JP2014062891A - 高分子材料のシミュレーション方法 - Google Patents

高分子材料のシミュレーション方法 Download PDF

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Abstract

【課題】計算落ちを効果的に防ぐ。
【解決手段】フィラーと高分子材料との反応を、コンピュータ1を用いて評価するためのシミュレーション方法である。このシミュレーション方法では、コンピュータ1が、予め定めた仮想空間6に配置されたポリマーモデル2とフィラーモデル12とを用いて分子動力学計算を行うシミュレーション工程S7を含む。シミュレーション工程S7は、伸びきり長R0を定義しない第1結合ポテンシャルP1を、ポリマー粒子4、4間に設定して、分子動力学計算を行う第1計算工程S71と、第1計算工程S71の後に、伸びきり長R0以上の粒子間距離rijを許容しない第2結合ポテンシャルP2を、ポリマー粒子4、4間に設定して、分子動力学計算を行う第2計算工程S74とを含む。
【選択図】図8

Description

本発明は、計算落ちを効果的に防ぐことができる高分子材料のシミュレーション方法に関する。
ゴム等の高分子材料には、カーボンブラックやシリカといったフィラーが配合されている。これらのフィラーの分散性は、ゴムの強度に大きな影響を与えることが明らかになっている。
近年、ゴム配合の開発のために、フィラーと高分子材料との反応を、コンピュータを用いて評価するためのシミュレーション方法(数値計算)が種々提案されている。図12(a)に示されるように、この種のシミュレーション方法では、先ず、フィラーをモデル化したフィラーモデルaが設定される。次に、高分子材料を、複数のポリマー粒子b1でモデル化したポリマーモデルbが設定される。さらに、フィラーモデルaとポリマー粒子b1との間に、ポテンシャルf1が設定される。そして、予め定めた仮想空間に配置されたフィラーモデルaとポリマーモデルbとを用いて分子動力学計算が行われる。
また、ポリマーモデルbは、複数のポリマー粒子b1が、ボンドcで結合されている。このボンドcには、伸びきり長が定義された結合ポテンシャルf2が設定される。一般に、結合ポテンシャルf2は、伸びきり長以上の粒子間距離を許容させていない。これは、高分子材料の分子運動に基づくものである。関連する技術としては、次のものがある。
特開2006−64658号公報
上記のような結合ポテンシャルf2が設定されたボンドcでは、ポリマー粒子b1、b1の粒子間距離を伸びきり長以上に広げることができない。このため、図12(b)に示されるように、計算当初は、人為的に配置された隣接するポリマーモデルb、bが、ポリマー粒子b1、b1間で絡まりやすく、一旦絡まると解けにくい。このため、分子動力学計算において、ポリマーモデルb、b間で、非常に大きな力が作用し、解析開始当初に計算落ちが発生しやすいという問題があった。
本発明は、以上のような実状に鑑み案出されたもので、伸びきり長を定義しない第1結合ポテンシャルP1を、ポリマー粒子間に設定して、分子動力学計算を行う第1計算工程と、第1計算工程の後に、伸びきり長以上の粒子間距離を許容しない第2結合ポテンシャルP2を、ポリマー粒子間に設定して、分子動力学計算を行う第2計算工程とを含むことを基本として、計算落ちを効果的に防ぐことができる高分子材料のシミュレーション方法を提供することを主たる目的としている。
本発明のうち請求項1記載の発明は、フィラーと高分子材料との反応を、コンピュータを用いて評価するためのシミュレーション方法であって、前記コンピュータに、前記高分子材料を、複数のポリマー粒子と、該ポリマー粒子間を結合するボンドとでモデル化したポリマーモデルを設定する工程、前記コンピュータに、前記フィラーをモデル化したフィラーモデルを設定する工程、並びに、前記コンピュータが、予め定めた仮想空間に配置された前記ポリマーモデルと前記フィラーモデルとを用いて分子動力学計算を行うシミュレーション工程を含み、前記ボンドには、結合ポテンシャルPが設定され、前記結合ポテンシャルPは、伸びきり長を定義しない第1結合ポテンシャルP1と、前記伸びきり長以上の粒子間距離を許容しない第2結合ポテンシャルP2とを含み、前記シミュレーション工程は、前記第1結合ポテンシャルP1を、前記ポリマー粒子間に設定して、前記分子動力学計算を行う第1計算工程と、前記第1計算工程の後に、前記第2結合ポテンシャルP2を、前記ポリマー粒子間に設定して、前記分子動力学計算を行う第2計算工程とを含むことを特徴とする。
また、請求項2記載の発明は、前記仮想空間は、互いに向き合う一対の面を少なくとも含み、前記フィラーモデルは、前記仮想空間の前記面としてモデル化されている請求項1に記載の高分子材料のシミュレーション方法である。
また、請求項3記載の発明は、前記第1結合ポテンシャルP1は、下記式(1)で定義され、前記第2結合ポテンシャルP2は、下記式(2)で定義される斥力ポテンシャルRと、下記式(3)で定義される引力ポテンシャルGとの和で定義される請求項1又は2に記載の高分子材料のシミュレーション方法である。



ここで、各定数及び変数は次のとおりである。
r’:平衡長
k、k’:各粒子間のばね定数
ij:各粒子間距離
0:伸びきり長
ε:各粒子間に作用する斥力の強度に対応する定数
σ:各粒子間に斥力が作用する距離に関する定数
本発明の高分子材料のシミュレーション方法は、複数のポリマー粒子をボンドで結合させてモデル化したポリマーモデルを設定する工程、各ポリマー粒子間に、結合ポテンシャルPを設定する工程、及び、予め定めた仮想空間に配置されたフィラーモデルとポリマーモデルとを用いて分子動力学計算を行うシミュレーション工程が含まれる。
ポリマー粒子間の結合ポテンシャルPは、伸びきり長を定義しない第1結合ポテンシャルP1と、伸びきり長以上の粒子間距離を許容しない第2結合ポテンシャルP2とを含む。シミュレーション工程は、第1結合ポテンシャルP1を、ポリマー粒子間に設定して、分子動力学計算を行う第1計算工程と、第1計算工程の後に、第2結合ポテンシャルP2を、ポリマー粒子間に設定して、分子動力学計算を行う第2計算工程とを含む。
第1計算工程では、ポリマー粒子間の距離が伸びきり長に制限されないため、隣接するポリマーモデルがポリマー粒子間で絡まっても解けやすい。これにより、第1計算工程では、ポリマーモデルの絡まりによって作用する大きな力を抑制することができるため、計算落ちの発生を防ぐことができる。したがって、本発明のシミュレーション方法では、円滑に緩和計算することができる。
さらに、第2計算工程では、第1計算工程の後に、伸びきり長以上のポリマー粒子間距離を許容しないで、分子動力学計算が行われる。これにより、第2計算工程では、高分子材料の分子運動に近似させて、緩和計算することができるため、シミュレーション精度を維持することができる。
本実施形態のシミュレーション方法を実行するコンピュータ装置の斜視図である。 本実施形態のシミュレーション方法の処理手順の一例を示すフローチャートである。 ポリマーモデルの概念図である。 図3の部分拡大図である。 仮想空間の概念斜視図である。 フィラーモデルとポリマーモデルとの間の相互ポテンシャルを説明する概念図である。 複数のポリマーモデルが配置された仮想空間を示す概念図である。 シミュレーション工程の処理手順の一例を示すフローチャートである。 (a)、(b)は、第1計算工程のポリマーモデルを示す概念図である。 第1計算工程後の仮想空間を示す概念図である。 第2計算工程後の仮想空間の一部を示す概念図である。 (a)、(b)は、従来の高分子材料のシミュレーション方法を説明する概念図である。
以下、本発明の実施の一形態が図面に基づき説明される。
本実施形態の高分子材料のシミュレーション方法(以下、単に「シミュレーション方法」ということがある)は、フィラーと、高分子材料との反応を、コンピュータを用いて評価するためのものである。
フィラーとしては、例えば、カーボンブラック、シリカ、又は、アルミナ等が含まれる。また、高分子材料としては、例えば、ゴム、樹脂、又は、エラストマー等が含まれる。さらに、本実施形態の高分子材料には、フィラーに対する親和性を高める変性剤が配合される。この変性剤としては、例えば、水酸基、カルボニル基、又は、原子団の官能基等が含まれる。
図1に示されるように、前記コンピュータ1は、本体1a、キーボード1b、マウス1c及びディスプレイ装置1dを含む。この本体1aには、例えば、演算処理装置(CPU)、ROM、作業用メモリ、磁気ディスクなどの記憶装置、及び、ディスクドライブ装置1a1、1a2が設けられる。また、記憶装置には、本実施形態のシミュレーション方法を実行するための処理手順(プログラム)が予め記憶される。
図2には、本実施形態のシミュレーション方法の具体的な処理手順が示されている。図3に示されるように、このシミュレーション方法では、先ず、高分子材料をモデル化したポリマーモデル2が設定される(工程S1)。ポリマーモデル2は、複数のポリマー粒子4と、該ポリマー粒子4、4間を結合するボンド5とでモデル化される。
ポリマー粒子4は、一つのポリマーモデル2に対して、例えば、10〜5000個設けられる。また、図4に示されるように、ボンド5には、結合ポテンシャルPが設定される。
また、図3及び図4に示されるように、本実施形態のポリマーモデル2は、変性剤をモデル化した変性剤モデル7が含まれる。変性剤モデル7は、少なくとも一つ、本実施形態では1つの変性基粒子8でモデル化される。この変性基粒子8も、ポリマー粒子4にボンド5を介して結合されている。
このようなポリマーモデル2は、ポリマー粒子4、4間、及び、ポリマー粒子4と変性基粒子8との間の各粒子間距離rij(図4に示す)が、ボンド5によって安定して保持される直鎖状の三次元構造をなしている。また、ポリマーモデル2は、高分子材料を分子動力学で取り扱うための数値データ(ポリマー粒子4、及び、変性基粒子8の質量、体積、直径、並びに、初期座標などを含む)である。これらの数値データは、コンピュータ1に入力される。なお、粒子間距離rijは、各粒子の中心間の距離として定義される。
次に、結合ポテンシャルPが設定される(工程S2)。本実施形態の結合ポテンシャルPは、伸びきり長R0を定義しない第1結合ポテンシャルP1と、伸びきり長R0以上の粒子間距離rijを許容しない第2結合ポテンシャルP2とが含まれる。
第1結合ポテンシャルP1は、下記式(1)で定義される。

ここで、各定数及び変数は、次のとおりである。
ij:各粒子間距離
k:各粒子間のばね定数
r’:平衡長
上記式(1)で定義される第1結合ポテンシャルP1は、Harmonic型である。Harmonic型とは、いわゆる線形バネが定義され、平衡長r'からのずれの大きさに比例した復元力
が働くポテンシャルである。なお、平衡長r'は、各粒子の中心間の距離として定義される。
上記式(1)において、粒子間距離rijと平衡長r'とが等しい場合には、第1結合ポテンシャルP1が0となる。また、粒子間距離rijが、平衡長r'よりも大である場合は、該粒子間距離rijが大きくなるほど、第1結合ポテンシャルP1も大きくなる。一方、粒子間距離rijが、平衡長r'よりも小である場合は、該粒子間距離rijが小さくなるほど、第1結合ポテンシャルP1も大きくなる。このように、第1結合ポテンシャルP1では、粒子間距離rijを平衡長r'に戻そうとする復元力が定義される。
また、第1結合ポテンシャルP1は、後述する第2結合ポテンシャルP2とは異なり、粒子間距離rijの上限値が、伸びきり長R0に限定されない。従って、第1結合ポテンシャルP1(結合ポテンシャルP)は、伸びきり長R0以上の粒子間距離rijを許容することができる。
上記式(1)のばね定数k及び平衡長r'の各値は、適宜設定することができる。本実施形態では、第1結合ポテンシャルP1と第2結合ポテンシャルP2とが近似するように設定される。本実施形態では、例えば、ばね定数kが900、平衡長r'が0.9に設定される。
第2結合ポテンシャルP2は、下記式(2)で定義される斥力ポテンシャルRと、下記式3で定義される引力ポテンシャルGとの和で定義される。


ここで、各定数及び変数は、次に示すものを除いて、上記式(1)と同一である。また、下記の各定数は、Lennard-Jonesポテンシャルのパラメータである。
k’:各粒子間のばね定数
R0:伸びきり長
ε:各粒子間に定義される斥力ポテンシャルRの強度に対応する定数
σ:各粒子間に定義される斥力ポテンシャルRが作用する距離に関する定数(分子動力学の分野では、LJ球の直径と呼ばれる)
上記式(2)において、粒子間距離rijが小さいほど、斥力ポテンシャルRが大きくなる。一方、上記式(3)において、粒子間距離rijが大きいほど、引力ポテンシャルGが大きくなる。従って、第2結合ポテンシャルP2では、粒子間の距離rijを、斥力ポテンシャルRと引力ポテンシャルGとが互いに釣り合う位置に戻そうとする復元力が定義される。
また、上記式(3)では、粒子間距離rijが伸びきり長R0以上となる場合には、引力ポテンシャルGが∞に設定される。従って、第2結合ポテンシャルP2は、第1結合ポテンシャルP1とは異なり、伸びきり長R0以上の粒子間距離rijを許容しない。このような第2結合ポテンシャルP2は、第1結合ポテンシャルP1に比べて、高分子材料の分子運動に近似させることができる。
なお、引力ポテンシャルGのばね定数k’、伸びきり長R0、及び、斥力ポテンシャルRの強度εの値としては、適宜設定することができる。本実施形態では、論文(J. Chem Phys. vol.92, No.8, 5057(1990))に基づいて、ばね定数k’が30、伸びきり長R0が1.5、強度εが1.0、及び、定数σが1.0に設定されている。
次に、図3に示されるように、ポリマーモデル2、2間において、ポリマー粒子4、4間、変性基粒子8、8間及びポリマー粒子4と変性基粒子8との間に、斥力ポテンシャルRが設定される(工程S3)。本実施形態の斥力ポテンシャルRは、上記式(2)で定義される。また、斥力ポテンシャルRの強度ε及び定数σも、上記式(2)と同一が望ましい。
次に、図5に示されるように、予め定められた体積をもつ仮想空間6が設定される(工程S3)。仮想空間6は、互いに向き合う少なくとも一対の面11、11、本実施形態では、3対の面11、11を有する立方体として定義される。これらの各面11は、ポリマーモデル2(図3に示す)が通過不能に定義される。
また、一対の面11が直交する方向において、該一対の面11の間隔D1(即ち、1辺の長さL1)が、ポリマーモデル2の慣性半径(図示省略)の2倍以上、より好ましくは4倍以上に設定されるのが望ましい。これにより、後述する分子動力学計算において、ポリマーモデル2の仮想空間6内での回転運動をスムーズに計算することができる。また、仮想空間6の大きさは、上記論文に基づいて、粒子数密度が0.85個/σ3程度に設定される。
次に、フィラーをモデル化したフィラーモデル12が設定される(工程S4)。このフィラーモデル12は、本実施形態では、仮想空間6の上下に配された一対の面11、11でモデル化される。これにより、一対のフィラーモデル12、12は、仮想空間6において、移動不能に定義される。
次に、フィラーモデル12とポリマーモデル2との間に、相互ポテンシャルTが設定される(工程S5)。本実施形態の工程S5では、図6に示されるように、フィラーモデル12とポリマー粒子4との間、及び、フィラーモデル12と変性基粒子8との間に、引力、及び、斥力が作用する相互ポテンシャルTが設定される。相互ポテンシャルTは、例えば、下記式(4)で定義される。

ここで、各定数及び変数は次のとおりである。
ρwall:相互ポテンシャルTの壁面の密度に関する定数
εwall:相互ポテンシャルTの強度に対応する定数
σwall:仮想空間の面(フィラーモデル)に直交する方向の斥力長さに関する定数
r:フィラーモデルとポリマー粒子との間及びフィラーモデルと変性基粒子との間の距離
c:カットオフ距離
なお、フィラーモデル12と各粒子4、8との間の距離r及びカットオフ距離rcは、フィラーモデル12の面と、各粒子4、8の中心との間の最短距離で定義される。
上記式(4)で定義される相互ポテンシャルTは、上記式(2)で定義される斥力ポテンシャルRを、フィラーモデル12の面11で積分したものである。
また、上記式(4)において、前記距離rが、予め定められたカットオフ距離rc以上となる場合は、相互ポテンシャルTは作用しない。さらに、距離rが相互ポテンシャルの定数σwall×21/6未満になると、相互ポテンシャルTは、フィラーモデル12と各粒子4、8との間に斥力のみを生じさせる。一方、距離rが相互ポテンシャルの定数σwall×21/6を超えると、相互ポテンシャルTは、フィラーモデル12と各粒子4、8との間に引力を生じさせることができる。このように、上記式(4)では、フィラーモデル12と各粒子4、8との間に、引力及び斥力を定義することができる。
また、本実施形態の相互ポテンシャルTは、下記の相互ポテンシャルT1、T2に区分される。
フィラーモデル12−ポリマー粒子4:相互ポテンシャルT1
フィラーモデル12−変性基粒子8 :相互ポテンシャルT2
各相互ポテンシャルT1、T2の定数ρwall、定数σwall、強度εwall、カットオフ距離rcの各値としては、適宜設定することができる。本実施形態では、上記論文に基づいて、次の値が設定される。
相互ポテンシャルT1:
ρwall=σwall=1.0
εwall=1
c=1.12
相互ポテンシャルT2:
ρwall=σwall=1.0
εwall=5
c=2.5
上記のように、本実施形態では、相互ポテンシャルT2の強度εwall(=5)が、相互ポテンシャルT1の強度εwall(=1)よりも大に設定される。これにより、変性基粒子8のフィラーモデル12に対する力の強度が、ポリマー粒子4のフィラーモデル12に対する力の強度よりも大に設定される。
また、本実施形態では、相互ポテンシャルT2のカットオフ距離rcが2.5に設定されるため、フィラーモデル12及び変性基粒子8間において、距離rが21/6(≒1.12)から2.5未満の広範囲に亘り、引力を作用させることができる。一方、相互ポテンシャルT1は、カットオフ距離rcが1.12に設定されるため、フィラーモデル12及びポリマー粒子4において、斥力のみを作用させることができる。従って、変性基粒子8は、ポリマー粒子4に比べて、引力が優先的に作用する。
このように、各相互ポテンシャルT1、T2は、強度εwall及びカットオフ距離rcが上記の範囲に設定されることにより、変性基粒子8のフィラーモデル12に対する親和性を、ポリマー粒子4のフィラーモデル12に対する親和性よりも高くすることができる。
次に、図7に示されるように、仮想空間6の中に、複数のポリマーモデル2が配置される(工程S6)。本実施形態では、仮想空間6に、200〜400本程度のポリマーモデル2が、フィラーモデル12を構成する一対の各面11、11に凝集して配置されている。
次に、フィラーモデル12と、ポリマーモデル2とを用いて分子動力学計算による緩和計算が行なわれる(シミュレーション工程S7)。
本実施形態の分子動力学計算では、例えば、仮想空間6について所定の時間、ポリマーモデル2が古典力学に従うものとして、ニュートンの運動方程式が適用される。そして、各時刻でのポリマー粒子4、及び、変性基粒子8の動きが、単位時間毎に追跡される。また、仮想空間6内の粒子、体積及び温度は、夫々一定に保たれる。
本実施形態のシミュレーション工程S7では、仮想空間6において、フィラーモデル12を一対の面11に固定させた状態で、ポリマーモデル2のみを対象に緩和計算が行われる。従って、本実施形態では、フィラーモデル、及び、ポリマーモデルの双方を対象に緩和計算が行なわれていた従来の方法に比べて、計算時間を短縮しうる。
また、フィラーモデル12は、面11全体において、該面11と直角に交わる方向に、各相互ポテンシャルT1、T2(図6に示す)を作用させることができる。これにより、フィラーモデル12は、ポリマーモデル2に対して、同一方向の相互ポテンシャルT1、T2を面11全体で作用させることができるため、ポリマーモデル2の緩和計算を効率的に行うことができる。
図8には、本実施形態のシミュレーション工程S7の具体的な処理手順が示されている。
本実施形態のシミュレーション工程S7は、先ず、ポリマー粒子4、4間、及び、ポリマー粒子4と変性基粒子8との間に、第1結合ポテンシャルP1を設定して、分子動力学計算が行われる(第1計算工程S71)。
図7に示したように、ポリマーモデル2がフィラーモデル12側に凝集して配置される計算当初は、図9(a)に示されるように、隣接するポリマーモデル2、2がポリマー粒子4、4間で絡まりやすい。第1計算工程S71では、伸びきり長R0以上の粒子間距離rijを許容して分子動力学計算されるため、図9(b)に示されるように、粒子4、4間の距離を広げることができる。このため、隣接するポリマーモデル2が粒子間で絡まっても解けやすい。
このように、第1計算工程S71では、ポリマーモデル2、2同士の絡まりによって作用する大きな力を抑制することができるため、計算落ちの発生を防ぐことができる。従って、本実施形態のシミュレーション方法では、図10に示されるように、ポリマーモデル2を円滑に緩和することができる。
また、第1計算工程S71では、分子動力学計算の単位ステップ当たりの時間刻みを、上記論文に基づく時間刻みよりも小さくするのが望ましい。これにより、単位ステップ毎の各粒子4、8の移動量を小さくすることができるため、ポリマーモデル2、2同士の絡まりによって作用する力が、急激に増大するのを抑制することができる。従って、計算落ちの発生を、効果的に防ぐことができる。
このような作用を効果的に発揮させるために、単位ステップ当たりの時間刻みを、上記論文の時間刻みの1/5〜1/20に設定されるのが望ましい。なお、単位ステップ当たりの時間刻みが、上記論文の時間刻みの1/5を超えると、上記のような作用を十分に発揮できないおそれがある。逆に、単位ステップ当たりの時間刻みが、上記論文に基づく時間刻みの1/20未満になると、計算コストが増大するおそれがある。なお、論文に基づく時間刻みが0.006τであるのに対して、本実施形態の時間刻みが0.0006τ(論文の1/10)に設定されている。
次に、図8に示されるように、本実施形態では、第1結合ポテンシャルP1の経時変化が単調増加、又は、単調減少しなくなったかが判断される(工程S72)。緩和した状態(定常状態)では、第1結合ポテンシャルP1が一定の範囲に収束する。従って、第1結合ポテンシャルP1の経時変化が単調増加、又は、単調減少しなくなった場合、緩和した状態(定常状態)になったと判断することができる。本実施形態では、例えば、10ステップ毎に結合ポテンシャルP1の平均値を計算し、この平均値に基づいて、第1結合ポテンシャルP1の単調増加、又は、単調減少が判断される。
この工程S72では、第1結合ポテンシャルP1の経時変化が単調増加、又は、単調減少していると判断された場合、単位ステップを進めて(工程S73)、第1計算工程S71が再度実行される。一方、第1結合ポテンシャルP1の経時変化が単調増加、又は、単調減少しなくなったと判断された場合には、次の第2計算工程S74が行われる。
次に、第2結合ポテンシャルP2を、ポリマー粒子4間に設定して、分子動力学計算が行われる(第2計算工程S74)。このような第2計算工程S74では、高分子材料の分子運動に近似させて、緩和計算することができるため、シミュレーション精度を向上することができる。
しかも、第2計算工程S74に先立ち、第1計算工程S71において、ポリマーモデル2、2同士の絡みが解かれて、ポリマーモデル2が効率よく緩和される。これにより、ポリマー粒子4、及び、変性基粒子8が、各相互ポテンシャルT1、T2を作用させて効果的に緩和計算されるため、図11に拡大して示されるように、該変性基粒子8のフィラーモデル12に対する近づきやすさ、即ち親和性を正確に評価することができる。
次に、第2計算工程S74の処理が、所定のステップ数に達したか否かが判断される(工程S75)。この工程S75では、コンピュータ1が、所定のステップ数に達していないと判断した場合には、単位ステップを進めて(工程S76)、第2計算工程S74が再度実行される。一方、所定のステップ数に達したと判断した場合には、次の評価工程S8が行われる。
次に、シミュレーション工程S7の結果から、ポリマーモデル2の緩和状態が評価される(評価工程S8)。本実施形態の評価工程S8では、変性基粒子8のフィラーモデル12に対する親和性が評価される。この評価工程S8において、緩和状態が良好であると判断された場合、本実施形態のシミュレーション方法による一連の処理が終了する。一方、緩和状態が良好でないと判断された場合、例えば、ポリマーモデル2やフィラーモデル12の設定条件が変更され(工程S9)、工程S1〜S7が行われる。これにより、ポリマーモデル2を確実に緩和させる条件等を、的確に解析することができる。
以上、本発明の特に好ましい実施形態について詳述したが、本発明は図示の実施形態に限定されることなく、種々の態様に変形して実施しうる。
図2及び図8に示す手順に従って、第1結合ポテンシャルP1をポリマー粒子間に設定して分子動力学計算を行う第1計算工程と、第1計算工程の後に、第2結合ポテンシャルP2をポリマー粒子間に設定して分子動力学計算を行う第2計算工程とを含むシミュレーション工程が実施された(実施例1、2)。なお、実施例2は、実施例1よりも、単位ステップ当たりの時間刻みを小さくしている。
また、比較のために、第2結合ポテンシャルP2のみをポリマー粒子間に設定して、分子動力学計算を行うシミュレーション工程が実施された(比較例)。
そして、実施例1、2、及び、比較例において、計算落ちすることなく緩和計算が終了するかが確認された。さらに、緩和計算の開始から終了までの合計計算時間が測定され、実施例1を100とする指数で表示した。数値が小さい程、合計計算時間が少なく良好である。
なお、実施例1、2、及び、比較例において、第1結合ポテンシャルP1、第2結合ポテンシャルP2、斥力ポテンシャルR、及び、相互ポテンシャルTの各パラメータは、明細書中の記載通りであり、共通仕様は次のとおりである。
ポリマーモデル:
合計本数:30本
ポリマーモデル1本当たりのポリマー粒子の個数:1000個
ポリマーモデル1本当たりの変性基粒子の個数:1個
テストの結果を表1に示す。
テストの結果、実施例1、2では、計算落ちが発生することなく緩和計算が終了することが確認できた。一方、比較例では、計算落ちが頻発した。このため、比較例では、計算落ちが発生する度に、オペレータの操作が必要となった。従って、実施例1、2の合計計算時間は、比較例の合計計算時間よりも大幅に減少することが確認できた。
2 ポリマーモデル
4 ポリマー粒子
12 フィラーモデル
P1 第1結合ポテンシャル
P2 第2結合ポテンシャル

Claims (3)

  1. フィラーと高分子材料との反応を、コンピュータを用いて評価するためのシミュレーション方法であって、
    前記コンピュータに、前記高分子材料を、複数のポリマー粒子と、該ポリマー粒子間を結合するボンドとでモデル化したポリマーモデルを設定する工程、
    前記コンピュータに、前記フィラーをモデル化したフィラーモデルを設定する工程、並びに、
    前記コンピュータが、予め定めた仮想空間に配置された前記ポリマーモデルと前記フィラーモデルとを用いて分子動力学計算を行うシミュレーション工程を含み、
    前記ボンドには、結合ポテンシャルPが設定され、
    前記結合ポテンシャルPは、伸びきり長を定義しない第1結合ポテンシャルP1と、前記伸びきり長以上の粒子間距離を許容しない第2結合ポテンシャルP2とを含み、
    前記シミュレーション工程は、前記第1結合ポテンシャルP1を、前記ポリマー粒子間に設定して、前記分子動力学計算を行う第1計算工程と、
    前記第1計算工程の後に、前記第2結合ポテンシャルP2を、前記ポリマー粒子間に設定して、前記分子動力学計算を行う第2計算工程とを含むことを特徴とする高分子材料のシミュレーション方法。
  2. 前記仮想空間は、互いに向き合う一対の面を少なくとも含み、
    前記フィラーモデルは、前記仮想空間の前記面としてモデル化されている請求項1に記載の高分子材料のシミュレーション方法。
  3. 前記第1結合ポテンシャルP1は、下記式(1)で定義され、
    前記第2結合ポテンシャルP2は、下記式(2)で定義される斥力ポテンシャルRと、下記式(3)で定義される引力ポテンシャルGとの和で定義される請求項1又は2に記載の高分子材料のシミュレーション方法。



    ここで、各定数及び変数は次のとおりである。
    r':平衡長
    k、k':各粒子間のばね定数
    ij:各粒子間距離
    0:伸びきり長
    ε:各粒子間に作用する斥力の強度に対応する定数
    σ:各粒子間に斥力が作用する距離に関する定数
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