JP2014165417A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板と基板の面方向に配列された複数の受光素子とを備える半導体装置であって、半導体装置に生じた起伏に応じた光学条件が互いに等しくなる位置に、複数の受光素子が配される。上記半導体装置において、面方向について、半導体装置における前記起伏の分布周期が、複数の受光素子の配列周期と整数比をなしてもよい。また、基板と基板の面方向に配列された複数の受光素子とを備える半導体装置であって、半導体装置の応力分布に応じた光学条件が互いに等しくなる位置に、複数の受光素子が配される。
【選択図】図11
Description
[特許文献1] 特開2006−049361号公報
Claims (13)
- 基板と前記基板の面方向に配列された複数の受光素子とを備える半導体装置であって、前記半導体装置に生じた起伏に応じた光学条件が互いに等しくなる位置に、前記複数の受光素子が配される半導体装置。
- 前記面方向について、前記半導体装置における前記起伏の分布周期が、前記複数の受光素子の配列周期と整数比をなす請求項1に記載の半導体装置。
- 前記起伏は、前記半導体装置に対する研磨処理により生じた陥没部を含む請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 基板と前記基板の面方向に配列された複数の受光素子とを備える半導体装置であって、前記半導体装置の応力分布に応じた光学条件が互いに等しくなる位置に、前記複数の受光素子が配される半導体装置。
- 前記面方向について、前記半導体装置の応力の分布周期が、前記複数の受光素子の配列周期と整数比をなす請求項4に記載の半導体装置。
- 前記応力は、前記半導体装置に対する熱履歴により生じた熱応力を含む請求項4または請求項5に記載の半導体装置。
- 前記基板の面方向について、前記複数の受光素子の配列周期と整数比をなす配列周期を有し、前記基板の厚さ方向の電気的接続を形成する複数の接続要素を更に備える請求項2または請求項4に記載の半導体装置。
- 前記複数の受光素子は、前記複数の接続要素のいずれかと、前記基板の面方向について同じ位置に配される請求項7に記載の半導体装置。
- 前記複数の受光素子は、互いに同じ受光帯域を有するサブピクセルとして、他の複数の受光素子と共にカラー画素を形成する請求項1から請求項8までのいずれか一項に記載の半導体装置。
- 基板と前記基板の面方向に配列された複数の半導体素子とを備える半導体装置であって、前記複数の半導体素子の各々に対して作用する応力が等しくなる位置に、前記複数の半導体素子が配される半導体装置。
- 前記面方向について、前記半導体装置における応力の分布周期が、前記複数の半導体素子の配列周期と整数比をなす請求項10に記載の半導体装置。
- 前記基板の面方向について前記複数の半導体素子の配列周期と整数比をなす配列周期を有し、前記基板の厚さ方向の電気的接続を形成する複数の接続要素を更に備え、前記複数の半導体素子の各々が、前記複数の接続要素のいずれかと一定の相対位置を有する請求項11に記載の半導体装置。
- 前記複数の半導体素子は、前記複数の接続要素のいずれかと、前記基板の面方向について同じ位置に配される請求項12に記載の半導体装置。
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