JP2014153495A5 - - Google Patents

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なお、実施の形態４に係るＴＦＴ基板４の製造方法は、対向電極１６１に設けるスリットのパターンの違いを除けば、実施の形態１と同様でよい。但し、ＴＦＴ基板４の表面に設ける配向膜に対しては、第１領域と第２領域とで異なる方向の液晶配向処理を行う必要がある。例えば、配向膜の液晶配向処理としてラビング処理を行う場合は、領域ごとにマスクを設けることで選択的なラビング処理を行うマスクラビング法を用いることができる。また、ラビング方以外の光配向法などを用いる場合も同様に、マスクを用いた選択的な方法をとることが可能である。
＜実施の形態５＞
図１４および図１５は、実施の形態５に係るマルチプルビュー液晶表示装置の画素の構成を示す図である。図１４は当該画素の平面図であり、図１５は図１４に示すＣ−Ｃ線に沿った断面図である。図１４においては、液晶５および対向基板６の図示は省略しているため、ＴＦＴ基板４における画素部分の平面構造が示されている。一方、図１５では、ＴＦＴ基板４だけでなく、液晶５および対向基板６も示している。
あるいは、先に絶縁膜１９ａを第２領域のみに残るようにパターニングし、パターニングされた絶縁膜１９ａを覆うように、絶縁膜１９ｂを画素領域の全域（第１領域と第２領域の双方）に形成しても、第１領域よりも第２領域で厚い層間絶縁膜１９を形成することができる。
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