JP2010237491A5 - - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105027005B (zh) 2013-02-25 2020-02-07 日产化学工业株式会社 含有具有羟基的芳基磺酸盐的抗蚀剂下层膜形成用组合物
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TWI750225B (zh) 2016-09-15 2021-12-21 日商日產化學工業股份有限公司 光阻下層膜形成組成物
JP7128447B2 (ja) 2017-02-03 2022-08-31 日産化学株式会社 ウレア結合を有する構造単位を有するポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物
KR102214895B1 (ko) 2017-12-26 2021-02-09 삼성에스디아이 주식회사 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
CN118295212B (zh) 2020-06-12 2025-04-08 日产化学株式会社 包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物
WO2022039082A1 (ja) * 2020-08-17 2022-02-24 Jsr株式会社 下層膜形成用組成物、下層膜、及び、リソグラフィープロセス
TW202222788A (zh) 2020-09-28 2022-06-16 日商日產化學股份有限公司 包含具有氟烷基之有機酸或其鹽之阻劑下層膜形成組成物
WO2022196485A1 (ja) * 2021-03-19 2022-09-22 Jsr株式会社 半導体基板の製造方法及びレジスト下層膜形成用組成物

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005351983A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Jsr Corp 塩基遮断性反射防止膜形成用組成物およびレジストパターンの形成方法
US7544750B2 (en) * 2005-10-13 2009-06-09 International Business Machines Corporation Top antireflective coating composition with low refractive index at 193nm radiation wavelength
KR101457076B1 (ko) * 2006-10-12 2014-10-31 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 광가교 경화에 의한 레지스트 하층막을 이용하는 반도체 장치의 제조방법
JP4745298B2 (ja) * 2007-06-18 2011-08-10 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料およびこれを用いたパターン形成方法

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