JP2013525850A - Ffs型tft−lcdアレイ基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ステップ1:第1の金属薄膜を堆積し、第1のパターニング工程により、普通のマスクを用いて、ゲートライン、共通電極ライン、及びゲート電極のパターンを形成する。
ステップ2:ゲート絶縁薄膜と活性層(半導体層とドープ半導体層)薄膜とを堆積し、第2のパターニング工程により、普通のマスクを用いて、活性層(Active)のパターンを形成する。
ステップ3:第1の透明導電薄膜と第2の金属薄膜とを順次堆積し、第3のパターニング工程により、デュアルトーンマスクを用いて、画素電極とソース電極とドレイン電極とTFTチャネルとを形成する。
ステップ4:パッシベーション層と第2の透明導電層を堆積し、第4のパターニング工程により、デュアルトーンマスクを用いて、パッシベーション層、接続孔(共通電極と共通電極ラインとを接続するに用いられる)、PAD領域接続孔(PAD領域は、駆動回路基板のリードをアレイ基板に対して圧接する領域であり、PAD領域接続孔を介して、リードをアレイ基板におけるゲートライン、データライン、共通電極ラインなどと電気的に接続する)、共通電極のパターンを形成する。
透明基板に、第1の透明導電薄膜と第1の金属薄膜とを順次形成してから、前記第1の透明導電薄膜と第1の金属薄膜との積層に対してパターニングして、ゲートラインと、ゲート電極と、共通電極と、共通電極ラインとを備えるパターンを形成するステップ1と、
ゲート絶縁薄膜と、半導体薄膜と、ドープ半導体薄膜とを順次形成してから、ゲート絶縁薄膜と、半導体薄膜と、ドープ半導体薄膜との積層に対してパターニングして、PAD領域のゲートライン接続孔と、半導体層とを備えるパターンを形成するステップ2と、
第2の金属薄膜を形成し、前記第2の金属薄膜に対してパターニングした後に第2の透明導電薄膜を形成し、リフトオフ剥離工程を行うことでフォトレジスト上の第2の透明導電薄膜を除去し、露出された第2の金属薄膜とドープ半導体薄膜とをエッチングして、ソース電極と、ドレイン電極と、TFTチャネルと、画素電極とを備えるパターンを形成するステップ3と、備える。
プラズマ強化化学気相成長法(PECVD)や、マグネトロンスパッタリング法や、熱蒸発法又はその他の成膜方法で、透明基板10(ガラス基板又は石英基板)に、第1の透明導電薄膜100と、第1の金属薄膜200とが形成される。第1の透明導電薄膜100はITO、IZOなどの透明導電材料で構成されてもいい。第1の金属薄膜200は、モリブデンや、アルミニウムや、アルミニウム・ネオジム合金や、タングステンや、クロムや、銅などの金属で形成された単層薄膜でもいいし、上記金属を多層堆積して形成された多層薄膜でもいい。
ステップ11−16を経て、第1のパターニング工程が完成される。
ステップ21−26を経て、第2のパターニング工程が完成される。
透明基板に、第1の透明導電薄膜と第1の金属薄膜とを順次形成してから、前記第1の透明導電薄膜と第1の金属薄膜との積層に対してパターニングして、ゲートライン、ゲート電極、画素電極、及び共通電極ラインを備えるパターンを形成するステップ100と、
ゲート絶縁薄膜と半導体薄膜とドープ半導体薄膜とを順次形成してから、ゲート絶縁薄膜と半導体薄膜とドープ半導体薄膜との積層に対してパターニングして、ビアホールとPAD領域のゲートライン接続孔と半導体層とを備えるパターンを形成するステップ200と、
第2の金属薄膜を堆積し、前記第2の金属薄膜に対してパターニングした後に第2の透明導電薄膜を堆積し、リフトオフ剥離工程を行うことでフォトレジスト上の第2の透明導電薄膜を除去し、露出された第2の金属薄膜とドープ半導体薄膜とをエッチングして、ソース電極とドレイン電極とTFTチャネルと共通電極とを備えるパターンを形成するステップ300と、備える。
プラズマ強化化学気相成長法(PECVD)や、マグネトロンスパッタリング法や、熱蒸発法又はその他の成膜方法で、透明基板10(ガラス基板又は石英基板)に、第1の透明導電薄膜100と第1の金属薄膜200とが形成される。第1の透明導電薄膜100はITO、IZOなどで形成されてもいい。第1の金属薄膜200は、モリブデンや、アルミニウムや、アルミニウム・ネオジム合金や、タングステンや、クロムや、銅などの金属で形成された単層薄膜でもいいし、上記金属を多層堆積して形成された多層薄膜でもいい。
ステップ1100−1600を経て、第1のパターニング工程が完成される。
ステップ2100−2600を経て、第2のパターニング工程が完成される。
2 データライン
3 薄膜トランジスタ
4 画素電極
4’ 接続線
5 共通電極ライン
6 共通電極
10 透明基板
11 ゲート電極
12 ゲート絶縁層
13 半導体層
14 ドープ半導体層
15 第1の透明導電部
16 ソース電極
17 ドレイン電極
18 TFTチャネル
19 パッシベーション層
100 第1の透明導電薄膜
200 第1の金属薄膜
300 ゲート絶縁薄膜
400 半導体薄膜
500 ドープ半導体薄膜
600 第2の金属薄膜
700 第2の透明導電薄膜
1000、2000、3000 フォトレジスト
Claims (8)
- 透明基板に、第1の透明導電薄膜と第1の金属薄膜とを順次形成してから、前記第1の透明導電薄膜と第1の金属薄膜との積層に対してパターニングして、ゲートラインとゲート電極と共通電極と共通電極ラインとを備えるパターンを形成するステップ1と、
ゲート絶縁薄膜と半導体薄膜とドープ半導体薄膜とを順次形成して、前記ゲート絶縁薄膜と半導体薄膜とドープ半導体薄膜との積層に対してパターニングして、PAD領域のゲートライン接続孔と半導体層とを備えるパターンを形成するステップ2と、
第2の金属薄膜を形成し、前記第2の金属薄膜に対してパターニングした後に第2の透明導電薄膜を形成し、リフトオフ剥離工程を行うことでフォトレジスト上の前記第2の透明導電薄膜を除去し、露出された前記第2の金属薄膜とドープ半導体薄膜をエッチングして、ソース電極とドレイン電極とTFTチャネルと画素電極とを備えるパターンを形成するステップ3と、
を備えることを特徴とするFFS型TFT−LCDアレイ基板の製造方法。 - 前記ステップ1は、
透明基板に、第1の透明導電薄膜と第1の金属薄膜とを順次堆積するステップ11と、
第1のフォトレジストを塗布し、第1のハーフトーンマスクで露光・現像処理を行って、前記第1のフォトレジストにおけるフォトレジスト完全保留領域をアレイ基板におけるゲートラインとゲート電極と共通電極ラインとの領域に対応させ、フォトレジスト部分保留領域をアレイ基板における共通電極の領域に対応させ、フォトレジスト完全除去領域をその他の領域に対応させるステップ12と、
第1のエッチング工程を行い、前記フォトレジスト完全除去領域における第1の金属薄膜と第1の透明導電薄膜を除去して、ゲートラインとゲート電極と共通電極と共通電極ラインとを備えるパターンを形成するステップ13と、
前記第1のフォトレジストに対してアッシング工程を行って、前記フォトレジスト部分保留領域における第1の金属薄膜を露出させるステップ14と、
第2のエッチング工程を行い、前記フォトレジスト部分保留領域における第1の金属薄膜を除去して、共通電極を露出させるステップ15と、
残された前記第1のフォトレジストを剥離するステップ16と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載のFFS型TFT−LCDアレイ基板の製造方法。 - 前記ステップ2は、
ステップ1で得られた構造に、前記ゲート絶縁薄膜と半導体薄膜とドープ半導体薄膜とを堆積するステップ21と、
第2のフォトレジストを塗布し、第2のハーフトーンマスクで露光・現像処理を行って、前記第2のフォトレジストにおけるフォトレジスト完全保留領域をTFTチャネルの領域に対応させ、フォトレジスト完全除去領域をアレイ基板におけるPAD領域のゲートラインの領域に対応させ、フォトレジスト部分保留領域をその他の領域に対応させるステップ22と、
第3のエッチング工程を行い、前記フォトレジスト完全除去領域におけるドープ半導体薄膜と半導体薄膜とゲート絶縁薄膜とを除去して、PAD領域のゲートラインを露出させて、PAD領域ゲートライン接続孔とゲート絶縁層とを備えるパターンを形成するステップ23と、
前記第2のフォトレジストに対してアッシング工程を行って、前記フォトレジスト部分保留領域におけるドープ半導体薄膜を露出させるステップ24と、
第4のエッチング工程を行い、前記フォトレジスト部分保留領域におけるドープ半導体薄膜と半導体薄膜とゲート絶縁薄膜とを除去して、半導体層を備えるパターンを形成するステップ25と、
残された前記第2のフォトレジストを剥離するステップ26と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載のFFS型TFT−LCDアレイ基板の製造方法。 - 前記ステップ3は、
ステップ2で得られた構造に、第2の金属薄膜を堆積するステップ31と、
第3のフォトレジストを塗布し、第3のハーフトーンマスクで露光・現像処理を行って、前記第3のフォトレジストにおけるフォトレジスト完全除去領域をアレイ基板における画素電極の領域に対応させ、フォトレジスト部分保留領域をソース電極とドレイン電極とPAD領域のゲートラインとPAD領域のデータラインとPAD領域の共通電極ラインとの領域に対応させ、フォトレジスト完全保留領域をその他の領域に対応させるステップ32と、
第5のエッチング工程を行って、前記フォトレジスト完全除去領域における第2の金属薄膜を除去するステップ33と
前記第3のフォトレジストに対してアッシング工程を行って、前記フォトレジスト部分保留領域における第2の金属薄膜を露出させるステップ34と、
第2の透明導電薄膜を堆積するステップ35と、
リフトオフ剥離工程を行って、残された前記第3のフォトレジスト上の第2の透明導電薄膜を除去して、画素電極のパターンを形成するステップ36と、
第6のエッチング工程を行い、露出された前記第2の金属薄膜とドープ半導体薄膜とを除去して、ソース電極とドレイン電極とTFTチャネルとを備えるパターンを形成するステップ37と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載のFFS型TFT−LCDアレイ基板の製造方法。 - 透明基板に、第1の透明導電薄膜と第1の金属薄膜とを順次形成し、前記第1の透明導電薄膜と第1の金属薄膜との積層に対してパターニングして、ゲートラインとゲート電極と画素電極と共通電極ラインとを備えるパターンを形成するステップ100と、
ゲート絶縁薄膜と半導体薄膜とドープ半導体薄膜とを順次形成して、前記ゲート絶縁薄膜と半導体薄膜とドープ半導体薄膜との積層に対してパターニングして、ビアホールとPAD領域のゲートライン接続孔と半導体層とを備えるパターンを形成するステップ200と、
第2の金属薄膜を堆積し、前記第2の金属薄膜に対してパターニングした後に第2の透明導電薄膜を堆積し、リフトオフ剥離工程を行うことでフォトレジスト上の第2の透明導電薄膜を除去し、露出された前記第2の金属薄膜とドープ半導体薄膜をエッチングして、ソース電極とドレイン電極とTFTチャネルと共通電極とを備えるパターンを形成するステップ300と、
を備えることを特徴とするFFS型TFT−LCDアレイ基板の製造方法。 - 前記ステップ100は、
透明基板に、第1の透明導電薄膜と第1の金属薄膜とを順次堆積するステップ1100と、
第1のフォトレジストを塗布し、第1のハーフトーンマスクで露光・現像処理を行って、前記第1のフォトレジストにおけるフォトレジスト完全保留領域をアレイ基板におけるゲートラインとゲート電極と共通電極ラインとの領域に対応させ、フォトレジスト部分保留領域をアレイ基板における画素電極の領域に対応させ、フォトレジスト完全除去領域はその他の領域に対応させるステップ1200と、
第1のエッチング工程を行い、前記フォトレジストの完全去除領域における第1の金属薄膜と第1の透明導電薄膜とを除去して、ゲートラインとゲート電極と画素電極と共通電極ラインとのパターンを形成するステップ1300と、
第1のフォトレジストに対してアッシング工程を行って、前記フォトレジスト部分保留領域における第1の金属薄膜を露出させるステップ1400と、
第2のエッチング工程を行い、前記フォトレジスト部分保留領域における第1の金属薄膜を除去して、画素電極を露出させるステップ1500と、
前記第1のフォトレジストを剥離するステップ1600と、
を備えることを特徴とする請求項5に記載のFFS型TFT−LCDアレイ基板の製造方法。 - 前記ステップ200は、
ステップ100で得られた構造に、前記ゲート絶縁薄膜と半導体薄膜とドープ半導体薄膜とを堆積するステップ2100と、
第2のフォトレジストを塗布し、第2のハーフトーンマスクで露光・現像処理を行って、前記第2のフォトレジストにおけるフォトレジスト完全保留領域をTFTチャネルの領域に対応させ、フォトレジスト完全除去領域をアレイ基板におけるビアホールの領域とPAD領域のゲートラインの領域とに対応させ、フォトレジスト部分保留領域をその他の領域に対応させるステップ2200と、
第3のエッチング工程を行い、前記フォトレジスト完全除去領域におけるドープ半導体薄膜と半導体薄膜とゲート絶縁薄膜とを除去して、一部の画素電極とPAD領域のゲートラインを露出させて、ビアホールとPAD領域ゲートライン接続孔とゲート絶縁層とを備えるパターンを形成するステップ2300、
前記第2のフォトレジストに対してアッシング工程を行って、前記フォトレジスト部分保留領域におけるドープ半導体薄膜を露出させるステップ2400と、
第4のエッチング工程を行って、前記フォトレジスト部分保留領域におけるドープ半導体薄膜と半導体薄膜とゲート絶縁薄膜とを除去して、半導体層を備えるパターンを形成するステップ2500と、
前記第2のフォトレジストを剥離するステップ2600と、
を備えることを特徴とする請求項5に記載のFFS型TFT−LCDアレイ基板の製造方法。 - 前記ステップ300は、
ステップ200で得られた構造に、第2の金属薄膜を堆積するステップ3100と、
第3のフォトレジストを塗布し、第3のハーフトーンマスクで露光・現像処理を行って、前記第3のフォトレジストにおけるフォトレジスト完全除去領域をアレイ基板における共通電極の領域に対応させ、フォトレジスト部分保留領域をソース電極とドレイン電極とPAD領域のゲートラインとPAD領域のデータラインとPAD領域の共通電極ラインとの領域に対応させ、フォトレジスト完全保留領域をその他の領域に対応させるステップ3200と、
第5のエッチング工程を行って、前記フォトレジスト完全除去領域における第2の金属薄膜を除去するステップ3300と
前記第3のフォトレジストに対してアッシング工程を行って、前記フォトレジスト部分保留領域の第2の金属薄膜を露出させるステップ3400と、
第2の透明導電薄膜を堆積するステップ3500と、
リフトオフ剥離工程を行い、残された前記第3のフォトレジスト上の第2の透明導電薄膜を除去して、共通電極と、ドレイン電極と画素電極とを接続するための接続線と、を備えるパターンを形成するステップ3600と、
第6のエッチング工程を行い、露出された前記第2の金属薄膜とドープ半導体薄膜とを除去して、ソース電極とドレイン電極とTFTチャネルとを備えるパターンを形成するステップ3700と、
を備えることを特徴とする請求項5に記載のFFS型TFT−LCDアレイ基板の製造方法。
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