JP2014146672A - 半導体光学装置、および半導体光学装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
光学活性面の設計自由度を高めることの可能な半導体光学素子を提供する。
【解決手段】
半導体光学装置は、第1面を有する第1導電型の第1半導体層と、第2面を有する、第1導電型と逆の第2導電型の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層に挟まれた活性層とを有する半導体積層のチップであって、その側面は前記第2面に連続し、第2面との間に鈍角を形成し、前記第2半導体層と前記活性層とを横断し、前記第1半導体層に入り込む第1側面と、前記第1側面に連続する割られた面とを含むチップと、前記第1面上に形成された第1導電型側電極と、前記第2面上に形成された第2導電型側電極と、を有し、前記半導体積層の面内寸法が50μm以下である。
【選択図】 図1
Description
発光ダイオードを所定面内に配置すると、点光源の集合となる。例えば、多数の発光ダイオードが円状の領域内に分布配置された交通信号燈が用いられている。近くの観察者は、円状発光領域内に多数の発光ダイオードが配置されているのを認識できる。円状の発光領域を均一に発光させることができれば、より望ましいであろう。広い面積を一様に照明する用途等においては、面状の発光源が望まれる。例えば液晶表示装置のバックライトとして発光ダイオードを用いる場合、発光ダイオードから発した光を光散乱機能を有する拡散板に導入し、面光源化している。
各発光部は、成長基板上に犠牲層を介して半導体積層を成長し、メサエッチングして島状台形パターンに成形し、犠牲層を選択的にエッチングして半導体積層を基板から剥離して形成される。
第1面を有する第1導電型の第1半導体層と、第2面を有する、第1導電型と逆の第2導電型の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層に挟まれた活性層とを有する半導体積層のチップであって、その側面は前記第2面に連続し、第2面に対して鈍角を形成し、前記第2半導体層と前記活性層とを横断し、前記第1半導体層に入り込む第1側面と、前記第1側面に連続する割られた面とを含むチップと、
前記第1面上に形成された第1導電型側電極と、
前記第2面上に形成された第2導電型側電極と、
を有し、前記半導体積層の面内寸法が50μm以下である半導体光学装置
が提供される。
成長基板上に、第1面を有する第1導電型の第1半導体層と、第2面を有する、第1導電型と逆の第2導電型の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層に挟まれた活性層とを有する半導体積層をエピタキシャル成長する工程と、
前記第2面上に第2導電型側電極を形成する工程と、
前記第2面から、前記第2半導体層、前記活性層を貫通し、前記第1半導体層に入り込む第1分離溝を形成する工程と、
前記第2導電型側電極上に支持体を貼り合わせる工程と、
前記成長基板を除去する工程と、
露出した前記第1面上に第1導電型側電極を形成する工程と、
前記支持体から前記半導体積層を分離する工程と、
前記半導体積層を溶媒中に浸漬し、超音波を印加して、前記第1分離溝の位置で、前記半導体積層を分割する工程と、
を含む半導体発光装置の製造方法
が提供される。
4 エッチング面、
6 割れ面、
10 成長基板、
20 半導体積層、
24 n型層、
26 活性層、
28 p型層、
51 支持基板、
52 融着層、
G1 第1溝、
G2 第2溝、
21 バッファ層、
22 下地層、
30 p側電極、
31 透明電極、
32 反射電極、
33 キャップ層、
40 n側電極、
Claims (10)
- 第1面を有する第1導電型の第1半導体層と、第2面を有する、第1導電型と逆の第2導電型の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層に挟まれた活性層とを有する半導体積層のチップであって、その側面は前記第2面に連続し、第2面との間に鈍角を形成し、前記第2半導体層と前記活性層とを横断し、前記第1半導体層に入り込む第1側面と、前記第1側面に連続する割られた面とを含むチップと、
前記第1面上に形成された第1導電型側電極と、
前記第2面上に形成された第2導電型側電極と、
を有し、前記半導体積層の面内寸法が50μm以下である半導体光学装置。 - 前記チップの側面が、前記第1側面に対向する位置で、前記第1面に連続し、第1面との間に鈍角を形成し、前記第1半導体層に入り込み、前記割られた面に連続する、第2側面を含む、請求項1に記載の半導体光学装置。
- 前記半導体積層が、AlxInyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)で表される窒化物半導体で形成されている、請求項1又は2に記載の半導体光学装置。
- 前記第1半導体層の第1面が、マイクロコーン構造を有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体光学装置。
- 前記第1導電型側電極が、開口部を有する透明電極と、前記開口部の少なくとも一部で第1半導体層にオーミック接触し、前記透明電極上に一部オーバラップする金属電極を含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体光学装置。
- 成長基板上に、第1面を有する第1導電型の第1半導体層と、第2面を有する、第1導電型と逆の第2導電型の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層に挟まれた活性層とを有する半導体積層をエピタキシャル成長する工程と、
前記第2面上に第2導電型側電極を形成する工程と、
前記第2面から、前記第2半導体層、前記活性層を貫通し、前記第1半導体層に入り込む、外側に向かって拡がる形状の第1分離溝を形成する工程と、
前記第2導電型側電極上に支持体を貼り合わせる工程と、
前記成長基板を除去する工程と、
露出した前記第1面上に第1導電型側電極を形成する工程と、
前記支持体から前記半導体積層を分離する工程と、
前記半導体積層を溶媒中に浸漬し、超音波を印加して、前記第1分離溝の位置で、前記半導体積層を分割する工程と、
を含む半導体光学装置の製造方法。 - 前記成長基板を除去する工程の後、前記第1分離溝に対向する位置で、前記第1面から、前記第1半導体層に入り込み、前記第1分離溝との間に間隙を残す、外側に向かって拡がる形状の第2分離溝を形成する工程を含む、請求項6に記載の半導体光学装置の製造方法。
- 前記半導体積層が、AlxInyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)で表される窒化物半導体で形成されている、請求項6又は7に記載の半導体光学装置の製造方法。
- 前記第1半導体層の第1面に、マイクロコーン構造を形成する工程を含む、請求項6〜8のいずれか1項に記載の半導体光学装置の製造方法。
- 前記第1半導体層の上に、開口部を有する透明電極を形成し、前記開口部の少なくとも一部で第1半導体層にオーミック接触し、前記透明電極上に一部オーバラップする金属電極を形成する工程を含む、請求項6〜9のいずれか1項に記載の半導体光学装置の製造方法。
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