JP2014146767A5 - - Google Patents

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TW103101697A TWI494469B (zh) 2013-01-30 2014-01-17 氣相成長裝置以及氣相成長方法
US14/164,498 US9624603B2 (en) 2013-01-30 2014-01-27 Vapor phase growth apparatus having shower plate with multi gas flow passages and vapor phase growth method using the same
CN201410041218.1A CN103966574B (zh) 2013-01-30 2014-01-28 气相生长装置及气相生长方法
KR1020140010238A KR101610638B1 (ko) 2013-01-30 2014-01-28 기상 성장 장치 및 기상 성장 방법
DE102014201554.5A DE102014201554A1 (de) 2013-01-30 2014-01-29 Dampfphasenepitaxievorrichtung und Dampfphasenepitaxieverfahren

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Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6199619B2 (ja) * 2013-06-13 2017-09-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置
JP6153401B2 (ja) * 2013-07-02 2017-06-28 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置および気相成長方法
TWI639179B (zh) 2014-01-31 2018-10-21 美商蘭姆研究公司 真空整合硬遮罩製程及設備
KR102215965B1 (ko) * 2014-04-11 2021-02-18 주성엔지니어링(주) 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN104120408B (zh) * 2014-08-06 2016-09-07 上海世山科技有限公司 一种改进衬底气流方向的hvpe反应器
KR102267923B1 (ko) * 2014-08-26 2021-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 증착 장치
JP6386901B2 (ja) * 2014-12-17 2018-09-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置及び気相成長方法
JP6193284B2 (ja) * 2015-03-18 2017-09-06 株式会社東芝 流路構造、吸排気部材、及び処理装置
JP6054470B2 (ja) 2015-05-26 2016-12-27 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
JP6054471B2 (ja) 2015-05-26 2016-12-27 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置および原子層成長装置排気部
JP5990626B1 (ja) * 2015-05-26 2016-09-14 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
US10954596B2 (en) * 2016-12-08 2021-03-23 Applied Materials, Inc. Temporal atomic layer deposition process chamber
US10796912B2 (en) 2017-05-16 2020-10-06 Lam Research Corporation Eliminating yield impact of stochastics in lithography
EP3678164A4 (en) * 2017-09-01 2021-09-15 NuFlare Technology, Inc. STEAM PHASE GROWTH DEVICE AND STEAM PHASE GROWTH METHOD
US11149350B2 (en) * 2018-01-10 2021-10-19 Asm Ip Holding B.V. Shower plate structure for supplying carrier and dry gas
JP7012613B2 (ja) * 2018-07-13 2022-01-28 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP7365761B2 (ja) * 2018-08-24 2023-10-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置
KR102678588B1 (ko) 2018-11-14 2024-06-27 램 리써치 코포레이션 차세대 리소그래피에서 유용한 하드 마스크들을 제조하기 위한 방법들
US12211691B2 (en) 2018-12-20 2025-01-28 Lam Research Corporation Dry development of resists
TW202514246A (zh) 2019-03-18 2025-04-01 美商蘭姆研究公司 基板處理方法與設備
US12062538B2 (en) 2019-04-30 2024-08-13 Lam Research Corporation Atomic layer etch and selective deposition process for extreme ultraviolet lithography resist improvement
CN110158055B (zh) * 2019-05-15 2022-01-14 拓荆科技股份有限公司 多段喷淋组件
TWI910974B (zh) 2019-06-26 2026-01-01 美商蘭姆研究公司 利用鹵化物化學品的光阻顯影
CN114365044A (zh) * 2019-06-27 2022-04-15 朗姆研究公司 用于光致抗蚀剂干式沉积的设备
KR102937721B1 (ko) 2019-06-28 2026-03-12 램 리써치 코포레이션 금속-함유 레지스트의 리소그래피 성능을 향상시키기 위한 소성 (bake) 전략들
JP7618601B2 (ja) 2019-06-28 2025-01-21 ラム リサーチ コーポレーション 複数のパターニング放射吸収元素および/または垂直組成勾配を備えたフォトレジスト
US12060652B2 (en) 2019-11-27 2024-08-13 Sino Nitride Semiconductor Co., Ltd. Linear showerhead for growing GaN
CN111020693B (zh) * 2019-12-27 2021-01-29 季华实验室 一种碳化硅外延生长设备的进气装置
CN114200776A (zh) 2020-01-15 2022-03-18 朗姆研究公司 用于光刻胶粘附和剂量减少的底层
CN115244664A (zh) 2020-02-28 2022-10-25 朗姆研究公司 用于减少euv图案化缺陷的多层硬掩模
CN111321463B (zh) 2020-03-06 2021-10-15 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室
JP2023530299A (ja) 2020-06-22 2023-07-14 ラム リサーチ コーポレーション 金属含有フォトレジスト堆積のための表面改質
WO2022010809A1 (en) 2020-07-07 2022-01-13 Lam Research Corporation Integrated dry processes for patterning radiation photoresist patterning
WO2022103764A1 (en) 2020-11-13 2022-05-19 Lam Research Corporation Process tool for dry removal of photoresist
US12577466B2 (en) 2020-12-08 2026-03-17 Lam Research Corporation Photoresist development with organic vapor
CN114107953A (zh) * 2021-09-18 2022-03-01 江苏微导纳米科技股份有限公司 原子层沉积装置及其喷淋板
KR20240163619A (ko) * 2022-03-17 2024-11-19 램 리써치 코포레이션 중심 대 에지 조정 가능성을 갖는 이중 플리넘 샤워헤드
KR102725782B1 (ko) 2022-07-01 2024-11-05 램 리써치 코포레이션 에칭 정지 억제 (etch stop deterrence) 를 위한 금속 옥사이드 기반 포토레지스트의 순환적 현상
CN116240525B (zh) * 2022-12-15 2025-06-24 江苏微导纳米科技股份有限公司 喷淋板及处理装置
WO2024196643A1 (en) 2023-03-17 2024-09-26 Lam Research Corporation Integration of dry development and etch processes for euv patterning in a single process chamber
KR20250034920A (ko) 2023-07-27 2025-03-11 램 리써치 코포레이션 금속-함유 포토레지스트에 대한 올-인-원 건식 현상
CN116695098B (zh) * 2023-08-07 2023-11-17 江苏微导纳米科技股份有限公司 一种喷淋板、喷淋方法及处理装置
CN117403210B (zh) * 2023-11-02 2025-12-05 希科半导体科技(苏州)有限公司 一种外延炉喷淋装置
CN117966129A (zh) * 2024-01-26 2024-05-03 江苏微导纳米科技股份有限公司 喷淋装置及处理设备

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3572211B2 (ja) 1998-12-28 2004-09-29 京セラ株式会社 半導体製造装置用ガス導入ノズル
JP3962509B2 (ja) * 1999-09-16 2007-08-22 株式会社東芝 気相成長装置
KR100513920B1 (ko) 2003-10-31 2005-09-08 주식회사 시스넥스 화학기상증착 반응기
KR101309334B1 (ko) 2004-08-02 2013-09-16 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 화학적 기상 증착 반응기용 멀티 가스 분배 인젝터
JP4981485B2 (ja) * 2007-03-05 2012-07-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長方法および気相成長装置
JP5140321B2 (ja) * 2007-05-31 2013-02-06 株式会社アルバック シャワーヘッド
KR20090011978A (ko) * 2007-07-27 2009-02-02 주식회사 아이피에스 샤워헤드 및 그를 가지는 반도체처리장치
JP4865672B2 (ja) * 2007-10-22 2012-02-01 シャープ株式会社 気相成長装置及び半導体素子の製造方法
WO2010024814A1 (en) 2008-08-28 2010-03-04 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for depositing a uniform silicon film with flow gradient designs
JP4576466B2 (ja) * 2009-03-27 2010-11-10 シャープ株式会社 気相成長装置及び気相成長方法
JP2010238831A (ja) 2009-03-31 2010-10-21 Sharp Corp 気相成長装置及び気相成長方法
US20120012049A1 (en) * 2010-07-16 2012-01-19 Wei-Yung Hsu Hvpe chamber
JP5622477B2 (ja) * 2010-08-06 2014-11-12 三菱重工業株式会社 真空処理装置
JP2011109141A (ja) * 2011-02-28 2011-06-02 Masayoshi Murata プラズマcvd装置及びプラズマcvd装置を用いたシリコン系膜の製造方法
JP5691889B2 (ja) 2011-07-04 2015-04-01 富士通セミコンダクター株式会社 メモリアクセス制御装置、及びメモリアクセス制御方法
JP5259804B2 (ja) 2011-11-08 2013-08-07 シャープ株式会社 気相成長装置及び気相成長方法
JP6038618B2 (ja) 2011-12-15 2016-12-07 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置および成膜方法

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