JP3349656B2 - バンプおよびその製造方法 - Google Patents
バンプおよびその製造方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気めっき法によ
り作製されるめっきバンプおよびその製造方法に関す
る。
り作製されるめっきバンプおよびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体その他の電子素子の引き出し電極
と外部端子とを電気的に接続するために、金あるいはア
ルミニウム等の細線により半導体電極と外部端子とを橋
渡し金属接合することにより接続するワイヤーボンディ
ング法が広く使用されてきた。しかし、「表面技術」Vo
l. 44, 1028 ページ（１９９３年）に記載されているよ
うに、半導体からの電極引き出しは、高密度化につれ、
ワイヤーボンディングからバンプ接合へと変化してい
る。バンプ接合は半導体電極と位置的に整列した外部端
子を直接接合する方法である。このバンプは電気めっき
法により形成されているが、マッシュルーム（茸）型と
ストレートウォール型の２種類がある。そして配線密度
向上のためにはストレートウォール型が好ましいことが
記載されている。
と外部端子とを電気的に接続するために、金あるいはア
ルミニウム等の細線により半導体電極と外部端子とを橋
渡し金属接合することにより接続するワイヤーボンディ
ング法が広く使用されてきた。しかし、「表面技術」Vo
l. 44, 1028 ページ（１９９３年）に記載されているよ
うに、半導体からの電極引き出しは、高密度化につれ、
ワイヤーボンディングからバンプ接合へと変化してい
る。バンプ接合は半導体電極と位置的に整列した外部端
子を直接接合する方法である。このバンプは電気めっき
法により形成されているが、マッシュルーム（茸）型と
ストレートウォール型の２種類がある。そして配線密度
向上のためにはストレートウォール型が好ましいことが
記載されている。
【０００３】現在、広く使用されているマッシュルーム
バンプは図３に示すように基体１０上に導電体膜２０を
形成した後、フォトレジスト３０でパターニングを行
う。この状態で電気めっきを行うことでめっき膜４０が
形成される。ここでめっき膜４０がマッシュルーム形状
になるのは、図４に示すように、電気めっき膜の成長が
等方的であるためである。すなわち図４においては下地
導電体膜２０が点である場合を示しているが、この点か
ら水平方向、垂直方向に同じ成膜速度で膜成長がおこる
ために水平方向のめっき厚Ｌ１と、垂直方向のめっき厚
Ｌ２が同じになる。このため、この場合には半円状のめ
っき膜４０が形成される。すなわちめっきの幅Ｗ２はめ
っきの膜厚Ｈの２倍となる。下地導電体層にＷ１の幅が
ある通常のバンプめっきでは、図３に示すようにＷ２＝
Ｗ１＋２×Ｌ１となる。例えば特開平２−９０６２２号
には金バンプの形成方法が開示されているが、ここで使
用されているバンプは明らかにマッシュルーム型であ
る。また平成９年度電気学会全国大会要旨集３−２８０
にはめっきによる金属膜成長を用いた立体交差配線とし
てマッシュルーム型バンプと同様の構造が開示されてい
る。しかし、ここでは水平方向へのめっき成長が促進さ
れている点が通常のバンプとは異なる。
バンプは図３に示すように基体１０上に導電体膜２０を
形成した後、フォトレジスト３０でパターニングを行
う。この状態で電気めっきを行うことでめっき膜４０が
形成される。ここでめっき膜４０がマッシュルーム形状
になるのは、図４に示すように、電気めっき膜の成長が
等方的であるためである。すなわち図４においては下地
導電体膜２０が点である場合を示しているが、この点か
ら水平方向、垂直方向に同じ成膜速度で膜成長がおこる
ために水平方向のめっき厚Ｌ１と、垂直方向のめっき厚
Ｌ２が同じになる。このため、この場合には半円状のめ
っき膜４０が形成される。すなわちめっきの幅Ｗ２はめ
っきの膜厚Ｈの２倍となる。下地導電体層にＷ１の幅が
ある通常のバンプめっきでは、図３に示すようにＷ２＝
Ｗ１＋２×Ｌ１となる。例えば特開平２−９０６２２号
には金バンプの形成方法が開示されているが、ここで使
用されているバンプは明らかにマッシュルーム型であ
る。また平成９年度電気学会全国大会要旨集３−２８０
にはめっきによる金属膜成長を用いた立体交差配線とし
てマッシュルーム型バンプと同様の構造が開示されてい
る。しかし、ここでは水平方向へのめっき成長が促進さ
れている点が通常のバンプとは異なる。
【０００４】これに対して図２に示すストレートウォー
ル型では、所望のめっき膜厚Ｈと同じ厚さＴのフォトレ
ジスト３０をパターニングし、その内部にめっき膜４０
を成長させる。このため下地導電体層の幅Ｗ１はめっき
膜の幅Ｗ２と等しく、さらにフォトレジストの厚さＴは
めっき膜厚Ｈと等しくなる。
ル型では、所望のめっき膜厚Ｈと同じ厚さＴのフォトレ
ジスト３０をパターニングし、その内部にめっき膜４０
を成長させる。このため下地導電体層の幅Ｗ１はめっき
膜の幅Ｗ２と等しく、さらにフォトレジストの厚さＴは
めっき膜厚Ｈと等しくなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述のように配線密度
向上のためにはマッシュルーム型バンプよりもストレー
トウォール型バンプが好ましい。しかしストレートウォ
ール型バンプ形成のためには、フォトレジストでパター
ニングする際に厚膜で、かつ高アスペクト比（厚さ／幅
比）が要求される。このようなフォトレジストは高価で
あり、かつプロセスにも時間がかかる。本発明は、薄い
フォトレジストを利用するにも拘らず幅方向の成長が抑
制され厚さ方向に優先的に成長を生じるめっき法により
ストレートウォールバンプを形成することを目的とす
る。
向上のためにはマッシュルーム型バンプよりもストレー
トウォール型バンプが好ましい。しかしストレートウォ
ール型バンプ形成のためには、フォトレジストでパター
ニングする際に厚膜で、かつ高アスペクト比（厚さ／幅
比）が要求される。このようなフォトレジストは高価で
あり、かつプロセスにも時間がかかる。本発明は、薄い
フォトレジストを利用するにも拘らず幅方向の成長が抑
制され厚さ方向に優先的に成長を生じるめっき法により
ストレートウォールバンプを形成することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、パ
ターニングされた下地導電体上に電気めっき法により、
ストレートバンクウオール型のようにめっき形成される
バンプの側面をフォトレジストにより制限しないで作製
された微細バンプにおいて、下地導電体から水平方向の
めっき厚をＬ１、垂直方向のめっき厚をＬ２とした時に
Ｌ２／Ｌ１＞２であることを特徴とする電気めっき法に
より作製されたすず、鉛、ニッケル、金、銅のいずれか
を主成分とするバンプを提供する。本発明はまた、パタ
ーニングされた下地導電体上に、下地導電体から水平方
向のめっき厚をＬ１、垂直方向のめっき厚をＬ２とした
時にＬ２／Ｌ１＞２であるバンプをすず、鉛、ニッケ
ル、金、銅のいずれかのイオンを含む水溶液から製造す
る際に、バンプの側面を制限しないで、成膜時の撹拌速
度ｖが０．０１〜０．１ｍ／ｓ、電流密度ｉが５〜１０
A/dm２、金属イオン濃度Ｍが０．０１〜０．４モル／リ
ットルであることを特徴とする電気めっき法により作製
されたたすず、鉛、ニッケル、金、銅のいずれかを主成
分とするバンプの製造方法を提供する。ここに攪拌速度
とはバンプを形成する箇所で測っためっき液の速度であ
る。攪拌速度はウエハーめっきで通常用いられているパ
ドル攪拌装置による攪拌、ウエハーを上下左右にストロ
ーク運動させるカソードロッカーによる攪拌の場合に
は、それぞれパドル速度、ウエハー移動速度を攪拌速度
とする。これに対してめっき液をポンプ等で流動させな
がら攪拌を行う場合には、めっき液中に比重がめっき液
にほぼ等しい微小固体を分散し、その固体のウエハー近
傍での移動速度から攪拌速度を求めることが可能であ
る。
ターニングされた下地導電体上に電気めっき法により、
ストレートバンクウオール型のようにめっき形成される
バンプの側面をフォトレジストにより制限しないで作製
された微細バンプにおいて、下地導電体から水平方向の
めっき厚をＬ１、垂直方向のめっき厚をＬ２とした時に
Ｌ２／Ｌ１＞２であることを特徴とする電気めっき法に
より作製されたすず、鉛、ニッケル、金、銅のいずれか
を主成分とするバンプを提供する。本発明はまた、パタ
ーニングされた下地導電体上に、下地導電体から水平方
向のめっき厚をＬ１、垂直方向のめっき厚をＬ２とした
時にＬ２／Ｌ１＞２であるバンプをすず、鉛、ニッケ
ル、金、銅のいずれかのイオンを含む水溶液から製造す
る際に、バンプの側面を制限しないで、成膜時の撹拌速
度ｖが０．０１〜０．１ｍ／ｓ、電流密度ｉが５〜１０
A/dm２、金属イオン濃度Ｍが０．０１〜０．４モル／リ
ットルであることを特徴とする電気めっき法により作製
されたたすず、鉛、ニッケル、金、銅のいずれかを主成
分とするバンプの製造方法を提供する。ここに攪拌速度
とはバンプを形成する箇所で測っためっき液の速度であ
る。攪拌速度はウエハーめっきで通常用いられているパ
ドル攪拌装置による攪拌、ウエハーを上下左右にストロ
ーク運動させるカソードロッカーによる攪拌の場合に
は、それぞれパドル速度、ウエハー移動速度を攪拌速度
とする。これに対してめっき液をポンプ等で流動させな
がら攪拌を行う場合には、めっき液中に比重がめっき液
にほぼ等しい微小固体を分散し、その固体のウエハー近
傍での移動速度から攪拌速度を求めることが可能であ
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的構成につい
て詳細に説明する。図１に本発明の電気めっき法により
作製されたバンプの断面図を示す。半導体ウエーハ等の
基体１０上に導電体膜２０を形成した後、フォトレジス
ト３０でパターニングを行いフォトレジスト３０に幅Ｗ
１（パターニング幅）の開口部を形成する。導電体膜２
０は電気めっき通電のために不可欠であり、銅等の金属
をスパッタ等の真空成膜法で成膜することが好ましい。
通電を確保するのが目的のため膜厚は５００〜２０００
Å程度の薄膜で十分である。パターニングはフォトレジ
ストを塗布し、マスクを通じて露光、現像することで行
う。本発明においてはフォトレジストの厚さＴは薄くて
構わないため、０．１〜５μm 程度で十分である。この
ため汎用の安価なフォトレジストを使用し、露光、現像
等のプロセス時間も短い。ここで下地導電体層のパター
ニング幅Ｗ１が１００μm 以下であることが好ましい。
前記範囲を越えると、めっき膜の幅Ｗ２はＷ１によりほ
ぼ決定されてしまうためである。最小線幅は特に限定さ
れるものでは無いが実用上の工程を考えると１μm 程度
が好ましい。次に電気めっきを行うことでめっき膜４０
が形成される。本発明においては下地導電体膜から横方
向のめっき厚をＬ１、縦方向のめっき厚をＬ２とした時
にＬ２／Ｌ１＞２であるバンプを形成する。前記範囲で
は安価な従来のフォトリソプロセスにより高密度配線が
可能となる。前記範囲をはずれると電極同士がショート
する危険性が有る。電気めっきする金属としてはすず、
鉛、ニッケル、金、銅のいずれかを主成分とする。これ
は導電性、半田付け性を確保するためである。
て詳細に説明する。図１に本発明の電気めっき法により
作製されたバンプの断面図を示す。半導体ウエーハ等の
基体１０上に導電体膜２０を形成した後、フォトレジス
ト３０でパターニングを行いフォトレジスト３０に幅Ｗ
１（パターニング幅）の開口部を形成する。導電体膜２
０は電気めっき通電のために不可欠であり、銅等の金属
をスパッタ等の真空成膜法で成膜することが好ましい。
通電を確保するのが目的のため膜厚は５００〜２０００
Å程度の薄膜で十分である。パターニングはフォトレジ
ストを塗布し、マスクを通じて露光、現像することで行
う。本発明においてはフォトレジストの厚さＴは薄くて
構わないため、０．１〜５μm 程度で十分である。この
ため汎用の安価なフォトレジストを使用し、露光、現像
等のプロセス時間も短い。ここで下地導電体層のパター
ニング幅Ｗ１が１００μm 以下であることが好ましい。
前記範囲を越えると、めっき膜の幅Ｗ２はＷ１によりほ
ぼ決定されてしまうためである。最小線幅は特に限定さ
れるものでは無いが実用上の工程を考えると１μm 程度
が好ましい。次に電気めっきを行うことでめっき膜４０
が形成される。本発明においては下地導電体膜から横方
向のめっき厚をＬ１、縦方向のめっき厚をＬ２とした時
にＬ２／Ｌ１＞２であるバンプを形成する。前記範囲で
は安価な従来のフォトリソプロセスにより高密度配線が
可能となる。前記範囲をはずれると電極同士がショート
する危険性が有る。電気めっきする金属としてはすず、
鉛、ニッケル、金、銅のいずれかを主成分とする。これ
は導電性、半田付け性を確保するためである。
【０００８】本発明のバンプは、めっき成膜時の撹拌速
度ｖが０．０１〜０．１ｍ／ｓ、電流密度ｉが５〜１０
A/dm2、金属イオン濃度Ｍが０．０１〜０．４モル／リ
ットルであることが好ましい。上記の条件は、本来は水
平方向も垂直方向も同じ速度で成膜されるめっき膜を、
垂直方向に異方性成長させるために必要となる。撹拌速
度ｖが前記範囲以下では金属イオンの析出面への拡散が
不十分でヤケを起こし、前記範囲以上では水平方水平方
向への成長が早くなってしまう。また逆に電流密度ｉが
前記範囲以下では水平方向への成長が早くなってしま
い、前記範囲以上ではヤケ現象が起こる。金属イオン濃
度Ｍが前記範囲以下では金属イオンの析出面への拡散が
不十分でヤケを起こし、前記範囲以上では水平方向への
成長が早くなってしまう。すなわち、この３つの条件は
異方性成長のために同じように寄与する。この３つの条
件が全て前記範囲になければならない。特に注意すべき
は、必要上ある条件が上限、または下限に近い場合に
は、他の条件が、それを補うようにやはり上限または下
限に近い条件に設定する必要があることである。
度ｖが０．０１〜０．１ｍ／ｓ、電流密度ｉが５〜１０
A/dm2、金属イオン濃度Ｍが０．０１〜０．４モル／リ
ットルであることが好ましい。上記の条件は、本来は水
平方向も垂直方向も同じ速度で成膜されるめっき膜を、
垂直方向に異方性成長させるために必要となる。撹拌速
度ｖが前記範囲以下では金属イオンの析出面への拡散が
不十分でヤケを起こし、前記範囲以上では水平方水平方
向への成長が早くなってしまう。また逆に電流密度ｉが
前記範囲以下では水平方向への成長が早くなってしま
い、前記範囲以上ではヤケ現象が起こる。金属イオン濃
度Ｍが前記範囲以下では金属イオンの析出面への拡散が
不十分でヤケを起こし、前記範囲以上では水平方向への
成長が早くなってしまう。すなわち、この３つの条件は
異方性成長のために同じように寄与する。この３つの条
件が全て前記範囲になければならない。特に注意すべき
は、必要上ある条件が上限、または下限に近い場合に
は、他の条件が、それを補うようにやはり上限または下
限に近い条件に設定する必要があることである。
【０００９】もちろんパターニングされたフォトレジス
ト３０はめっき成膜後に剥離しても構わない。またフォ
トレジストでパターニングした下地導電体膜の代わり
に、図５のように最初にパターニングした導電膜を用い
ても構わない。ただし、孤立したパターンでは導通が確
保されないのでこの方法は適用できない。
ト３０はめっき成膜後に剥離しても構わない。またフォ
トレジストでパターニングした下地導電体膜の代わり
に、図５のように最初にパターニングした導電膜を用い
ても構わない。ただし、孤立したパターンでは導通が確
保されないのでこの方法は適用できない。
【００１０】
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例、比較例について詳細
に説明する。 実施例１ 図１に示した構造のバンプを製作した。すなわち、基体
を構成するシリコンウエハー１０上にアルミニウム、ク
ロム、金の順に下地導電体膜２０として全面に成膜した
後、フォトレジストをスピンコートし、膜厚１μm のフ
ォトレジスト３０を設けた。直径Ｗ１＝４０μm の円形
バンプパターンが中心距離１００μmの間隔で多数配置
されているマスクを用いてパターニングを行った。この
ウエハーを表１に示す条件にてパドル攪拌を行いながら
めっきを行い、めっき厚Ｌ２＝５０μm の金バンプを作
製した。めっき時間は膜厚が一定になるように、各々の
ウエハーで変化させている。使用した金めっき液は日本
エレクトロプレーティングエンジニアーズ社製テンペレ
ックス７０７を基本とし、金イオン濃度を増減させた。
成膜後に顕微鏡にてめっき幅（直径）Ｗ２を測定し、そ
れから水平方向のめっき厚Ｌ１＝（Ｗ２−Ｗ１）／２を
求めた。垂直方向のめっき厚Ｌ２は５０μm とし、めっ
き膜成長の異方性のパラメータとしてＬ１／Ｌ２を計算
した。なお、Ｗ２が１００μm 以上のバンプは横のバン
プとショートしていた。
に説明する。 実施例１ 図１に示した構造のバンプを製作した。すなわち、基体
を構成するシリコンウエハー１０上にアルミニウム、ク
ロム、金の順に下地導電体膜２０として全面に成膜した
後、フォトレジストをスピンコートし、膜厚１μm のフ
ォトレジスト３０を設けた。直径Ｗ１＝４０μm の円形
バンプパターンが中心距離１００μmの間隔で多数配置
されているマスクを用いてパターニングを行った。この
ウエハーを表１に示す条件にてパドル攪拌を行いながら
めっきを行い、めっき厚Ｌ２＝５０μm の金バンプを作
製した。めっき時間は膜厚が一定になるように、各々の
ウエハーで変化させている。使用した金めっき液は日本
エレクトロプレーティングエンジニアーズ社製テンペレ
ックス７０７を基本とし、金イオン濃度を増減させた。
成膜後に顕微鏡にてめっき幅（直径）Ｗ２を測定し、そ
れから水平方向のめっき厚Ｌ１＝（Ｗ２−Ｗ１）／２を
求めた。垂直方向のめっき厚Ｌ２は５０μm とし、めっ
き膜成長の異方性のパラメータとしてＬ１／Ｌ２を計算
した。なお、Ｗ２が１００μm 以上のバンプは横のバン
プとショートしていた。
【００１２】
【表１】 Ｖ ｉ Ｍ ｍ／ｓ A/dm2 モル／リットル ---------------------------------------------------------- Ａ（実施例） ０．０３ ７．５ ０．１ Ｂ（実施例） ０．０２ ６．０ ０．０５ Ｃ（実施例） ０．０５ ８．０ ０．１０ Ｄ（比較例） ０．０３ ２．０ ０．１ Ｅ（比較例） ０．２０ ７．５ ０．１ Ｆ（比較例） ０．０３ ７．５ ０．６ -----------------------------------------------------------
【００１３】
【表２】 Ｗ２ Ｌ１ Ｌ２／Ｌ１ μm μm ------------------------------------------------------------ Ａ（実施例） ５０ ５．０ ８．０ Ｂ（実施例） ５３ ６．５ ７．７ Ｃ（実施例） ６５ １２．５ ３．２ Ｄ（比較例） １２０ ４０．０ １．３ Ｅ（比較例） １４０ ５０．０ １．０ Ｆ（比較例） １０５ ３２．５ １．５ ----------------------------------------------------------
【００１４】上の表から、成膜時の撹拌速度ｖが０．０
１〜０．１ｍ／ｓ、電流密度ｉが５〜１０A/dm2 金属イ
オン濃度Ｍが０．０１〜０．４モル／リットルである時
に、Ｌ２／Ｌ１＞２である著しい異方性が得られ、高密
度のバンプを形成することが可能なことが分かる。
１〜０．１ｍ／ｓ、電流密度ｉが５〜１０A/dm2 金属イ
オン濃度Ｍが０．０１〜０．４モル／リットルである時
に、Ｌ２／Ｌ１＞２である著しい異方性が得られ、高密
度のバンプを形成することが可能なことが分かる。
【００１５】
【発明の効果】本発明により、安価な従来のマッシュル
ームバンプ作製と同様のフォトリソプロセスにより、高
密度配線が可能なストレートウォール型バンプと同等の
めっきバンプが形成される。
ームバンプ作製と同様のフォトリソプロセスにより、高
密度配線が可能なストレートウォール型バンプと同等の
めっきバンプが形成される。
【図１】本発明の薄型磁気素子の１例を示す断面図であ
る。
る。
【図２】従来のストレートウォール型バンプを示す断面
図である。
図である。
【図３】従来のマッシュルーム型バンプを示す断面図で
ある。
ある。
【図４】マッシュルーム型バンプができる理由を示す断
面図である。
面図である。
【図５】本発明の他の例を示す断面図である。
１０ 基体 ２０ 下地導電体膜 ３０ パターニングされたフォトレジスト ４０ めっき膜 Ｈ めっき膜厚 Ｔ レジスト膜厚 Ｗ１ 下地導電体層の幅 Ｗ２ めっき幅 Ｌ１ 水平方向めっき厚 Ｌ２ 垂直方向めっき厚
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−275811（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−261642（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−135215（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−50708（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−330949（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−274102（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−236530（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−222573（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−58114（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−302606（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−177138（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−122141（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−4091（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C25D 7/12 H01L 21/60
Claims (3)
- 【請求項１】 パターニングされた下地導電体上に電気
めっき法により、バンプの側面を制限しないで作製され
た微細バンプにおいて、下地導電体から水平方向のめっ
き膜厚をＬ１、垂直方向のめっき膜厚をＬ２とした時
に、Ｌ２／Ｌ１＞２であることを特徴とする電気めっき
法により作製されたすず、鉛、ニッケル、金、銅のいず
れかを主成分とするバンプ。 - 【請求項２】 下地導電体のパターニング幅が１００μ
m 以下であることを特徴とする請求項１に記載の電気め
っき法により作製されたバンプ。 - 【請求項３】 パターニングされた下地導電体上に、下
地導電体から水平方向のめっき膜厚をＬ１、垂直方向の
めっき膜厚をＬ２とした時にＬ２／Ｌ１＞２であるバン
プを製造するにあたり、すず、鉛、ニッケル、金、銅の
いずれかのイオンを含む水溶液から、バンプの側面を制
限しないで、成膜時の撹拌速度ｖが０．０１〜０．１ｍ
／ｓ、電流密度ｉが５〜１０A/dm２、金属イオン濃度Ｍ
が０．０１〜０．４モル／リットルであることを特徴と
する電気めっき法によるすず、鉛、ニッケル、金、銅の
いずれかを主成分とするバンプの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27668797A JP3349656B2 (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | バンプおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27668797A JP3349656B2 (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | バンプおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11100690A JPH11100690A (ja) | 1999-04-13 |
| JP3349656B2 true JP3349656B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=17572931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27668797A Expired - Lifetime JP3349656B2 (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | バンプおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3349656B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4047252B2 (ja) | 2003-06-09 | 2008-02-13 | アルプス電気株式会社 | 薄膜構造体の製造方法 |
| JP2005272874A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 回路基板の製造方法 |
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1997
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