JP2014170190A5 - - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 8
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 3
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 claims 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N Allylamine Chemical group NCC=C VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical group C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 claims 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M ethanesulfonate Chemical compound CCS([O-])(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 claims 1
- RMIODHQZRUFFFF-UHFFFAOYSA-N methoxyacetic acid Chemical compound COCC(O)=O RMIODHQZRUFFFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- DYUWTXWIYMHBQS-UHFFFAOYSA-N n-prop-2-enylprop-2-en-1-amine Chemical group C=CCNCC=C DYUWTXWIYMHBQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920000083 poly(allylamine) Polymers 0.000 claims 1
- -1 polydiallylamine Polymers 0.000 claims 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims 1
- 125000000467 secondary amino group Chemical group [H]N([*:1])[*:2] 0.000 claims 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 claims 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013043177A JP6157151B2 (ja) | 2013-03-05 | 2013-03-05 | 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
| KR1020157027284A KR101873727B1 (ko) | 2013-03-05 | 2014-03-14 | 미세 레지스트 패턴 형성용 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 |
| PCT/JP2014/056983 WO2014136991A1 (ja) | 2013-03-05 | 2014-03-14 | 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
| CN201480010383.9A CN105103053B (zh) | 2013-03-05 | 2014-03-14 | 微细抗蚀图案形成用组合物以及使用了其的图案形成方法 |
| SG11201506379XA SG11201506379XA (en) | 2013-03-05 | 2014-03-14 | Composition for forming fine resist pattern, and pattern formation method using same |
| US14/770,694 US9411232B2 (en) | 2013-03-05 | 2014-03-14 | Composition for forming fine resist pattern, and pattern formation method using same |
| EP14759706.6A EP2975462B1 (en) | 2013-03-05 | 2014-03-14 | Composition for forming fine resist pattern, and pattern formation method using same |
| IL240732A IL240732B (en) | 2013-03-05 | 2015-08-20 | Compounds for creating a fine resist pattern and a method for creating the resist pattern using a compound |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013043177A JP6157151B2 (ja) | 2013-03-05 | 2013-03-05 | 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014170190A JP2014170190A (ja) | 2014-09-18 |
| JP2014170190A5 true JP2014170190A5 (enExample) | 2016-01-07 |
| JP6157151B2 JP6157151B2 (ja) | 2017-07-05 |
Family
ID=51491497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013043177A Active JP6157151B2 (ja) | 2013-03-05 | 2013-03-05 | 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9411232B2 (enExample) |
| EP (1) | EP2975462B1 (enExample) |
| JP (1) | JP6157151B2 (enExample) |
| KR (1) | KR101873727B1 (enExample) |
| CN (1) | CN105103053B (enExample) |
| IL (1) | IL240732B (enExample) |
| SG (1) | SG11201506379XA (enExample) |
| WO (1) | WO2014136991A1 (enExample) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6180212B2 (ja) * | 2013-07-12 | 2017-08-16 | 東京応化工業株式会社 | パターン微細化用被覆剤 |
| JP6278670B2 (ja) * | 2013-11-25 | 2018-02-14 | 東京応化工業株式会社 | パターン微細化用被覆剤 |
| JP6309802B2 (ja) * | 2014-03-26 | 2018-04-11 | 東京応化工業株式会社 | パターン微細化用被覆剤 |
| JP6553074B2 (ja) * | 2014-10-14 | 2019-07-31 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | レジストパターン処理用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
| JP6722433B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2020-07-15 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法及びパターン厚肉化用ポリマー組成物 |
| JP6503206B2 (ja) | 2015-03-19 | 2019-04-17 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン修復方法 |
| US10162265B2 (en) * | 2015-12-09 | 2018-12-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Pattern treatment methods |
| JP2017129774A (ja) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | 凸版印刷株式会社 | 緑色感光性着色組成物、それを用いたカラーフィルタ及びカラー表示装置 |
| US10340206B2 (en) * | 2016-08-05 | 2019-07-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Dense redistribution layers in semiconductor packages and methods of forming the same |
| KR102158579B1 (ko) * | 2019-01-25 | 2020-09-22 | (주)화백엔지니어링 | Pcb 현상공정에서 스컴 방지를 위한 반응성 계면활성제가 함유된 현상 조성물 및 이의 제어시스템 |
| JP2022096214A (ja) | 2020-12-17 | 2022-06-29 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 厚膜化されたレジストパターンの製造方法、厚膜化溶液、および加工基板の製造方法 |
| CN120981776A (zh) | 2023-03-20 | 2025-11-18 | 默克专利有限公司 | 厚膜化组合物、制造经厚膜化的抗蚀剂图案的方法、以及制造经加工基板的方法 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3071401B2 (ja) | 1996-07-05 | 2000-07-31 | 三菱電機株式会社 | 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置 |
| TW372337B (en) * | 1997-03-31 | 1999-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | Material for forming micropattern and manufacturing method of semiconductor using the material and semiconductor apparatus |
| JP3662870B2 (ja) | 2001-07-05 | 2005-06-22 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン微細化用被覆形成剤及びそれを用いた微細レジストパターン形成方法 |
| US6916594B2 (en) * | 2002-12-30 | 2005-07-12 | Hynix Semiconductor Inc. | Overcoating composition for photoresist and method for forming photoresist pattern using the same |
| KR101076623B1 (ko) * | 2003-07-17 | 2011-10-27 | 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤 | 미세 패턴 형성 재료 및 이를 사용한 미세 패턴 형성방법 |
| JP4485241B2 (ja) | 2004-04-09 | 2010-06-16 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 水溶性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
| JP2006011054A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | リンス液及びこれを用いたレジストパターン形成方法 |
| JP4679997B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2011-05-11 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 微細パターン形成方法 |
| US7595141B2 (en) * | 2004-10-26 | 2009-09-29 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern |
| JP4566862B2 (ja) * | 2005-08-25 | 2010-10-20 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 |
| JP4657899B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2011-03-23 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 |
| JP5000260B2 (ja) * | 2006-10-19 | 2012-08-15 | AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 | 微細化されたパターンの形成方法およびそれに用いるレジスト基板処理液 |
| CN101542390A (zh) * | 2006-11-14 | 2009-09-23 | Nxp股份有限公司 | 用以增大特征空间密度的两次形成图案的光刻技术 |
| US7923200B2 (en) * | 2007-04-09 | 2011-04-12 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern comprising a lactam |
| US7745077B2 (en) | 2008-06-18 | 2010-06-29 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern |
| JP5425514B2 (ja) * | 2009-04-16 | 2014-02-26 | AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 | 微細パターン形成方法 |
| TWI403520B (zh) * | 2009-05-25 | 2013-08-01 | Shinetsu Chemical Co | 光阻改質用組成物及圖案形成方法 |
| JP5705669B2 (ja) * | 2011-07-14 | 2015-04-22 | メルクパフォーマンスマテリアルズIp合同会社 | 微細パターン形成用組成物およびそれを用いた微細化されたパターン形成方法 |
| JP6239833B2 (ja) * | 2013-02-26 | 2017-11-29 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
-
2013
- 2013-03-05 JP JP2013043177A patent/JP6157151B2/ja active Active
-
2014
- 2014-03-14 WO PCT/JP2014/056983 patent/WO2014136991A1/ja not_active Ceased
- 2014-03-14 KR KR1020157027284A patent/KR101873727B1/ko active Active
- 2014-03-14 US US14/770,694 patent/US9411232B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-03-14 SG SG11201506379XA patent/SG11201506379XA/en unknown
- 2014-03-14 CN CN201480010383.9A patent/CN105103053B/zh active Active
- 2014-03-14 EP EP14759706.6A patent/EP2975462B1/en not_active Not-in-force
-
2015
- 2015-08-20 IL IL240732A patent/IL240732B/en active IP Right Grant
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| JP2005256090A5 (enExample) |