JPS60217603A - 硬質磁性膜の製造方法 - Google Patents
硬質磁性膜の製造方法Info
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- JPS60217603A JPS60217603A JP59074535A JP7453584A JPS60217603A JP S60217603 A JPS60217603 A JP S60217603A JP 59074535 A JP59074535 A JP 59074535A JP 7453584 A JP7453584 A JP 7453584A JP S60217603 A JPS60217603 A JP S60217603A
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- Japan
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- electromagnet
- substrate
- cathode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラスチック磁性膜よりも耐熱性に優れた硬質
磁性膜の製造方法に関するものである。
磁性膜の製造方法に関するものである。
硬質磁性膜を、鋳造や焼結法で作製したバルク材から切
削によって製造しようとする場合、磁石自体が脆く割れ
やすいことから、磁性粒子を樹脂と混合したものを塗布
したり、プラスチック磁石のように樹脂をバインダとし
て膜状に成型することが行なわれている。
削によって製造しようとする場合、磁石自体が脆く割れ
やすいことから、磁性粒子を樹脂と混合したものを塗布
したり、プラスチック磁石のように樹脂をバインダとし
て膜状に成型することが行なわれている。
しかしながら、このような磁性膜の特性として樹脂を含
んでいるため耐熱性が弱いという欠点がある。特に磁気
エンコーダの微細着磁パターンの形成方法として、円筒
側面や円板上に形成した磁性膜を一括着磁した後、レー
ザ光を照射して局部加熱を行ない微小部分の消磁と着磁
を同時に行なう方法があるが、この方法では４００℃以
上に加熱する必要がある。しかしながら、樹脂をバイン
ダーとした磁性膜では耐熱性が１００〜２００℃しかな
いため、このような磁性膜はレーザ微細着磁に全く使用
できないという問題点があった。
んでいるため耐熱性が弱いという欠点がある。特に磁気
エンコーダの微細着磁パターンの形成方法として、円筒
側面や円板上に形成した磁性膜を一括着磁した後、レー
ザ光を照射して局部加熱を行ない微小部分の消磁と着磁
を同時に行なう方法があるが、この方法では４００℃以
上に加熱する必要がある。しかしながら、樹脂をバイン
ダーとした磁性膜では耐熱性が１００〜２００℃しかな
いため、このような磁性膜はレーザ微細着磁に全く使用
できないという問題点があった。
（発明の目的〕
本発明は上記問題点を解消し、レーザ微細着磁に使用す
るのに充分な耐熱性を有する硬質磁性膜の製造方法を提
供することを目的とするものである。
るのに充分な耐熱性を有する硬質磁性膜の製造方法を提
供することを目的とするものである。
本発明の製造方法は、５ｇ／ｊ！から１００ ｇ ／
ｅの硬質磁性粒子を分散させためつき液中において、基
板の背面に電磁石を接触させ、この電磁石への通電電流
を断続させながら基板を陰極として電解することにより
基板上に硬質磁性粒子を含む金属膜を形成することを特
徴とするものである。
ｅの硬質磁性粒子を分散させためつき液中において、基
板の背面に電磁石を接触させ、この電磁石への通電電流
を断続させながら基板を陰極として電解することにより
基板上に硬質磁性粒子を含む金属膜を形成することを特
徴とするものである。
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。
本発明によって得られる磁性膜では磁性粒子が電気めっ
きによる金属によって結合されているため、磁性膜は実
質的にめっき金属の融点付近まで安定である。このため
レーザ照射による微細着磁パターン形成にも十分耐える
磁性膜を得ることができる。
きによる金属によって結合されているため、磁性膜は実
質的にめっき金属の融点付近まで安定である。このため
レーザ照射による微細着磁パターン形成にも十分耐える
磁性膜を得ることができる。
本発明は、γ−Ｆｅ２０３ 、 Ｂａ−フェライト。
ＳｍＩ Ｃｏ５ 、 Ｓｍ２ Ｃｏ１７ 、Ｎｄ−Ｆｅ
等の硬質磁性粒子を分散させたＮｉ、 Ｃｕ、 Ａｇ、
Ａｕ、 Ｃｏ、 Ｃｒ等の融点の高い金属のめっき液
中に電極を浸漬し、陰極基板の裏側に電磁石を接触させ
、この電磁石の電流を断続させながら電解することによ
り、陰極基板上に硬質磁性膜を得るものである。電磁石
に通電する電流を断続することにより陰極表面に付着し
た硬質磁性粒子の磁化容易軸が揃う効果が助長される。
等の硬質磁性粒子を分散させたＮｉ、 Ｃｕ、 Ａｇ、
Ａｕ、 Ｃｏ、 Ｃｒ等の融点の高い金属のめっき液
中に電極を浸漬し、陰極基板の裏側に電磁石を接触させ
、この電磁石の電流を断続させながら電解することによ
り、陰極基板上に硬質磁性膜を得るものである。電磁石
に通電する電流を断続することにより陰極表面に付着し
た硬質磁性粒子の磁化容易軸が揃う効果が助長される。
このため陰極基板に垂直に磁界を与えた場合には、基板
に対して垂直磁化異方性を有する硬質磁性膜が得られる
。
に対して垂直磁化異方性を有する硬質磁性膜が得られる
。
本発明によるめっき方法を実施するための装置の概略図
を第１図に示す。
を第１図に示す。
図において、（１）はめっき液中の硬質磁性粒子、（２
）および（３）は電磁石を構成する電磁石コアおよびコ
イル、（４）は銅板等からなる陰極基板であり、同陰極
基板（４）の背面を上記電磁石に接触させている。
）および（３）は電磁石を構成する電磁石コアおよびコ
イル、（４）は銅板等からなる陰極基板であり、同陰極
基板（４）の背面を上記電磁石に接触させている。
また（５）はめっき液の攪拌用プロペラ、（６）は陽極
、（７）は上記電磁石に通電する電磁石用電源、（８）
は上記陰極（４）、陽極（６）間に電圧を印加する電解
用電源である。そして攪拌用プロペラ（５）によって、
めっき液を攪拌し、且つ電磁石用電源（７）からコイル
（３）に通電し、更に電解用電源（８）から陰極（４）
、陽極（６）間に通電することによって、陰極（４）の
表面に硬質磁性膜を形成するようになっている。
、（７）は上記電磁石に通電する電磁石用電源、（８）
は上記陰極（４）、陽極（６）間に電圧を印加する電解
用電源である。そして攪拌用プロペラ（５）によって、
めっき液を攪拌し、且つ電磁石用電源（７）からコイル
（３）に通電し、更に電解用電源（８）から陰極（４）
、陽極（６）間に通電することによって、陰極（４）の
表面に硬質磁性膜を形成するようになっている。
この場合に、第２図に示すようにパルス電解を行なって
、電解電流のオンオフのタイミングと電磁石のオンオフ
のタイミングとを合致さ・已、電磁石への通電の休止時
間のみ電解するか、あるいは第３図に示すように、電磁
石への通電と電解パルスが一部重なる条件で電解するこ
とにより、陰極の表面に付着した硬質磁性粒子の磁化容
易軸の配向とめっき皮膜中への取り込みが効果的に行わ
れる。また、電磁石への通電電流を周波数が１００１１
ｚから２Ｋｌｌｚの高周波とすることにより、外部磁界
の方向が高速で変化するため、陰極上にイづ着した硬質
磁性粒子の配向が揃う効果が顕著に現れる。
、電解電流のオンオフのタイミングと電磁石のオンオフ
のタイミングとを合致さ・已、電磁石への通電の休止時
間のみ電解するか、あるいは第３図に示すように、電磁
石への通電と電解パルスが一部重なる条件で電解するこ
とにより、陰極の表面に付着した硬質磁性粒子の磁化容
易軸の配向とめっき皮膜中への取り込みが効果的に行わ
れる。また、電磁石への通電電流を周波数が１００１１
ｚから２Ｋｌｌｚの高周波とすることにより、外部磁界
の方向が高速で変化するため、陰極上にイづ着した硬質
磁性粒子の配向が揃う効果が顕著に現れる。
この磁性粒子の配向が揃うという効果は１００１１ｚ以
下および２Ｋｌｌｚ以上では小さい。
下および２Ｋｌｌｚ以上では小さい。
硬質磁性粒子の中で、Ｎｄ−ＦｅやＳｍＩ Ｃｏ５ある
いはＳｍ２ Ｃ０１７系の微粒子は酸化しやすく、直接
水溶液に分散させると水と反応してしまうため、めっき
液に分散させる前に表面に保護膜を形成させる必要があ
る。保護膜としては水と反応しにくく、表面に水酸化皮
膜等が生成しにくいＣｕ、Ｎｉ＋Ａｇ、Ｃｒ等の金属膜
、あるいは金属の酸化物、窒化物、炭化物が適しており
、これらの皮膜の形成法としては真空蒸着法、イオンブ
レーティング法、ＣＶＤ法、ＡＲＥ法、あるいはスパッ
タ法のようなトライブレーティング法が適している。
いはＳｍ２ Ｃ０１７系の微粒子は酸化しやすく、直接
水溶液に分散させると水と反応してしまうため、めっき
液に分散させる前に表面に保護膜を形成させる必要があ
る。保護膜としては水と反応しにくく、表面に水酸化皮
膜等が生成しにくいＣｕ、Ｎｉ＋Ａｇ、Ｃｒ等の金属膜
、あるいは金属の酸化物、窒化物、炭化物が適しており
、これらの皮膜の形成法としては真空蒸着法、イオンブ
レーティング法、ＣＶＤ法、ＡＲＥ法、あるいはスパッ
タ法のようなトライブレーティング法が適している。
また、電解の際の抵抗を下げるためには、硬質磁性粒子
の表面を導電性皮膜で被覆した方が良い。
の表面を導電性皮膜で被覆した方が良い。
このための皮膜の種類としては、金属膜やＴｉ 、 Ｚ
ｒ。
ｒ。
Ｎｂ、Ｔａの窒化物皮膜のような導電性の良い皮膜が最
も適している。ｒ−Ｆｅ２０ａやＢａ−フェライ１−粒
子については、金属皮膜の被覆方法としてＮｉ。
も適している。ｒ−Ｆｅ２０ａやＢａ−フェライ１−粒
子については、金属皮膜の被覆方法としてＮｉ。
Ｃｕ＋Ａｇの無電解めっき法も適用できる。
磁気エンコーダの微細着磁パターン用硬質磁性膜として
使用する場合、磁性膜中の硬質磁性粒子の含有率は８０
容量％（以下特記しない％は容量％である。）以上を必
要とするが、このような磁性膜を得ようとすると、めっ
き液中の分散粒子の濃度は、５ｇ／ｌから１００ ｇ／
βの範囲になければならない。分散粒子の濃度が５ｇ／
７！以下では磁性膜中の硬質磁性粒子の含有率が８０％
に達せず、逆に１００ｇ／β以上では陰極基板への硬質
磁性粒子の付着量が多くなり過ぎて磁性膜の表面の凹凸
が粗くなり皮膜も脆くなる。
使用する場合、磁性膜中の硬質磁性粒子の含有率は８０
容量％（以下特記しない％は容量％である。）以上を必
要とするが、このような磁性膜を得ようとすると、めっ
き液中の分散粒子の濃度は、５ｇ／ｌから１００ ｇ／
βの範囲になければならない。分散粒子の濃度が５ｇ／
７！以下では磁性膜中の硬質磁性粒子の含有率が８０％
に達せず、逆に１００ｇ／β以上では陰極基板への硬質
磁性粒子の付着量が多くなり過ぎて磁性膜の表面の凹凸
が粗くなり皮膜も脆くなる。
〔実施例１〕
硫酸ニッケル２４０ｇ／ ｎ 、塩化ニッケル４５ｇ／
ＩＩ 。
ＩＩ 。
はう酸３０ｇ／ ｎから成るニッケルめっき液、および
硫酸銅２００＋ｘ／ Ｉｌ 、硫酸５０ｇ／ ｎから成
る銅めっき液中へ、表面に０．３μｍのＮｉ無電解めっ
きを行なった平均粒径３μｍのＢａ−フェライト粒子を
５ Ｂ／ ＩＩから１００ｇ／ ７！まで添加した。ま
た銅板を陰極として用い、この陰極の背面に電磁石を接
触させて電着面の磁束密度を５００ガウスに調整した。
硫酸銅２００＋ｘ／ Ｉｌ 、硫酸５０ｇ／ ｎから成
る銅めっき液中へ、表面に０．３μｍのＮｉ無電解めっ
きを行なった平均粒径３μｍのＢａ−フェライト粒子を
５ Ｂ／ ＩＩから１００ｇ／ ７！まで添加した。ま
た銅板を陰極として用い、この陰極の背面に電磁石を接
触させて電着面の磁束密度を５００ガウスに調整した。
次に電磁石への通電条件を１００ｍ５通電、 Ｌｏｏｍ
ｓ休止として、液温４０℃、電流密度Ｌ Ａ／ｄｍ２で
電解して膜厚６０μｍの磁性膜を得た。
ｓ休止として、液温４０℃、電流密度Ｌ Ａ／ｄｍ２で
電解して膜厚６０μｍの磁性膜を得た。
得られた磁性膜中の硬質磁性粒子の含有率を第４図に示
す。同図から明らかなように、Ｎｉめっぎ浴についても
Ｃｕめっき浴についてもＢａ−フェライト粒子の含有率
が８０％以上の硬質磁性膜が得られた。この磁性膜を着
磁した後、ＹＡＧレーザ（インドリウム−アルミニウム
ーガーネットレーザ）発振器よりレーザビームを照射し
て微細着磁パターンを形成したところ良好な着磁パター
ンが得られた。また、硬質磁性粒子として０．４ μｒ
ｎのＮｉ薄膜を真空蒸着したＳｍＩ Ｃｏ５粒子（平均
粒径１μｒｎ）および０．３μｍのＣｒ薄膜をスパック
法によって皮膜したＳｍ２（Ｇｏ Ｏ，７，Ｃｕ Ｏ，
１５，Ｆｅ Ｏ，１，Ｍｎ ０．０５）１７組成の粒子
をＢａ−フェライト粒子の場合と同しめっき液に同濃度
添加して、電流密度ＩＡ／ｄｉで膜厚３０μｍまでめっ
きしたところ、これらの粒子を８０％以上合有する磁性
膜が得られた。この膜の垂直方向と面内方向について磁
気特性を測定したところ、残留磁化の垂直／面内比が１
．７〜２．２．保磁力の垂直／面内比が１．２〜１．５
の垂直磁化膜が得られた。
す。同図から明らかなように、Ｎｉめっぎ浴についても
Ｃｕめっき浴についてもＢａ−フェライト粒子の含有率
が８０％以上の硬質磁性膜が得られた。この磁性膜を着
磁した後、ＹＡＧレーザ（インドリウム−アルミニウム
ーガーネットレーザ）発振器よりレーザビームを照射し
て微細着磁パターンを形成したところ良好な着磁パター
ンが得られた。また、硬質磁性粒子として０．４ μｒ
ｎのＮｉ薄膜を真空蒸着したＳｍＩ Ｃｏ５粒子（平均
粒径１μｒｎ）および０．３μｍのＣｒ薄膜をスパック
法によって皮膜したＳｍ２（Ｇｏ Ｏ，７，Ｃｕ Ｏ，
１５，Ｆｅ Ｏ，１，Ｍｎ ０．０５）１７組成の粒子
をＢａ−フェライト粒子の場合と同しめっき液に同濃度
添加して、電流密度ＩＡ／ｄｉで膜厚３０μｍまでめっ
きしたところ、これらの粒子を８０％以上合有する磁性
膜が得られた。この膜の垂直方向と面内方向について磁
気特性を測定したところ、残留磁化の垂直／面内比が１
．７〜２．２．保磁力の垂直／面内比が１．２〜１．５
の垂直磁化膜が得られた。
〔実施例２〕
八ｇＣＮ ３６ ｇ／ＣＫＣＮ ６０ ｇ／ｌ、Ｋ２
（：ｏ３ ４５Ｂ／ｅから成るＡｇめっき液に、平均（
￥０．１μｍ、平均長さ１μｍのｒ −Ｆｅ２０３粒子
を５ ｇ／ ＩＩから１００ｇ／ ７！の濃度で添加し
た。また鉄板を陰極とし、陰極の背面に電磁石を接触さ
せて電磁石への通電時間を１００ｍ５．休止時間を２０
０ｍ５とした。更に液ａＬ３０℃、陰極の電着面におけ
る磁束密度を６００ガウスに調整し、電磁石への電流の
休止時間のみ電流密度Ｉ Ａ／ｄｍ２で通電することに
より、垂直磁化特性の良好な磁性膜が得られた。また、
電流密度Ｌ Ａ／ｄｍ２で電解電流のパルス幅を２３０
ｍ５として電解したところ外観および垂直磁化特性の良
好な皮膜が得られた。これらの、ｆｉられた磁性膜中の
Ｔ−Ｆｅ２０Ｂ粒子の含有率を第１表に示す。
（：ｏ３ ４５Ｂ／ｅから成るＡｇめっき液に、平均（
￥０．１μｍ、平均長さ１μｍのｒ −Ｆｅ２０３粒子
を５ ｇ／ ＩＩから１００ｇ／ ７！の濃度で添加し
た。また鉄板を陰極とし、陰極の背面に電磁石を接触さ
せて電磁石への通電時間を１００ｍ５．休止時間を２０
０ｍ５とした。更に液ａＬ３０℃、陰極の電着面におけ
る磁束密度を６００ガウスに調整し、電磁石への電流の
休止時間のみ電流密度Ｉ Ａ／ｄｍ２で通電することに
より、垂直磁化特性の良好な磁性膜が得られた。また、
電流密度Ｌ Ａ／ｄｍ２で電解電流のパルス幅を２３０
ｍ５として電解したところ外観および垂直磁化特性の良
好な皮膜が得られた。これらの、ｆｉられた磁性膜中の
Ｔ−Ｆｅ２０Ｂ粒子の含有率を第１表に示す。
第１表
〔実施例３〕
クロム酸２５０ｇ／４．硫酸２．５ｇ＃からなるクロム
めっき液中へ、スパッタ法により０．２μ川のＣｒ膜を
被覆したＮｄ−Ｆｅ硬質磁性粒子（平均粒１￥２μｍ）
を５ｇ／βから１００ｇ／ １まで添加した。また銅板
を陰極とし、陰極の背面に電磁石を接触させて１００１
１ｚから２ＫＩＩｚの高周波の電流を電磁石に通電した
。陰極の電着面におりる磁束密度を３００ガウスとして
液温５０℃、電流密度１５Ａ／ｄｍ２で電解し、膜厚３
０μｍの磁性膜を得た。ＩＭられた磁性膜中のＮｄ−Ｆ
ｅ粒子の含有量と膜に垂直方向の残留磁束密度と保磁力
を第２表に示すが、耐食性と磁気特性に優れた膜が得ら
れた。
めっき液中へ、スパッタ法により０．２μ川のＣｒ膜を
被覆したＮｄ−Ｆｅ硬質磁性粒子（平均粒１￥２μｍ）
を５ｇ／βから１００ｇ／ １まで添加した。また銅板
を陰極とし、陰極の背面に電磁石を接触させて１００１
１ｚから２ＫＩＩｚの高周波の電流を電磁石に通電した
。陰極の電着面におりる磁束密度を３００ガウスとして
液温５０℃、電流密度１５Ａ／ｄｍ２で電解し、膜厚３
０μｍの磁性膜を得た。ＩＭられた磁性膜中のＮｄ−Ｆ
ｅ粒子の含有量と膜に垂直方向の残留磁束密度と保磁力
を第２表に示すが、耐食性と磁気特性に優れた膜が得ら
れた。
また、シアン化金カリウム３０ｇ／ ７！、弱酸緩衝剤
１００ｇ／＋ｅ、 ピペラジン化合物２５ｇ／β、ＰＩ
Ｉ５の金めつき液中へ、同じ磁性粒子を５ｇ／ｌから１
００ｇ／ ７！まで添加し、電磁石への通電条件はＣｒ
メ３ツキと同じとして３Ａ／ｄｍ＋で膜厚２０μｍとな
るまで電解した。この場合についても耐食性と磁気特性
に優れた磁性膜が得られた。ここで得られた磁性膜につ
いて着磁した後、＾ｒレーザを用いて微細着磁を行なっ
たところ良好な微細着磁パターンを形成することができ
た。
１００ｇ／＋ｅ、 ピペラジン化合物２５ｇ／β、ＰＩ
Ｉ５の金めつき液中へ、同じ磁性粒子を５ｇ／ｌから１
００ｇ／ ７！まで添加し、電磁石への通電条件はＣｒ
メ３ツキと同じとして３Ａ／ｄｍ＋で膜厚２０μｍとな
るまで電解した。この場合についても耐食性と磁気特性
に優れた磁性膜が得られた。ここで得られた磁性膜につ
いて着磁した後、＾ｒレーザを用いて微細着磁を行なっ
たところ良好な微細着磁パターンを形成することができ
た。
上述したように本発明によれば、耐熱性が大きく、レー
ザによる微細着磁パターン形成に最適な硬質磁性膜を作
製することができ、磁気エンコーダやパルスモータの小
型化、高性能化に寄与できるという効果を奏するもので
ある。
ザによる微細着磁パターン形成に最適な硬質磁性膜を作
製することができ、磁気エンコーダやパルスモータの小
型化、高性能化に寄与できるという効果を奏するもので
ある。
第１図はめっき方法の概略図、第２図及び第３図は電磁
石への通電電流とパルス電解電流のタイムチャート、第
４図ばＢａ−フェライト粒子を分散させたＮｉとＣｕめ
っき液中のＢａ−フェライト粒子の添加量と磁性膜中の
粒子の含有率の関係を示すグラフである。 （１）：硬質磁性粒子 （２）：電磁石コア（３）：コ
イル （４）：陰極基板 （５）：攪拌用プロペラ （６）：陽極（７）：電磁石
用電源 （８）：電解用電源特許出願人 株式会社 安
川電機製作所代理人 小児 益（ほか１名）
石への通電電流とパルス電解電流のタイムチャート、第
４図ばＢａ−フェライト粒子を分散させたＮｉとＣｕめ
っき液中のＢａ−フェライト粒子の添加量と磁性膜中の
粒子の含有率の関係を示すグラフである。 （１）：硬質磁性粒子 （２）：電磁石コア（３）：コ
イル （４）：陰極基板 （５）：攪拌用プロペラ （６）：陽極（７）：電磁石
用電源 （８）：電解用電源特許出願人 株式会社 安
川電機製作所代理人 小児 益（ほか１名）
Claims (1)
- １．５ｇ／βから１００ｇ／ｌの硬質磁性粒子を分散さ
せためっき液中において、基板の背面に電磁石を接触さ
せ、この電磁石への通電電流を断続させながら基板を陰
極として電解することにより、基板上に硬質磁性粒子を
含む金属膜を形成することを特徴とする硬質磁性膜の製
造方法。 ２、上記電解の電解電流を、断続的に通電するようにし
た特許請求の範囲第１項記載の硬質磁性膜の製造方法。 ３、上記電磁石への通電電流を、１００１１ｚから２に
１１ｚの間で周期的に逆転する電流とした特許請求の範
囲第１項記載の硬質磁性膜の製造方法。 ４、上記硬質磁性粒子は、めっき液に対して安定な導電
性皮膜を有する硬質磁性体粒子である特許請求の範囲第
１項、第２項又は３項記載の硬質磁性膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074535A JPS60217603A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 硬質磁性膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074535A JPS60217603A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 硬質磁性膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60217603A true JPS60217603A (ja) | 1985-10-31 |
Family
ID=13550075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59074535A Pending JPS60217603A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 硬質磁性膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60217603A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0696156A1 (en) * | 1990-01-16 | 1996-02-07 | Metcal, Inc. | Magnetic particles |
| US6859998B2 (en) * | 2002-04-12 | 2005-03-01 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating a narrow projection such as a write pole extending from a substrate |
| US20110042223A1 (en) * | 2009-08-24 | 2011-02-24 | Ezekiel Kruglick | Magnetic Electro-Plating |
| CN103337324A (zh) * | 2013-05-30 | 2013-10-02 | 绵阳武盛磁电科技有限公司 | 一种磁性材料及其制备方法 |
| CN105316714A (zh) * | 2012-09-27 | 2016-02-10 | Tdk株式会社 | 各向异性镀敷方法以及薄膜线圈 |
| JP2016522326A (ja) * | 2013-06-06 | 2016-07-28 | エリコン メテコ アクチェンゲゼルシャフト、ヴォーレン | 工作物の表面の一部分を被覆する方法及び遮蔽要素 |
-
1984
- 1984-04-12 JP JP59074535A patent/JPS60217603A/ja active Pending
Cited By (8)
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