JP2014197184A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. トランジスタと、保持容量と、前記トランジスタ及び前記保持容量と電気的に接続された表示素子と、を含む画素を複数備える画素部を有し、
   前記保持容量は、容量線と電気的に接続され、一方の電極として機能する透光性を有する半導体膜と、前記トランジスタを介して信号線から所定の電位が供給され、他方の電極として機能する画素電極と、前記一方の電極及び前記他方の電極の間に設けられた誘電体膜と、を有し、
   前記画素部に画像が表示される期間にあっては、
   前記トランジスタのゲート電極を有する走査線に、前記トランジスタのしきい値電圧以上の電位を供給して前記トランジスタを導通状態にし、前記信号線から前記画素電極に所定の電位を供給し、
   前記容量線に、前記画素電極と前記容量線との電位差が前記保持容量のしきい値電圧以上となる電位を供給し、
   前記画素電極と前記容量線との電位差を前記保持容量に一定期間保持し、前記表示素子を介して前記画像を前記画素部に表示し、
   前記画像の表示が停止される期間にあっては、
   前記画像の表示を停止した後、前記容量線に、前記信号線から前記画素電極に供給される前記所定の電位よりも高い電位を一定期間供給することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
2. 請求項１において、
   前記一定期間内においては、前記画素電極の電位と、前記表示素子に含まれ、前記画素電極と対向して設けられる導電膜の電位と、を同電位にすることを特徴とする半導体装置の駆動方法。
3. トランジスタと、保持容量と、前記トランジスタ及び前記保持容量と電気的に接続された液晶素子と、を含む画素を複数備える画素部と、
   前記液晶素子を通過して前記画素部に光を照射する光源と、を有し、
   前記保持容量は、容量線と電気的に接続され、一方の電極として機能する透光性を有する半導体膜と、前記トランジスタを介して信号線から所定の電位が供給され、他方の電極として機能する画素電極と、前記一方の電極及び前記他方の電極の間に設けられた誘電体膜と、を有し、
   前記液晶素子は、前記画素電極及び前記透光性を有する半導体膜間に配置された液晶を含み、
   前記画素部に画像が表示される期間にあっては、
   前記光源を点灯し、
   前記トランジスタのゲート電極を有する走査線に、前記トランジスタのしきい値電圧以上の電位を供給して前記トランジスタを導通状態にし、前記信号線から前記画素電極に所定の電位を供給し、
   前記容量線に、前記画素電極と前記容量線との電位差が前記保持容量のしきい値電圧以上となる電位を供給し、
   前記画素電極と前記容量線との電位差を前記保持容量に一定期間保持し、前記液晶素子を介して前記画像を前記画素部に表示し、
   前記画像の表示が停止される期間にあっては、
   前記光源を消灯して前記画像の表示を停止した後、前記容量線に、前記信号線から前記画素電極に供給される前記所定の電位よりも高い電位を一定期間供給することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
4. 請求項３において、
   前記一定期間内においては、前記画素電極の電位と、前記液晶素子に含まれ、前記画素電極と対向して設けられる導電膜の電位とを同電位にすることを特徴とする半導体装置の駆動方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記半導体装置の電源を遮断する前は、前記容量線に、前記信号線から前記画素電極に供給される前記所定の電位よりも高い電位を一定期間供給することを特徴とする半導体装置の駆動方法。