JP2013534050A - ナノワイヤledの構造体およびそれを製作する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
第2の導電型(例えばp型)領域および第1の導電型(例えば、ナノワイヤの基部に延在するn型)領域を備える半導体ナノワイヤの配列を用意するステップと、
非活性領域のナノワイヤを完全に覆い、LED領域のナノワイヤを部分的に覆って、LED領域のナノワイヤの上部は露出させたまま、犠牲層を堆積するステップと、
露出した上部にp電極を堆積するステップと、
犠牲層を除去して、エアブリッジされたp電極を得るステップと、
を含む。
Claims (46)
- 支持層上に並んで配置された複数のデバイスであって、各デバイスが、第1の導電型の半導体ナノワイヤコア、および、これを囲う、動作において光を生成するための活性領域をもたらすpn接合またはpin接合を形成するための第2の導電型の半導体シェルを備える、デバイスと、
前記複数のデバイスの上に延在し、前記半導体シェルに接続するように前記デバイスの少なくとも1つの上部と電気接触する第1の電極層であって、前記デバイスの間で少なくとも部分的にエアブリッジされる第1の電極層と、
を備えることを特徴とする発光ダイオード(LED)構造体。 - 前記第1の導電型がn型を含み、前記第2の導電型がp型を含み、前記第1の電極層がp電極層を備えることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード(LED)構造体。
- 前記n型ナノワイヤコアに電気的に接続する第2のn電極層をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の発光ダイオード(LED)構造体。
- 前記支持層が、基板上に、nコンタクトとして働くn型半導体バッファ層を備え、前記n電極層が前記バッファ層と接触することを特徴とする請求項3に記載の発光ダイオード(LED)構造体。
- 前記支持層が反射性であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード(LED)構造体。
- 前記支持層が透過性であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード(LED)構造体。
- 前記エアブリッジされたp電極層の厚さが150nm〜900nmであることを特徴とする請求項2に記載の発光ダイオード(LED)配列。
- 前記p電極が、少なくとも部分的に反射性であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード(LED)構造体。
- 前記p電極が透過性であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード(LED)構造体。
- 前記p電極上に、少なくとも1つの他の透過層が配置されることを特徴とする請求項9に記載の発光ダイオード(LED)構造体。
- 前記LEDが、キャリア上のコンタクト電極上に接合されるフリップチップであることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード(LED)構造体。
- 前記ナノワイヤコアの下に設けられたミラーをさらに備えることを特徴とする請求項4に記載の発光ダイオード(LED)構造体。
- 前記ミラーが、前記基板に形成された凹部に設けられ、前記凹部が前記バッファ層へと延在することを特徴とする請求項12に記載の発光ダイオード(LED)構造体。
- 複数の凹部の中に複数のミラーをさらに備えることを特徴とする請求項13に記載の発光ダイオード(LED)構造体。
- 前記ミラーが、前記凹部を部分的に充填する反射性材料を備え、前記凹部の残りの部分が、構造上の剛性および高い熱伝導率をもたらす充填材で満たされることを特徴とする請求項13に記載の発光ダイオード(LED)構造体。
- 前記ミラーが、前記バッファ層および前記基板のうち一方には接着剤で接合され、他方には物理的に接合されることを特徴とする請求項12に記載の発光ダイオード(LED)構造体。
- 前記支持層がミラーを備え、前記ミラーが、除去されたn型半導体バッファ層および完全に除去された基板の代わりに設けられることを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード(LED)構造体。
- 各デバイスが、前記コア、前記シェル、および前記コアと前記シェルの間の活性層を含んでいるナノ構造体を備えることを特徴とする請求項2に記載の発光ダイオード(LED)構造体。
- 前記ナノ構造体が、コアシェルのナノワイヤを備えることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード(LED)構造体。
- 前記支持層が半導体基板を備えることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード(LED)構造体。
- 前記n電極層が、前記バッファ層の第1の部分上にnパッド領域を備え、
前記p電極層が、LED活性領域の前記ナノワイヤ上、または前記LED活性領域の前記ナノワイヤに隣接した前記バッファ層上の誘電体マスク層上に、pパッド領域を備え、
前記nパッド領域と前記pパッド領域が、前記p電極と接触しないダミーのナノワイヤを備える非活性領域によって分離されている
ことを特徴とする請求項3に記載の発光ダイオード(LED)構造体。 - ナノワイヤ発光ダイオード(LED)構造体を製作する方法であって、
支持層を用意するステップと、
前記支持層上に並んで配置される複数のデバイスであって、各デバイスが、第1の導電型の半導体ナノワイヤコア、および、これを囲う、動作において光を生成するための活性領域をもたらすpn接合またはpin接合を形成するための第2の導電型の半導体シェルを備えるデバイスを設けるステップと、
非活性領域の前記デバイスを完全に覆い、前記LED領域の前記デバイスを部分的に覆って、前記LED領域の前記デバイスの上部は露出させたまま犠牲層を堆積するステップと、
前記デバイスの前記露出した上部および前記デバイス間の前記支持層の上に、第1の電極層を堆積するステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記第1の導電型がn型を含み、前記第2の導電型がp型を含み、前記第1の電極層がp電極層を備えることを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記n型ナノワイヤコアに電気的に接続する第2のn電極層を堆積するステップをさらに含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
- 前記支持層が、基板上に、nコンタクトとして働くn型半導体バッファ層を備え、前記n電極層が前記バッファ層と接触することを特徴とする請求項24に記載の方法。
- 前記支持層が、透過層、反射層または半導体基板のうち少なくとも1つを備えることを特徴とする請求項24に記載のナノワイヤ方法。
- 各デバイスが、前記コア、前記シェル、および前記コアと前記シェルの間の活性層を含んでいるコア−シェルのナノワイヤを備えることを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 前記支持層上に誘電体マスク層をさらに備えて、前記コアが前記マスク層の開口を通って前記バッファ層から突出し、前記シェルが前記マスク層上に配置されることを特徴とする請求項27に記載の方法。
- 前記非活性領域の前記犠牲層上に配置された前記第1の電極層の第1の部分が除去され、前記ナノワイヤシェルの頂部に配置された前記第1の電極層の第2の部分が、エアブリッジされたp電極を形成するように前記犠牲層を除去するステップさらに含むことを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 前記犠牲層がフォトレジストを備えることを特徴とする請求項29に記載の方法。
- 前記バッファ層が、窒化ガリウムまたはアルミニウム窒化ガリウムのうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 前記p電極が、透過性の導電性酸化物層を備えることを特徴とする請求項23に記載の方法。
- 前記ナノワイヤを備える前記構造体の側面にキャリアを一時的に接合するステップをさらに含むことを特徴とする請求項29に記載の方法。
- 前記基板の1つまたは複数の凹部を、前記バッファ層まで下方へエッチングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項33に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの凹部の前記バッファ層上にミラーを形成して、前記LED構造体を頂部発光にするステップをさらに含むことを特徴とする請求項34に記載の方法。
- 前記ミラーの上の前記少なくとも1つの凹部を充填材で満たし、前記キャリアから前記構造体を取り外すステップをさらに含むことを特徴とする請求項35に記載の方法。
- 前記構造体から前記基板を除去するステップであって、前記バッファ層を露出して残し、前記バッファ層にミラーを与えて、前記LED構造体を頂部発光にするステップをさらに含むことを特徴とする請求項33に記載の方法。
- 前記ミラーにキャリアを取り付けるステップをさらに含むことを特徴とする請求項37に記載の方法。
- 前記構造体にキャリアを取り付けるステップであって、前記キャリアが前記バッファ層に面する1つの表面上にミラーを有する、ステップをさらに含むことを特徴とする請求項29に記載の方法。
- 支持層の第1の表面に配置された複数のデバイスであって、第1の導電型の半導体ナノワイヤコアおよび第2の導電型の半導体シェルを備えるデバイスと、
前記デバイスの前記シェルに電気的に接続された第1の透過性電極と、
前記支持層の前記第1の表面と電気接触して配置され、前記支持層を通って前記デバイスの前記コアに電気的に接続されている第2の電極と、
前記デバイスに取り付けられたキャリアと、
前記キャリアを前記第1の電極の第1のパッド領域に電気的に接続する第1のコンタクトと、
前記キャリアを前記第2の電極の第2のパッド領域に電気的に接続する第2のコンタクトと、
前記デバイスの前記コアの下に配置された反射層であって、前記キャリア基板が前記反射層の下に配置されている、反射層と
を備えることを特徴とする頂部発光の発光ダイオード(LED)構造体。 - 前記ナノワイヤが基部の終端および頂部の終端を有し、
前記基部の終端が、成長基板またはバッファ層を備える前記支持層に取り付けられ、
前記第1の電極が、前記ナノワイヤの前記頂部の終端から下方へ前記ナノワイヤの間に延在する
ことを特徴とする請求項40に記載の発光ダイオード(LED)構造体。 - 前記デバイスが、前記第1の電極と前記支持層の間の前記ナノワイヤの間の空間に空隙を備えることを特徴とする請求項41に記載の発光ダイオード(LED)構造体。
- 前記第1の導電型がn型であり、前記第2の導電型がp型であって、前記半導体コアおよび前記半導体シェルがIII族の窒化物半導体材料のナノワイヤを備えることを特徴とする請求項40に記載の発光ダイオード(LED)構造体。
- 前記支持層の前記第1の表面上に配置された開口を有する誘電体マスク層をさらに備えて、前記コアが、前記開口を通って前記支持層の前記第1の表面と電気的に接触し、前記シェルが、前記マスク層によって前記支持層の前記第1の表面から電気的に絶縁されることを特徴とする請求項40に記載の発光ダイオード(LED)構造体。
- 前記第1の電極パッド領域が、前記マスク層上の前記ナノワイヤの間に配置され、
前記第2の電極パッド領域が、前記マスク層の開口において前記ナノワイヤの間の前記支持層の前記第1の表面に配置されている
ことを特徴とする請求項44に記載の発光ダイオード(LED)構造体。 - 頂部発光の発光ダイオード(LED)構造体を作製する方法であって、
支持層の第1の表面上に配置された複数のデバイスを形成するステップであり、前記デバイスが、第1の導電型の半導体ナノワイヤコアおよび第2の導電型の半導体シェルを備える、ステップと、
前記デバイスの前記シェルに電気的に接続される第1の透過性電極を形成するステップと、
前記支持層の前記第1の表面と電気接触して配置され、前記支持層を通って前記デバイスの前記コアに電気的に接続される第2の電極を形成するステップと、
前記デバイスの前記コアの下に反射層を設け、前記反射層の下の前記構造体に取り付けられるキャリアを設けるステップと、
前記キャリアを前記第1の電極の第1のパッド領域へ電気的に接続する第1のコンタクトを形成するステップと、
前記キャリアを前記第2の電極の第2のパッド領域へ電気的に接続する第2のコンタクトを形成するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
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