JP2014107383A5 - - Google Patents
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Description
他の実施の形態によれば、半導体装置は、半導体基板と、有効画素領域と、基準部配置領域とを備える。基準部配置領域には、有効画素領域において画素構成部材が本来配置される基準位置を示すための基準部が配置される。画素構成部材は、基準位置よりも有効画素領域の中央側にずれるように配置される。
基準用パターンＰＴＮ２１ｍ〜ＰＴＮ２８ｍは、それぞれが境界線ＢＬ１ｍ〜ＢＬ４ｍを介在して対向する有効画素形成用領域の画素用パターンＰＴＮ１１ｍ〜ＰＴＮ１８ｍが、境界線ＢＬ１ｍ〜ＢＬ４ｍに沿う方向に関して本来配置される基準位置を示すように配置されている。具体的には、たとえば基準用パターンＰＴＮ２１ｍは、画素用パターンＰＴＮ１１ｍが境界線ＢＬ１ｍに沿う図の左右方向に関して本来配置される基準位置と等しい位置に配置されている。ここで本来配置される基準位置とは、有効画素形成用領域の画素用パターンＰＴＮ１ｍの（境界線を介在して対向する）非画素用パターンＰＴＮ２ｍに対する位置のずれを考慮する必要がない（画素用パターンＰＴＮ１ｍに全くずれが存在しない）場合における画素用パターンＰＴＮ１ｍの配置される位置を意味する。したがって図１における画素用パターンＰＴＮ１１ｍ〜ＰＴＮ１８ｍは、これが本来存在すべき基準位置（基準用パターンＰＴＮ２１ｍ〜ＰＴＮ２８ｍが配置される位置）よりも中央側に集中するようにずれて配置されている。
基準用パターンＰＴＮ２１ｍ〜ＰＴＮ２８ｍは境界線ＢＬ１ｍ〜ＢＬ４ｍを介在して、画素用パターンＰＴＮ１１ｍ〜ＰＴＮ１８ｍと対向するように配置される。そして基準用パターンＰＴＮ２１ｍ〜ＰＴＮ２８ｍは、境界線ＢＬに沿う方向に関して本来配置される基準位置を示す。画素用パターンＰＴＮ１１ｍ〜ＰＴＮ１８ｍと基準用パターンＰＴＮ２１ｍ〜ＰＴＮ２８ｍとの距離が短くなるため、画素用パターンＰＴＮ１１ｍ〜ＰＴＮ１８ｍの位置をより正確に把握することができる。
具体的には、非画素用パターンＰＴＮ２ｍは、境界線ＢＬ１ｍ〜ＢＬ４ｍの両端の近傍に対向する領域に配置されており、各境界線ＢＬ１ｍ〜ＢＬ４ｍのそれぞれに対向する領域に非画素用パターンＰＴＮ２ｍが２つずつ、合計８つ配置されている。ただしそれぞれの非画素用パターンＰＴＮ２ｍには単一の基準用パターンＰＴＮ２１ｍ〜ＰＴＮ２８ｍのみが配置されている。したがって図５のマスクＭＳＫにおいてはダミー形成用パターンＤＭｍが配置されていない。ただし図５のマスクＭＳＫにおいて基準用パターンＰＴＮ２１ｍ〜ＰＴＮ２８ｍが配置される場所は、図１のマスクＭＳＫと同じであり、具体的には、画素用パターンＰＴＮ１ｍの行（または列）の端から２番目の行（または列）と等しい座標の位置に配置されている。
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