JP2010237491A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010237491A5 JP2010237491A5 JP2009086038A JP2009086038A JP2010237491A5 JP 2010237491 A5 JP2010237491 A5 JP 2010237491A5 JP 2009086038 A JP2009086038 A JP 2009086038A JP 2009086038 A JP2009086038 A JP 2009086038A JP 2010237491 A5 JP2010237491 A5 JP 2010237491A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- underlayer film
- resist underlayer
- formula
- linear
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009086038A JP5382321B2 (ja) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009086038A JP5382321B2 (ja) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010237491A JP2010237491A (ja) | 2010-10-21 |
| JP2010237491A5 true JP2010237491A5 (enExample) | 2012-05-17 |
| JP5382321B2 JP5382321B2 (ja) | 2014-01-08 |
Family
ID=43091864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009086038A Active JP5382321B2 (ja) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5382321B2 (enExample) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014129582A1 (ja) | 2013-02-25 | 2014-08-28 | 日産化学工業株式会社 | 水酸基を有するアリールスルホン酸塩含有レジスト下層膜形成組成物 |
| CN110698331B (zh) | 2013-06-26 | 2022-07-19 | 日产化学工业株式会社 | 包含被置换的交联性化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物 |
| US10067423B2 (en) | 2014-03-26 | 2018-09-04 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Additive and resist underlayer film-forming composition containing the same |
| CN108351593B (zh) | 2015-11-17 | 2021-10-26 | 日产化学工业株式会社 | 抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂及包含该添加剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物 |
| JP7121344B2 (ja) | 2016-09-15 | 2022-08-18 | 日産化学株式会社 | レジスト下層膜形成組成物 |
| WO2018143359A1 (ja) | 2017-02-03 | 2018-08-09 | 日産化学工業株式会社 | ウレア結合を有する構造単位を有するポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物 |
| KR102214895B1 (ko) | 2017-12-26 | 2021-02-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
| TWI850566B (zh) | 2020-06-12 | 2024-08-01 | 日商日產化學股份有限公司 | 含二醇結構之阻劑下層膜形成用組成物 |
| JP7646684B2 (ja) * | 2020-08-17 | 2025-03-17 | Jsr株式会社 | 下層膜形成用組成物、下層膜、及び、リソグラフィープロセス |
| KR20230079080A (ko) | 2020-09-28 | 2023-06-05 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 플루오로알킬기를 갖는 유기산 또는 그의 염을 포함하는 레지스트 하층막형성 조성물 |
| WO2022196485A1 (ja) * | 2021-03-19 | 2022-09-22 | Jsr株式会社 | 半導体基板の製造方法及びレジスト下層膜形成用組成物 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005351983A (ja) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Jsr Corp | 塩基遮断性反射防止膜形成用組成物およびレジストパターンの形成方法 |
| US7544750B2 (en) * | 2005-10-13 | 2009-06-09 | International Business Machines Corporation | Top antireflective coating composition with low refractive index at 193nm radiation wavelength |
| US8227172B2 (en) * | 2006-10-12 | 2012-07-24 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Method of producing semiconductor device using resist underlayer film by photo-crosslinking curing |
| JP4745298B2 (ja) * | 2007-06-18 | 2011-08-10 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料およびこれを用いたパターン形成方法 |
-
2009
- 2009-03-31 JP JP2009086038A patent/JP5382321B2/ja active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2010237491A5 (enExample) | ||
| KR101366793B1 (ko) | 광가교 경화의 레지스트 하층막을 형성하기 위한 레지스트 하층막 형성 조성물 | |
| JP2009053657A5 (enExample) | ||
| KR102483494B1 (ko) | 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 산 발생제 및 화합물 | |
| KR102149136B1 (ko) | 현상액 및 감광성 수지 조성물의 현상 처리 방법 | |
| JP2009258723A5 (enExample) | ||
| JP2012103679A5 (enExample) | ||
| JPWO2012046770A1 (ja) | ガイドパターン形成用ネガ型現像用レジスト組成物、ガイドパターン形成方法、ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法 | |
| TW200426501A (en) | Method of formation of photoresist patterns utilizing water-soluble negative-tone photoresist | |
| TWI771277B (zh) | 阻劑組成物及阻劑圖型之形成方法 | |
| TW200942998A (en) | Resist processing method | |
| TWI455924B (zh) | 聚合性三級酯化合物、高分子化合物、光阻材料及圖案形成方法 | |
| JP2011028270A5 (enExample) | ||
| JP2009048182A5 (enExample) | ||
| CN103080844A (zh) | 光刻用清洗液以及使用其的图案形成方法 | |
| CN105487337A (zh) | 化学增幅型负型抗蚀剂组合物、光固化性干膜、制备方法、图案化方法和电气/电子部件保护膜 | |
| JP2014164177A5 (enExample) | ||
| JPWO2019146378A1 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法並びにパターニングされた基板の製造方法 | |
| JP2014170190A5 (enExample) | ||
| TW201144936A (en) | Radiation-sensitive resin composition, method for forming resist pattern, polymer and compound | |
| JP2009115835A5 (enExample) | ||
| JP6186116B2 (ja) | ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法、及び下地剤 | |
| JP2016200643A (ja) | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 | |
| JP2016008992A (ja) | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 | |
| TW201245870A (en) | Photosensitive resin composition, photoresist film using same, resist pattern forming method, and conductor pattern forming method |