JP2014078645A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2014078645A5
JP2014078645A5 JP2012226439A JP2012226439A JP2014078645A5 JP 2014078645 A5 JP2014078645 A5 JP 2014078645A5 JP 2012226439 A JP2012226439 A JP 2012226439A JP 2012226439 A JP2012226439 A JP 2012226439A JP 2014078645 A5 JP2014078645 A5 JP 2014078645A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tft element
confirmed
operating characteristics
vsec
examining
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012226439A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2014078645A (ja
JP5966840B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP2012226439A external-priority patent/JP5966840B2/ja
Priority to JP2012226439A priority Critical patent/JP5966840B2/ja
Priority to CN201380049309.3A priority patent/CN104685634B/zh
Priority to KR1020157007278A priority patent/KR102062280B1/ko
Priority to PCT/JP2013/077610 priority patent/WO2014058019A1/ja
Priority to US14/434,939 priority patent/US9299791B2/en
Priority to TW102136713A priority patent/TWI595668B/zh
Publication of JP2014078645A publication Critical patent/JP2014078645A/ja
Publication of JP2014078645A5 publication Critical patent/JP2014078645A5/ja
Publication of JP5966840B2 publication Critical patent/JP5966840B2/ja
Application granted granted Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2012226439A 2012-10-11 2012-10-11 酸化物半導体薄膜および薄膜トランジスタ Expired - Fee Related JP5966840B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012226439A JP5966840B2 (ja) 2012-10-11 2012-10-11 酸化物半導体薄膜および薄膜トランジスタ
US14/434,939 US9299791B2 (en) 2012-10-11 2013-10-10 Oxide semiconductor thin film and thin film transistor
KR1020157007278A KR102062280B1 (ko) 2012-10-11 2013-10-10 산화물 반도체 박막 및 박막 트랜지스터
PCT/JP2013/077610 WO2014058019A1 (ja) 2012-10-11 2013-10-10 酸化物半導体薄膜および薄膜トランジスタ
CN201380049309.3A CN104685634B (zh) 2012-10-11 2013-10-10 氧化物半导体薄膜以及薄膜晶体管
TW102136713A TWI595668B (zh) 2012-10-11 2013-10-11 氧化物半導體薄膜及薄膜電晶體

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012226439A JP5966840B2 (ja) 2012-10-11 2012-10-11 酸化物半導体薄膜および薄膜トランジスタ

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014078645A JP2014078645A (ja) 2014-05-01
JP2014078645A5 true JP2014078645A5 (enExample) 2015-10-08
JP5966840B2 JP5966840B2 (ja) 2016-08-10

Family

ID=50477485

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012226439A Expired - Fee Related JP5966840B2 (ja) 2012-10-11 2012-10-11 酸化物半導体薄膜および薄膜トランジスタ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9299791B2 (enExample)
JP (1) JP5966840B2 (enExample)
KR (1) KR102062280B1 (enExample)
CN (1) CN104685634B (enExample)
TW (1) TWI595668B (enExample)
WO (1) WO2014058019A1 (enExample)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6119773B2 (ja) * 2014-03-25 2017-04-26 住友電気工業株式会社 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス
WO2016024442A1 (ja) * 2014-08-12 2016-02-18 住友電気工業株式会社 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス
JP6357664B2 (ja) * 2014-09-22 2018-07-18 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP6501385B2 (ja) * 2014-10-22 2019-04-17 日本放送協会 薄膜トランジスタおよびその製造方法
KR101816468B1 (ko) 2014-10-22 2018-01-08 스미토모덴키고교가부시키가이샤 산화물 소결체 및 반도체 디바이스
JP2016111125A (ja) * 2014-12-04 2016-06-20 日本放送協会 薄膜トランジスタおよびその製造方法
KR101948998B1 (ko) * 2015-01-26 2019-02-15 스미토모덴키고교가부시키가이샤 산화물 반도체막 및 반도체 디바이스
WO2016129146A1 (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 住友電気工業株式会社 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス
JP6394518B2 (ja) * 2015-07-02 2018-09-26 住友電気工業株式会社 半導体デバイスおよびその製造方法
US10636914B2 (en) * 2015-07-30 2020-04-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Crystalline oxide semiconductor thin film, method for producing crystalline oxide semiconductor thin film, and thin film transistor
JP6350466B2 (ja) * 2015-09-16 2018-07-04 住友電気工業株式会社 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイスの製造方法
JP6308191B2 (ja) * 2015-09-16 2018-04-11 住友電気工業株式会社 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイスの製造方法
JP6593257B2 (ja) * 2016-06-13 2019-10-23 住友電気工業株式会社 半導体デバイスおよびその製造方法
WO2018211724A1 (ja) * 2017-05-16 2018-11-22 住友電気工業株式会社 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、酸化物半導体膜、ならびに半導体デバイスの製造方法
JP6493601B2 (ja) * 2018-05-31 2019-04-03 住友電気工業株式会社 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイスの製造方法
US11569250B2 (en) 2020-06-29 2023-01-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Ferroelectric memory device using back-end-of-line (BEOL) thin film access transistors and methods for forming the same
KR20240073052A (ko) * 2021-10-14 2024-05-24 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 결정 산화물 박막, 적층체 및 박막 트랜지스터
JPWO2024042997A1 (enExample) * 2022-08-25 2024-02-29
US20250253150A1 (en) * 2024-02-06 2025-08-07 POSTECH Research and Business Development Foundation Method of preparing tellurium oxide thin film and thin film transistor using sputtering

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100505536B1 (ko) * 2002-03-27 2005-08-04 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 투명한 도전성 박막, 그것의 제조방법, 그것의 제조를위한 소결 타겟, 디스플레이 패널용의 투명한 전기전도성기재, 및 유기 전기루미네선스 디바이스
EP1737044B1 (en) 2004-03-12 2014-12-10 Japan Science and Technology Agency Amorphous oxide and thin film transistor
US7646015B2 (en) * 2006-10-31 2010-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device
JP4662075B2 (ja) 2007-02-02 2011-03-30 株式会社ブリヂストン 薄膜トランジスタ及びその製造方法
TWI487118B (zh) 2007-03-23 2015-06-01 Idemitsu Kosan Co Semiconductor device
CN102105619B (zh) 2008-06-06 2014-01-22 出光兴产株式会社 氧化物薄膜用溅射靶及其制造方法
JP2010045263A (ja) * 2008-08-15 2010-02-25 Idemitsu Kosan Co Ltd 酸化物半導体、スパッタリングターゲット、及び薄膜トランジスタ
CN102187467A (zh) * 2008-10-23 2011-09-14 出光兴产株式会社 薄膜晶体管及其制造方法
JP2010106291A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Idemitsu Kosan Co Ltd 酸化物半導体及びその製造方法
JP5553997B2 (ja) 2009-02-06 2014-07-23 古河電気工業株式会社 トランジスタおよびその製造方法
EP2421048A4 (en) 2009-04-17 2012-08-29 Bridgestone Corp THIN-LAYER TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING A THIN-LAYER TRANSISTOR
JP2010251604A (ja) 2009-04-17 2010-11-04 Bridgestone Corp 薄膜トランジスタの製造方法
JP2010251606A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Bridgestone Corp 薄膜トランジスタ
KR101035357B1 (ko) * 2009-12-15 2011-05-20 삼성모바일디스플레이주식회사 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 구비한 유기전계 발광소자
JP5437825B2 (ja) 2010-01-15 2014-03-12 出光興産株式会社 Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系酸化物焼結体、ターゲット、酸化物半導体薄膜及びこれらの製造方法
WO2012105323A1 (ja) * 2011-02-04 2012-08-09 住友金属鉱山株式会社 酸化物焼結体およびそれを加工したタブレット

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014078645A5 (enExample)
JP2017514877A5 (enExample)
WO2015082046A3 (de) Substituierte oxepine
JP2013188229A5 (enExample)
FR3003566B1 (fr) Composition comprenant hf et e-3,3,3-trifluoro-1-chloropropene
EP2768039A3 (en) Graphene device and electronic apparatus
FR3003568B1 (fr) Composition comprenant hf et 3,3,3-trifluoro-2-chloropropene
EP3068263A4 (en) Multi-component bristle having components with different oral care additives, and oral care implement comprising the same
JP2015207624A5 (enExample)
WO2015017146A3 (en) Antibodies with ultralong complementarity determining regions
JP2018108063A5 (enExample)
Wang et al. Reverse order laws for the Drazin inverses
JP2014071113A5 (enExample)
EP3408283A4 (en) COMPOSITION WITH SP1 AND CARBON BASED NANOPARTICLES AND USES THEREOF
JP2015521279A5 (enExample)
JP2013241986A5 (enExample)
EP3314667A4 (en) DOPING OF A SELF-ALIGNED AMPHOTER FINFET TIP WITH LOW INJURY
EP2985276A4 (en) Formulations based on nanoemulsions and the use thereof for treating obesity
Rodriguez Gut Bacteria May Exacerbate Depression
Stammer et al. Climate and ocean science builds for the future
Bird Unbeaten tracks in Japan; v. 1
McKEE The 2013 Asla Professional Awards
邹璆 Controversy over Summer Homework
Onyango The application of ordinary differential operators to the study of the classical orthogonal polynomials
CN302371956S (zh) 仪表板（w03 3）