JP2013541219A - 書込み可能な磁気エレメント - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1d
Description
・ 操作されるべき層53上へ放射される場を限定するように合成反強磁性を画定する積層体、例えば、非磁性金属材料の極く薄い層、典型的には0.3nmのルテニウム(Ru)、により強磁性層58から分離される強磁性層を備える積層体であって、2つの強磁性層の磁化の値は、ルテニウム層の存在に起因する両者間の反強磁性結合によって結果的にこれらの3層が層53上へ放射する合計場がゼロまたは実質上ゼロになるように、可能な限り互いに近い。
・ あるいは、この所謂「基準」層58を安定させるために、交換により層58と結合される反強磁性磁性体。
・ あるいは、電気接触するための非磁性導電材料。
・ または、事実上、これらの様々な可能性の組み合わせであって、例えば、その磁化を2材料間の結合により安定させるような、強磁性体に隣接する反強磁性体。強磁性体は、これらの2つの強磁性層間の磁気結合が反強磁性であるように、金属薄層、典型的には0.3nmのRu、によって層58から分離されている。最後に、第1の磁性体は、1つまたは複数の非磁性導電層で覆われ、例えば、5nmのTaが7nmのRuで覆われる。このような組み合わせの例は、例えば、B.Dieny、他によりInt.J.Nanotechnology、第7巻、591号(2010年)において記述されているような、STT反転に使用される磁気積層体に見出すことができる。
対称動作:
トランジスタ103aへ接続されるトラックは、電位Vddへ(または、接地へ)接続され、一方で、105においてトラック102の端へ接続される他のトラックは、接地へ(またはVddへ)接続される。この構造は、次の構造よりも大きい電流が発生されることを有効化する。
非対称動作:
105においてトラック102の端へ接続される導電トラックは、中間電位へ、例えばVdd/2へ接続され、一方で、トランジスタ103aへ接続されるトラックは、所望される電流方向に依存して各々電位Vddへ、または接地へ取り込まれる。この構造は、より少ない電流が発生されることを有効化する。本発明によるこの構造では、書込み電流は、従来技術で使用される面積より遙かに小さい面積へ送出されてもよく、かつ前記電流は、デバイスを動作させるに足るものである。この実施形態では、動作が消費する電力は低減する。
Claims (18)
- 書込み磁気層を呈する層の積層体を備える書込み可能な磁気エレメントであって、
前記エレメントは、前記積層体が、中心層(13、53、100)の平面に対して平行である磁化方向を有する磁化を呈する少なくとも1つの磁性体による中心層(13、53、100)を有し、前記層は非磁性体による第1および第2の外層(12、52、101;14、54、102)の間に挟まれ、前記第1の外層(12、52、101)は第1の非磁性体を備え、かつ前記第2の外層(14、54、102)は、前記第1の非磁性体とは異なる第2の非磁性体を備え、少なくとも前記第2の非磁性体は導電性であることと、前記エレメントは、前記中心層(13、53、100)内に有効磁場を発生する目的で、書込み電流に、前記第2の外層(14、54、102)および前記中心層(13、53、100)を前記中心層(13、53、100)の前記平面に対して平行な電流の流れ方向へ前記磁化方向に対して90゜±60゜の範囲内の、具体的には90゜±30゜、かつより具体的には90゜±15゜の範囲内の角度αで通過させるためのデバイスを含み、前記電流は、前記磁化方向を第1の磁化方向または前記第1の磁化方向とは反対である第2の磁化方向へ方向づけるために、第1の方向または前記第1の方向とは反対である第2の方向の何れかへ印加されることを特徴とする書込み可能な磁気エレメント。 - 前記書込み電流方向は、前記磁化方向に対して垂直であることを特徴とする、請求項1に記載の磁気エレメント。
- 前記中心層(13、53、100)は、0.1nmから5nmまでの範囲内、好ましくは3nm以下の厚さを有することを特徴とする、請求項1から請求項2までの何れかに記載の磁気エレメント。
- 前記中心層(13、53、100)は、前記積層体内に平面磁気異方性を呈する、具体的にはCo、Ni、Fe、CoxFey、NixFey、CoxNiyである金属または金属合金を含むことを特徴とする、請求項1から請求項3までの任意の請求項に記載の磁気エレメント。
- 少なくとも一方の外層は導電性であって、Pt、W、Ir、Ru、Pd、Cu、Au、Ag、Bi等の非磁性金属製、または前記金属の合金製であり、または事実上、高ドープ半導体材料製であることを特徴とする、請求項1から請求項4までの任意の請求項に記載の磁気エレメント。
- 前記導電外層の厚さは、0.5nmから100nmまでの範囲内、より具体的には1nmから10nmまでの範囲内であり、好ましくは5nm以下であることを特徴とする、請求項5に記載の磁気エレメント。
- 双方の外層は導電性であり、かつ前記非磁性合金または非磁性体のうちの異なる2つの材料で製造されることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の磁気エレメント。
- 前記第1の外層は非導電性であり、かつ具体的には、SiOx、AlOx、MgOx、TiOx、TaOx、ZnO、HfOx等の誘電酸化物、またはSiNx、Bnx等の誘電窒化物で製造されることを特徴とする、請求項1から請求項6までの任意の請求項に記載の磁気エレメント。
- 前記第1の外層は、真性または軽くドープされている、0.1Ω・cmより大きい、かつ好ましくは1Ω・cmより大きい抵抗率を呈する、Si、GeまたはGaAs等の半導体であることを特徴とする、請求項1から請求項6までの任意の請求項に記載の磁気エレメント。
- 前記誘電的に非導電性である第1の外層の厚さは、0.5nmから200nmまでの範囲内、より具体的には0.5nmから100nmまでの範囲内であり、好ましくは3nm未満であることを特徴とする、請求項8または請求項9に記載の磁気エレメント。
- 前記書込み電流は、104A/cm2から109A/cm2までの範囲内、好ましくは105A/cm2から108A/cm2までの範囲内の電流密度を呈することを特徴とする、請求項1から請求項10までの任意の請求項に記載の磁気エレメント。
- 前記第1の外層(52)は、磁性体製の読取り層(58)によって、かつ読取り電極(59)によって覆われることを特徴とする、請求項1から請求項11までの任意の請求項に記載の磁気エレメント。
- 前記第1の外層(52)は非磁性金属で製造されることと、前記第1の外層(52)は、前記中心層(53)、前記読取り層(58)および前記電極(59)と共働してスピンバルブを形成することと、前記第1の外層(52)の厚さは、0.5nmから10nmまでの範囲内、かつ好ましくは0.5nmから5nmまでの範囲内であることを特徴とする、請求項12に記載の磁気エレメント。
- 前記第1の外層(52)は非導電性であることと、前記第1の外層(52)は、前記中心層(53)、前記読取り層(58)および前記読取り電極(59)と共働して磁気トンネル接合部を形成することと、前記第1の外層(12、52、101)の厚さは、0.5nmから5nmまでの範囲内、かつ好ましくは3nm未満であることを特徴とする、請求項12に記載の磁気エレメント。
- 少なくとも前記第1の外層(54、102)および前記中心層(53、100)はスタッドを形成することを特徴とする、請求項1から請求項14までの任意の請求項に記載の磁気エレメント。
- 前記第2の外層(54、102)は、前記スタッドの一部を形成する余分な厚さの領域(54’、102’)を含むことを特徴とする、請求項15に記載の磁気エレメント。
- 請求項15または請求項16に記載の複数のスタッドを備えることと、前記第2の外層は、前記複数のスタッドに共通するトラック(54、102)を含むことを特徴とする書込み可能な磁気デバイス。
- 前記第1の外層(52、101)と、前記中心層(53、100)と、前記第2の外層を構成する余分な厚さの領域(54’、102’)とが請求項16に記載のスタッドを形成することと、前記書込み可能な磁気デバイスは、前記電流を前記スタッドの各々の前記第2の外層(54’、102’)および前記中心層(53、100)を介して注入するために、複数の前記スタッドを、前記スタッドの第2の外層(54’、102’)の境を成す導電トラック(54、102)と共に含み、前記第2の外層は、前記導電トラック(54、102)の材料とは異なる導電材料で製造されることを特徴とする書込み可能な磁気デバイス。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP5486731B2 (ja) * | 2011-03-22 | 2014-05-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 磁気メモリ |
KR20170040334A (ko) | 2014-08-08 | 2017-04-12 | 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 | 자기 저항 효과 소자 및 자기 메모리 장치 |
JPWO2019159885A1 (ja) * | 2018-02-19 | 2020-02-27 | Tdk株式会社 | スピン素子及び磁気メモリ |
US10622550B2 (en) | 2015-03-31 | 2020-04-14 | Tohoku University | Magnetoresistance effect element including a recording layer with perpendicular anisotropy and a bias layer comprised of an antiferromagnetic material, magnetic memory device, manufacturing method, operation method, and integrated circuit |
KR20200099583A (ko) | 2018-01-10 | 2020-08-24 | 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 | 자기 저항 효과 소자 및 자기 메모리 |
US11557719B2 (en) | 2018-02-06 | 2023-01-17 | Tohoku University | Magnetoresistance effect element, circuit device, and circuit unit |
US11563169B2 (en) | 2015-11-18 | 2023-01-24 | Tohoku University | Magnetic tunnel junction element and magnetic memory |
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Families Citing this family (29)
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FR2976712B1 (fr) | 2011-06-15 | 2014-01-31 | Centre Nat Rech Scient | Element de memoire non-volatile |
CN104704564B (zh) | 2012-08-06 | 2017-05-31 | 康奈尔大学 | 磁性纳米结构中基于自旋霍尔扭矩效应的电栅控式三端子电路及装置 |
US9076537B2 (en) * | 2012-08-26 | 2015-07-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and system for providing a magnetic tunneling junction using spin-orbit interaction based switching and memories utilizing the magnetic tunneling junction |
US9429633B2 (en) | 2013-02-11 | 2016-08-30 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic sensor utilizing rashba effect in a two-dimensional conductor |
US9076541B2 (en) * | 2013-03-14 | 2015-07-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Architecture for magnetic memories including magnetic tunneling junctions using spin-orbit interaction based switching |
FR3004576B1 (fr) | 2013-04-15 | 2019-11-29 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Cellule memoire avec memorisation de donnees non volatile |
FR3004577A1 (ja) | 2013-04-15 | 2014-10-17 | Commissariat Energie Atomique | |
CN103323796B (zh) * | 2013-06-21 | 2015-07-29 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 一种以石墨烯作为势垒层的mtj磁场传感器 |
FR3008219B1 (fr) | 2013-07-05 | 2016-12-09 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif a memoire non volatile |
FR3009421B1 (fr) * | 2013-07-30 | 2017-02-24 | Commissariat Energie Atomique | Cellule memoire non volatile |
US9076954B2 (en) * | 2013-08-08 | 2015-07-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and system for providing magnetic memories switchable using spin accumulation and selectable using magnetoelectric devices |
US10008248B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-06-26 | Cornell University | Circuits and devices based on enhanced spin hall effect for efficient spin transfer torque |
FR3031622B1 (fr) * | 2015-01-14 | 2018-02-16 | Centre National De La Recherche Scientifique | Point memoire magnetique |
US9589619B2 (en) | 2015-02-09 | 2017-03-07 | Qualcomm Incorporated | Spin-orbit-torque magnetoresistive random access memory with voltage-controlled anisotropy |
RU2585404C1 (ru) * | 2015-04-09 | 2016-05-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ) | Графеновый спиновый фильтр |
US10573363B2 (en) | 2015-12-02 | 2020-02-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for performing self-referenced read in a magnetoresistive random access memory |
JP6270934B2 (ja) * | 2015-12-14 | 2018-01-31 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ |
US10833249B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-11-10 | Centre National De La Recherche Scientifique | Magnetic memory cell of current programming type |
RU2677564C1 (ru) * | 2017-11-01 | 2019-01-17 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ) | Устройство записи информации для магниторезистивной оперативной памяти |
RU179295U1 (ru) * | 2017-11-02 | 2018-05-07 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ) | Быстродействующее графеновое записывающее устройство магниторезистивной памяти |
JP6553224B1 (ja) | 2018-03-07 | 2019-07-31 | 株式会社東芝 | 磁気記憶装置 |
US11917925B2 (en) * | 2020-01-23 | 2024-02-27 | Everspin Technologies, Inc. | Magnetoresistive devices and methods therefor |
EP3945609A1 (en) | 2020-07-31 | 2022-02-02 | Antaios | Magneto resistive memory device |
EP4016530A1 (en) | 2020-12-16 | 2022-06-22 | Antaios | Magneto resistive memory device with thermally assisted operations |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10163545A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 |
WO2004040651A1 (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-13 | Nec Corporation | 磁気ランダムアクセスメモリ、及びその製造方法 |
WO2008099626A1 (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-21 | Nec Corporation | 磁気抵抗効果素子、および磁気ランダムアクセスメモリ |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2675951B1 (fr) * | 1991-04-23 | 1997-08-29 | Thomson Csf | Structure de jonction josephson. |
FR2685489B1 (fr) * | 1991-12-23 | 1994-08-05 | Thomson Csf | Capteur de champ magnetique faible a effet magnetoresistif. |
FR2750769B1 (fr) * | 1996-07-05 | 1998-11-13 | Thomson Csf | Capteur de champ magnetique en couche mince |
FR2771511B1 (fr) * | 1997-11-25 | 2000-02-04 | Thomson Csf | Capteur de champ magnetique et procede de fabrication de ce capteur |
FR2787197B1 (fr) * | 1998-12-11 | 2001-02-23 | Thomson Csf | Capteur de champ magnetique a magnetoresistance geante |
RU2279147C2 (ru) * | 1999-06-10 | 2006-06-27 | Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн | Способ сверхбыстрого перемагничивания |
US6317359B1 (en) * | 1999-07-07 | 2001-11-13 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Non-volatile magnetic circuit |
US6269018B1 (en) * | 2000-04-13 | 2001-07-31 | International Business Machines Corporation | Magnetic random access memory using current through MTJ write mechanism |
TWI222630B (en) * | 2001-04-24 | 2004-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetoresistive element and magnetoresistive memory device using the same |
US6576969B2 (en) * | 2001-09-25 | 2003-06-10 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Magneto-resistive device having soft reference layer |
JP4477305B2 (ja) * | 2002-07-25 | 2010-06-09 | 独立行政法人科学技術振興機構 | スピントランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ |
CN101202302B (zh) * | 2002-07-25 | 2012-08-15 | 科学技术振兴机构 | 基于自旋滤波器效应的自旋晶体管和利用自旋晶体管的非易失存储器 |
FR2852400B1 (fr) * | 2003-03-14 | 2005-06-24 | Capteur magnetoresistif comprenant un element sensible ferromagnetique/antiferromagnetique | |
FR2852399B1 (fr) * | 2003-03-14 | 2005-07-15 | Roulements Soc Nouvelle | Capteur magnetoriesistif comprenant un element sensible ferromagnetique/antiferromagnetique |
EP1610386A4 (en) * | 2003-03-31 | 2009-04-01 | Japan Science & Tech Agency | TUNNEL TRANSISTOR WITH SPIN-DEPENDENT TRANSFER CHARACTERISTICS AND NON-VOLATILE MEMORY THEREOF |
US7009877B1 (en) * | 2003-11-14 | 2006-03-07 | Grandis, Inc. | Three-terminal magnetostatically coupled spin transfer-based MRAM cell |
JP2007531178A (ja) * | 2004-04-02 | 2007-11-01 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗ヘッド用安定化器及び製造方法 |
JP2007531177A (ja) * | 2004-04-02 | 2007-11-01 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗ヘッドを安定化させる合成フリー層 |
JP2007531182A (ja) * | 2004-04-02 | 2007-11-01 | Tdk株式会社 | 膜面垂直通電モード磁気抵抗ヘッド用安定化器とその製造方法 |
FR2870978B1 (fr) * | 2004-05-28 | 2007-02-02 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'enregistrement a barriere thermique poreuse |
JP2007110011A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドのウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、磁気メモリ素子、および磁気センサアセンブリ |
JP2007329157A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、基体、ウェハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、および磁気抵抗効果素子の製造方法 |
JP4384137B2 (ja) * | 2006-06-14 | 2009-12-16 | Tdk株式会社 | Cpp−gmrヘッド用の磁界検出素子の製造方法、cpp−gmrヘッド用の磁界検出素子、積層体、ウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、およびハードディスク装置 |
US8036070B2 (en) * | 2007-11-14 | 2011-10-11 | Centre National De La Recherche Scientifique | Magnetic recording device, especially for a hard disk and its manufacturing process |
US20090128965A1 (en) * | 2007-11-15 | 2009-05-21 | Tomohito Mizuno | Cpp magneto-resistive element provided with a pair of magnetic layers and nicr buffer layer |
US8310792B2 (en) * | 2007-11-15 | 2012-11-13 | Tdk Corporation | Magneto-resistive element for a magneto-resistive device and method of manufacturing thereof |
US7577021B2 (en) * | 2007-11-21 | 2009-08-18 | Magic Technologies, Inc. | Spin transfer MRAM device with separated CPP assisted writing |
US20090213502A1 (en) * | 2008-02-25 | 2009-08-27 | Daisuke Miyauchi | Magneto-resistance effect element having stack with dual free layer and a plurality of bias magnetic layers |
US7826258B2 (en) * | 2008-03-24 | 2010-11-02 | Carnegie Mellon University | Crossbar diode-switched magnetoresistive random access memory system |
US7935435B2 (en) * | 2008-08-08 | 2011-05-03 | Seagate Technology Llc | Magnetic memory cell construction |
US7940600B2 (en) * | 2008-12-02 | 2011-05-10 | Seagate Technology Llc | Non-volatile memory with stray magnetic field compensation |
US8310791B2 (en) * | 2009-03-13 | 2012-11-13 | Tdk Corporation | Magnetoresistive effect element and magnetic disk device |
US7936598B2 (en) * | 2009-04-28 | 2011-05-03 | Seagate Technology | Magnetic stack having assist layer |
US8182705B2 (en) * | 2009-10-30 | 2012-05-22 | Tdk Corporation | Method for producing thin film magnetic head having magnetoresistive effect element |
FR2963153B1 (fr) * | 2010-07-26 | 2013-04-26 | Centre Nat Rech Scient | Element magnetique inscriptible |
FR2963152B1 (fr) * | 2010-07-26 | 2013-03-29 | Centre Nat Rech Scient | Element de memoire magnetique |
FR2966636B1 (fr) * | 2010-10-26 | 2012-12-14 | Centre Nat Rech Scient | Element magnetique inscriptible |
-
2010
- 2010-10-26 FR FR1004198A patent/FR2966636B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-03 US US12/959,980 patent/US8384171B2/en active Active
-
2011
- 2011-10-11 RU RU2013124061/08A patent/RU2595588C2/ru active
- 2011-10-11 KR KR1020137013507A patent/KR101985695B1/ko active IP Right Grant
- 2011-10-11 EP EP11810646.7A patent/EP2633525B1/fr active Active
- 2011-10-11 CN CN201180062906.0A patent/CN103380462B/zh active Active
- 2011-10-11 WO PCT/IB2011/054480 patent/WO2012056348A1/fr active Application Filing
- 2011-10-11 JP JP2013535538A patent/JP2013541219A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10163545A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 |
WO2004040651A1 (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-13 | Nec Corporation | 磁気ランダムアクセスメモリ、及びその製造方法 |
JP2004153070A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Nec Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ,及びその製造方法 |
US20050002229A1 (en) * | 2002-10-31 | 2005-01-06 | Hisao Matsutera | Magnetic random access memory, and production method therefor |
WO2008099626A1 (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-21 | Nec Corporation | 磁気抵抗効果素子、および磁気ランダムアクセスメモリ |
US20100091555A1 (en) * | 2007-02-13 | 2010-04-15 | Shunsuke Fukami | Magnetoresistive effect element and magnetic random access memory |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5486731B2 (ja) * | 2011-03-22 | 2014-05-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 磁気メモリ |
US9082497B2 (en) | 2011-03-22 | 2015-07-14 | Renesas Electronics Corporation | Magnetic memory using spin orbit interaction |
US9508923B2 (en) | 2011-03-22 | 2016-11-29 | Renesas Electronics Corporation | Magnetic memory using spin orbit interaction |
KR20170040334A (ko) | 2014-08-08 | 2017-04-12 | 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 | 자기 저항 효과 소자 및 자기 메모리 장치 |
US9941468B2 (en) | 2014-08-08 | 2018-04-10 | Tohoku University | Magnetoresistance effect element and magnetic memory device |
US10622550B2 (en) | 2015-03-31 | 2020-04-14 | Tohoku University | Magnetoresistance effect element including a recording layer with perpendicular anisotropy and a bias layer comprised of an antiferromagnetic material, magnetic memory device, manufacturing method, operation method, and integrated circuit |
US11563169B2 (en) | 2015-11-18 | 2023-01-24 | Tohoku University | Magnetic tunnel junction element and magnetic memory |
KR20200099583A (ko) | 2018-01-10 | 2020-08-24 | 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 | 자기 저항 효과 소자 및 자기 메모리 |
US11690299B2 (en) | 2018-01-10 | 2023-06-27 | Tohoku University | Magnetoresistance effect element and magnetic memory |
US11557719B2 (en) | 2018-02-06 | 2023-01-17 | Tohoku University | Magnetoresistance effect element, circuit device, and circuit unit |
US11631804B2 (en) | 2018-02-13 | 2023-04-18 | Tohoku University | Magnetoresistive effect element and magnetic memory |
JPWO2019159885A1 (ja) * | 2018-02-19 | 2020-02-27 | Tdk株式会社 | スピン素子及び磁気メモリ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103380462B (zh) | 2017-04-12 |
RU2013124061A (ru) | 2014-12-10 |
US20120098077A1 (en) | 2012-04-26 |
EP2633525B1 (fr) | 2015-08-19 |
FR2966636A1 (fr) | 2012-04-27 |
EP2633525A1 (fr) | 2013-09-04 |
US8384171B2 (en) | 2013-02-26 |
CN103380462A (zh) | 2013-10-30 |
FR2966636B1 (fr) | 2012-12-14 |
KR20140051104A (ko) | 2014-04-30 |
KR101985695B1 (ko) | 2019-09-03 |
WO2012056348A1 (fr) | 2012-05-03 |
RU2595588C2 (ru) | 2016-08-27 |
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