JP2014164177A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014164177A5 JP2014164177A5 JP2013036029A JP2013036029A JP2014164177A5 JP 2014164177 A5 JP2014164177 A5 JP 2014164177A5 JP 2013036029 A JP2013036029 A JP 2013036029A JP 2013036029 A JP2013036029 A JP 2013036029A JP 2014164177 A5 JP2014164177 A5 JP 2014164177A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- composition
- forming
- composition according
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 3
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 claims 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N Allylamine Chemical group NCC=C VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical group C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 claims 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M ethanesulfonate Chemical compound CCS([O-])(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 claims 1
- RMIODHQZRUFFFF-UHFFFAOYSA-N methoxyacetic acid Chemical compound COCC(O)=O RMIODHQZRUFFFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- DYUWTXWIYMHBQS-UHFFFAOYSA-N n-prop-2-enylprop-2-en-1-amine Chemical group C=CCNCC=C DYUWTXWIYMHBQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims 1
- 229920000083 poly(allylamine) Polymers 0.000 claims 1
- -1 polydiallylamine Polymers 0.000 claims 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims 1
- 125000000467 secondary amino group Chemical group [H]N([*:1])[*:2] 0.000 claims 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 claims 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013036029A JP6239833B2 (ja) | 2013-02-26 | 2013-02-26 | 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
| TW103106175A TWI616480B (zh) | 2013-02-26 | 2014-02-25 | 微細化負型光阻圖案之形成方法 |
| US14/768,660 US9921481B2 (en) | 2013-02-26 | 2014-02-26 | Fine resist pattern-forming composition and pattern forming method using same |
| CN201480008277.7A CN104995564B (zh) | 2013-02-26 | 2014-02-26 | 微细抗蚀图案形成用组合物以及使用其的图案形成方法 |
| SG10201708724WA SG10201708724WA (en) | 2013-02-26 | 2014-02-26 | Fine resist pattern-forming composition and pattern formation method using the same |
| KR1020157026718A KR101900660B1 (ko) | 2013-02-26 | 2014-02-26 | 미세 레지스트 패턴 형성용 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 |
| SG11201505632YA SG11201505632YA (en) | 2013-02-26 | 2014-02-26 | Fine resist pattern-forming composition and pattern forming method using same |
| EP14756352.2A EP2963499A4 (en) | 2013-02-26 | 2014-02-26 | Fine resist pattern-forming composition and pattern forming method using same |
| PCT/JP2014/054657 WO2014132992A1 (ja) | 2013-02-26 | 2014-02-26 | 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
| IL240745A IL240745B (en) | 2013-02-26 | 2015-08-20 | A preparation for creating a fine pattern of resist and a method for creating a pattern using it |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013036029A JP6239833B2 (ja) | 2013-02-26 | 2013-02-26 | 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014164177A JP2014164177A (ja) | 2014-09-08 |
| JP2014164177A5 true JP2014164177A5 (enExample) | 2015-11-26 |
| JP6239833B2 JP6239833B2 (ja) | 2017-11-29 |
Family
ID=51428254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013036029A Active JP6239833B2 (ja) | 2013-02-26 | 2013-02-26 | 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9921481B2 (enExample) |
| EP (1) | EP2963499A4 (enExample) |
| JP (1) | JP6239833B2 (enExample) |
| KR (1) | KR101900660B1 (enExample) |
| CN (1) | CN104995564B (enExample) |
| IL (1) | IL240745B (enExample) |
| SG (2) | SG10201708724WA (enExample) |
| TW (1) | TWI616480B (enExample) |
| WO (1) | WO2014132992A1 (enExample) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6157151B2 (ja) * | 2013-03-05 | 2017-07-05 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
| US9448483B2 (en) * | 2014-07-31 | 2016-09-20 | Dow Global Technologies Llc | Pattern shrink methods |
| KR20170069268A (ko) * | 2014-10-14 | 2017-06-20 | 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘. | 레지스트 패턴 처리용 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 |
| KR102609535B1 (ko) * | 2015-07-08 | 2023-12-04 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 패턴 코팅용 조성물 및 이를 이용한 미세 패턴 형성 방법 |
| JP7316022B2 (ja) | 2016-05-13 | 2023-07-27 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP6969889B2 (ja) | 2016-05-13 | 2021-11-24 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| TWI738775B (zh) | 2016-05-13 | 2021-09-11 | 日商住友化學股份有限公司 | 光阻組成物及製造光阻圖案之方法 |
| JP2018005199A (ja) * | 2016-07-08 | 2018-01-11 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン厚肉化用ポリマー組成物、及びレジストパターン形成方法 |
| TWI610392B (zh) * | 2016-09-05 | 2018-01-01 | Daxin Mat Corp | 光電元件的製備方法 |
| US12087576B2 (en) * | 2018-04-06 | 2024-09-10 | Nissan Chemical Corporation | Composition for forming coating film and method for manufacturing semiconductor device |
| US11287740B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photoresist composition and method of forming photoresist pattern |
| TWI884927B (zh) | 2018-10-17 | 2025-06-01 | 美商英培雅股份有限公司 | 圖案化有機金屬光阻及圖案化的方法 |
| KR102699733B1 (ko) * | 2019-04-12 | 2024-08-27 | 인프리아 코포레이션 | 유기금속 포토레지스트 현상제 조성물 및 처리 방법 |
| WO2021178302A1 (en) | 2020-03-02 | 2021-09-10 | Inpria Corporation | Process environment for inorganic resist patterning |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3071401B2 (ja) | 1996-07-05 | 2000-07-31 | 三菱電機株式会社 | 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置 |
| JP2001228616A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP3662870B2 (ja) | 2001-07-05 | 2005-06-22 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン微細化用被覆形成剤及びそれを用いた微細レジストパターン形成方法 |
| SG129274A1 (en) * | 2003-02-19 | 2007-02-26 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Cleaaning solution and cleaning process using the solution |
| JP2005022282A (ja) * | 2003-07-03 | 2005-01-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | シリカ予分散液、シリカ微粒化分散液、インク受容層塗布液及びインクジェット記録媒体 |
| KR100585138B1 (ko) * | 2004-04-08 | 2006-05-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조용 마스크 패턴 및 그 형성 방법과 미세패턴을 가지는 반도체 소자의 제조 방법 |
| JP4485241B2 (ja) | 2004-04-09 | 2010-06-16 | Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 水溶性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
| KR100618850B1 (ko) | 2004-07-22 | 2006-09-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조용 마스크 패턴 및 그 형성 방법과 미세패턴을 가지는 반도체 소자의 제조 방법 |
| US7595141B2 (en) | 2004-10-26 | 2009-09-29 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern |
| JP4566862B2 (ja) * | 2005-08-25 | 2010-10-20 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 |
| JP4554665B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 |
| JP4558064B2 (ja) * | 2007-05-15 | 2010-10-06 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
| JP5520590B2 (ja) * | 2009-10-06 | 2014-06-11 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜 |
| JP5553210B2 (ja) * | 2010-04-01 | 2014-07-16 | ブラザー工業株式会社 | インクジェット記録用の処理液、インクセットおよびインクジェット記録方法 |
| US8852848B2 (en) * | 2010-07-28 | 2014-10-07 | Z Electronic Materials USA Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern |
| JP5785121B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2015-09-24 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP5830273B2 (ja) | 2011-06-10 | 2015-12-09 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
| JP5705669B2 (ja) * | 2011-07-14 | 2015-04-22 | メルクパフォーマンスマテリアルズＩｐ合同会社 | 微細パターン形成用組成物およびそれを用いた微細化されたパターン形成方法 |
| JP5846889B2 (ja) * | 2011-12-14 | 2016-01-20 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物 |
-
2013
- 2013-02-26 JP JP2013036029A patent/JP6239833B2/ja active Active
-
2014
- 2014-02-25 TW TW103106175A patent/TWI616480B/zh active
- 2014-02-26 KR KR1020157026718A patent/KR101900660B1/ko active Active
- 2014-02-26 US US14/768,660 patent/US9921481B2/en active Active
- 2014-02-26 SG SG10201708724WA patent/SG10201708724WA/en unknown
- 2014-02-26 SG SG11201505632YA patent/SG11201505632YA/en unknown
- 2014-02-26 WO PCT/JP2014/054657 patent/WO2014132992A1/ja not_active Ceased
- 2014-02-26 EP EP14756352.2A patent/EP2963499A4/en not_active Withdrawn
- 2014-02-26 CN CN201480008277.7A patent/CN104995564B/zh active Active
-
2015
- 2015-08-20 IL IL240745A patent/IL240745B/en active IP Right Grant
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2014164177A5 (enExample) | ||
| JP2014170190A5 (enExample) | ||
| TWI616480B (zh) | 微細化負型光阻圖案之形成方法 | |
| JP5891075B2 (ja) | ブロックコポリマー含有組成物及びパターンの縮小方法 | |
| JP5979660B2 (ja) | コンタクトホールパターンの形成方法 | |
| JP2015516891A5 (enExample) | ||
| JP2014143415A5 (enExample) | ||
| JP2007284681A5 (enExample) | ||
| CN105103053B (zh) | 微细抗蚀图案形成用组合物以及使用了其的图案形成方法 | |
| JP2005300853A5 (enExample) | ||
| JP6269986B2 (ja) | レジストパターンに塗布される塗布液及び反転パターンの形成方法 | |
| CN101571674A (zh) | 一种双重曝光方法 | |
| JP2014071424A5 (enExample) | ||
| TW201224681A (en) | Pattern forming method, resist underlayer film, and composition for forming resist underlayer film | |
| JP2009115835A5 (enExample) | ||
| JP3825294B2 (ja) | レジストパターンの微細化方法及びその方法に用いるレジストパターン微細化用被覆形成液 | |
| JP7189217B2 (ja) | アルカリ可溶性樹脂および架橋剤を含んでなるネガ型リフトオフレジスト組成物、並びに基板上に金属膜パターンを製造する方法 | |
| JP2017055078A (ja) | 自己組織化材料及びパターン形成方法 | |
| WO2011014011A3 (ko) | 가교성 경화 물질을 포함하는 포토레지스트 조성물 | |
| JP2013254109A (ja) | 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法 | |
| JP2018100384A (ja) | 相分離構造形成用樹脂組成物、及び、相分離構造を含む構造体の製造方法 | |
| JP2013209515A (ja) | 組成物及びパターン形成方法 | |
| CN106019862A (zh) | 光刻用显影液及抗蚀图案形成方法 | |
| JP2010072130A5 (enExample) | ||
| JP2011039128A5 (enExample) |