JP2014078645A5 - - Google Patents

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得られたＴＦＴ素子の動作特性を、半導体パラメータアナライザを用いて調べた結果、ＴＦＴ素子としての動作特性が確認できた。また、このＴＦＴ素子は、ｏｎ／ｏｆｆ比が１０ ８ 以上、電界効果移動度が２２．５ｃｍ２／Ｖｓｅｃという良好な値を示すことが確認された。
その後、実施例２５と同様にして、チャネル長１００μｍ、チャネル幅４５０μｍのＴＦＴ素子を得た。このＴＦＴ素子の動作特性を、半導体パラメータアナライザを用いて調べた結果、ＴＦＴ素子としての動作特性が確認できた。また、このＴＦＴ素子は、ｏｎ／ｏｆｆ比が１０ ８ 以上、電界効果移動度が１８．７ｃｍ２／Ｖｓｅｃという良好な値を示すことが確認された。
Figure 2014078645
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