JP2014080674A - 異方性めっき方法および薄膜コイル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電流を印加して被膜を形成する異方性めっき方法において、めっき形成用の電極膜あるいは該電極膜の表面に形成された被膜の表面に生じためっき液21の金属イオン希薄層17のうち、選択的にめっき成長させたい方向に存在する該金属イオン希薄層17をめっき液21の撹拌により部分的に破壊しながら被膜を形成する。
【選択図】図1
Description
図5に示したフェースアップ式めっき装置を用いて硫酸銅めっき浴中で6インチシリコンウェハーの片面にめっき処理を行い、2000個のスパイラルパターンを形成した。ここで、めっき装置のパドルは、一辺が10mmの正三角形を断面形状とする棒状体からなり、その長さを200mmとした。また、プラス側電極として直径15cmの円板を用い、その材料として含リン銅(リン濃度500ppm)を用いた。ウェハー表面からパドルの底面までの距離を10mmとし、ウェハー搭載面からプラス側電極までの距離を50mmとした。パドルストロークを180mmとし、ウェハーの一端から他端まで振り切ることができるようにした。
上記実施例1で得られたウェハーに対して第3ノンフレームめっき工程を実施した。第3ノンフレームめっき工程では、外部フレームを剥離し、電流密度60A/100cm2とし、パドルの往復回数を100往復/分、プレめっきパターンを含めた全体の厚さが約180μmとなるようにした。
実施例1と同一条件下でコイルパターンの厚さが140μmとなる異方性めっき方法を実施した。その際、第2ノンフレームめっき工程においてめっきパターンに供給する電流密度をパラメータとし、30、40、50、60(A/100cm2)の各条件について測定を行った。
実施例1と同一条件下でコイルパターンの厚さが140μmとなる異方性めっき方法を実施した。その際、第2ノンフレームめっき工程においてめっき液の撹拌速度をパラメータとし、80、90、100(rpm)の各条件について測定を行った。このときの電流密度は50A/100cm2である。
実施例1と同一条件下でコイルパターンの厚さが140μmとなる異方性めっき方法を実施した。その際、第2ノンフレームめっき工程においてめっき液中の光沢剤(SPS)の濃度をパラメータとし、1、5、10(mg/L)の各条件について測定を行った。
実施例1と同一条件下でコイルパターンの厚さが140μmとなる異方性めっき方法を実施した。その際、第2ノンフレームめっき工程においてめっき液中の硫酸銅濃度をパラメータとし、150、200、250(g/L)の各条件について測定を行った。
(実施例7)
基本的なめっき条件は上記実施例1と同様とし、プレめっきパターンのライン幅を25μm一定とし、これに対するスペース幅を15〜60μmの範囲内で変化させたときの製品の製造歩留りを求めた。プレめっきパターンのスペース幅は5μm刻みで変化させた。その結果を表1に示す。
基本的なめっき条件は上記実施例1と同様とし、プレめっきパターンのアスペクト比を0.1〜5.0の範囲内で変化させた時のショート率および抵抗値を求めた。なお、抵抗値は、良好値を100としたときの規格値とした。その結果を表2に示す。
基本的なめっき条件は上記実施例1と同様とし、プレめっきパターンのライン幅を一定とし、スペース幅を5.0〜35μmの範囲内で変化させた時の抵抗値を求めた。その結果を表3に示す。
図6、図7、および図9にそれぞれ示しためっき装置を用いて6インチシリコンウェハーの片面にめっき処理を行い、2000個のスパイラルパターンを形成し、撹拌方法が異なる場合における異方成長のしやすさの比較を行った。図6の装置におけるめっき条件は実施例1とほぼ同じ条件とした。すなわち、めっき装置のパドルは、一辺が10mmの正三角形を断面形状とする棒状体からなり、その長さを200mmとした。また、プラス側電極として直径15cmの円板を用い、その材料として含リン銅(リン濃度500ppm)を用いた。ウェハー表面からパドルの底面までの距離を20mmとし、ウェハー搭載面からプラス側電極までの距離を50mmとした。パドルストロークを180mmとし、ウェハーの一端から他端まで振り切ることができるようにした。さらに、第1および第2ノンフレームめっき工程におけるめっき電流密度を30A/100cm2とした。
図6、図7、および図9にそれぞれ示しためっき装置を用いて6インチシリコンウェハーの片面にめっき処理を行い、2000個のスパイラルパターンを形成し、撹拌方法が異なる場合におけるめっきパターンの製造歩留まりを求めた。その際、プレめっきパターンのライン幅を25μmとし、スペース幅を50μmとした。また第2ノンフレームめっき工程においてめっきパターンに供給する電流密度30A/100cm2とした。その結果を表4に示す。
11 下地金属膜
12 フレーム
13 プレめっきパターン
13e スパイラルパターンの外周端
14 (第1)めっきパターン
15 (第2)めっきパターン
15a プレめっき層
15b 第1ノンフレームめっき層
15c 第2ノンフレームめっき層
16 外部フレーム
17 金属イオン希薄層
19 配線パターン
21 めっき液
22a プラス電極
22b マイナス電極
30 めっき装置
31 めっき漕
32 ステージ
33 ワーク
34 プラス側電極
35 パドル(撹拌部材)
40 めっき装置
41 めっき漕
42 めっき液供給口
43 仕切り板
44 めっき液排出経路
45 めっき液排出口
50 めっき装置
51 撹拌格子(撹拌部材)
60 めっき装置
WL1,WL2 ライン幅
Wm1 格子領域の横幅
Wm2 格子領域の縦幅
Wm3 格子穴の横幅
Wm4 格子穴の縦幅
Wm5 格子のはり幅
Wm6 撹拌格子の厚さ
WS1,WS2,WS3,WS4 スペース幅
T1,T2,T3 パターン厚さ
Claims (18)
- 電流を印加して被膜を形成する異方性めっき方法であって、
めっき形成用の金属膜あるいは該金属膜の表面に形成された前記被膜の表面に生じためっき液の金属イオン希薄層のうち、選択的にめっき成長させたい方向に存在する該金属イオン希薄層を前記めっき液の撹拌により部分的に破壊しながら前記被膜を形成することを特徴とする異方性めっき方法。 - 前記被膜の形成方向の断面形状が円弧状であり、該円弧状を維持してめっき成長させることを特徴とする請求項1に記載の異方性めっき方法。
- 前記被膜の平面形状は、ラインアンドスペースパターンであることを特徴とする請求項1または2に記載の異方性めっき方法。
- 前記被膜形成時の電流密度は30〜70A/100cm2であることを特徴とする請求項1ないし3の何れか一項に記載の異方性めっき方法。
- 前記めっき液は銅イオンおよびジスルフィド化合物を含有することを特徴とする請求項1ないし4の何れか一項に記載の異方性めっき方法。
- 前記電流の電流密度、前記めっき液の組成、前記めっき液の撹拌速度、および前記被膜から前記めっき液の撹拌位置までの距離から選ばれた少なくとも一つのパラメータを制御して、前記ラインアンドスペースパターンのスペース幅を制御することを特徴とする請求項3ないし5の何れか一項に記載の異方性めっき方法。
- 請求項1ないし6の何れか一項の異方性めっき方法により形成したスパイラルパターンを有することを特徴とする薄膜コイル。
- 基板の主面に、第1のライン幅、第1のスペース幅、および第1の厚さを有する第1ラインアンドスペースパターンからなるプレめっきパターンを形成する工程と、
前記基板をめっき液中に浸した状態で前記第1めっきパターンに第1の電流を流し、各ラインパターンの異方成長を個別に強制するフレームがない状態で、前記プレめっきパターンを等方的にめっき成長させて、前記第1のライン幅よりも広い第2のライン幅、前記第1のスペース幅よりも狭い第2のスペース幅、および第1の厚さよりも厚い第2の厚さを有し、各ラインパターンの上部に湾曲面を有する第2ラインアンドスペースパターンからなる第1めっきパターンを形成する工程と、
前記基板を前記めっき液中に浸した状態のまま前記第1めっきパターンに前記第1の電流よりも大きな第2の電流を流し、前記第1めっきパターンの表面に金属イオン希薄層を発生させると共に、前記めっき液を撹拌して各ラインパターンの上部における前記金属イオン希薄層を部分的に破壊することにより、各ラインパターンの異方成長を個別に強制するフレームがない状態で、前記第1めっきパターンを異方的にめっき成長させて、前記第2の厚さよりも厚い第3の厚さを有し、各ラインパターンの上部に湾曲面を有する第3ラインアンドスペースパターンからなる第2めっきパターンを形成する工程とを備えることを特徴とする異方性めっき方法。 - 前記めっき液は、銅イオンおよび光沢剤を含む硫酸銅めっき液である、請求項8に記載の異方性めっき方法。
- 前記第1の電流の電流密度が3〜20A/100cm2であり、
前記第2の電流の電流密度が30〜70A/100cm2である、請求項8または9に記載の異方性めっき方法。 - 前記基板の前記主面の上方に、前記めっき液の撹拌部材を配置し、前記撹拌部材を前記基板と平行な方向に繰り返し進退移動させて前記めっき液を撹拌し、これにより各ラインパターンの上部における前記金属イオン希薄層を部分的に破壊する、請求項8ないし10のいずれか一項に記載の異方性めっき方法。
- 前記撹拌部材は、断面が三角形の棒状体からなるパドルである、請求項11に記載の異方性めっき方法。
- 前記撹拌部材は、格子構造を有する板状部材からなる撹拌格子である、請求項11に記載の異方性めっき方法。
- 前記基板自身を当該基板と平行な方向に繰り返し進退移動させて前記めっき液を撹拌し、これにより各ラインパターンの上部における前記金属イオン希薄層を部分的に破壊する、請求項8ないし10のいずれか一項に記載の異方性めっき方法。
- 前記第1ないし第3ラインアンドスペースパターンがスパイラルパターンである、請求項8ないし14の何れか一項に記載の異方性めっき方法。
- 前記第1めっきパターンを形成する前に、前記プレめっきパターンの少なくとも外側を取り囲む外部フレームを形成する工程をさらに備え、
前記外部フレームは前記基板の主面に垂直な側面を有し、当該側面は前記最も外側のラインパターンの側面から第3のスペース幅を隔てた位置に形成されている、請求項8ないし15の何れか一項に記載の異方性めっき方法。 - 前記第3のスペース幅は、前記第2のスペース幅よりも広い、請求項16に記載の異方性めっき方法。
- 基板と、
前記基板上に形成されたスパイラルパターンとを備え、
前記スパイラルパターンは、
前記基板上に形成され、第1のライン幅、第1のスペース幅、および第1の厚さを有する第1スパイラルパターンからなるプレめっき層と、
前記第1のライン幅よりも広い第2のライン幅、前記第1のスペース幅よりも狭い第2のスペース幅、および第1の厚さよりも厚い第2の厚さを有し、各ラインパターンの上部に湾曲面を有し、前記プレめっき層の前記第1スパイラルパターンの上面および側面を覆う第2スパイラルパターンからなる第1ノンフレームめっき層と、
前記第2のライン幅、前記第2のスペース幅、および前記第2の厚さよりも厚い第3の厚さを有し、各ラインパターンの上部に湾曲面を有し、前記第1ノンフレームめっき層の前記第2スパイラルパターンを覆う第3スパイラルパターンからなる第2ノンフレームめっき層とを備えることを特徴とする薄膜コイル。
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