。RFマグネトロンスパッタリング法を採用し、純度が99.998%であるSi及び純度が99.99%であるSnをターゲット材とし(且つSi:Sn=1:1)、銅箔テープ集電体を基体とすると、バックグラウンド真空度は2.0×10−4Paであり、スパッタリングの際の作業気圧は0.3Paであり、アルゴンガスArの流量は40sccmであり、Siターゲットのスパッタリング仕事率は200Wであり、Snターゲットのスパッタリング仕事率は25Wであり、サンプル台の回転運動の速度は18rpmであり、スパッタリング時間は8時間であり、スパッタリングで得られたフィルム厚みは3.0μmである。得られた3次元多孔質フィルムシリコン電極の前駆体を箱型炉内に放置し、真空雰囲気または不活性雰囲気の中で熱処理を行い、200℃熱処理の温度、3℃/min昇温速度、5時間保温時間で合金形成の処理行う;続いて、それを100℃まで降温し、さらに3時間保温してアニール処理を行う;保温終了後、電気加熱を停止させ、それを炉の冷却に伴い室温にまで冷却させ、これにより、3次元多孔質フィルムシリコン負極材料が得られる。該電極活性材料は、主にSiとSi‐Snで形成される部分合金である。酸化を防ぐために、熱処理の間、始終、真空雰囲気または不活性雰囲気を保持する。
空隙率が96.0%、孔の平均直径が100μm、厚みが150μmである銅線テープをアセトン、10%(質量パーセント)希塩酸、蒸留水及び無水エタノール超音波を使用し順次に洗浄し、表面の油汚れと表面の酸化物等の不純物を除去する。RFマグネトロンスパッタリング法を採用し、純度が99.997%であるSi及び純度が99.999%であるSnをターゲット材とし(且つSi:Sn=5:1)、銅線テープ集電体を基体とすると、バックグラウンド真空度は6.0×10−4Paであり、スパッタリングの際の作業気圧は0.4Paであり、アルゴンガスArの流量は50sccmであり、Siターゲットのスパッタリング仕事率は300Wであり、Snターゲットのスパッタリング仕事率は50Wであり、サンプル台の回転運動の速度は20rpmであり、スパッタリング時間は6時間であり、スパッタリングで得られたフィルム厚みは2.3μmである。得られた3次元多孔質フィルムシリコン電極の前駆体を箱型炉内に放置し、真空雰囲気または不活性雰囲気の中で熱処理を行い、230℃熱処理の温度、5℃/min昇温速度、3.5時間保温時間で合金形成の処理を行う;続いて、それを100℃まで降温し、さらに2時間保温してアニール処理を行う;保温終了後、電気加熱を停止させ、それを炉の冷却に伴い室温にまで冷却させ、これにより3次元多孔質フィルムシリコン複合負極材料が得られ、該電極活性材料は、主にSiとSi−Snで形成される部分合金である。酸化を防ぐために、熱処理の間、始終真空雰囲気または不活性雰囲気を保持する。
空隙率が98.0%、孔の平均直径が50μm、厚みが100μmである銅箔テープをアセトン、10%(質量パーセント)希塩酸、蒸留水及び無水エタノール超音波を使用し順次に洗浄し、表面の油汚れ及び表面酸化物等の不純物を除去する。RFマグネトロンスパッタリング法を採用し、純度が99.996%であるSi及び純度が99.995%であるMgをターゲット材とし(且つSi:Mg=6:1)、銅箔テープ集電体を基体とすると、バックグラウンド真空度は2.0×10−4Paであり、スパッタリングの際の作業気圧は0.5Paであり、アルゴンガスArの流量は50sccmであり、Siターゲットのスパッタリング仕事率は200Wであり、Mgターゲットのスパッタリング仕事率は30Wであり、サンプル台の回転運動の速度は15rpmであり、スパッタリング時間は4時間であり、スパッタリングで得られたフィルム厚みは2.2μmである。得られた3次元多孔質フィルムシリコン電極の前駆体を箱型炉内に放置し、真空雰囲気または不活性雰囲気の中で熱処理を行い、550℃熱処理の温度、9℃/min昇温速度、4時間保温時間で合金形成の処理を行う;続いて、それを150℃まで降温し、さらに2時間保温してアニール処理を行う;保温終了後、電気加熱を停止させ、それを炉の冷却に伴い室温にまで冷却させ、これにより、3次元多孔質フィルムシリコン負極材料が得られ、該電極活性材料は、主にSi及びSi‐Mgで形成される部分合金である。酸化を防ぐために、熱処理の間、始終、真空雰囲気または不活性雰囲気を保持する。
空隙率が96.0%、孔の平均直径が150μm、厚みが300μmである発泡ニッケルをアセトン、10%(質量パーセント)希塩酸、蒸留水及び無水エタノール超音波を使用し順次に洗浄し、表面の油汚れ及び表面の酸化物等の不純物を除去する。RFマグネトロンスパッタリング法を採用し、純度が99.999%であるSi及び純度が99.999%であるMgをターゲット材とし(且つSi:Mg=9:1)、発泡ニッケル集電体を基体とすると、バックグラウンド真空度は1.0×10−4Paであり、スパッタリングの際の作業気圧は0.6Paであり、アルゴンガスArの流量は60sccmであり、Siターゲットのスパッタリング仕事率は300Wであり、Mgターゲットのスパッタリング仕事率は60Wであり、サンプル台の回転運動の速度は18rpmであり、スパッタリング時間は6時間であり、スパッタリングで得られたフィルム厚みは2.0μmである。得られた3次元多孔質フィルムシリコン電極の前駆体を箱型炉内に放置し、真空雰囲気または不活性雰囲気の中で熱処理を行い、620℃熱処理の温度、10℃/min昇温速度、2.5時間保温時間で合金形成の処理を行う;続いて、それを200℃まで降温し、さらに1時間保温してアニール処理を行う;保温終了後、電気加熱を停止させ、それを炉の冷却に伴い室温にまで冷却させ、これにより、3次元多孔質フィルムシリコン負極材料が得られ、該電極活性材料は主にSi及びSi‐Mgで形成される部分合金である。酸化を防ぐために、熱処理の間、始終、真空雰囲気または不活性雰囲気を保持する。
空隙率が98.0%、孔の平均直径が100μm、厚みが50μmである銅線テープをアセトン、10%(質量パーセント)希塩酸、蒸留水及び無水エタノール超音波を使用し順次に洗浄し、表面の油汚れ及び表面の酸化物等の不純物を除去する。RFマグネトロンスパッタリング法を採用し、純度が99.995%であるSiと純度が99.995%であるAlをターゲット材とし(且つSi:Al=8:1)、銅線テープ集電体を基体とすると、バックグラウンド真空度は6.0×10−4Paであり、スパッタリングの際の作業気圧は0.2Paであり、アルゴンガスArの流量は40sccmであり、Siターゲットのスパッタリング仕事率は200Wであり、Alターゲットのスパッタリング仕事率は30Wであり、サンプル台の回転運動の速度は15rpmであり、スパッタリング時間は4時間であり、スパッタリングで得られたフィルム厚みは1.8μmである。得られた3次元多孔質フィルムシリコン電極の前駆体を箱型炉内に放置し、真空雰囲気または不活性雰囲気の中で熱処理を行う。550℃熱処理の温度、6℃/min昇温速度、4時間保温時間で合金形成の処理を行う;続いて、それを150℃まで降温し、さらに3時間保温してアニール処理を行う;保温終了後、電気加熱を停止させ、それを炉の冷却に伴い室温にまで冷却させ、これにより、3次元多孔質フィルムシリコン負極材料が得られ、該電極活性材料は、主にSi及びSi−Alで形成される部分合金である。酸化を防ぐために、熱処理の間、始終、真空雰囲気または不活性雰囲気を保持する。
空隙率が96.0%、孔の平均直径が200μm、厚みが200μmである発泡銅をアセトン、10%(質量パーセント)希塩酸、蒸留水及び無水エタノール超音波を使用し順次に洗浄し、表面の油汚れ及び表面の酸化物等の不純物を除去する。RFマグネトロンスパッタリング法を採用し、純度が99.999%であるSi及び純度が99.999%であるAlをターゲット材とし(且つSi:Al=4:1)、発泡銅集電体を基体とすると、バックグラウンド真空度は1.0×10−5Paであり、スパッタリングの際の作業気圧は0.8Paであり、アルゴンガスArの流量は60sccmであり、Siターゲットのスパッタリング仕事率は300Wであり、Alターゲットのスパッタリング仕事率は60Wであり、サンプル台の回転運動の速度は20rpmであり、スパッタリング時間は6時間であり、スパッタリングで得られたフィルム厚みは2.6μmである。得られた3次元多孔質フィルムシリコン電極の前駆体を箱型炉内に放置し、真空雰囲気または不活性雰囲気の中で熱処理を行い、650℃熱処理の温度、8℃/min昇温速度、2時間保温時間で合金形成の処理を行う;続いて、それを200℃まで降温し、さらに2時間保温してアニール処理を行う;保温終了後、電気加熱を停止させ、それを炉の冷却に伴い室温にまで冷却させ、これにより、3次元多孔質フィルムシリコン負極材料が得られる。該電極活性材料は主にSi及びSi−Alとで形成される部分合金である。酸化を防ぐために、熱処理の間、始終、真空雰囲気または不活性雰囲気を保持する。
空隙率が95.0%、孔の平均直径が150μm、厚みが400μmである発泡ニッケルをアセトン、10%(質量パーセント)希塩酸、蒸留水及び無水エタノール超音波を使用し順次に洗浄し、表面の油汚れ及び表面の酸化物等の不純物を除去する。RFマグネトロンスパッタリング法を採用し、純度が99.996%であるSi、純度が99.995%であるSn及び純度が99.996%であるMgをターゲット材とし(且つSi:(Sn+Mg)=7:1)、発泡ニッケル集電体を基体とすると、バックグラウンド真空度は3.0×10−4Paであり、スパッタリングの際の作業気圧は0.3Paであり、アルゴンガスArの流量は50sccmであり、Siターゲットのスパッタリング仕事率は200Wであり、Snターゲットのスパッタリング仕事率は25Wであり、Mgターゲットのスパッタリング仕事率は30Wであり、サンプル台の回転運動の速度は15rpmであり、スパッタリング時間は5時間であり、スパッタリングで得られたフィルム厚みは2.7μmである。得られた3次元多孔質フィルムシリコン電極の前駆体を箱型炉内に放置し、真空雰囲気または不活性雰囲気の中で熱処理を行い、230℃熱処理の温度、5℃/min昇温速度、5時間保温時間で合金形成の処理を行う;続いて、それを100℃まで降温し、さらに3時間保温してアニール処理を行う;保温終了後、電気加熱を停止させ、それを炉の冷却に伴い室温にまで冷却させ、これにより、3次元多孔質フィルムシリコン負極材料が得られ、該電極活性材料は、主にSi、Si‐Sn及びSi‐Mgで形成される部分合金である。酸化を防ぐために、熱処理の間、始終、真空雰囲気または不活性雰囲気を保持する。
空隙率が97.0%、孔の平均直径が100μm、厚みが90μmである銅箔テープをアセトン、10%(質量パーセント)希塩酸、蒸留水及び無水エタノール超音波を使用し順次に洗浄し、表面の油汚れ及び表面の酸化物等の不純物を除去する。RFマグネトロンスパッタリング法を採用し、純度が99.998%であるSi、純度が99.996%であるAl及びと純度が99.995%であるMgをターゲット材とし(且つSi:(Al+Mg)=9:1)、銅箔テープ集電体を基体とすると、バックグラウンド真空度は5.0×10−4Paであり、スパッタリングの際の作業気圧は0.5Paであり、アルゴンガスArの流量は40sccmであり、Siターゲットのスパッタリング仕事率は200Wであり、Alターゲットのスパッタリング仕事率は30Wであり、Mgターゲットのスパッタリング仕事率は30Wであり、サンプル台の回転運動の速度は18rpmであり、スパッタリング時間は7時間であり、スパッタリングで得られたフィルム厚みは2.9μmである。得られた3次元多孔質フィルムシリコン電極の前駆体を箱型炉内に放置し、真空雰囲気または不活性雰囲気の中で熱処理を行い、600℃熱処理の温度、6℃/min昇温速度、3.5時間保温時間で合金形成の処理を行う;続いて、それを200℃まで降温し、さらに2時間保温してアニール処理を行う;保温終了後、電気加熱を停止させ、それを炉の冷却に伴い室温にまで冷却させ、これにより、3次元多孔質フィルムシリコン負極材料が得られ、該電極活性材料は、主にSi及びSi‐Al及びSi‐Mgで形成される部分合金である。酸化を防ぐために、熱処理の間、始終、真空雰囲気または不活性雰囲気を保持する。
Claims (10)
- 高性能リチウムイオン電池における3次元多孔質フィルムシリコン負極材料の製造方法であって、該方法は、
(1)材質をリチウムイオンが挿入された不活性な金属とする、3次元多孔質集電体材料を洗浄する工程と、
(2)RFマグネトロンスパッタリング法を採用する工程であって、単結晶シリコン、または単結晶シリコンと金属Mが共に銅箔テープ、銅線テープ、発泡銅或いは発泡ニッケル集電体にスパッタリングされることにより、3次元多孔質フィルムシリコン電極の前駆体が得られ、前記金属Mは、リチウムとで形成された金属間の化合物または合金の金属であり、つまりリチウムイオンが挿入された活性な金属である、工程と、
(3)工程(2)により得られた前記3次元多孔質フィルムシリコン電極の前駆体が真空雰囲気または不活性雰囲気の中で熱処理を行い、3次元多孔質フィルムシリコン負極材料を得る工程と、を含むことを特徴とする方法。 - 前記工程(1)において、前記銅箔テープ、銅線テープ、発泡銅の空隙率が95.0%以上であり、孔の平均直径は50〜200μmであり、厚みは50μm〜400μmであることを特徴とする、請求項1に記載の高性能リチウムイオン電池における3次元多孔質フィルムシリコン負極材料の製造方法。
- 前記工程(2)において、採用される単結晶シリコンターゲットの純度は少なくとも99.99%であることを特徴とする、請求項1に記載の高性能リチウムイオン電池における3次元多孔質フィルムシリコン負極材料の製造方法。
- 前記工程(2)において、採用される、リチウムイオンが挿入された活性な金属ターゲットの純度は少なくとも99.99%であることを特徴とする、請求項1に記載の高性能リチウムイオン電池における3次元多孔質フィルムシリコン負極材料の製造方法。
- 前記工程(2)において、前記単結晶シリコン/前記金属Mが1:1〜9:1の間であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の高性能リチウムイオン電池における3次元多孔質フィルムシリコン負極材料の製造方法。
- 前記工程(2)において、前記RFマグネトロンスパッタリング法の作業条件は、
(1)バックグラウンド真空度が1.0×10‐5〜1.0×10‐3Paである
(2)スパッタリングの際の作業気圧が0.2〜0.8Paである
(3)アルゴンガスArの流量が40〜60sccmである
(4)異なるターゲット材のスパッタリング仕事率は以下のとおりであり、すなわち、Siが150〜300W、Alが30〜60W、Snが25〜50W、Mgが30〜60Wというものである
(5)サンプル台の回転運動の速度が15〜20rpmである
(6)スパッタリング時間が2〜8時間である
ことを特徴とする、請求項1に記載の高性能リチウムイオン電池における3次元多孔質フィルムシリコン負極材料の製造方法。 - 前記工程(2)において、前記マグネトロンスパッタリングされた多孔質フィルムの厚みが300nm〜3μmであることを特徴とする、請求項6に記載の高性能リチウムイオン電池における3次元多孔質フィルムシリコン負極材料の製造方法。
- 前記工程(3)において、前記熱処理とは、電気加熱によって前記工程(2)で得られた3次元多孔質フィルムシリコン電極の前駆体の温度を200℃〜800℃まで上昇させ、さらに200℃〜800℃の条件で2〜5時間保温して合金形成の処理を行い、続いて、温度を100℃〜200℃までに下げ、さらに1〜3時間保温してアニール処理を行ない、保温終了後、電気加熱を停止し、それを炉の冷却に伴い室温にまで冷却し、且つ熱処理の間、始終、真空雰囲気または不活性雰囲気の中であることを特徴とする、請求項1に記載の高性能リチウムイオン電池における3次元多孔質フィルムシリコン負極材料の製造方法。
- 前記工程(3)において、前記昇温プロセスにおける昇温の速度が3〜5℃/minであることを特徴とする、請求項8に記載の高性能リチウムイオン電池における3次元多孔質フィルムシリコン負極材料の製造方法。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載の製造方法により製造されることを特徴とする、高性能リチウムイオン電池における3次元多孔質フィルムシリコン負極材料。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210127121.3A CN102683656B (zh) | 2012-04-26 | 2012-04-26 | 高性能锂离子电池多孔薄膜硅基负极材料及其制备方法 |
CN201210127121.3 | 2012-04-26 | ||
PCT/CN2012/079976 WO2013159471A1 (zh) | 2012-04-26 | 2012-08-10 | 高性能锂离子电池多孔薄膜硅基负极材料及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014521196A true JP2014521196A (ja) | 2014-08-25 |
JP5951014B2 JP5951014B2 (ja) | 2016-07-13 |
Family
ID=46815267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014519406A Active JP5951014B2 (ja) | 2012-04-26 | 2012-08-10 | 高性能リチウムイオン電池における多孔質フィルムシリコン負極材料及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5951014B2 (ja) |
CN (1) | CN102683656B (ja) |
WO (1) | WO2013159471A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023508087A (ja) * | 2020-04-27 | 2023-02-28 | エルジー エナジー ソリューション リミテッド | リチウム親和物質がコーティングされたリチウム二次電池用負極及びその製造方法 |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102931437A (zh) * | 2012-11-09 | 2013-02-13 | 浙江大学 | 基于泡沫镍生长的石墨烯为负极的锂离子电池制作方法 |
CN103943821A (zh) * | 2013-01-18 | 2014-07-23 | 苏州宝时得电动工具有限公司 | 负极、具有该负极的电池及负极制备方法 |
CN103144393B (zh) * | 2013-04-02 | 2015-06-17 | 南开大学 | 一种三明治结构硅基薄膜材料及其制备方法和应用 |
CN104183865A (zh) * | 2013-05-24 | 2014-12-03 | 苏州宝时得电动工具有限公司 | 锂二次电池 |
US10115960B2 (en) * | 2014-01-15 | 2018-10-30 | Jenax Inc. | Electrode for secondary battery and manufacturing method thereof |
CN103746140B (zh) * | 2014-01-26 | 2015-08-19 | 江苏品德环保科技有限公司 | 一种锂二次电池 |
CN103779567B (zh) * | 2014-01-26 | 2016-01-20 | 江苏品德环保科技有限公司 | 一种具有改善正极活性物质的二次电池 |
CN104716330B (zh) * | 2015-03-25 | 2017-03-29 | 中国科学院化学研究所 | 一种三维多孔集流体及其制备方法和用途 |
CN105047878A (zh) * | 2015-07-15 | 2015-11-11 | 田东 | 一种气相沉积制备改性硅基负极材料的方法 |
CN108075105A (zh) * | 2016-11-18 | 2018-05-25 | 中国科学院金属研究所 | 一种锂离子电池用硅基负极的制备方法 |
CN108063222B (zh) * | 2017-08-31 | 2024-04-02 | 广东猛狮新能源科技股份有限公司 | 一种锂离子电池负极材料、其制备方法和锂离子电池 |
CN107706356A (zh) * | 2017-09-29 | 2018-02-16 | 北京航空航天大学 | 一种锂离子电池硅点阵结构电极 |
CN108110222B (zh) * | 2017-12-08 | 2020-04-17 | 成都新柯力化工科技有限公司 | 一种基于锂电池的多层金属-碳负极的制备方法 |
CN108362849A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-08-03 | 成都亦道科技合伙企业(有限合伙) | 一种合金集流体的高通量筛选方法 |
EP3557676A1 (en) | 2018-04-18 | 2019-10-23 | Brno University Of Technology | Alkali and/or alkaline earth ion - monoclinic sulfur allotrope battery with self-supporting electrodes |
CN109148891A (zh) * | 2018-08-06 | 2019-01-04 | 珠海光宇电池有限公司 | 一种纳米多孔铜-硅负极片及其制备方法 |
CN109167061A (zh) * | 2018-08-30 | 2019-01-08 | 中南大学 | 一种全固态薄膜锂离子电池3d薄膜负极及其制备方法 |
CN109402567A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-03-01 | 上海科比斯实业有限公司 | 一种锂离子电池硅基合金薄膜及其制备方法 |
CN110635139A (zh) * | 2019-09-12 | 2019-12-31 | 深圳先进技术研究院 | 铜集流体及其制备方法、负电极以及二次电池 |
CN112542570B (zh) | 2019-09-23 | 2022-08-09 | 北京小米移动软件有限公司 | 硅负极极片及其制备方法和锂离子电池 |
CN110783556A (zh) * | 2019-10-09 | 2020-02-11 | 桂林电子科技大学 | 复合型三维复合结构薄膜及其制备方法与应用 |
CN111194160A (zh) * | 2020-02-24 | 2020-05-22 | 北京中石伟业科技无锡有限公司 | 一种基于泡沫铜的超薄非对称均热板 |
CN111416113A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-07-14 | 郑州轻工业大学 | 一种锂离子电池新型硅基复合多孔负极材料的制备方法及其应用 |
CN111584828A (zh) * | 2020-04-28 | 2020-08-25 | 江西昌大高新能源材料技术有限公司 | 一种锂离子电池硅/金属复合薄膜负极结构及其制备方法 |
CN113013384A (zh) * | 2021-02-23 | 2021-06-22 | 蚌埠学院 | 一种储锂硅基材料的制备合成方法 |
CN113151793B (zh) * | 2021-03-26 | 2023-04-28 | 西安交通大学 | 一种高强度高塑性铜铝纳米金属多层膜的制备方法 |
CN113380993B (zh) * | 2021-04-25 | 2022-07-01 | 厦门大学 | 三维导电骨架、锂金属复合负极和表面保护层的制备方法 |
CN113564524B (zh) * | 2021-07-13 | 2023-08-01 | 南京邮电大学 | 一种制备碳包覆三维多孔铜集流体的方法 |
CN113540395B (zh) * | 2021-07-21 | 2022-08-16 | 重庆大学 | 一种可充镁电池负极表面人工sei膜的成膜液及制备方法 |
CN114094071A (zh) * | 2021-11-11 | 2022-02-25 | 惠州锂威新能源科技有限公司 | 一种硅基负极材料及其制备方法、负极片以及锂离子电池 |
CN114094035B (zh) * | 2021-11-16 | 2023-08-22 | 厦门大学 | 一种高循环稳定二次锌电池负极铝锌合金涂层的制备方法 |
CN114156438A (zh) * | 2021-12-07 | 2022-03-08 | 南京宇博瑞材料科技有限公司 | 一种高性能多孔Cu-Si合金薄膜负极材料及其制备方法 |
CN114335559B (zh) * | 2022-01-21 | 2023-09-01 | 山东大学 | 一种锂金属电池集流体及其制备方法和应用 |
CN114678507A (zh) * | 2022-04-12 | 2022-06-28 | 南昌大学共青城光氢储技术研究院 | 一种锂离子电池多层硅/碳薄膜负极极片及其制备方法 |
CN114725316A (zh) * | 2022-04-21 | 2022-07-08 | 华中科技大学 | 具有网状集流体限域结构的厚电极及其制备方法、锂电池 |
CN115224242B (zh) * | 2022-06-13 | 2024-03-05 | 河南师范大学 | 一种锂电池正极片的制备方法及其应用 |
CN115101725A (zh) * | 2022-07-05 | 2022-09-23 | 合肥工业大学 | 一种硅纳米线电极的制备方法及其在锂离子电池中的应用 |
CN115285998A (zh) * | 2022-08-30 | 2022-11-04 | 山东大学 | 一种三维多孔Cu3Si@Si锂电负极材料的制备方法及应用 |
CN117174914A (zh) * | 2023-09-20 | 2023-12-05 | 中能鑫储(北京)科技有限公司 | 一种应用于铝离子电池的三维集流体及其制备方法 |
CN117747847B (zh) * | 2023-12-22 | 2024-07-12 | 中南大学 | 具有亲钠界面的复合集流体及其制备和在无负极钠电池中的应用 |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07130358A (ja) * | 1993-11-04 | 1995-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非水電解質二次電池 |
WO2001031724A1 (fr) * | 1999-10-22 | 2001-05-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electrode pour pile au lithium et accumulateur au lithium |
JP2001266851A (ja) * | 1999-10-22 | 2001-09-28 | Sanyo Electric Co Ltd | リチウム二次電池用電極の製造方法 |
US20020031708A1 (en) * | 2000-01-13 | 2002-03-14 | Krause Larry J. | Electrode compositions having improved cycling behavior |
JP2003520397A (ja) * | 2000-01-13 | 2003-07-02 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 改善された循環挙動を有する電極組成物 |
JP2004071305A (ja) * | 2002-08-05 | 2004-03-04 | Hitachi Maxell Ltd | 非水電解質二次電池 |
JP2004259636A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 非水電解質二次電池 |
WO2005057715A1 (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-23 | Nec Corporation | 二次電池 |
JP2005268016A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Sanyo Electric Co Ltd | リチウム二次電池の製造方法 |
JP2006164793A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非水電解質二次電池用負極およびその製造法ならびに非水電解質二次電池 |
JP2007323901A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Sony Corp | 電池用電極及びその製造方法、並びに二次電池 |
JP2009503786A (ja) * | 2005-07-25 | 2009-01-29 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | リチウムイオン電池のための合金組成物 |
JP2009503785A (ja) * | 2005-07-25 | 2009-01-29 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | リチウムイオンバッテリ用合金組成物 |
JP2010113964A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-05-20 | Toyota Central R&D Labs Inc | リチウム2次電池用負極、リチウム2次電池及びリチウム2次電池用負極の製造方法 |
US20110111296A1 (en) * | 2009-11-11 | 2011-05-12 | Amprius, Inc. | Open structures in substrates for electrodes |
JP2011134521A (ja) * | 2009-12-23 | 2011-07-07 | Mitsubishi Materials Corp | 非水電解質二次電池用負極 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4330290B2 (ja) * | 2001-06-20 | 2009-09-16 | 三洋電機株式会社 | リチウム二次電池用電極の製造方法 |
US20040048157A1 (en) * | 2002-09-11 | 2004-03-11 | Neudecker Bernd J. | Lithium vanadium oxide thin-film battery |
JP5758560B2 (ja) * | 2005-07-20 | 2015-08-05 | ソニー株式会社 | リチウムイオン二次電池の充電方法 |
CN101425572B (zh) * | 2007-10-29 | 2011-12-14 | 比亚迪股份有限公司 | 一种锂离子电池负极片及其制备方法 |
CN101640261A (zh) * | 2008-08-01 | 2010-02-03 | 中信国安盟固利新能源科技有限公司 | 锂离子二次电池负极及制备方法、以及锂离子二次电池 |
CN102212789A (zh) * | 2011-05-05 | 2011-10-12 | 电子科技大学 | 锂离子电池锡钛薄膜负极的磁控溅射制备方法 |
-
2012
- 2012-04-26 CN CN201210127121.3A patent/CN102683656B/zh active Active
- 2012-08-10 WO PCT/CN2012/079976 patent/WO2013159471A1/zh active Application Filing
- 2012-08-10 JP JP2014519406A patent/JP5951014B2/ja active Active
Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07130358A (ja) * | 1993-11-04 | 1995-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非水電解質二次電池 |
WO2001031724A1 (fr) * | 1999-10-22 | 2001-05-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electrode pour pile au lithium et accumulateur au lithium |
JP2001266851A (ja) * | 1999-10-22 | 2001-09-28 | Sanyo Electric Co Ltd | リチウム二次電池用電極の製造方法 |
US20020031708A1 (en) * | 2000-01-13 | 2002-03-14 | Krause Larry J. | Electrode compositions having improved cycling behavior |
JP2003520397A (ja) * | 2000-01-13 | 2003-07-02 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 改善された循環挙動を有する電極組成物 |
JP2004071305A (ja) * | 2002-08-05 | 2004-03-04 | Hitachi Maxell Ltd | 非水電解質二次電池 |
JP2004259636A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 非水電解質二次電池 |
WO2005057715A1 (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-23 | Nec Corporation | 二次電池 |
JP2005268016A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Sanyo Electric Co Ltd | リチウム二次電池の製造方法 |
JP2006164793A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非水電解質二次電池用負極およびその製造法ならびに非水電解質二次電池 |
JP2009503786A (ja) * | 2005-07-25 | 2009-01-29 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | リチウムイオン電池のための合金組成物 |
JP2009503785A (ja) * | 2005-07-25 | 2009-01-29 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | リチウムイオンバッテリ用合金組成物 |
JP2007323901A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Sony Corp | 電池用電極及びその製造方法、並びに二次電池 |
JP2010113964A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-05-20 | Toyota Central R&D Labs Inc | リチウム2次電池用負極、リチウム2次電池及びリチウム2次電池用負極の製造方法 |
US20110111296A1 (en) * | 2009-11-11 | 2011-05-12 | Amprius, Inc. | Open structures in substrates for electrodes |
JP2011134521A (ja) * | 2009-12-23 | 2011-07-07 | Mitsubishi Materials Corp | 非水電解質二次電池用負極 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023508087A (ja) * | 2020-04-27 | 2023-02-28 | エルジー エナジー ソリューション リミテッド | リチウム親和物質がコーティングされたリチウム二次電池用負極及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5951014B2 (ja) | 2016-07-13 |
CN102683656A (zh) | 2012-09-19 |
CN102683656B (zh) | 2014-10-29 |
WO2013159471A1 (zh) | 2013-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5951014B2 (ja) | 高性能リチウムイオン電池における多孔質フィルムシリコン負極材料及びその製造方法 | |
KR101621133B1 (ko) | 리튬이온전지 3d다공성 실리카계 복합 음극재료 및 그 제조방법 | |
CN106848199B (zh) | 一种锂离子电池纳米硅/多孔碳复合负极材料及其制备方法和应用 | |
TWI407620B (zh) | 儲能複合粒子、電池負極材料以及電池 | |
WO2017190588A1 (zh) | 一种采用激光熔覆复合扩散焊和脱合金制备锂离子电池硅负极的方法 | |
US20190316243A1 (en) | Nanoporous Copper-Zinc-Aluminum Shape Memory Alloy and Preparation and Application Thereof | |
JP2019505948A (ja) | 複合ケイ素負極材料、調製方法及び使用 | |
US11063264B2 (en) | Porous structure Si Cu composite electrode of lithium ion battery and preparation method thereof | |
Wei et al. | Review of room-temperature liquid metals for advanced metal anodes in rechargeable batteries | |
WO2019227598A1 (zh) | 一种负极材料、负极及负极的制备方法 | |
CN104638253B (zh) | 一种作为锂离子电池负极的Si@C‑RG核壳结构复合材料的制备方法 | |
CN109103443B (zh) | 硅基负极材料及其制备方法 | |
KR20130005102A (ko) | 실리콘-탄소 코어쉘을 이용한 리튬이차전지용 음극활물질 및 이의 제조방법 | |
CN108807842B (zh) | 硅@碳-石墨烯基柔性复合材料及其制备方法、锂电池 | |
CN110429270B (zh) | 一种负极复合材料Sn/MXene@C及其制备方法 | |
CN110767891B (zh) | 一种多孔球形硅基复合负极材料的制备方法 | |
CN108390051B (zh) | 一种石墨烯@硅复合材料及其制备方法 | |
Lu et al. | Recent development of graphene-based materials for cathode application in lithium batteries: a review and outlook | |
Kim et al. | Gold-coated silicon nanowire–graphene core–shell composite film as a polymer binder-free anode for rechargeable lithium-ion batteries | |
CN106997946B (zh) | 硅-铜复合材料、制备方法及在锂离子电池中的应用 | |
CN113036100B (zh) | 一种含刚性颗粒骨架的锂金属复合负极及其制备方法 | |
CN114156485A (zh) | 复合修饰层及其于无阳极锂电池的应用 | |
CN111082035B (zh) | 片状-石墨烯@硅@无定型碳-三明治结构复合材料的制备方法及其产品和应用 | |
Zhang et al. | Cu 2+ 1 O coated polycrystalline Si nanoparticles as anode for lithium-ion battery | |
USRE49419E1 (en) | Nano-scale/nanostructured Si coating on valve metal substrate for lib anodes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150323 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150924 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160509 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160607 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5951014 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |