JP2011176218A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5703841B2 (ja) * 2011-02-28 2015-04-22 凸版印刷株式会社 反射型マスク
JP5932498B2 (ja) * 2012-06-05 2016-06-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法およびマスク
US8953869B2 (en) * 2012-06-14 2015-02-10 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for inspecting extreme ultra violet reticles
JP2016136200A (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 株式会社東芝 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP6742748B2 (ja) 2016-02-17 2020-08-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 現像ユニット、基板処理装置、現像方法および基板処理方法
JPWO2024085089A1 (enExample) * 2022-10-21 2024-04-25

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5928840A (en) * 1995-11-10 1999-07-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Patterning material and patterning method
JPH10258249A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置
JP3210893B2 (ja) * 1997-10-21 2001-09-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置および処理方法
JP2002090981A (ja) * 2000-09-12 2002-03-27 Mitsubishi Paper Mills Ltd 露光用マスク材料の処理方法
JP3696156B2 (ja) * 2000-12-26 2005-09-14 株式会社東芝 塗布膜の加熱装置、レジスト膜の処理方法
JP4564186B2 (ja) * 2001-02-16 2010-10-20 株式会社東芝 パターン形成方法
WO2003080362A1 (fr) * 2002-03-22 2003-10-02 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Procede permettant de regenerer une plaque d'impression lithographique, dispositif de regeneration, imprimante, plaque d'impression lithographique et procede de fabrication associe, et corps de structure stratifiee et procede de fabrication associe
JP4300930B2 (ja) 2003-08-07 2009-07-22 凸版印刷株式会社 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法
JP2005210093A (ja) * 2003-12-25 2005-08-04 Hoya Corp 多層反射膜付き基板、露光用反射型マスクブランクス及び露光用反射型マスク、並びにそれらの製造方法
JP4410076B2 (ja) * 2004-10-07 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置
JP2006324268A (ja) 2005-05-17 2006-11-30 Dainippon Printing Co Ltd Ｅｕｖ露光用マスクブランクスおよびその製造方法、ｅｕｖ露光用マスク
EP1962326B1 (en) 2005-12-12 2012-06-06 Asahi Glass Company, Limited Reflection-type mask blank for euv lithography, and substrate with electrically conductive film for the mask blank
WO2008072706A1 (ja) 2006-12-15 2008-06-19 Asahi Glass Company, Limited Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の機能膜付基板
TW200921297A (en) * 2007-09-25 2009-05-16 Renesas Tech Corp Method and apparatus for manufacturing semiconductor device, and resist material
JP2009099856A (ja) * 2007-10-18 2009-05-07 Toshiba Corp 基板処理方法及び基板処理装置
JP5507876B2 (ja) 2009-04-15 2014-05-28 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法

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