JP2014165417A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 基板と、前記基板の面方向に形成された複数の受光素子とを備える半導体装置であって、
   前記複数の受光素子は、前記基板に生じた起伏に応じた光学条件がそれぞれ所定の条件を満たす位置に配置されている半導体装置。
2. 前記光学条件は、前記複数の受光素子のそれぞれの受光量であり、前記複数の受光素子は、前記受光量が所定の範囲となるように配置されている請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記複数の受光素子の上方に配置されたレンズを備え、
   前記光学条件は、前記複数の受光素子と前記レンズとの間隔であり、前記複数の受光素子は、前記間隔が所定の範囲となるように配置されている請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 前記面方向について、前記起伏の分布周期が、前記複数の受光素子の配列周期と整数比をなす請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置。
5. 前記起伏は複数の陥没部を有し、
   前記複数の受光素子は、前記複数の陥没部内、および、前記複数の陥没部の間のいずれか一方に配置されており、他方には配置されていない請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置。
6. 基板と、前記基板の面方向に配列された複数の受光素子とを備える半導体装置であって、
   前記複数の受光素子は、それぞれ前記基板内の応力分布に応じた光学条件が所定の条件を満たす位置に配置されている半導体装置。
7. 前記面方向について、前記応力の分布周期が、前記複数の受光素子の配列周期と整数比をなす請求項６に記載の半導体装置。
8. 前記応力は、前記半導体装置に対する熱履歴により生じた熱応力を含む請求項６または７に記載の半導体装置。
9. 前記基板の厚さ方向の接続を形成する複数の接続部を備え、
   前記複数の受光素子の少なくとも一つと前記複数の接続部のいずれか一つとの相対位置が、前記複数の受光素子の他の少なくとも一つと前記複数の接続部の他のいずれか一つとの相対位置と同じになるように、前記複数の受光素子が配置されている請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体装置。
10. 前記複数の受光素子は、それぞれ前記複数の接続部のいずれかと、前記面方向について同じ位置に配される請求項９に記載の半導体装置。
11. 前記複数の受光素子を有し、それぞれ第１の受光帯域に対応する複数の第１のサブピクセルと、複数の他の受光素子を有し、それぞれ第２の受光帯域に対応する複数の第２のサブピクセルとを備え、前記複数の第１のサブピクセルおよび前記複数の第２のサブピクセルで画素を形成している請求項１から１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
12. 前記画素を形成する前記複数の第１のサブピクセルおよび前記複数の第２のサブピクセルにおいて、前記複数の受光素子と前記複数の他の受光素子は、互いに同じ高さ位置に配置されている請求項１１に記載の半導体装置。
13. 基板と、前記基板の面方向に配列された複数の半導体素子とを備える半導体装置であって、
    前記複数の半導体素子は、それぞれに対して作用する応力が所定の範囲となる位置に配置されている半導体装置。
14. 前記面方向について、前記応力の分布周期が、前記複数の半導体素子の配列周期と整数比をなす請求項１３に記載の半導体装置。
15. 前記基板の厚さ方向の接続を形成する複数の接続部を備え、
    前記複数の半導体素子の少なくとも一つと前記複数の接続部のいずれか一つとの相対位置が、前記複数の半導体素子の他の少なくとも一つと前記複数の接続部の他のいずれか一つとの相対位置と同じになるように、前記複数の半導体素子が配置されている請求項１３または１４に記載の半導体装置。