JP2003297515A - マイクロ構造体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 犠牲層を除去する工程において導電層のサイ
ドエッチングが生じ難いマイクロ構造体の製造方法を得
る。 【解決手段】 基板１の上に樹脂系の犠牲層２を形成す
る工程と、犠牲層２を露光、エッチングして所定のパタ
ーンを形成する工程と、この上にメッキの下地となる導
電層３を形成する工程と、その上にメッキ用レジスト４
を所定のパターンとなるように形成する工程と、該所定
のパターンに導体５を形成する工程と、前記メッキ用レ
ジスト４を所定の剥離液を用いて剥離する工程と、導電
層３をエッチングする工程と、犠牲層２をアルカリ系剥
離液を用いて剥離する工程と、を含むマイクロ構造体の
製造方法とする。これによって、犠性層２の材料を樹脂
系としたため、犠牲層を剥離する際に導体の下地層のサ
イドエッチングが生じ難い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は特にリソグラフィ工
程を用いたマイクロ構造体の製造方法に関する。特にオ
ーバーハング状の導電端子を有するマイクロ構造体の製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電話、携帯端末、パソコン等
の情報通信機器の小型化が急速に進んでいる。それに伴
ってこれらの機器の配線部を接続するコネクタも小型化
の要求が益々強くなっている。

【０００３】このような小型化の要求に応えるコネクタ
は基板の上にリソグラフィ技術によって素子を形成する
方法が種々試みられている。特にコネクタの場合に基板
の上に形成する導体を基板から浮いたオーバーハング状
の構造が必要である。例えば特開平１０−１８９１６８
号公開特許公報の図２３にはオーバーハング状に形成さ
れたマイクロコネクタの雌型電極が示されている。この
従来のマイクロ構造体は上記の特開平１０−１８９１６
８号公開特許公報の図１７〜図２３に示されているリソ
グラフィ工程で作製される。出願人が従来行ってきたこ
れと同様のマイクロ構造体の製造方法を本願の図２に基
づいて、説明する。

【０００４】工程Ａでは、基板上にＣｒ層２０ａとＣｕ
層２０ｂからなる導電層２０を形成し、工程Ｂでは、レ
ジスト２１にてパターンニングし、工程Ｃでは、犠牲層
２２となる銅（Ｃｕ）をメッキにより成膜する。工程Ｄ
では、レジスト２１を剥離し、工程Ｅでは、メッキ用レ
ジスト２３をパターンニングし、工程Ｆでは、ニッケル
メッキ層２４をメッキし、工程Ｇでは、メッキ用レジス
ト２３を剥離し、工程Ｈでは、犠牲層２２と導電層２０
をエッチングしてマイクロ構造体を作製している。

【０００５】ここで、工程Ｈのエッチングではエッチン
グ液として例えば過酸化水素水とアンモニアの混合液を
用いる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の製造方法では、銅などからなる犠牲層２２は比較
的厚いのでエッチングに要する時間を長く取る必要があ
る、そのためニッケルメッキ層２４下の導電層２０の銅
までエッチングしてしまい、ニッケルメッキ層２４の剥
離を生じるという問題があった。特に、オーバーハング
部を形成する為の犠牲層がチタン、銅等の金属であるの
でエッチングする際、隣接する密着層がエッチングされ
てしまう、所謂サイドエッチングが生じる。

【０００７】そこで、本発明が解決をしようとする課題
は、犠牲層を除去する工程において導電層のサイドエッ
チングが生じ難いマイクロ構造体の製造方法を提供する
ことである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明では、基板の上に樹脂系の犠牲層を形成する
工程と、該犠牲層を露光、エッチングして所定のパター
ンを形成する工程と、この上にメッキの下地となる導電
層を形成する工程と、その上にメッキ用レジストを所定
のパターンとなるように形成する工程と、該所定のパタ
ーンに導体を形成する工程と、前記メッキ用レジストを
所定の剥離液を用いて剥離する工程と、前記導電層をエ
ッチングする工程と、犠牲層をアルカリ系剥離液を用い
て剥離する工程と、を有するマイクロ構造体の製造方法
とする。これによって、犠性層の材料を樹脂系としたた
め、犠牲層を剥離する際に導体の下地層をサイドエッチ
することが生じ難い。

【０００９】また、前記メッキの下地となる導電層がク
ロム層と銅層であり、クロム層のエッチングに酸を用
い、銅層のエッチング液として過酸化水素水を用いるマ
イクロ構造体の製造方法とすることとすれば、銅層の選
択的エッチングが可能となり、さらに導体下地層の導電
層のサイドエッチングを減少できる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を図示例
と共に説明する。

【００１１】図１は、本発明による一実施の形態として
のマイクロ構造体の製造方法工程図である。図１に基づ
いて、そのマイクロ構造体の製造方法を説明する。

【００１２】工程ＨＡ：基板１の上に後の工程で犠牲層
２となるレジスト２を塗布する、レジスト２は樹脂系と
する例えば日本合成ゴム株式会社製のＴＨＢネガ型レジ
スト（登録商標）を用いた。 工程ＨＢ：レジスト２を露光、エッチングして所定のパ
ターンを形成する。 工程ＨＣ：この上にクロム（Ｃｒ）と銅（Ｃｕ）を蒸着
してメッキの下地となる導電層３を形成する。 工程ＨＤ：次工程のメッキ用レジスト４を所定のパター
ンとなるように形成する。 工程ＨＥ：前工程で形成したパターンになるようにニッ
ケルメッキにて導体５を形成する。 工程ＨＦ：メッキ用レジスト４を所定の剥離液を用いて
剥離する。 工程ＨＧ：次いで導電層３をエッチングする。銅層のエ
ッチングには過酸化水素水とアンモニアの混合液を用
い、次いでクロム層のエッチングには塩酸を用いる。 工程ＨＨ：次いで犠牲層であるレジスト２をアルカリ系
剥離液を用いて剥離する。

【００１３】以上の工程で導体５の下側に空間を設けた
マイクロ構造体が作製できる。

【００１４】上記の工程ＨＧで銅のエッチングに過酸化
水素水とアンモニアの混合液を用いるので選択的なエッ
チングを行うことができ、また、工程ＨＨで犠牲層２の
剥離時にアルカリ性有機溶剤を用いるので導体５の下地
層である導電層３のサイドエッチングは生じ難い。ま
た、工程ＨＧでは犠牲層２が残っているため導体５の下
地層である導電層３のサイドエッチングは、一層生じに
くい。

【００１５】

【発明の効果】犠性層を樹脂系のレジストとしたので犠
牲層を剥離する際にアルカリ液を用いることができ、導
体の下地層のサイドエッチングが生じ難く、導体が剥離
する虞のないマイクロ構造体を作製することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明による一実施の形態としてのマイクロ
構造体の製造方法工程図である。

【図２】 従来のマイクロ構造体の製造方法工程図であ
る。

【符号の説明】

１ 基板、２ 犠牲層（レジスト）、３ 導電層、４
メッキ用レジスト、５導体。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の上に樹脂系の犠牲層を形成する工
   程と、該犠牲層を露光、エッチングして所定のパターン
   を形成する工程と、その上にメッキの下地となる導電層
   を形成する工程と、その上にメッキ用レジストを所定の
   パターンとなるように形成する工程と、該所定のパター
   ンに導体を形成する工程と、前記メッキ用レジストを所
   定の剥離液を用いて剥離する工程と、前記導電層をエッ
   チングする工程と、前記犠牲層をアルカリ系剥離液を用
   いて剥離する工程と、を有することを特徴とするマイク
   ロ構造体の製造方法。
2. 【請求項２】 前記メッキの下地となる導電層がクロム
   層と銅層であり、クロム層のエッチングに酸を用い、銅
   層のエッチング液として過酸化水素水を用いることを特
   徴とする請求項１記載のマイクロ構造体の製造方法。