JP2014090080A - プリント配線板、プリント配線板の製造方法及び電子部品 - Google Patents

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Abstract

【課題】インダクタと受動部品とから成る電子部品を収容するプリント配線板の薄板化。
【解決手段】第1面Fと第2面Sとを有し、電子部品を収容するための開口を有するコア基板30と、開口20に収容されていて、複数の部品で形成されている電子部品と、開口により露出するコア基板の側面と電子部品との間の隙間に形成されている充填樹脂50と、コア基板の第1面と、電子部品上に形成されている上側の層間樹脂絶縁層50Aと、上側の導体層58Aと上側のビア導体60Aとからなる上側のビルドアップ層と、コア基板の第2面と、電子部品上に形成されている下側の層間樹脂絶縁層50Bと、下側の導体層58Bと下側のビア導体60Bとからなる下側のビルドアップ層と、を有するプリント配線板であって、複数の部品の内、1つはインダクタであって、別の部品は受動部品であって、インダクタと前記受動部品は配線で繋がっている。
【選択図】図1

Description

本発明は、インダクタと受動部品とで形成される電子部品、及び、該電子部品を収容するプリント配線板、該プリント配線板の製造方法に関する。
特許文献1は、インダクタとキャパシタを有する多層プリント配線板を開示している。そして、特許文献1の図1に示されている多層プリント配線板は、第1の絶縁層と第2の絶縁層、第3の絶縁層を有している。そして、その多層プリント配線板では、第2の絶縁層と第3の絶縁層との間にインダクタが形成され、そのインダクタと接触しない第1の絶縁層の一端にキャパシタが形成されている。
特開2009−111261号公報
特許文献1では、インダクタとキャパシタが別々の絶縁層に形成されるため、基板全体の厚みが厚くなると考えられる。また、インダクタとキャパシタとの間の距離が長くなると考えられる。そのため、抵抗値が増えると推定される。また、インダクタとキャパシタからなる回路の電気特性が低下すると考えられる。特許文献1では、多層プリント配線板が形成される時、インダクタが作られる。そのため、インダクタやキャパシタの電気特性は、多層プリント配線板の設計により制限を受けると推察される。インダクタのQ値等の電気特性の確保が困難になると考えられる。
本発明の第1の目的は、ノイズを除去することに適する電子部品を提供することである。第2の目的はICチップに安定な電源を供給することができるプリント配線板を提供することである。第3の目的は、複数の部品で形成されている電子部品を内蔵するプリント配線板の厚みを薄くすることである。第4の目的は、プリント配線板に複数の部品で形成されている電子部品を内蔵するための製造方法を提供することである。
本発明に係るプリント配線板は、第1面と前記第1面と反対側の第2面とを有し、電子部品を収容するための開口を有するコア基板と、
前記開口に収容されていて、複数の部品で形成されている電子部品と、
前記開口により露出する前記コア基板の側面と前記電子部品との間の隙間に形成されている充填樹脂と、
前記コア基板の第1面と前記電子部品上に形成されている上側の層間樹脂絶縁層と前記上側の層間樹脂絶縁層上に形成されている上側の導体層と前記上側の層間樹脂絶縁層に形成されている上側のビア導体とからなる上側のビルドアップ層と、
前記コア基板の第2面と前記電子部品上に形成されている下側の層間樹脂絶縁層と前記下側の層間樹脂絶縁層上に形成されている下側の導体層と前記下側の層間樹脂絶縁層に形成されている下側のビア導体とからなる下側のビルドアップ層と、を有する。
そして、前記複数の部品の内、1つは、インダクタであって、別の部品は受動部品である。また、前記インダクタと前記受動部品は配線で繋がっている。
本発明に係るプリント配線板の製造方法は、第1面と前記第1面と反対側の第2面とを有する絶縁基板に電子部品を収容するための開口を形成することと、
樹脂絶縁層と前記樹脂絶縁層上のコイル層で形成されるインダクタと、キャパシタと、前記インダクタと前記キャパシタとを一体化している樹脂と、で形成されているプリント配線板内蔵用の電子部品を前記開口内に収容することと、
前記絶縁基板の第1面及び前記電子部品上に上側の層間樹脂絶縁層と上側の導体層と上側のビア導体とからなる上側のビルドアップ層を形成することと、前記絶縁基板の第2面及び前記電子部品上に下側の層間樹脂絶縁層と下側の導体層と下側のビア導体とからなる下側のビルドアップ層を形成することとを有する。
第1実施形態のプリント配線板の断面図。 第1実施形態の電子部品の断面図。 第1実施形態に係るインダクタの各コイル層を示す平面図。 第1実施形態の電子部品の製造方法を示す工程図。 第1実施形態の電子部品の製造方法を示す工程図。 第1実施形態の電子部品の製造方法を示す工程図。 第1実施形態の電子部品の製造方法を示す工程図。 第1実施形態の電子部品の製造方法を示す工程図。 第1実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。 第1実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。 第1実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。 第1実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。 第1実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。 積層コイルの最上と最下のコイル層を示す平面図。 別の例に係る積層コイルの各コイル層を示す平面図。 第1実施形態の改変例に係るプリント配線板の断面図。 電子部品の例1とその電子部品を内蔵するプリント配線板の断面図。 第2実施形態の電子部品の製造方法を示す工程図。 第2実施形態の電子部品の製造方法を示す工程図。 図20(A)は第3実施形態の電子部品の断面を示し、図20(B)は電子部品の平面を示し、図20(C)は第3実施形態のプリント配線板を示す。 第3実施形態の電子部品の製造方法を示す工程図。 第3実施形態の電子部品の製造方法を示す工程図。 電子部品の例2とその電子部品を内蔵するプリント配線板の断面図。 電子部品の例3とその電子部品を内蔵するプリント配線板の断面図。 電子部品の例4とその電子部品を内蔵するプリント配線板の断面図。 例5の電子部品のインダクタを示す図。 例6の電子部品の製造方法を示す工程図。 例6の電子部品の製造方法を示す工程図。 例6の電子部品の製造方法を示す工程図。 例6の電子部品の製造方法を示す工程図。 例7の電子部品の製造方法を示す工程図。
[第1実施形態]
本発明の第1実施形態に係るプリント配線板10の断面が図1に示される。プリント配線板10では、電子部品110が第1面(F)と第1面と反対側の第2面(S)を有するコア基板30に収容されている。コア基板は電子部品を収容するための開口20を有すると共に第1面Fとその第1面と反対側の第2面Sを有する絶縁基板30zと絶縁基板の第1面上の第1導体層34Aと絶縁基板の第2面上の第2導体層34Bと第1導体層34Aと第2導体層34Bを接続しているスルーホール導体36を有する。開口20の内壁と電子部品間の隙間に充填剤(充填樹脂)50が形成されている。
スルーホール導体36は、絶縁基板に形成されている貫通孔31内をめっき膜で充填することにより形成される。貫通孔31は、絶縁基板の第1面側に形成されている第1開口部31aと、第2面側に形成されている第2開口部31bで形成されている。第1開口部31aは第1面から第2面に向かってテーパしている。第2開口部31bは第2面から第1面に向かってテーパしている。第1開口部31aと第2開口部31bは絶縁基板の内部で繋がっている。
コア基板の第1面と絶縁基板の第1面は同じ面であり、コア基板の第2面と絶縁基板の第2面は同じ面である。コア基板30の第1面Fと電子部品上に上側のビルドアップ層が形成されている。上側のビルドアップ層はコア基板30の第1面Fと電子部品上に形成されている絶縁層(上側の層間樹脂絶縁層)50Aと絶縁層50A上の導体層(上側の導体層)58Aと絶縁層50Aを貫通し第1導体層やスルーホール導体と導体層58Aを接続している上側のビア導体60Aとを有する。さらに、絶縁層50Aに電子部品の電極158EDと導体層58Aとを接続する接続ビア導体60Aaが形成されている。上側のビルドアップ層はさらに絶縁層50Aと導体層58A上の絶縁層(最上の層間樹脂絶縁層)50Cと絶縁層50C上の導体層(最上の導体層)58Cと絶縁層50Cを貫通し導体層58Aやビア導体60A、60Aaと導体層58Cとを接続する最上のビア導体60Cを有する。接続ビア導体60Aaは上側のビア導体60Aに含まれる。
コア基板30の第2面Sと電子部品上に下側のビルドアップ層が形成されている。下側のビルドアップ層はコア基板30の第2面Sと電子部品上に形成されている絶縁層(下側の層間樹脂絶縁層)50Bとその絶縁層50B上の導体層(下側の導体層)58Bと絶縁層50Bを貫通し第2導体層やスルーホール導体と導体層58Bを接続している下側のビア導体60Bとを有する。下側のビルドアップ層はさらに絶縁層50Bと導体層58B上の絶縁層(最下の層間樹脂絶縁層)50Dと絶縁層50D上の導体層(最下の導体層)58Dと絶縁層50Dを貫通し導体層58Bやビア導体60Bと導体層58Dとを接続する最下のビア導体60Dを有する。
上側と下側のビルドアップ層上に開口71を有するソルダーレジスト層70が形成されている。ソルダーレジスト層の開口により露出している導体層58C、58Dやビア導体60C、60Dの上面はパッドとして機能する。パッド上にNi/Pd/Auなどの金属膜72が形成され、金属膜上に半田バンプ76U、76Dが形成されている。例えば、上側のビルドアップ層上に形成されている半田バンプ76Uを介してICチップがプリント配線板に搭載される。例えば、下側のビルドアップ層上に形成されている半田バンプ76Dを介してプリント配線板はマザーボードに搭載される。
第1実施形態のプリント配線板10では、コア基板30に形成されている開口20に電子部品110が収容されている。開口20は絶縁基板の第1面から第2面に至る貫通孔(開口)20である。貫通孔20には充填樹脂50が充填されている。開口20の側壁(開口20により露出される絶縁基板の側壁)と電子部品との間の隙間は充填樹脂50で充填されている。
第1実施形態では、コア基板に電子部品が内蔵されるので、ビルドアップ層の絶縁層の層数を増やすことなく、電子部品をプリント配線板に内蔵することができる。複数のコイル層と樹脂絶縁層が交互に積層されているインダクタを含む電子部品がプリント配線板に内蔵されても、第1実施形態では、コア基板上の絶縁層(上側や下側のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層)の層数が増えない。コア基板の厚みはコア基板上の絶縁層の厚みより一般的に厚いので、第1実施形態では、コア基板上の絶縁層の層数を増やすことなく、コイル層の層数の多いインダクタを含む電子部品がプリント配線板に内蔵される。薄いプリント配線板にインダクタンスの高いインダクタを含む電子部品が内蔵される。第1実施形態では、プリント配線板にコイルを内蔵するためにビルドアップ層の絶縁層(層間樹脂絶縁層)の層数を増やす必要がない。ビルドアップ層にパターンでコイルが形成されると絶縁層や導体層の数が増える。そのため、プリント配線板が厚くなる。上側のビルドアップ層、もしくは、下側のビルドアップ層にコイルが形成されると、上側または下側のビルドアップ層の層数が多くなりやすい。コア基板の表裏で絶縁層や導体層の数が異なるのでプリント配線板の反りが発生し易い。しかしながら、第1実施形態では、上側と下側のビルドアップ層の絶縁層と導体層の数が同じになる。プリント配線板の反りが小さい。
図1中の電子部品110の拡大図が図2に示される。電子部品110は、インダクタ110Iと受動部品110Cとそれらを一体化する樹脂で形成されている。受動部品は抵抗やキャパシタ等である。インダクタ110Iは、樹脂絶縁層と一つの平面に配線で形成されているコイル層を有し、樹脂絶縁層とコイル層は交互に積層されている。異なる層に形成されているコイル層は樹脂絶縁層を貫通するビア導体で接続されている。図2で最も上に描かれている樹脂絶縁層は最上の樹脂絶縁層150Eである。インダクタは最上の樹脂絶縁層上に電極158EDを有する。図2では、電極は露出していて、電極上に樹脂絶縁層やコーティング層は形成されていない。電極158EDがコア基板の第1面に向くように電子部品はコア基板に内蔵されている。
チップコンデンサ110Cは、第1樹脂絶縁層150A、第2樹脂絶縁層150B、第3樹脂絶縁層150C、第4樹脂絶縁層150Dに形成されている開口112に収容されている。開口112とチップコンデンサ110Cとの間に固定用の樹脂114が形成されている。チップコンデンサ110Cは、電源端子108Pとアース端子108Eと有する。電源端子108Pは、第5樹脂絶縁層(最上の樹脂絶縁層)150Eに形成されているビア導体160EPを介して電源電極158EDPに接続される。アース端子108Eは、第5樹脂絶縁層150Eに形成されているビア導体160EEを介してグランド電極158EDEに接続される。インダクタの電極やチップコンデンサの電極にプリント配線板の接続ビア導体60Aaがつながる。接続ビア導体はインダクタの電極につながっている電子部品内のビア導体やチップコンデンサの電極につながっている電子部品内のビア導体につながっても良い。
インダクタ110Iは複数のコイル層を有する。第1樹脂絶縁層(最下の樹脂絶縁層)150A上に第1のコイル層(最下のコイル層)158Aが形成されている。第1のコイル層158Aと第1樹脂絶縁層上に第2樹脂絶縁層150Bが形成され、第2樹脂絶縁層上に第2のコイル層158Bが形成されている。第1のコイル層158Aと第2のコイル層158Bが第2樹脂絶縁層に形成されているビア導体160Bで接続されている。第2のコイル層158Bと第2樹脂絶縁層上に第3樹脂絶縁層150Cが形成されている。第3樹脂絶縁層上に第3のコイル層158Cが形成されている。第2のコイル層158Bと第3のコイル層158Cが第3樹脂絶縁層に形成されているビア導体160Cで接続されている。第3のコイル層158Cと第3樹脂絶縁層上に第4樹脂絶縁層150Dが形成されている。第4樹脂絶縁層上に第4のコイル層(最上のコイル層)158Dが形成されている。第3のコイル層158Cと第4のコイル層158Dが第4樹脂絶縁層に形成されているビア導体160Dで接続されている。第4のコイル層158Dと第4樹脂絶縁層上に第5樹脂絶縁層150Eが形成されている。第5樹脂絶縁層上に電極158EDが形成されている。第4のコイル層158Dと電極158EDが第5樹脂絶縁層に形成されているビア導体160Eで接続されている。電極158ED上にプリント配線板の接続ビア導体60Aaが形成される。
第1実施形態の電子部品は、このような積層コイル110IA、110IBを複数有し、各積層コイルは並列または直列で繋げられる。図2の電子部品は、2つの積層コイルで形成されている(110IA:図中左、110IB:図中中央)インダクタを有する。各積層コイルが容易に接続される。コイル層で挟まれる樹脂絶縁層150B、150C、150Dは鉄-ニッケル合金、鉄合金、アモルファス合金等の磁性粒子を含むことができる。インダクタンスが高くなる。最下の樹脂絶縁層も磁性粒子を含むことができる。電子部品内の磁束が外部に漏れ難くなる。電子部品の直下の下側のビルドアップ層にグランドやパワーなどの導体回路が形成されてもインダクタンスの値の減少や損失の増大が防止される。このような観点から、電極と最上の樹脂絶縁層上に磁性粒子を含む樹脂製のコーティング層が形成されることが好ましい。電子部品の直上の上側のビルドアップ層にグランドやパワーなどの導体回路が形成されてもインダクタンスの値の減少や損失の増大が防止される。樹脂絶縁層に含まれる磁性粒子の量は30vol%〜60vol%である。樹脂絶縁層に磁性粒子を混合することで、上側のビルドアップ層や下側のビルドアップ層の絶縁層の層数や導体層の層数が少なくなる。そのため、コア基板に電子部品を内蔵しているプリント配線板の厚みを薄くすることが出来る。図2では、最上の樹脂絶縁層上にコイル層が形成されていない。しかしながら、最上の層間樹脂絶縁層上にコイル層と電極が形成されていてもよい。
電子部品の上面や下面が磁性体膜で覆われてもよい。さらに、電子部品の側壁に磁性体膜が形成されても良い。電子部品が磁性体膜で覆われる。電子部品内の磁束が外部に漏れ難くなる。インダクタンスの値の減少やQ値の低下防止のため、電子部品の直上や直下に導体回路を形成することができない領域が減少する。上側のビルドアップ層と下側のビルドアップ層で導体回路の体積のバランスが崩れがたい。反りの少ないプリント配線板が提供される。最下の樹脂絶縁層は磁性体膜でも良い。磁性体膜が最上のコイル層と最下のコイル層上に形成されている場合、磁性体膜はコーティング層や磁性粒子を含む樹脂絶縁層(磁性体層)を介して形成されることが望ましい。磁性体膜は磁性体で形成されている。磁性体膜は、スパッタなどで形成される。ターゲットとして酸化鉄(III)などが用いられる。
各コイル層158A、158B、158C、158Dは配線パターンで形成されている。そのパターンの形状の1例が図3に示される。各コイル層は一つの平面上に形成されている。第1から第4のコイル層158A、158B、158C、158Dはリング状の導体回路で形成されている。各層のコイル層は略1周の導体回路で形成されている。これにより、4ターンのコイルが形成される。各コイル層に流れる電流の向きは同じである。図中の矢印は電流の向きを示している。この例では、向きは反時計回りである。また、各コイル層の電流の向きは断面方向で重なることが好ましい。
以下に第1積層コイル110IAが説明される。
最上のコイル層(第4のコイル層)158DのビアパッドP4にビア導体160Eが接続され、最上のコイル層は、電極158EDを介して上側のビルドアップ層の接続ビア導体60Aaへ接続される。第4のコイル層はビアパッドP4と反対側の端に第4樹脂絶縁層に形成されているビア導体160Dと接続している接続部V4を有する。
そのビア導体160Dを介して第4のコイル層と第3のコイル層158Cは繋がっている。第3のコイル層はビア導体160Dと接続するためのビアパッドP3を有している。ビアパッドP3は第3のコイル層の一端に形成されている。第3のコイル層はビアパッドP3と反対側の端に第3樹脂絶縁層に形成されているビア導体160Cと接続している接続部V3を有する。
そのビア導体160Cを介して第3のコイル層と第2のコイル層158Bは繋がっている。第2のコイル層はビア導体160Cと接続するためのビアパッドP2を有している。ビアパッドP2は第2のコイル層の一端に形成されている。第2のコイル層はビアパッドP2と反対側の端に第2樹脂絶縁層に形成されているビア導体160Bと接続している接続部V2を有する。そのビア導体160Bを介して第2のコイル層と第1のコイル層158Aは繋がっている。第1のコイル層はビア導体160Bと接続するためのビアパッドP1を有している。ビアパッドP1は第1のコイル層の一端に形成されている。第1のコイル層のビアパッドP1と反対側の端は接続配線L10に繋がっている。そして、接続配線L10は第2積層コイルに繋がっている。第2積層コイルは第1積層コイルと同様であり、第1積層コイルと第2積層コイルに流れる電流の向きは同じである。この場合、第1積層コイルの電極は入力電極(158EDI)であり、第2積層コイルの電極は出力電極(158EDO)である。
図14は別の例の積層コイルを示している。この図では最上と最下のコイル層のみが示されている。この例では各層のコイル層が螺旋状に導体回路(配線パターン)で形成されている。最上のコイル層658Aは図3に示されている積層コイルと同様にビアパッド658Aaと接続部658Abを有する。ビアパッド658Aaはビアパッド658Aa上のビア導体を介してプリント配線板内の導体層につながっている。図14のコイルでは、最下のコイル層658Bのビアパッド658Pは最下のコイル層の中心に形成されていて、最下のコイル層は接続配線L658と外周で繋がっている。コイル層の層数が偶数の時、最上のコイル層のビアパッド658Aaは最上のコイル層の外周に形成されている(図14(A))。コイル層の層数が奇数の時、最上のコイル層のビアパッド658Aaは最上のコイル層658Aの中心に形成され、最下のコイル層のビアパッド658Pは最下のコイル層の中心に形成されている(図14(B))。
積層コイルの別の例が図15に示されている。
図1中に示す接続ビア導体60Aaはインダクタの入力電極を介して第4のコイル層(最上のコイル層)558D1の入力ビアパッドP4Iにつながっている。電流は反時計回りに略半周流れて、第4のコイル層558D1の入力接続部V4Iに至る(図15(D))。第4のコイル層558D1は、ビア導体160Dを介して第3のコイル層558C1の入力ビアパッドP3Iに接続される。電流は反時計回りに略半周流れて、第3のコイル層558C1の入力接続部V3Iに至る(図15(C))。第3のコイル層558C1は、ビア導体160Cを介して第2のコイル層558B1の入力ビアパッドP2Iに接続される(図15(B))。電流は反時計回りに略半周流れて、第2のコイル層558B1の入力接続部V2Iに至る(図15(B))。第2のコイル層558B1は、ビア導体160Bを介して第1のコイル層558Aの入力ビアパッドP1Iに接続される(図15(A))。電流は反時計回りに第1のコイル層558Aを略一周し、第1のコイル層558Aの出力ビアパッドP1Oから、ビア導体160Bを介して第2のコイル層558B2の出力接続部V2Oに接続される。電流は反時計回りに半周流れて、第2のコイル層558B2の出力ビアパッドP20に至る(図15(B))。第2のコイル層はビア導体160Cを介して第3のコイル層558C2の出力接続部V3Oに接続される(図15(C))。電流は反時計回りに略半周流れて、第3のコイル層558C2の出力ビアパッドP30に至る(図15(C))。第3のコイル層は、ビア導体160Dを介して第4のコイル層558D2の出力接続部V4Oに接続される(図15(D))。電流は反時計回りに略半周流れて接続配線L10に至る(図15(D))。図15に示されている積層コイルは接続配線を介して別の積層コイルに直列もしくは並列で接続される。各入力回路と各出力回路は略半周の配線パターンで形成されている(図15)。各積層コイル層は並列で接続されていることが好ましい。各インダクタはそれぞれ入力電極を有し、各インダクタの出力電極は共通電極につながる。そして、その共通電極にプリント配線板の接続ビア導体が接続される。
図2、図17、図20、図23、図24、図25、図26などに示されている電子部品は電極158EDを有している。そのため、このような電子部品がプリント配線板のコア基板に内蔵されると、接続ビア導体用の開口を電極上に形成することができる。電子部品の電極と接続ビア導体間の接続信頼性が高い。
電子部品のインダクタ110Iが交互に積層されている樹脂絶縁層とコイル層で形成され、プリント配線板の接続ビア導体と接続するための電極を有する。そのため、樹脂絶縁層の層数やコイル層の層数を調整することで電子部品の厚みが調整される。従って、コア基板の厚みを考慮して電子部品が製造される。そして、インダクタンスの値はコイル層の層数や積層インダクタの数で調整される。従って、本発明の実施形態の電子部品はコア基板に内蔵されるための電子部品に適している。また、接続ビア導体でプリント配線板と電子部品が接続されるので、実施形態の電子部品はプリント配線板に内蔵されるための部品に適している。電子部品は磁性を有していない樹脂膜で覆われても良い。電子部品の劣化が抑制される。
ビルドアップ層と電子部品が別々に製造されているので、コイル層の配線パターンの厚みをビルドアップ層の導体層の厚みより厚くすることができる。そのため抵抗値の低い電子部品がプリント配線板に内蔵される。微細な導体回路を有するプリント配線板が製造される。
各実施形態や各改変例の電子部品のインダクタは入力電極と出力電極を有していて、プリント配線板内の電源ラインと電子部品のインダクタは直列で繋がれる。例えば、電源は、プリント配線板内の電源ラインからインダクタの入力電極を介してインダクタに入る。その電源はインダクタを通りインダクタの出力電極からプリント配線板内の電源ラインに出力される。その電源は、プリント配線板に形成されているパッド(電源用パッド)を介してプリント配線板に実装されるICチップに至る。電源用パッドを含むパッドを介してICチップはプリント配線板に実装される。パッドは、信号用パッド、グランド用パッドと電源用パッドを含む。インダクタの出力電極からプリント配線板のICチップを実装するためのパッドまでの電源ラインは電源伝送回路と称される。電子部品内のキャパシタ等の受動部品は電源伝送回路に並列に接続されている。また、電子部品内のキャパシタ等の受動部品はグランドに繋がっている。各実施形態や各改変例で電子部品とプリント配線板内の回路は第1実施形態と同様に接続される。また、各実施形態や各改変例で、電子部品とグランドは同様に接続される。
実施形態では、インダクタとキャパシタなどの受動部品を一体化することで、インダクタとキャパシタなどの受動備品とを含む電子部品が形成されている。そのため、実施形態の電子部品ではインダクタと受動部品を短い配線で繋ぐことが出来る。インダクタと受動部品間の配線の距離は500μm以下であることが好ましい。寄生容量が小さくなるので、電源伝送回路のノイズが少なくなる。ICチップに安定な電源を供給することができる。ICチップが誤動作しがたくなる。
図17(A)に電子部品の例1が示されている。例1では、電子部品は、電子部品内のキャパシタの電極と接続しているビア導体(キャパシタ用のビア導体)160EP、160EEを有している。ビア導体160EPはキャパシタの電源電極108Pに繋がっていて、ビア導体160EEはキャパシタのグランド電極108Eに繋がっている。例1では、インダクタとキャパシタは電子部品内で接続されていない。例1の電子部品がプリント配線板に内蔵されると、インダクタとキャパシタはプリント配線板内の接続ビア導体と上側の層間樹脂絶縁層上の接続回路80Aを介して接続される。その例が図17(B)に示されている。キャパシタの電極と接続ビア導体はビア導体160EP、160EEを介して行われる。インダクタの出力電極とチップコンデンサの電源電極は接続ビア導体と接続回路80Aで接続される。
図23(A)は、例2の電子部品210を示している。図23(A)のインダクタ210L3は省略して示されている。図23(A)のインダクタ210L3は図3や図14、図15に示されているインダクタと同様である。図23(B)は図23(A)に示されている電子部品を内蔵しているプリント配線板を示している。図23に示されている電子部品はキャパシタ用の接続ビア導体を有していない。電子部品のキャパシタの電極にプリント配線板のビア導体が直接繋がっている。インダクタ210L3とキャパシタ210C3はプリント配線板内の接続ビア導体と上側の層間樹脂絶縁層上の接続回路80Aを介して接続される。そのため、インダクタとキャパシタなどの受動部品間の配線の長さが短くなる。
図24(A)は例3の電子部品310を示している。例3のインダクタも例2と同様に省略して示されている。図24(A)に示されている電子部品では、インダクタ310L3とキャパシタ310C3などの受動部品が電子部品内のビア導体360と配線(接続ライン)358で接続されている。図24(B)は図24(A)に示されている電子部品を内蔵しているプリント配線板を示している。この例では、電子部品310内でインダクタ310L3とキャパシタ310C3が接続されているので、両者間の配線の長さが短くなる。また、両者間の接続信頼性が高くなる。例3では、電子部品がプリント配線板に内蔵される前に電子部品の良否を判定することが出来る。プリント配線板の接続信頼性が向上する。接続ライン358は図24(C)に示されているビアパッド358Pを有してもよい。ビアパッド358Pに接続ビア導体が形成される。
図25(A)は例4の電子部品410を示している。例4のインダクタも例2と同様に省略して示されている。図25(A)に示されている電子部品では、インダクタ410L3とキャパシタ410C3などの受動部品が電子部品内の配線(接続ライン)458で接続されている。この例では、キャパシタの電極とインダクタの電極はビア導体を介することなく配線458で接続されている。図25(B)は図25(A)に示されている電子部品を内蔵しているプリント配線板を示している。この例では、電子部品410内でインダクタ410L3とキャパシタ410C3が配線458だけで接続されているので、両者間の配線の長さが短くなる。両者間の接続信頼性が高くなる。例4では、電子部品がプリント配線板に内蔵される前に電子部品の良否を判定することが出来る。プリント配線板の接続信頼性が向上する。接続ライン458は図25(C)に示されているビアパッド458Pを有してもよい。ビアパッド485P上に接続ビア導体が形成される。
例5に係る電子部品のインダクタ1110の拡大図が図26(A)に示されている。
例5の電子部品は例1や例2,例3、例4、例6、例7の中の1つと同様である。それらと同様なビア導体やキャパシタや接続ラインを有することができる。
図26は1つの積層コイルを示している。図26ではキャパシタなどが省略されている。
例5のインダクタ110は、最下の樹脂絶縁層(支持層)150Gと、樹脂絶縁層150G上に形成されている最下のコイル層158Gと、コイル層158G上に形成されている磁性体層174Eと、磁性体層174Eを被覆する第2樹脂絶縁層150Eと、第2樹脂絶縁層150E上に形成されている最上のコイル層158Eと、第2樹脂絶縁層150Eに形成されているビア導体用の開口150Eaに形成されているビア導体160Gと最上のコイル層上に形成されている磁性体層174Cとを有している。磁性体層の代わりに磁性体膜が形成されてもよい。磁性体層174E、174Cは、樹脂と磁性粒子とを含んでいる。磁性粒子の含有量が30vol%〜60vol%である。
樹脂絶縁層150G、150Eに含まれる樹脂は、磁性体層174Eに含有される樹脂と同じ材料であることが好ましい。これにより、磁性体層と樹脂絶縁層との密着が向上する。
磁性体層174E、174Cは、開口174Ea、174Caを有している。開口174Eaの内部に樹脂150EEが充填されている。例5では、この樹脂150EEは、第2樹脂絶縁層150Eの一部である。すなわち、第2樹脂絶縁層150Eが開口174Eaの内部に入り込んでいる。例5では、最上のコイル層上に形成されている磁性体層の開口により最上のコイル層は部分的に露出している。
図26(A)に示されているインダクタの回路は、図3や図14や図15に示されているインダクタの回路と同様である。従って、図26(A)に示されているインダクタは入力電極や出力電極を有する。図26(A)では、入力電極や出力電極は最上のコイル層の一部である。入力電極や出力電極は図24などに示されているビア導体の上面でもよい。その場合、磁性体層はそのビア導体の上面を露出している。部分的に露出することが好ましい。
磁性体層174Cは開口174Caを有し、その開口174Caにより入力電極や出力電極は露出される。さらに、電子部品は磁性体層174Cと第2樹脂絶縁層150Eと最上のコイル層上に第3樹脂絶縁層150Cを有してもよい(図26(B))。この場合、接続ビア導体60Aaは図26(B)に示されるように、磁性体層174Cの開口174Ca内に形成される。接続ビア導体用の開口150Caは、磁性体層を貫通することなく、第3樹脂絶縁層に形成される。図26に示されている電子部品以外の電子部品が図26(A)又は図26(B)に示されているインダクタを有してもよい。図26(B)の接続ビア導体60Aaが例えば、図17や図24などに示されている電子部品内のビア導体に相当する。図26(A)に示されているように、ビア導体用の開口を有する磁性体層はコイル層の側壁とコイル層の上面を覆っている。磁性体層はビア導体用の開口を有している。その開口174Ea内にビア導体が形成される。磁性体層の開口を充填している樹脂にビア導体用の開口が形成される。図26に示されているインダクタを図2や例1、例2,例3、例4、例6、例7に示されている電子部品のインダクタに用いることができる。
図26のインダクタでは、磁性粒子を含む樹脂から成る磁性体層が異なる層に形成されているコイル層間に形成されている。コイル層上に磁性体層が形成されている。透磁率が増大する。これにより層数の少ない薄いインダクタで所望のインダクタンスが得られる。そのため、コア基板にインダクタを有する電子部品が内蔵されてもプリント配線板の厚みを薄くすることが出来る。
また、図26に示されているビア導体は、磁性体層の開口を充填している樹脂とその樹脂上の樹脂絶縁層を貫通している。異なる層のコイル層を接続するビア導体の側面が、磁性体層と接触していない。ビア導体と磁性体層間の密着強度やコイル層と磁性体層間の密着強度は低い。そのため、図26のインダクタでは、コイル層やビア導体は樹脂絶縁層上に形成されている。異なるコイル層間の接続信頼性が向上する。また、樹脂絶縁層にレーザでビア導体用の開口を容易に形成することができる。図26に示されている電子部品の樹脂絶縁層は磁性粒子を含まない。図26に示されている電子部品の樹脂絶縁層は磁性粒子以外のシリカなどの無機粒子を含む。各実施形態や各改変例のプリント配線板はコア基板の開口に図2や例1,例2,例3、例4、例5、例6、例7で説明されている電子部品を内蔵することができる。
図4〜図8は第1実施形態の電子部品の製造工程を示す。
(磁性粒子を含む樹脂絶縁層用フィルムの作成)
(A)樹脂含有溶液の作製
MEK6.8gとキシレン27.2gの混合溶媒に、エポキシ樹脂(ジャパン・エポキシ・レジン社製、商品名:エピコート1007など)85gと酸化鉄(III)などの磁性粒子が添加される。磁性粒子の例として、クロム酸化鉄(フェリクロム)、コバルト酸化鉄、バリウムフェライトなどが挙げられる。
(B)樹脂絶縁層用フィルムの作製
前記(A)の樹脂含有溶液に硬化剤としてのジシアンジアミド(ビィ・ティ・アイ・ジャパン社製、商品名:CG−1200など)と硬化触媒(四国化成社製、商品名:キュアゾール2E4HZなど)が添加される。その後、これらの混合物は三本ローラで混練され、樹脂絶縁層用溶液が形成される。硬化剤と硬化触媒の添加量はエポキシ100gに対してそれぞれ3.3gである。
この樹脂絶縁層用溶液がロールコータ(サーマトロニクス貿易社製)でポリエチレンテレフタレートなどのシート上に塗布される。そして、その溶液は、160℃で5分乾燥され、溶媒が除去される。磁性粒子を含む樹脂絶縁層用フィルムが得られる。厚みが約20μm〜50μmである。
その樹脂絶縁層用フィルム中の磁性粒子の量は30vol%から60vol%である。なお、樹脂絶縁層用フィルムは磁性粒子を含まず、シリカやアルミナなどの無機粒子を含んでも良い。磁性粒子を含む樹脂絶縁層用フィルムは磁性体層を形成するためのフィルムとして用いられてもよい。
以下に2つの積層コイルを有する電子部品の製造方法が示される。
銅板などの支持板170上にめっきレジストが形成される。めっきレジストから露出する支持板上に支持板を電極としてストッパー層1000Aが形成される。ストッパー層は支持板の材質と異なるニッケルなどである。
続いて、ストッパー層上に支持板170を電極として電解銅めっき等で2つの最上のコイル層1000D1,1000D2と各積層コイル層の入力電極1000Cと共通電極(出力電極)1000Dと接続配線1000Eが形成される。接続配線を介して、積層コイルと共通電極がつなげられる。めっきレジストが除去される(図4(A))。最上のコイル層などは電解めっき膜100Zで形成されている。
支持板と最上のコイル層、入力電極、共通電極、接続配線上に上記(B)のフィルムが積層され、その後、そのフィルムを硬化することで最上の樹脂絶縁層1500Dが形成される(図4(B))。第1実施形態の樹脂絶縁層はエポキシなどの樹脂と磁性粒子で形成されている。図4(B)に点線で最上のコイル層が仮想的に描かれている。
樹脂絶縁層1500Dに最上のコイル層のビアパッド(Via Pad)P1Oに至るビア導体用の開口1510Dが形成される。図4(B)では開口1510Dは黒丸で示されている。樹脂絶縁層1500Dと開口1510Dの内壁に無電解めっき膜1520Bが形成される。無電解めっき膜1520B上にめっきレジストが形成される。電解めっきにより、めっきレジストから露出する無電解めっき膜1520B上に電解めっき膜1560Bが形成される。その後、めっきレジストが除去され電解めっき膜1560B間の無電解めっき膜1520Bが除去される。無電解めっき膜1520Bと無電解めっき膜上の電解めっき膜1560Bで形成される第2のコイル層1580B1、1580B2が形成される(図5(A))。
第2のコイル層と最上の樹脂絶縁層上に上記(B)のフィルムが積層される。その後、そのフィルムを硬化することで第2樹脂絶縁層1500Cが形成される。
レーザで第2樹脂絶縁層1500Cに第2のコイル層のビアパッドP2Oに至るビア導体用の開口1510Cが形成される(図5(B))。開口1510Cは黒丸で描かれている。図5(B)に点線で第2のコイル層が仮想的に描かれている。
第2樹脂絶縁層1500C上、及び、ビア導体用の開口1510C内に無電解めっき膜1520Cが形成される。無電解めっき膜1520C上にめっきレジストが形成される。電解めっきにより、めっきレジストから露出する無電解めっき膜上に電解めっき膜1560Cが形成される。めっきレジストが除去され電解めっき膜1560C間の無電解めっき膜が除去される。無電解めっき膜1520Cと無電解めっき膜上の電解めっき膜1560Cで形成される第3のコイル層(最下のコイル層)1580C1,1580C2とビア導体と接続する接続部V3Oが形成される(図6(A))。樹脂絶縁層1500C、1500Dに形成されているビア導体用の開口1510C、1510Dにビア導体が形成されていて、これらのビア導体15100C、15100Dで異なる層に形成されているコイル層が接続されている。
2つの積層コイル110IA、110IBが支持板170上に形成される。第1の積層コイルと第2の積層コイルは接続配線を介して並列に繋がっている。各コイル層と各積層コイルで流れる電流の向きは同じである。インダクタを有する中間部品が完成する(図6(A))。インダクタを有する中間部品のコイル層は3層である。
各樹脂絶縁層はインダクタより大きなサイズで形成されている。中間部品にチップコンデンサ収容用の開口112が形成される(図7(A))。開口112は全ての樹脂絶縁層を貫通し支持板に至っている。開口112はレーザやルータで形成される。開口112内にチップコンデンサ110Cが収容される(図7(B))。チップコンデンサなどの受動部品とインダクタとの間の距離ZZは0.4mm以下であることが好ましい(図7(B)参照)。寄生容量が小さくなる。キャビティのサイズが小さくなる。プリント配線板の反りが小さくなる。第2樹脂絶縁層と最下のコイル層とチップコンデンサ上に上記(B)のフィルムが積層される。加熱プレスが行われる。そのフィルム中の樹脂と磁性粒子や無機粒子などの粒子とからなる樹脂がチップコンデンサ110Cと開口112により露出する樹脂絶縁層の側壁との間の隙間に充填される。その後、隙間を充填している樹脂とフィルムが硬化され、隙間を充填する固定用の樹脂と最下の樹脂絶縁層1500Bが形成される(図7(C))。
この工法によれば、インダクタの電極と受動部品の電極が支持板上に配置されるので、インダクタの電極と受動部品の電極が略同一平面上に位置する。インダクタの電極に接続するビア導体の長さと受動部品の電極に接続するビア導体の長さが略同じなる。そのため、インダクタの電極とその電極につながるビア導体間や受動部品の電極とその電極につながるビア導体間の接続信頼性が高くなる。
支持板170がエッチング等で除去される。最上のコイル層や入力電極、共通電極(出力電極)、接続配線上のストッパー層が選択的に除去される。図8(A)や図23(A)に示される電子部品110が完成する。図23に示されるように、インダクタの電極の上面と受動部品の電極の上面は同一平面上に位置してもよい。
図8(A)に示されている電子部品の最上の樹脂絶縁層と最上のコイル層とチップコンデンサ上に樹脂絶縁層1500Eが形成される(図8(B))。樹脂絶縁層は上述の(B)の樹脂絶縁層用フィルムから形成される。樹脂絶縁層は磁性粒子を含まずシリカなどの無機粒子を含むことができる。樹脂絶縁層にインダクタの電極や受動部品の電極に至るビア導体用の開口151Eが形成される(図8(B))。樹脂絶縁層1500E上と樹脂絶縁層1500Eのビア導体用の開口の内壁に無電解めっき膜が形成される。続いて、その無電解めっき膜上にめっきレジストが形成される。めっきレジストから露出する無電解めっき膜上に電解めっき膜が形成される。めっきレジストが除去される。電解めっき膜間の無電解めっき膜が除去される。インダクタの入力電極と出力電極、チップコンデンサの電源電極とグランド電極上にビア導体が形成される。同時に、インダクタの出力電極とチップコンデンサの電源電極を接続する配線(接続ライン)358が形成されてもよい(図24(A))。この配線は図24(C)に示されているパッド358Pを有する。このパッド上にプリント配線板の接続ビア導体が形成される。図24(A)に示される電子部品が完成する。接続ライン358やパッド358Pが形成されないと、図8(C)や図2に示されている電子部品が完成する。
図8(A)に示されている電子部品の最上の樹脂絶縁層と最上のコイル層とチップコンデンサ上に無電解めっき膜が形成される。その無電解めっき膜上にめっきレジストが形成される。このめっきレジストの開口からインダクタの入力電極と出力電極とチップコンデンサの両電極が露出する。また、めっきレジストはインダクタの出力電極とチップコンデンサの電源電極とを繋ぐ配線(接続ライン)用の開口を有する。インダクタの出力電極とチップコンデンサの電源電極とを繋ぐ配線用の開口はインダクタを避けて最上の樹脂絶縁層上に形成されている。インダクタンスの値の低下が防止される。めっきレジストから露出する無電解めっき膜上に電解めっき膜が形成される。めっきレジストが除去される。電解めっき膜間の無電解めっき膜が除去される。インダクタの入力電極と出力電極、チップコンデンサの電源電極とグランド電極上に導体が形成される。同時に、インダクタの出力電極とチップコンデンサの電源電極を接続する配線(接続ライン)458が形成される。インダクタが最上の樹脂絶縁層上にコイル層を有さず、入力電極と出力電極のみ有する場合、インダクタの出力電極とチップコンデンサの電源電極を接続する配線は任意な位置に形成される。設計の自由度が増す。配線458はインダクタを迂回して形成されることが好ましい。また、配線458Aは、図25(C)に示されているパッド458Pを有する。このパッド上にプリント配線板の接続ビア導体が形成される。図25(A)に示されている電子部品が完成する。図24に示されている電子部品では、インダクタの出力電極とチップコンデンサの電源電極は樹脂絶縁層1500E上の接続ラインと樹脂絶縁層1500Eに形成されているビア導体を介して接続されている。
図30(E)に示されている例6の電子部品の製造方法が以下に示される。
支持板170上に上記(B)のフィルムが積層され、その後、そのフィルムを硬化することで第1樹脂絶縁層150Aが形成される(図27(A))。樹脂絶縁層150Aはエポキシなどの樹脂と磁性粒子で形成されている。図中で支持板は、1枚の板として示されている。電子部品の製造に用いられる支持板として銅張積層板と銅箔とからなる支持板を用いることができる。銅箔と銅張積層板は超音波で接合される。支持板の両面に電子部品を形成することができる。図示は省略される。
樹脂絶縁層150A上に無電解めっき膜152Aが形成される。無電解めっき膜152A上にめっきレジストが形成される。電解めっきにより、めっきレジストから露出する無電解めっき膜152A上に電解めっき膜156Aが形成される。その後、めっきレジストが除去され電解めっき膜156A間の無電解めっき膜が除去される。無電解めっき膜152Aと無電解めっき膜上の電解めっき膜156Aで形成される最下のコイル層158Aが形成される(図27(B))。
最下のコイル層と第1樹脂絶縁層上に上記(B)のフィルムが積層される。その後、そのフィルムを硬化することで第2樹脂絶縁層150Bが形成される(図27(C))。
レーザで第2樹脂絶縁層150Bに最下のコイル層のビアパッドP1に至るビア導体用の開口151Bが形成される(図28(A))。第2樹脂絶縁層150B上、及び、ビア導体用の開口151B内に無電解めっき膜152Bが形成される(図28(B))。
無電解めっき膜152B上にめっきレジスト154Bが形成される(図28(C))。電解めっきにより、めっきレジストから露出する無電解めっき膜上に電解めっき膜156Bが形成される(図29(A))。めっきレジストが除去され電解めっき膜156B間の無電解めっき膜が除去される。無電解めっき膜152Bと無電解めっき膜上の電解めっき膜156Bで形成される第2のコイル層158Bとビア導体160Bと接続部V2が形成される(図29(B))。ビア導体160Bは、最下のコイル層のビアパッドと第2のコイル層の接続部を接続している。第2のコイル層の表面が粗化される(図示せず)。
第2樹脂絶縁層の形成方法と第2のコイル層の形成方法と同様な方法で第2樹脂絶縁層と第2のコイル層上に順に第3樹脂絶縁層150Cと第3のコイル層158Cと第4樹脂絶縁層150Dと第4のコイル層(最上のコイル層)158Dが形成される。最上のコイル層は入力電極158EAや出力電極158EDを有する(図29(C))。2つの積層体110IA、110IBが支持板170上に形成される(図29(C))。図29(C)では、支持板の一方の面上に2つの積層コイル(第1の積層コイル110IA、第2の積層コイル110IB)が示されている。各積層コイル層と各コイル層で流れる電流の向きは同じである。第3樹脂絶縁層のビア導体160Cは第2のコイル層と第3のコイル層を接続していて、第4樹脂絶縁層のビア導体160Dは第3のコイル層と第4のコイル層を接続している。支持板が除去される。インダクタを有する中間部品が完成する(図29(D))。
各樹脂絶縁層はインダクタより大きなサイズで形成されている。中間部品にチップコンデンサ収容用の開口112が形成される(図30(A))。開口112は全ての樹脂絶縁層を貫通している。開口112はレーザやルータで形成される。第4樹脂絶縁層と最上のコイル層上にテープ170Tが貼られる。テープにより開口112は塞がれる。開口112内にチップコンデンサ110Cが収容される。チップコンデンサ等の電子部品がテープ上に搭載される(図30(C))。第1樹脂絶縁層150Aとチップコンデンサ上に上記(B)のフィルムが積層される。加熱プレスが行われる。そのフィルム中の樹脂と磁性粒子や無機粒子などの粒子がチップコンデンサ110Cと開口112により露出する樹脂絶縁層の側壁との間の隙間を充填する。樹脂とフィルムが硬化され、隙間を充填する固定用の樹脂123Uと最下の樹脂絶縁層150Xが形成される(図30(D))。テープがはがされる(図30(E))。例6の電子部品が完成する。他の方法と同様な方法で例6の電子部品はプリント配線板に内蔵される。インダクタの入力電極や出力電極、チップコンデンサの電源電極とグランド電極が露出する電子部品が完成する。続いて、第4樹脂絶縁層、インダクタ、チップコンデンサ上に最上の樹脂絶縁層150Zが形成される(図31(A))。この方法では、支持板が除去され、受動部品を電子部品内に形成するため、テープがインダクタと樹脂絶縁層上に形成される。開口112がテープで塞がれる。テープはどちらの面に貼られてもよい。第1樹脂絶縁層上にテープが貼られてもよい。例6の電子部品の第4樹脂絶縁層と最上のコイル層上に樹脂絶縁層150Zが形成される。樹脂絶縁層150Zを貫通していて、インダクタの入力電極、インダクタの出力電極とコンデンサの両電極上にビア導体が形成される。例7の電子部品(図31(B))が完成する。この時、樹脂絶縁層150Z上にインダクタの出力電極とチップコンデンサの電源電極とを電気的に接続する配線(接続ライン)が形成されても良い。図27から図30に示されている方法によれば、チップコンデンサの厚みとインダクタの厚みが異なる場合、インダクタの入力電極とインダクタの出力電極とチップコンデンサの両電極(電源電極とグランド電極)の位置を略同一平面上にすることができる。プリント配線板の接続ビア導体と電子部品間の接続信頼性が向上する。
第1実施形態のプリント配線板10の製造方法が図9〜図13に示される。
(1)絶縁基板30zとその両面に銅箔32が積層されている両面銅張積層板30Zが出発材料である。絶縁基板の厚さは、50〜250μmである。厚みが50μmより薄いと基板強度が低すぎる。厚みが250μmを越えるとプリント配線板の厚さが厚くなる。絶縁基板は第1面Fとその第1面と反対側の第2面Sを有する。銅箔32の表面に図示されない黒化処理が施される(図9(A))。絶縁基板30zのX−Y方向(第1面Fと平行な方向)のCTEは電子部品のCTE(熱膨張係数)より小さい。
(2)絶縁基板の第1面F側から両面銅張積層板30Zにレーザが照射される。絶縁基板の第1面から第2面に向けて細くなっている第1開口部31aが形成される(図9(B))。
(3)絶縁基板の第2面S側から両面銅張積層板30Zにレーザが照射される。絶縁基板の第2面から第1面に向けて細くなっている第2開口部31bが形成される(図9(C))。第2開口部31bは絶縁基板内で第1開口部31aと繋がりスルーホール導体用の貫通孔31が形成される。
(4)無電解めっき処理により無電解めっき膜33が貫通孔の内壁と銅箔上に形成される(図9(D))。
(5)電解めっき処理により、無電解めっき膜上に電解めっき膜37が形成される。貫通孔内にスルーホール導体36が形成される。スルーホール導体36は貫通孔の内壁に形成されている無電解めっき膜33と貫通孔を充填している電解めっき膜37で形成される(図9(E))。
(6)コア基板30の表面の電解めっき膜37にエッチングレジスト35が形成される(図9(F))。
(7)エッチングレジストから露出する電解めっき膜37、無電解めっき膜33、銅箔32が除去される。その後、エッチングレジストが除去され導体層34A、34B及びスルーホール導体36が形成される(図10(A))。
(8)絶縁基板30zの中央部に電子部品を収容するための開口20がレーザにより形成され、コア基板が完成する(図10(B))。コア基板の厚みCT(図10(B))は60μm〜300μmである。
(9)コア基板の第1面にテープ94が貼られる。開口20はテープで塞がれる(図10(C))。テープ94の例としてPETフィルムが挙げられる。
(10)開口20により露出するテープ94上に電子部品110が置かれる(図10(D))。開口20に収容される電子部品は各実施形態や各改変例で説明される電子部品の内の一つである。絶縁基板に形成されている開口20に電子部品が収容される。この時、インダクタやチップコンデンサなどの受動部品の電極がテープに向いている。コア基板の開口20に収容される電子部品の厚みはコア基板の厚みの30%〜100%である。
(11)コア基板30の第2面S上にB−ステージのプリプレグが積層される。加熱プレスによりプリプレグから樹脂が開口内にしみ出て、開口20が充填樹脂50で充填される(図10(E))。開口の内壁と電子部品間の隙間が充填樹脂で満たされる。電子部品がコア基板に固定される。プリプレグの代わりに層間絶縁層用樹脂フィルムが積層されてもよい。プリプレグはガラスクロスなどの補強材を有するが層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムは補強材を有していない。両者ともシリカ粒子などの無機粒子を含むことが好ましい。充填樹脂はシリカなどの無機粒子を含んでいる。
(12)テープ剥離後(図11(A))、コア基板30の第1面F上にB−ステージのプリプレグが積層される。コア基板の第1面と第2面上のプリプレグが硬化される。コア基板の第1面と第2面上に絶縁層(層間樹脂絶縁層)50A、50Bが形成される(図11(B))。
(13)第1面側からCO2ガスレーザにて絶縁層50Aに電子部品の電極に至る接続ビア導体用の開口51Aaが形成される。
内蔵される電子部品により、接続ビア導体用の開口51Aaは電子部品のパッドやビア導体上に形成される。
図23(A)に示されている電子部品が内蔵される場合、接続ビア導体用の開口51Aaは電子部品の電極(インダクタの入力電極、インダクタの出力電極、キャパシタの両電極)に至る。
図24(A)に示されている電子部品が内蔵される場合、接続ビア導体用の開口51Aaは電子部品のビア導体やパッドに至る。
図25(A)に示されている電子部品が内蔵される場合、接続ビア導体用の開口51Aaは電子部品の電極上の導体やパッドに至る。
図8(C)、図23(A)、図24(A)や図25(A)などに示されている電子部品がテープ上に置かれる時、電子部品の電極がテープに向くように電子部品がテープ上に搭載される。そのため、インダクタと接続する接続ビア導体用の開口の深さと受動部品と接続する接続ビア導体用の開口の深さが略同じになる。接続ビア導体と電子部品間の接続信頼性が高くなる。
同時に、導体層34Aやスルーホール導体36に至るビア導体用の開口51Aが形成される。第2面側から絶縁層50Bに導体層34Bやスルーホール導体36に至るビア導体用の開口51Bが形成される(図11(C)参照)。絶縁層50A、50Bに粗面が形成される(図示せず)。絶縁層50Bに電子部品に至る接続ビア導体用の開口が形成されてもよい。
(14)無電解めっき処理により、ビア導体用の開口の内壁と絶縁層上に無電解めっき膜52が形成される(図11(D))。
(15)無電解めっき膜52上にめっきレジスト54が形成される(図12(A))。
(16)次に、電解めっき処理により、めっきレジストから露出する無電解めっき膜上に電解めっき膜56が形成される(図12(B)参照)。
(17)続いて、めっきレジスト54が5%NaOHで除去される。その後、電解銅めっき膜から露出する無電解銅めっき膜52がエッチングにて除去され、無電解めっき膜52と電解めっき膜56からなる導体層58A、58Bが形成される。導体層58A、58Bは複数の導体回路やビア導体のランドを含む。同時に、ビア導体60A、60Bや接続ビア導体60Aaが形成される(図12(C))。ビア導体60A、60Bはコア基板の導体層やスルーホール導体と層間樹脂絶縁層上の導体層58A、58Bを接続している。接続ビア導体60Aaは電子部品の電極と層間樹脂絶縁層上の導体層58Aを接続している。キャパシタのグランド用の電極は接続ビア導体を介してグランドに接続される。
(18)図11(A)〜図12(C)の処理が繰り返され、層間樹脂絶縁層50A、50B上に最上と最下の層間樹脂絶縁層50C、50Dが形成される。最上と最下の層間樹脂絶縁層50C、50D上に最上と最下の導体層58C、58Dが形成される。最上と最下の層間樹脂絶縁層50C、50Dに最上と最下のビア導体60C、60Dが形成される。導体層58A、58Bと導体層58C、58Dは最上と最下のビア導体60C、60Dで接続される(図12(D))。コア基板の第1面上に上側のビルドアップ層が形成され、コア基板の第2面上に下側のビルドアップ層が形成される。各ビルドアップ層は層間樹脂絶縁層と導体層と異なる導体層を接続するためのビア導体を有する。第1実施形態では、上側のビルドアップ層はさらに接続ビア導体を有する。上側のビルドアップ層は絶縁基板の第1面上に形成されていて、下側のビルドアップ層は絶縁基板の第2面上に形成されている。
(19)上側と下側のビルドアップ層上に開口71を有する上側と下側のソルダーレジスト層70が形成される(図13(A))。開口71は導体層やビア導体の上面を露出する。その部分はパッドとして機能する。上側のソルダーレジスト層は上側のビルドアップ層上に形成されていて、下側のソルダーレジスト層は下側のビルドアップ層上に形成されている。
(20)パッド上にニッケル層とニッケル層上の金層で形成される金属膜72が形成される(図13(B))。ニッケル−金層以外にニッケル−パラジウム−金層からなる金属膜が挙げられる。図1に示されるプリント配線板は、接続ビア導体を上側のビルドアップ層のみ有する。そのため、下側のビルドアップ層は電子部品の下側に導体回路を有しなくてもよい。インダクタンスの値の低下が抑制される。電子部品の直下の下側のビルドアップ層が導体回路を有さないとプリント配線板に反りが生じ易い。その場合、上側のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みは下側のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みよりも厚いことが好ましい。別の例として、上側のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層は補強材を有さず、下側のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層は補強材を有することが好ましい。プリント配線板の反りが減少する。
(21)この後、上側のビルドアップ層のパッドに半田バンプ76Uが形成され、下側のビルドアップ層のパッドに半田バンプ76Dが形成される。半田バンプを有するプリント配線板10が完成する(図1)。
半田バンプ76Uを介してICチップがプリント配線板10へ実装される(図示せず)。その後、半田バンプ76Dを介してプリント配線板がマザーボードに搭載される。
[第1実施形態の改変例]
図16に第1実施形態の改変例に係るプリント配線板を示す。
図16のプリント配線板では、図8(C)に示されている電子部品が内蔵されている。図8(C)や図23(A)に示されている電子部品は電子部品内でインダクタと受動部品が接続されていない。電子部品内にインダクタと受動部品を繋ぐ配線を有さない電子部品が内蔵されるとき、インダクタとキャパシタ(チップコンデンサ)などの受動部品はコア基板上に形成されている層間樹脂絶縁層上の導体回路(接続回路)580Aで繋げられることが好ましい。寄生容量が小さくなる。ICチップの誤動作が小さくなる。
第1実施形態の改変例のプリント配線板では、インダクタ110Iの出力電極と、チップコンデンサ110Cの電源電極が、接続ビア導体60Aaと接続回路580Aを介して接続されている。接続回路580Aは、コア基板の第1面上に直接形成されている層間樹脂絶縁層(上側の層間樹脂絶縁層)上に形成されている。
[第2実施形態]
図17は、第2実施形態に係る電子部品の断面図である。この電子部品は、第1実施形態と同様なプリント配線板に収容される。第2実施形態の電子部品の樹脂絶縁層150A、150B、150C、150D、150Eは磁性粒子を含まない。第2実施形態の電子部品の樹脂絶縁層はシリカなどの無機粒子とエポキシなどの樹脂で形成されている。最下の樹脂絶縁層150Aの下面であって、インダクタ110Iの下方に磁性体層157が形成されている。磁性体層の代わりに磁性体膜が形成されてもよい。
図18、図19は第2実施形態の電子部品の製造工程を示す。
(無機粒子を含む樹脂絶縁層用フィルムの作成)
(C)樹脂含有溶液の作製
MEK6.8gとキシレン27.2gの混合溶媒に、エポキシ樹脂(ジャパン・エポキシ・レジン社製、商品名:エピコート1007など)85gとシリカなどの無機粒子が添加される。無機粒子は磁性粒子を含まない。
(D)樹脂絶縁層用フィルムの作製
前記(C)の樹脂含有溶液に硬化剤としてのジシアンジアミド(ビィ・ティ・アイ・ジャパン社製、商品名:CG−1200など)と硬化触媒(四国化成社製、商品名:キュアゾール2E4HZなど)が添加される。その後、これらの混合物は三本ローラで混練され、樹脂絶縁層用溶液が形成される。硬化剤と硬化触媒の添加量はエポキシ100gに対してそれぞれ3.3gである。
この樹脂絶縁層用溶液がロールコータ(サーマトロニクス貿易社製)でポリエチレンテレフタレートのシート上に塗布される。そして、その溶液は、160℃、5分間の条件で加熱乾燥され、溶媒が除去される。無機粒子を含む樹脂絶縁層用フィルムが得られる。厚みが約20μm〜50μmである。なお、硬化後の樹脂絶縁層中の無機粒子の量は30vol%から60vol%である。
支持板170上に第1実施形態と同様な磁性粒子を含む樹脂絶縁層用フィルムが積層され磁性体層157が形成される(図18(A))。図18(A)に示されるように、磁性粒子を含む樹脂絶縁層用フィルムは支持板より小さい。インダクタの大きさに応じて磁性粒子を含む樹脂絶縁層用フィルムは支持板上に形成される。磁性粒子を含む樹脂絶縁層用フィルムのサイズはインダクタのサイズより大きい。磁性粒子を含む樹脂絶縁層用フィルムの外周はインダクタから露出する。そして、磁性体層157と支持板の上に、上記(D)の樹脂絶縁層用フィルムが形成され最下の樹脂絶縁層150Aが形成される(図18(B))。最下の樹脂絶縁層上に無電解めっき膜が形成される。無電解めっき膜上にめっきレジストが形成される。めっきレジストから露出する無電解めっき膜上に電解めっき膜が形成される。めっきレジストが除去される。電解めっき膜から露出する無電解めっき膜が除去される。最下のコイル層158Aが形成される。最下の樹脂絶縁層150Aと最下のコイル層158A上に、樹脂絶縁層150Bが形成される。樹脂絶縁層150Bにビア導体用の開口が形成される。最下のコイル層の形成方法と同様な方法で樹脂絶縁層150B上にコイル層が形成される。同時に異なる層のコイル層がビア導体で接続される。同様な方法を繰り返すことで、4層のコイル層が形成される。その後、支持板が除去され、積層体が完成する(図19(A))。インダクタの隣に全ての樹脂絶縁層を貫通する開口112が積層体に形成される(図19(B))。そして、積層体にテープ170が貼られる。開口112がテープで塞がれる(図19(C))。以降の工程は、図30とそれに関連する工程と同様である。
第2実施形態のプリント配線板の製造方法は第1実施形態のプリント配線板の製造方法と同様である。
[第3実施形態]
図20(A)は第3実施形態の電子部品の断面を示し、図20(B)は平面を示す。
第3実施形態の電子部品210は、2つのインダクタと2つの受動部品を有する。受動部品はチップコンデンサや抵抗である。図20(B)では、中央の2つの部品はインダクタであり、外側の2つの部品はチップコンデンサである。これらの部品は樹脂2500Mでモールドされている。第3実施形態のインダクタは第1実施形態で説明されているインダクタと同様である。図20中の左側のインダクタは第1のインダクタ210L1であり、右側のインダクタは第2のインダクタ210L2である。また、図20中の左側のチップコンデンサは第1のチップコンデンサ210C1であり、右側のチップコンデンサは第2のチップコンデンサ210C2である。
第1と第2のインダクタは、他の実施形態と同様に入力電極L1I、L2Iと出力電極L1O、L2Oを有している。第1と第2のインダクタの出力電極は同一の回路に繋がっている。
プリント配線板内の接続ビア導体を介して電源はインダクタの入力電極に至る。そして、その電源はインダクタの出力電極からインダクタの外に出力される。図20(A)では、第1と第2のインダクタは一つの回路に繋がっている。その回路は電子部品を貫通する導体236や電子部品上の配線258A、258Bや配線258A、258Bとインダクタや受動部品をつなぐビア導体260A、260Bを含む。そして、その回路はキャパシタの電源電極C1P、C2Pに至っている。図20(C)に示されているように、その回路は接続ビア導体を介してICチップを搭載するための半田バンプ760Uに接続されている。半田バンプ760Uは電源用パッド上に形成されている。図20(C)では、第1と第2のインダクタの出力電極から出ている回路の交点(ビアパッド)OUTAに接続ビア導体は繋がっている。
また、図20(C)では、インダクタを通りICチップの電源に至る電源ラインとグランドの間に第1と第2のチップコンデンサ210C1、210C2が配置されている。第1と第2のチップコンデンサ210C1、210C2は、その電源ラインとグランドの間に並列で配置されている。
図20(C)では、プリント配線板内の電源ラインとコア基板に内蔵されている電子部品は上側のビルドアップ層内の接続ビア導体を介して接続されている。それに対して、グランドとコア基板に内蔵されているチップコンデンサのグランド電極GND1、GND2やチップコンデンサのグランド電極C1E、C2Eは下側のビルドアップ層内の接続ビア導体を介して接続される。第1、第2実施形態や各改変例に示されているプリント配線板も同様な接続方法を採用することができる。
図21、図22は第3実施形態の電子部品の製造方法を示す。
第3実施形態の電子部品は第1実施形態と同様な方法で製造される。
支持板の中央部分に2つの積層コイルが形成される(図21(A))。積層コイルの製造方法は第1実施形態と同様である。
積層コイルの外側の樹脂絶縁層にチップコンデンサを収容するための開口1122が2つ形成される(図21(B))。その開口は各樹脂絶縁層を貫通している。
各開口内にチップコンデンサが配置される(図21(C))。
第1実施形態と同様にチップコンデンサやインダクタが樹脂でモールドされる(図22(A))。インダクタやチップコンデンサや樹脂絶縁層上に樹脂絶縁層250Aが形成される。チップコンデンサと開口1122により露出する樹脂絶縁層の側壁との間は固定用の樹脂で満たされる。
支持板が除去される(図22(B))。支持板を除去することで露出する面に樹脂絶縁層250Bが形成される(図28(B))。レーザで樹脂絶縁層を貫通するスルーホール導体用の貫通孔が形成される。また、樹脂絶縁層250A、250Bにビア導体用の開口が形成される。スルーホール導体用の貫通孔にスルーホール導体236が形成される。また、ビア導体用の開口にビア導体260A、260B形成される。電子部品210が完成する(図20(A))。
第3実施形態の電子部品では、チップコンデンサの一方の電極C1E、C2Eはグランドに繋がっていて、他方の電極C1P、C2Pはインダクタの出力電極とプリント配線板内の電源伝送回路に接続されている。インダクタの入力電極は、プリント配線板内の電源ラインに接続される。
インダクタと受動部品が電子部品内で繋がっている場合、フィルター用の配線がほぼ完了しているので、実施形態の電子部品はフィルターとして用いることが容易である。
また、インダクタと受動部品が電子部品内で繋がっていなくても、両者はプリント配線板内の接続ビア導体を介して短い配線で繋げられる。例えば、その短い配線の長さは100μm〜400μmである。従って、実施形態の電子部品がプリント配線板に内蔵されると、実施形態の電子部品は容易にフィルターとして機能する。
各実施形態、各改変例で内蔵されている電子部品の熱膨張係数の値は絶縁基板の熱膨張係数の値よりも大きいことが好ましい。熱膨張係数の値はY−Y方向の値である。
各実施形態、各改変例では、電子部品内の各コイル層は重なっていることが好ましい。つまり、各コイル層がコア基板の第1面に等倍に投影されると各コイル層の像は重なる。
各実施形態、各改変例のプリント配線板にインダクタとキャパシタなどの受動備品とからなる電子部品が内蔵されている。インダクタは受動部品の横に置かれている。そのため、電子部品の高さが低くなる。電子部品を内蔵するための絶縁基板の厚みが薄くなる。プリント配線板の厚みが薄くなる。また、インダクタと受動部品間の距離が短くなるので寄生容量が減る。
各実施形態と各改変例でインダクタと受動部品をビア導体を介して接続することが出来る。インダクタと受動部品間の接続信頼性が高くなる。
各実施形態と各改変例でインダクタは積層コイルである。高いインダクタンスを有する電子部品がプリント配線板の配線の形成を邪魔しない。
各実施形態と各改変例でインダクタと受動部品とからなる電子部品が1つの開口に内蔵されている。インダクタと受動部品がそれぞれの開口に内蔵される場合、コア基板の体積に占める開口の割合が多くなる。プリント配線板の反りが大きくなる。それに対し、各実施形態や各改変例では、インダクタと受動部品が一体化されていて、それらが1つの開口に内蔵される。そのため、実施形態では、コア基板の体積に占める開口の割合が小さくなる。プリント配線板の反りが小さくなる。
10 プリント配線板
20 開口
30 コア基板
34 導体層
50A 上側の層間樹脂絶縁層
58A 上側の導体層
60A ビア導体
60Aa 接続ビア導体
110 電子部品
150B 樹脂絶縁層
158A コイル層
160G ビア導体
158ED 電極

Claims (14)

  1. 第1面と前記第1面と反対側の第2面とを有し、電子部品を収容するための開口を有するコア基板と、
    前記開口に収容されていて、複数の部品で形成されている電子部品と、
    前記開口により露出する前記コア基板の側面と前記電子部品との間の隙間に形成されている充填樹脂と、
    前記コア基板の第1面と前記電子部品上に形成されている上側の層間樹脂絶縁層と前記上側の層間樹脂絶縁層上に形成されている上側の導体層と前記上側の層間樹脂絶縁層に形成されている上側のビア導体とからなる上側のビルドアップ層と、
    前記コア基板の第2面と前記電子部品上に形成されている下側の層間樹脂絶縁層と前記下側の層間樹脂絶縁層上に形成されている下側の導体層と前記下側の層間樹脂絶縁層に形成されている下側のビア導体とからなる下側のビルドアップ層と、を有するプリント配線板であって、
    前記複数の部品の内、1つは、インダクタであって、別の部品は受動部品であって、前記インダクタと前記受動部品は配線で繋がっている。
  2. 請求項1のプリント配線板であって、前記受動部品はキャパシタ又は抵抗である。
  3. 請求項1のプリント配線板であって、前記プリント配線板はICチップを搭載するためのプリント配線板であって、前記受動部品と前記インダクタでローパスフィルタが形成される。
  4. 請求項1のプリント配線板であって、前記インダクタは、交互に積層されているコイル層と樹脂絶縁層で形成されている。
  5. 請求項4のプリント配線板であって、前記樹脂絶縁層は磁性粒子を含んでいる。
  6. 請求項1のプリント配線板であって、前記インダクタは複数のコイル層と前記コイル層で挟まれる樹脂絶縁層と前記樹脂絶縁層に形成され異なる層の前記コイル層を接続するビア導体で形成されている。
  7. 請求項6のプリント配線板であって、更に前記インダクタは前記コイル層と前記樹脂絶縁層で挟まれる磁性体層を有し、前記磁性体層は前記ビア導体の周りに開口を有する。
  8. 請求項1のプリント配線板であって、前記充填樹脂が磁性粒子を含む。
  9. 請求項1のプリント配線板であって、前記受動部品はキャパシタであって、前記上側のビア導体は接続ビア導体を含み、前記インダクタと前記キャパシタは前記接続ビア導体を介して接続されている。
  10. 請求項1のプリント配線板であって、前記受動部品はキャパシタであって、前記配線は前記電子部品内に形成されている。
  11. 請求項1のプリント配線板であって、前記電子部品は前記インダクタと前記受動部品と、前記インダクタと前記受動部品を一体化している樹脂で形成されている。
  12. 樹脂絶縁層と前記樹脂絶縁層上のコイル層で形成されるインダクタと、
    キャパシタと、
    前記インダクタと前記キャパシタを一体化している樹脂と、で形成されているプリント配線板内蔵用の電子部品。
  13. 第1面と前記第1面と反対側の第2面とを有する絶縁基板に電子部品を収容するための開口を形成することと、
    前記請求項12の電子部品を前記開口内に収容することと、
    前記絶縁基板の第1面及び前記電子部品上に上側の層間樹脂絶縁層と上側の導体層と上側のビア導体とからなる上側のビルドアップ層を形成することと、
    前記絶縁基板の第2面及び前記電子部品上に下側の層間樹脂絶縁層と下側の導体層と下側のビア導体とからなる下側のビルドアップ層を形成すること、とから成るプリント配線板の製造方法。
  14. 請求項7のプリント配線板であって、前記磁性体層は樹脂と磁性粒子を含む。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9853003B1 (en) 2016-07-26 2017-12-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Fan-out semiconductor package
CN110891368A (zh) * 2018-09-07 2020-03-17 三星电机株式会社 具有嵌入式互连结构的基板
KR20200069573A (ko) * 2018-12-07 2020-06-17 삼성전기주식회사 브리지 내장기판 및 반도체 패키지
TWI704663B (zh) * 2018-01-19 2020-09-11 南韓商三星電子股份有限公司 扇出型半導體封裝
KR20210037966A (ko) * 2019-09-30 2021-04-07 삼성전기주식회사 인쇄회로기판
US11576261B2 (en) 2020-12-16 2023-02-07 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Connection structure embedded substrate

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102105403B1 (ko) * 2013-11-28 2020-04-28 삼성전기주식회사 전자소자 내장 기판 및 그 제조 방법
JP2015106615A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 イビデン株式会社 プリント配線板、プリント配線板の製造方法
TWI666749B (zh) * 2014-02-19 2019-07-21 矽品精密工業股份有限公司 封裝基板及封裝結構
JP2015213124A (ja) * 2014-05-02 2015-11-26 イビデン株式会社 パッケージ基板
JP6272745B2 (ja) * 2014-10-27 2018-01-31 ソニー・オリンパスメディカルソリューションズ株式会社 医療機器用基板および医療機器
US10674611B2 (en) * 2015-06-29 2020-06-02 NagraID Security Method of reducing the thickness of an electronic circuit
US10763215B2 (en) 2015-12-09 2020-09-01 Intel Corporation Hybrid microelectronic substrate and methods for fabricating the same
JP2017123459A (ja) * 2016-01-08 2017-07-13 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. プリント回路基板
US9991193B2 (en) 2016-06-15 2018-06-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package
KR101994752B1 (ko) * 2016-07-26 2019-07-01 삼성전기주식회사 팬-아웃 반도체 패키지
KR101963282B1 (ko) * 2016-12-16 2019-03-28 삼성전기주식회사 팬-아웃 반도체 패키지
JP2019067858A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 イビデン株式会社 プリント配線板及びその製造方法
US10602622B2 (en) * 2017-10-27 2020-03-24 Kyocera Corporation Wiring board
JP2019114677A (ja) * 2017-12-25 2019-07-11 イビデン株式会社 プリント配線板
US11251113B2 (en) 2017-12-27 2022-02-15 Intel Corporation Methods of embedding magnetic structures in substrates
US11315891B2 (en) * 2018-03-23 2022-04-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods of forming semiconductor packages having a die with an encapsulant
JP2019204843A (ja) * 2018-05-22 2019-11-28 イビデン株式会社 プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
JP2019207979A (ja) * 2018-05-30 2019-12-05 イビデン株式会社 プリント配線板
TWI698008B (zh) * 2018-08-31 2020-07-01 英屬開曼群島商鳳凰先驅股份有限公司 具能量轉換功能之集積化驅動模組及其製造方法
CN111640727B (zh) * 2019-03-01 2022-09-23 奥特斯(中国)有限公司 包括具有不同物理特性的介电结构的部件承载件
EP3709779A1 (en) * 2019-03-12 2020-09-16 AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Component carrier and method of manufacturing the same
JP7455516B2 (ja) * 2019-03-29 2024-03-26 Tdk株式会社 素子内蔵基板およびその製造方法
JP2020178005A (ja) * 2019-04-17 2020-10-29 イビデン株式会社 インダクタ内蔵基板
JP2021022615A (ja) * 2019-07-25 2021-02-18 イビデン株式会社 プリント配線板
JP2021022614A (ja) * 2019-07-25 2021-02-18 イビデン株式会社 プリント配線板
KR102662847B1 (ko) * 2019-09-30 2024-05-03 삼성전기주식회사 인쇄회로기판
US11552015B2 (en) 2020-06-12 2023-01-10 Qualcomm Incorporated Substrate comprising a high-density interconnect portion embedded in a core layer
KR20220062913A (ko) * 2020-11-09 2022-05-17 삼성전기주식회사 브리지 내장기판
KR20220065550A (ko) * 2020-11-13 2022-05-20 삼성전기주식회사 연결구조체 내장기판
KR20220068712A (ko) * 2020-11-19 2022-05-26 삼성전기주식회사 인쇄회로기판
US11785707B2 (en) * 2021-01-21 2023-10-10 Unimicron Technology Corp. Circuit board and manufacturing method thereof and electronic device
FR3134945A1 (fr) * 2022-04-21 2023-10-27 Safran Electronics & Defense Procede de fabrication d’une carte de circuit imprime
CN115665983B (zh) * 2022-11-14 2023-10-10 惠州市金百泽电路科技有限公司 一种埋置器件pcb板及其制作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004089049A1 (ja) * 2003-03-28 2004-10-14 Tdk Corporation 多層基板およびその製造方法
JP2007335764A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板、キャパシタ
JP2010062464A (ja) * 2008-09-05 2010-03-18 Fujikura Ltd インダクタ内蔵プリント配線板の製造方法及びインダクタ内蔵プリント配線板

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100550616C (zh) * 2001-12-20 2009-10-14 Nxp股份有限公司 耦合器、集成电子元件和电子设备
US8058951B2 (en) * 2005-09-30 2011-11-15 Panasonic Corporation Sheet-like composite electronic component and method for manufacturing same
JP2009111261A (ja) 2007-10-31 2009-05-21 Fujikura Ltd 多層プリント配線板
JP2012186440A (ja) * 2011-02-18 2012-09-27 Ibiden Co Ltd インダクタ部品とその部品を内蔵しているプリント配線板及びインダクタ部品の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004089049A1 (ja) * 2003-03-28 2004-10-14 Tdk Corporation 多層基板およびその製造方法
JP2007335764A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板、キャパシタ
JP2010062464A (ja) * 2008-09-05 2010-03-18 Fujikura Ltd インダクタ内蔵プリント配線板の製造方法及びインダクタ内蔵プリント配線板

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9853003B1 (en) 2016-07-26 2017-12-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Fan-out semiconductor package
TWI704663B (zh) * 2018-01-19 2020-09-11 南韓商三星電子股份有限公司 扇出型半導體封裝
CN110891368A (zh) * 2018-09-07 2020-03-17 三星电机株式会社 具有嵌入式互连结构的基板
KR20200028602A (ko) * 2018-09-07 2020-03-17 삼성전기주식회사 연결구조체 내장기판
KR102163059B1 (ko) * 2018-09-07 2020-10-08 삼성전기주식회사 연결구조체 내장기판
US10903170B2 (en) 2018-09-07 2021-01-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Substrate having embedded interconnect structure
KR20200069573A (ko) * 2018-12-07 2020-06-17 삼성전기주식회사 브리지 내장기판 및 반도체 패키지
KR102632363B1 (ko) 2018-12-07 2024-02-02 삼성전기주식회사 브리지 내장기판 및 반도체 패키지
KR20210037966A (ko) * 2019-09-30 2021-04-07 삼성전기주식회사 인쇄회로기판
KR102662853B1 (ko) 2019-09-30 2024-05-03 삼성전기주식회사 인쇄회로기판
US11576261B2 (en) 2020-12-16 2023-02-07 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Connection structure embedded substrate

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