JP2003297466A - マイクロ構造体とその製造方法 - Google Patents
マイクロ構造体とその製造方法Info
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- JP2003297466A JP2003297466A JP2002102977A JP2002102977A JP2003297466A JP 2003297466 A JP2003297466 A JP 2003297466A JP 2002102977 A JP2002102977 A JP 2002102977A JP 2002102977 A JP2002102977 A JP 2002102977A JP 2003297466 A JP2003297466 A JP 2003297466A
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- Prior art keywords
- microstructure
- substrate
- conductive
- sacrificial layer
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- Pending
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- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板からその一部が隙間をもって浮いた状態
のオーバーハング状に形成される導電端子または導電端
子列の立ち上がり部にブリッジ片を生じないマイクロ構
造体とその製造方法を得る。 【解決手段】 基板４上に一部が基板より浮いたオーバ
ーハング状に形成され、基板４からの立ち上がり部２ａ
Ｈが基板４と鋭角Ｆに傾斜している導電端子２Ｈとする
ことによって、立ち上がり部２ａＨにブリッジ片を生じ
ないマイクロ構造体１Ｈを得ることが出来る。また、立
ち上がり部２ａＨを基板４と鋭角Ｆに傾斜させることに
より、導電端子２Ｈの立ち上がり部にブリッジ片を生じ
ないマイクロ構造体の製造方法が実現できる。
のオーバーハング状に形成される導電端子または導電端
子列の立ち上がり部にブリッジ片を生じないマイクロ構
造体とその製造方法を得る。 【解決手段】 基板４上に一部が基板より浮いたオーバ
ーハング状に形成され、基板４からの立ち上がり部２ａ
Ｈが基板４と鋭角Ｆに傾斜している導電端子２Ｈとする
ことによって、立ち上がり部２ａＨにブリッジ片を生じ
ないマイクロ構造体１Ｈを得ることが出来る。また、立
ち上がり部２ａＨを基板４と鋭角Ｆに傾斜させることに
より、導電端子２Ｈの立ち上がり部にブリッジ片を生じ
ないマイクロ構造体の製造方法が実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リソグラフィ工程
を用いて製造されるマイクロ構造体とその製造方法に関
する。特にオーバーハング状の導電端子を有するマイク
ロ構造体とその製造方法に関する。
を用いて製造されるマイクロ構造体とその製造方法に関
する。特にオーバーハング状の導電端子を有するマイク
ロ構造体とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話、携帯端末、パソコン等
の情報通信機器の小型化が急速に進んでいる。それに伴
ってこれらの機器の配線部を接続するコネクタも小型化
の要求が益々強くなっている。
の情報通信機器の小型化が急速に進んでいる。それに伴
ってこれらの機器の配線部を接続するコネクタも小型化
の要求が益々強くなっている。
【０００３】このような小型化の要求に応えるコネクタ
は基板の上にリソグラフィ技術によって素子を形成する
方法が種々試みられている。特にマイクロ構造体がコネ
クタである場合には導体の一部を基板から浮いたオーバ
ーハング状とする構造が必要である。例えば特開平１０
−１８９１６８号公開特許公報の図２３にはオーバーハ
ング状に形成されたマイクロコネクタの雌型電極が示さ
れている。
は基板の上にリソグラフィ技術によって素子を形成する
方法が種々試みられている。特にマイクロ構造体がコネ
クタである場合には導体の一部を基板から浮いたオーバ
ーハング状とする構造が必要である。例えば特開平１０
−１８９１６８号公開特許公報の図２３にはオーバーハ
ング状に形成されたマイクロコネクタの雌型電極が示さ
れている。
【０００４】また他の従来のマイクロ構造体１には本願
の図４に示すような高さｈのオーバーハングを持つ細い
短冊状の端子２を多数並べたものが使われている。これ
は図３に示すリソグラフィ工程で作製される。
の図４に示すような高さｈのオーバーハングを持つ細い
短冊状の端子２を多数並べたものが使われている。これ
は図３に示すリソグラフィ工程で作製される。
【０００５】従来のマイクロ構造体の製造方法につい
て、図３に従って説明する。まず、工程Ａ．基板４の上
に犠牲層５をコーティングしエッチングする等の方法で
形成する。この場合犠牲層５の側端部はほぼ垂直（図３
で角度Ｅとして示す。）としている。工程Ｂ．次いで導
電層６を蒸着により形成する。この導電層６はＣｒの上
にＣｕを形成したものである。工程Ｃ．次いでＣｕ層の
表面を化学的又は物理的手法によって処理する。工程
Ｄ．次いでこの上にメッキ用レジスト７をコーティング
する。このメッキ用レジスト７は短冊状にパターニング
する。工程Ｅ．次いで導電層６の上にニッケルメッキ８
を行い、短冊状の端子片列が形成される。工程Ｆ．次い
でメッキレジスト７を化学処理によって剥離する。工程
Ｇ．次いで犠牲層５上の導電層６と犠牲層５を化学的処
理によって剥離する。
て、図３に従って説明する。まず、工程Ａ．基板４の上
に犠牲層５をコーティングしエッチングする等の方法で
形成する。この場合犠牲層５の側端部はほぼ垂直（図３
で角度Ｅとして示す。）としている。工程Ｂ．次いで導
電層６を蒸着により形成する。この導電層６はＣｒの上
にＣｕを形成したものである。工程Ｃ．次いでＣｕ層の
表面を化学的又は物理的手法によって処理する。工程
Ｄ．次いでこの上にメッキ用レジスト７をコーティング
する。このメッキ用レジスト７は短冊状にパターニング
する。工程Ｅ．次いで導電層６の上にニッケルメッキ８
を行い、短冊状の端子片列が形成される。工程Ｆ．次い
でメッキレジスト７を化学処理によって剥離する。工程
Ｇ．次いで犠牲層５上の導電層６と犠牲層５を化学的処
理によって剥離する。
【０００６】以上の工程で図４に示すようなマイクロ構
造体１が基板上に形成される。
造体１が基板上に形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の方法に
よると図５に示すような端子２の立ち上がり部２ａ間を
橋絡するブリッジ片３が形成されるという問題があっ
た。このブリッジ片３が生じる原因は上記の工程Ｄにお
いて、図６に示すごとく犠牲層５上にメッキレジスト７
をコーティングする際にメッキレジスト７の粘性に起因
して犠牲層５の立ち上がり部との間で隙間９を生じるこ
とが一因である。又別の原因としては犠牲層の立ち上が
り部の角度Ｅが垂直に近いのでその部分の導電層が薄く
形成されるため、表面処理工程で除去されてしまいがち
で、メッキレジスト７との密着性が悪く隙間を生じ、こ
の結果不所望のブリッジ片３が形成されてしまう。
よると図５に示すような端子２の立ち上がり部２ａ間を
橋絡するブリッジ片３が形成されるという問題があっ
た。このブリッジ片３が生じる原因は上記の工程Ｄにお
いて、図６に示すごとく犠牲層５上にメッキレジスト７
をコーティングする際にメッキレジスト７の粘性に起因
して犠牲層５の立ち上がり部との間で隙間９を生じるこ
とが一因である。又別の原因としては犠牲層の立ち上が
り部の角度Ｅが垂直に近いのでその部分の導電層が薄く
形成されるため、表面処理工程で除去されてしまいがち
で、メッキレジスト７との密着性が悪く隙間を生じ、こ
の結果不所望のブリッジ片３が形成されてしまう。
【０００８】そこで本発明が解決しようとする課題は、
基板からその一部が隙間をもって浮いた状態のオーバー
ハング状に形成される導電端子または導電端子列の立ち
上がり部にブリッジ片を生じないマイクロ構造体とその
製造方法を提供することである。
基板からその一部が隙間をもって浮いた状態のオーバー
ハング状に形成される導電端子または導電端子列の立ち
上がり部にブリッジ片を生じないマイクロ構造体とその
製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のマイクロ構造体では、基板上に一部が基板
より浮いたオーバーハング状に形成され、前記基板から
の立ち上がり部が前記基板と鋭角に傾斜している導電端
子とする。これによって、立ち上がり部にブリッジ片を
生じないマイクロ構造体を得ることが出来る。
め、本発明のマイクロ構造体では、基板上に一部が基板
より浮いたオーバーハング状に形成され、前記基板から
の立ち上がり部が前記基板と鋭角に傾斜している導電端
子とする。これによって、立ち上がり部にブリッジ片を
生じないマイクロ構造体を得ることが出来る。
【００１０】また、前記基板からの立ち上がり部が前記
基板と鋭角に傾斜している導電端子とすることにより、
前記導電端子が短冊状の端子列を形成している場合に
は、端子列間を短絡させるブリッジ片の形成を防止でき
る。
基板と鋭角に傾斜している導電端子とすることにより、
前記導電端子が短冊状の端子列を形成している場合に
は、端子列間を短絡させるブリッジ片の形成を防止でき
る。
【００１１】また、基板の上に犠牲層を側端部が前記基
板と鋭角に傾斜した形状にフォトレジストで形成する工
程と、前記犠牲層の上に導電層を形成する工程と、さら
に導電層の上にメッキ用レジストをコーティングする工
程と、該メッキ用レジストをパターニングする工程と、
前記導電層の上にニッケルメッキを行う工程と、前記メ
ッキ用レジストを剥離する工程と、前記犠牲層と前記犠
牲層上の前記導電層とを剥離する工程とを含むオーバー
ハング状の導電端子を有するマイクロ構造体の製造方法
とするものとすれば、立ち上がり部にブリッジ片を生じ
ないマイクロ構造体とその製造方法を提供できる。
板と鋭角に傾斜した形状にフォトレジストで形成する工
程と、前記犠牲層の上に導電層を形成する工程と、さら
に導電層の上にメッキ用レジストをコーティングする工
程と、該メッキ用レジストをパターニングする工程と、
前記導電層の上にニッケルメッキを行う工程と、前記メ
ッキ用レジストを剥離する工程と、前記犠牲層と前記犠
牲層上の前記導電層とを剥離する工程とを含むオーバー
ハング状の導電端子を有するマイクロ構造体の製造方法
とするものとすれば、立ち上がり部にブリッジ片を生じ
ないマイクロ構造体とその製造方法を提供できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を図示例
と共に説明する。
と共に説明する。
【００１３】図１は、本発明による一実施の形態として
のマイクロ構造体の斜視図である。図２は、従来の製造
方法工程図に対応した、本発明による図１のマイクロ構
造体の製造方法工程図である。
のマイクロ構造体の斜視図である。図２は、従来の製造
方法工程図に対応した、本発明による図１のマイクロ構
造体の製造方法工程図である。
【００１４】図１のように、本発明による一実施の形態
としてのマイクロ構造体１Ｈは基板４上に形成された導
電端子２Ｈが、ここでは端子列を形成している。それぞ
れの導電端子２Ｈは、基板４と鋭角Ｆをなして立ち上が
り部２ａＨが傾斜して立上っており、一部が基板より浮
いたオーバーハング状に形成されている。
としてのマイクロ構造体１Ｈは基板４上に形成された導
電端子２Ｈが、ここでは端子列を形成している。それぞ
れの導電端子２Ｈは、基板４と鋭角Ｆをなして立ち上が
り部２ａＨが傾斜して立上っており、一部が基板より浮
いたオーバーハング状に形成されている。
【００１５】次に、図２に基づいて、製造方法工程を説
明する。
明する。
【００１６】まず、工程Ａ−Ｈで、基板４の上に犠牲層
５Ｈをフォトレジストをコーティングし露光し、エッチ
ングして形成する。この場合犠牲層５Ｈの側端部を基板
４と鋭角の角度Ｆをなして傾斜した形状にする。具体的
には露光の際の露光時間を制御することによって傾斜面
（テーパ面）の傾斜角を適度なものに選ぶことができ
る。工程Ｂ−Ｈで、次いで導電層６Ｈを蒸着により形成
する。この導電層６ＨはＣｒの上にＣｕを形成したもの
とする。工程Ｃ−Ｈで、次いでＣｕ層の表面を化学的又
は物理的手法によって表面処理する。工程Ｄ−Ｈで、次
いでこの上にメッキ用レジスト７Ｈをコーティングす
る。このメッキ用レジスト７Ｈを短冊状にパターニング
する。工程Ｅ−Ｈで、次いで導電層６Ｈの上にニッケル
メッキを行い、短冊状の端子片列のメッキ層８Ｈが形成
される。工程Ｆ−Ｈで、次いでメッキ用レジスト７Ｈを
化学処理によって剥離する。工程Ｇ−Ｈで、次いで導電
層６Ｈと犠牲層５Ｈを化学的処理によって剥離する。
５Ｈをフォトレジストをコーティングし露光し、エッチ
ングして形成する。この場合犠牲層５Ｈの側端部を基板
４と鋭角の角度Ｆをなして傾斜した形状にする。具体的
には露光の際の露光時間を制御することによって傾斜面
（テーパ面）の傾斜角を適度なものに選ぶことができ
る。工程Ｂ−Ｈで、次いで導電層６Ｈを蒸着により形成
する。この導電層６ＨはＣｒの上にＣｕを形成したもの
とする。工程Ｃ−Ｈで、次いでＣｕ層の表面を化学的又
は物理的手法によって表面処理する。工程Ｄ−Ｈで、次
いでこの上にメッキ用レジスト７Ｈをコーティングす
る。このメッキ用レジスト７Ｈを短冊状にパターニング
する。工程Ｅ−Ｈで、次いで導電層６Ｈの上にニッケル
メッキを行い、短冊状の端子片列のメッキ層８Ｈが形成
される。工程Ｆ−Ｈで、次いでメッキ用レジスト７Ｈを
化学処理によって剥離する。工程Ｇ−Ｈで、次いで導電
層６Ｈと犠牲層５Ｈを化学的処理によって剥離する。
【００１７】以上の工程で図１に示すような端子２Ｈの
立ち上がり部２ａＨが鋭角の角度Ｆで傾斜したマイクロ
構造体１Ｈが基板上に形成される。以上の工程におい
て、犠牲層５Ｈの側端を傾斜状としたので側端に十分な
膜厚の導電層が形成され、又メッキ用レジストも隙間無
くコーティングできるのでブリッジ片を生じることが無
くなる。
立ち上がり部２ａＨが鋭角の角度Ｆで傾斜したマイクロ
構造体１Ｈが基板上に形成される。以上の工程におい
て、犠牲層５Ｈの側端を傾斜状としたので側端に十分な
膜厚の導電層が形成され、又メッキ用レジストも隙間無
くコーティングできるのでブリッジ片を生じることが無
くなる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、基板上に一部が基
板より浮いたオーバーハング状に形成され、前記基板か
らの立ち上がり部が前記基板と鋭角に傾斜している導電
端子とすることによって、立ち上がり部にブリッジ片を
生じないマイクロ構造体を得ることが出来、また、端子
の立ち上がり部にブリッジ片を生じないマイクロ構造体
の製造方法が実現できる。
板より浮いたオーバーハング状に形成され、前記基板か
らの立ち上がり部が前記基板と鋭角に傾斜している導電
端子とすることによって、立ち上がり部にブリッジ片を
生じないマイクロ構造体を得ることが出来、また、端子
の立ち上がり部にブリッジ片を生じないマイクロ構造体
の製造方法が実現できる。
【図１】 本発明による一実施の形態としてのマイクロ
構造体の斜視図である。
構造体の斜視図である。
【図２】 図１のマイクロ構造体の製造方法工程図であ
る。
る。
【図３】 従来のマイクロ構造体の製造方法工程図であ
る。
る。
【図４】 従来のマイクロ構造体の斜視図である。
【図５】 従来のマイクロ構造体に、ブリッジ片が発生
した場合の斜視図である。
した場合の斜視図である。
【図６】 従来のマイクロ構造体の製造工程途中の断面
図である。
図である。
１Ｈ マイクロ構造体、２Ｈ 導電端子、２ａＨ 立ち
上がり部、４ 基板、５Ｈ 犠牲層、６Ｈ 導電層、７
Ｈ レジスト、８Ｈ メッキ層、Ｆ 角度、Ａ−Ｈ〜Ｇ
−Ｈ 工程。
上がり部、４ 基板、５Ｈ 犠牲層、６Ｈ 導電層、７
Ｈ レジスト、８Ｈ メッキ層、Ｆ 角度、Ａ−Ｈ〜Ｇ
−Ｈ 工程。
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に一部が基板より浮いたオーバー
ハング状に形成され、前記基板からの立ち上がり部が前
記基板と鋭角に傾斜している導電端子を有することを特
徴とするマイクロ構造体。 - 【請求項２】 前記導電端子が短冊状の端子列を形成し
ていることを特徴とする請求項１記載のマイクロ構造
体。 - 【請求項３】 基板の上に犠牲層を側端部が前記基板と
鋭角に傾斜した形状にフォトレジストで形成する工程
と、前記犠牲層の上に導電層を形成する工程と、さらに
導電層の上にメッキ用レジストをコーティングする工程
と、該メッキ用レジストをパターニングする工程と、前
記導電層の上にニッケルメッキを行う工程と、前記メッ
キ用レジストを剥離する工程と、前記犠牲層と前記犠牲
層上の前記導電層とを剥離する工程とを含むオーバーハ
ング状の導電端子を有することを特徴とするマイクロ構
造体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002102977A JP2003297466A (ja) | 2002-04-04 | 2002-04-04 | マイクロ構造体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002102977A JP2003297466A (ja) | 2002-04-04 | 2002-04-04 | マイクロ構造体とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003297466A true JP2003297466A (ja) | 2003-10-17 |
Family
ID=29389112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002102977A Pending JP2003297466A (ja) | 2002-04-04 | 2002-04-04 | マイクロ構造体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003297466A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006147412A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Fujikura Ltd | 電極、光電変換素子および色素増感太陽電池 |
| JP2006147411A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Fujikura Ltd | 電極、光電変換素子および色素増感太陽電池 |
-
2002
- 2002-04-04 JP JP2002102977A patent/JP2003297466A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006147412A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Fujikura Ltd | 電極、光電変換素子および色素増感太陽電池 |
| JP2006147411A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Fujikura Ltd | 電極、光電変換素子および色素増感太陽電池 |
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