JP2014078646A5 - パワーモジュール - Google Patents
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Description
上記目的を達成するために本発明のパワーモジュールは、表面に形成されるドレイン端子を備えて前記表面に対する裏面に形成されるソース端子およびゲート端子を備える個別半導体チップと、表面に前記個別半導体チップに対応するソース電極，ゲート電極および外部端子を備える基板と、第１の導電性接合剤により前記ドレイン端子と電気的に接続されて一端が前記外部端子と電気的に接続される板状の内部リードを有し、前記個別半導体チップは、前記ソース端子と前記ソース電極，前記ゲート端子と前記ゲート電極がそれぞれ第２の導電性接合剤により接合されて前記基板上にフリップチップ実装され、前記第１の導電性接合剤の融点が前記第２の導電性接合剤の融点より高く、かつ４００℃以上であることを特徴とする。
Claims (7)
- 表面に形成されるドレイン端子を備えて前記表面に対する裏面に形成されるソース端子およびゲート端子を備える個別半導体チップと、
表面に前記個別半導体チップに対応するソース電極，ゲート電極および外部端子を備える基板と、
第１の導電性接合剤により前記ドレイン端子と電気的に接続されて一端が前記外部端子と電気的に接続される板状の内部リード
を有し、
前記個別半導体チップは、前記ソース端子と前記ソース電極，前記ゲート端子と前記ゲート電極がそれぞれ第２の導電性接合剤により接合されて前記基板上にフリップチップ実装され、前記第１の導電性接合剤の融点が前記第２の導電性接合剤の融点より高く、かつ４００℃以上であることを特徴とするパワーモジュール。 - 前記導電性接合剤が銀を含むことを特徴とする請求項１記載のパワーモジュール。
- 前記内部リードを平面視で見て、前記個別半導体チップとの接合部から延長されて前記外部端子と接続される方向が、前記個別半導体チップが有する辺のうちの前記外部端子と対向する１辺と交差し、前記個別半導体チップと前記基板の間に樹脂が充填されていることを特徴とする請求項２記載のパワーモジュール。
- 前記個別半導体チップと前記内部リードが封止樹脂で露出無く覆われ、さらに、前記個別半導体チップと前記内部リードとの間も隙間無く前記封止樹脂が充填されていることを特徴とする請求項２記載のパワーモジュール。
- 前記ゲート端子が、平面視で見て、前記内部リードが前記個別半導体チップとの接合部から延長されて前記外部端子と接続される方向において、前記内部リードと前記外部端子の接合部と、前記ソース端子の間に配置されていることを特徴とする請求項２記載のパワーモジュール。
- 前記外部端子上の前記内部リードが接続される領域に第１の窪みが設けられたことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載のパワーモジュール。
- 前記外部端子上の前記内部リードが接続される領域に第１の窪みが設けられ、前記基板上の前記個別半導体チップとの間に前記樹脂が充填される領域に第２の窪みが設けられたことを特徴とする請求項３記載のパワーモジュール。
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