JP2014107383A - マスクおよびその製造方法、ならびに半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マスクMSKは、基板SBと、有効画素形成用領域と、基準用パターン形成用領域とを備える。有効画素形成用領域には、画素を構成する画素構成部材を形成するための画素用パターンPTN1mが配置される。基準用パターン形成用領域には、有効画素形成用領域において画素用パターンPTN1mが本来配置される基準位置を示すための基準用パターンPTN21m〜PTN28mが配置される。画素用パターンPTN1mは、基準位置よりも有効画素形成用領域の中央側にずれるように配置される。
【選択図】図1
Description
(実施の形態1)
まず一実施の形態の半導体装置の加工に用いられるマスクの構成について、図1、図2を用いて説明する。
なおここでは画素用パターンPTN1mおよび非画素用パターンPTN2m(基準用パターンPTN21m〜PTN28mおよびダミー形成用パターンDMm)は図を簡略化するために矩形の平面形状を有しているが、これに限らず、これらのパターンは任意の平面形状を取り得る。
本実施の形態は、実施の形態1と比較して、基準用パターンおよび基準部の平面形状において異なっている。まず本実施の形態のマスクの構成について、図5、図6を用いて説明する。
本実施の形態のマスクMSKの非画素用パターンPTN2mは、境界線BL1m〜BL4mに対して垂直に延びる仮想の直線lを対称線とする対称な平面形状を有する。すなわち非画素用パターンPTN2mは、仮想の直線lに垂直な方向について、仮想の直線lの左側および右側の双方において同じ距離だけパターンが配置された態様となっている。したがって本実施の形態の非画素用パターンPTN2mには、仮想の直線lの左側と右側との双方に、光近接効果およびマイクロローディング効果がほぼ同様に加わる。このため本実施の形態の非画素用パターンPTN2mには、仮想の直線lの左側と右側との双方において、光近接効果およびマイクロローディング効果に起因する変形などが互いに逆方向に発生する。
実施の形態1〜2のマスクMSKの第1の製造方法は以下のとおりである。ここでは特に、CAD上における設計(レイアウト)の手法について述べる。
実施の形態1〜2のマスクMSKの第2の製造方法は以下のとおりである。ここでも特に、CAD上における設計(レイアウト)の手法について述べる。
次に図13および図14に示すように、有効画素形成用領域(シュリンク領域)に画素用パターンPTN1mを描画するための第1のデータと、基準用パターン形成用領域(非シュリンク領域)に非画素用パターンPTN2mを描画するための第2のデータとが描かれるための、たとえば単一のレイヤが準備される(S10)。
実施の形態1〜2のマスクMSKの第3の製造方法は以下のとおりである。ここでも特に、CAD上における設計(レイアウト)の手法について述べる。
次に、図16および図17に示すように、有効画素形成用領域(シュリンク領域)に画素用パターンPTN1mを描画するための第1のデータと、基準用パターン形成用領域(非シュリンク領域)に基準用パターンPTN2mを描画するための第2のデータとが描かれるための、たとえば単一のレイヤが準備される(S10)。この工程は図15の工程(S10)と同様である。
実施の形態1〜2のマスクMSKの第4の製造方法は以下のとおりである。ここでも特に、CAD上における設計(レイアウト)の手法について述べる。
次に図21に示すように、マスク用の基板SBにおいて、有効画素形成用領域(シュリンク領域)と基準用パターン形成用領域(非シュリンク領域)との座標の範囲が特定される(S10)。ここでは上記のように、x1≦x≦x2でありかつy1≦y≦y2である座標範囲内がシュリンク領域であり、それ以外の座標範囲が非シュリンク領域であると特定される。
Claims (12)
- 主表面を有する基板と、
前記基板の前記主表面に配置された有効画素形成用領域と、
前記主表面において前記有効画素形成用領域を取り囲む基準用パターン形成用領域とを備え、
前記有効画素形成用領域には、画素を構成する画素構成部材を形成するための画素用パターンが配置され、
前記基準用パターン形成用領域には、前記有効画素形成用領域において前記画素用パターンが本来配置される基準位置を示すための基準用パターンが配置され、
前記画素用パターンは、前記基準位置よりも前記有効画素形成用領域の中央側にずれるように配置される、マスク。 - 前記基準用パターンは、前記有効画素形成用領域の外周線を介在して、前記画素用パターンと対向するように配置され、
前記基準用パターンは、前記基準用パターンに対向する前記画素用パターンが本来配置される、前記外周線に沿う方向に関する前記基準位置を示すように配置される、請求項1に記載のマスク。 - 前記基準用パターン形成用領域において、前記基準用パターンの周囲に、前記基準用パターンと間隔をあけてダミー形成用パターンが形成されている、請求項1に記載のマスク。
- 前記基準用パターンは、前記主表面において前記外周線に対して垂直に延びる仮想の直線を対称線とする対称な平面形状を有する、請求項2に記載のマスク。
- 主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記主表面に配置された有効画素領域と、
前記主表面において前記有効画素領域を取り囲む基準部配置領域とを備え、
前記有効画素領域には、画素を構成する画素構成部材が配置され、
前記基準部配置領域には、前記有効画素領域において前記画素構成部材が本来配置される基準位置を示すための基準部が配置され、
前記画素構成部材は、前記基準位置よりも前記有効画素領域の中央側にずれるように配置される、半導体装置。 - 前記基準部は、前記有効画素領域の外周線を介在して、前記画素構成部材と対向するように配置され、
前記基準部は、前記基準部に対向する前記画素構成部材が本来配置される、前記外周線に沿う方向に関する前記基準位置を示すように配置される、請求項5に記載の半導体装置。 - 前記基準部配置領域において、前記基準部の周囲に、前記基準部と間隔をあけてダミー構造が形成されている、請求項5に記載の半導体装置。
- 前記基準部は、前記主表面において前記外周線に対して垂直に延びる仮想の直線を対称線とする対称な平面形状を有する、請求項6に記載の半導体装置。
- 主表面を有する基板を準備する工程と、
前記基板の前記主表面のうち、画素を構成する画素構成部材を形成するための画素用パターンが形成される有効画素形成用領域に前記画素用パターンを描画するための、第1のレイヤに描かれた第1のデータを準備する工程と、
前記基板の前記主表面のうち、前記有効画素形成用領域を取り囲み、前記有効画素形成用領域において前記画素用パターンが本来配置される基準位置を示すための基準用パターンが形成される基準用パターン形成用領域に前記基準用パターンを描画するための、前記第1のレイヤとは異なる第2のレイヤに描かれた第2のデータを準備する工程と、
前記第1のデータを用いて前記有効画素形成用領域に前記画素用パターンを、前記基準位置よりも前記有効画素形成用領域の中央側にずれるように描画する工程と、
前記第2のデータを用いて前記基準用パターン形成用領域に前記基準用パターンを描画する工程とを備える、マスクの製造方法。 - 主表面を有する基板を準備する工程と、
前記基板の前記主表面のうち、画素を構成する画素構成部材を形成するための画素用パターンが形成される有効画素形成用領域に前記画素用パターンを描画するための第1のデータと、前記基板の前記主表面のうち、前記有効画素形成用領域を取り囲み、前記有効画素形成用領域において前記画素用パターンが本来配置される基準位置を示すための基準用パターンが形成される基準用パターン形成用領域に前記基準用パターンを描画するための第2のデータとを準備する工程と、
前記有効画素形成用領域と、前記基準用パターン形成用領域とを識別するための識別データを準備する工程と、
前記第1のデータに前記識別データを重畳させた状態で、前記第1のデータを用いて前記有効画素形成用領域に前記画素用パターンを、前記基準位置よりも前記有効画素形成用領域の中央側にずれるように描画する工程と、
前記第2のデータを用いて前記基準用パターン形成用領域に前記基準用パターンを描画する工程とを備える、マスクの製造方法。 - 主表面を有する基板を準備する工程と、
前記基板の前記主表面のうち、画素を構成する画素構成部材を形成するための画素用パターンが形成される有効画素形成用領域に前記画素用パターンを描画するための、第1のセルに描かれた第1のデータを準備する工程と、
前記基板の前記主表面のうち、前記有効画素形成用領域を取り囲み、前記有効画素形成用領域において前記画素用パターンが本来配置される基準位置を示すための基準用パターンが形成される基準用パターン形成用領域に前記基準用パターンを描画するための、前記第1のセルとは異なる第2のセルに描かれた第2のデータを準備する工程と、
前記第1のデータを用いて前記有効画素形成用領域に前記画素用パターンを、前記基準位置よりも前記有効画素形成用領域の中央側にずれるように描画する工程と、
前記第2のデータを用いて前記基準用パターン形成用領域に前記基準用パターンを描画する工程とを備え、
前記第1のセルと前記第2のセルとは同一のレイヤで描かれる、マスクの製造方法。 - 主表面を有する基板を準備する工程と、
前記基板の前記主表面のうち、画素を構成する画素構成部材を形成するための画素用パターンが形成される有効画素形成用領域と、前記基板の前記主表面のうち、前記有効画素形成用領域を取り囲み、前記有効画素形成用領域において前記画素用パターンが本来配置される基準位置を示すための基準用パターンが形成される基準用パターン形成用領域との、前記基板の前記主表面における座標の範囲を特定する工程と、
前記有効画素形成用領域に前記画素用パターンを描画するための第1のデータと、前記基準用パターン形成用領域に前記基準用パターンを描画するための第2のデータとを準備する工程と、
前記座標の範囲を識別しながら、前記第1のデータを用いて前記有効画素形成用領域に前記画素用パターンを、前記基準位置よりも前記有効画素形成用領域の中央側にずれるように描画する工程と、
前記座標の範囲を識別しながら、前記第2のデータを用いて前記基準用パターン形成用領域に前記基準用パターンを描画する工程とを備える、マスクの製造方法。
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