JP2014225643A5 - - Google Patents
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Claims (34)
- 厚さ方向において互いに反対方向を向く表面および裏面、上記表面に形成された第1表面電極および第2表面電極、上記裏面に形成された裏面電極、を有する半導体素子と、
上記裏面電極が導通接続されるダイパッド部および上記ダイパッド部とは反対側を向く主裏面端子部を有する主リードと、
第1ワイヤを介して上記第1表面電極に接続される第1ワイヤボンディング部および上記第1ワイヤボンディング部とは反対側を向く第1副裏面端子部を有する第1副リードと、
第2ワイヤを介して上記第2表面電極に接続される第2ワイヤボンディング部および上記第2ワイヤボンディング部とは反対側を向く第2副裏面端子部を有する第2副リードと、
上記半導体素子と上記主リード、上記第1副リードおよび上記第2副リードの一部ずつとを覆うとともに、上記主裏面端子部、上記第1副裏面端子部および上記第2副裏面端子部を同じ側に露出させる樹脂パッケージと、を備えており、
上記主リードは、上記ダイパッド部から上記主裏面端子部にわたる主全厚部と、この主全厚部の上記ダイパッド部側部分から厚さ方向に対して直角である方向に突出する主ひさし部と、を有しており、
上記ダイパッド部および上記半導体素子は、厚さ方向視において上記主全厚部および上記主ひさし部の双方に重なり、
上記第1表面電極および上記第2表面電極の少なくともいずれか、は上記主ひさし部に重なり、
上記第1ワイヤは、上記第1ワイヤボンディング部に接合されたファーストボンディング部と、上記第1表面電極に対して第1バンプを介して接合されたセカンドボンディング部と、を有し、
上記第2ワイヤは、上記第2ワイヤボンディング部に接合されたファーストボンディング部と、上記第2表面電極に対して第2バンプを介して接合されたセカンドボンディング部と、を有する、
ことを特徴とする、半導体装置。 - 上記第1表面電極がゲート電極であり、上記第2表面電極がソース電極であり、上記裏面電極がドレイン電極であるとともに、上記半導体素子がトランジスタとして構成されており、
上記第1表面電極が、上記第2表面電極よりも上記第1副リードおよび上記第2副リードに対して離間している、請求項1に記載の半導体装置。 - 上記第1表面電極は、厚さ方向視において上記主全厚部と重なり、上記第2表面電極は、厚さ方向視において上記主ひさし部に重なる、請求項2に記載の半導体装置。
- 上記第1表面電極は、厚さ方向視において上記主全厚部および上記主ひさし部の双方と重なる、請求項3に記載の半導体装置。
- 上記第1ワイヤの上記第1バンプおよび上記第1ワイヤの上記セカンドボンディング部は、厚さ方向視において上記主全厚部および上記主ひさし部の双方と重なる、請求項4に記載の半導体装置。
- 上記主ひさし部は、上記主全厚部から上記第1副リードおよび上記第2副リードに向かって突出する主前方部を有する、請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記主ひさし部は、上記主前方部が突出する方向とは垂直である方向に突出する主側方部を有する、請求項6に記載の半導体装置。
- 上記主リードは、上記主側方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する主側方連結部を有する、請求項7に記載の半導体装置。
- 上記主ひさし部は、上記主前方部とは反対側に突出する主後方部を有する、請求項6ないし請求項8のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記主リードは、上記主後方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する主後方連結部を有する、請求項9に記載の半導体装置。
- 上記主全厚部のすべてが、上記主ひさし部に囲まれている、請求項3ないし請求項10のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記ダイパッド部には、主表面めっき層が形成されている、請求項1ないし請求項11のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記主表面めっき層は、上記主ひさし部のすべてに重なる、請求項12に記載の半導体装置。
- 上記第1副リードは、上記第1ワイヤボンディング部から上記第1副裏面端子部にわたる第1副全厚部と、この第1副全厚部の上記第1ワイヤボンディング部側部分から厚さ方向に対して直角である方向に突出する第1副ひさし部と、を有している、請求項1ないし請求項13のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記第1副ひさし部は、上記第1副全厚部から上記主リードに向かって突出する第1副前方部を有する、請求項14に記載の半導体装置。
- 上記第1副ひさし部は、上記第1副前方部が突出する方向とは垂直である方向に突出する第1副側方部を有する、請求項15に記載の半導体装置。
- 上記第1副リードは、上記第1副側方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する第1副側方連結部を有する、請求項16に記載の半導体装置。
- 上記第1副ひさし部は、上記第1副前方部とは反対側に突出する第1副後方部を有する、請求項15ないし請求項17のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記第1副リードは、上記第1副後方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する第1副後方連結部を有する、請求項18に記載の半導体装置。
- 上記第1副全厚部のすべてが、上記第1副ひさし部に囲まれている、請求項14ないし請求項19のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記第1ワイヤボンディング部には、第1副表面めっき層が形成されている、請求項14ないし請求項20のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記第1副表面めっき層は、上記第1副ひさし部のすべてに重なる、請求項21に記載の半導体装置。
- 上記第2副リードは、上記第2ワイヤボンディング部から上記第2副裏面端子部にわたる第2副全厚部と、この第2副全厚部の上記第2ワイヤボンディング部側部分から厚さ方向に対して直角である方向に突出する第2副ひさし部と、を有している、請求項1ないし請求項22のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記第2副ひさし部は、上記第2副全厚部から上記主リードに向かって突出する第2副前方部を有する、請求項23に記載の半導体装置。
- 上記第2副ひさし部は、上記第2副前方部が突出する方向とは垂直である方向に突出する第2副側方部を有する、請求項24に記載の半導体装置。
- 上記第2副リードは、上記第2副側方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する第2副側方連結部を有する、請求項25に記載の半導体装置。
- 上記第2副ひさし部は、上記第2副前方部とは反対側に突出する第2副後方部を有する、請求項24ないし請求項26のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記第2副リードは、上記第2副後方部から突出し、かつ一端面が上記樹脂パッケージから露出する第2副後方連結部を有する、請求項27に記載の半導体装置。
- 上記第2副全厚部のすべてが、上記第2副ひさし部に囲まれている、請求項23ないし請求項28のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記第2ワイヤボンディング部には、第2副表面めっき層が形成されている、請求項21ないし請求項29のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記第2副表面めっき層は、上記第2副ひさし部のすべてに重なる、請求項30に記載の半導体装置。
- 上記半導体素子は、互いに積層された半導体層、半導体と金属との共晶層および上記裏面電極を構成する金属単体層を有しており、上記金属単体層が上記ダイパッド部に直接接合されている、請求項1ないし請求項31のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記共晶層は、SiとAuとの共晶からなる、請求項32に記載の半導体装置。
- 上記金属単体層は、上記共晶層よりも薄い、請求項32または請求項33に記載の半導体装置。
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