JP2013522880A - 離間された放熱板を有するパッケージ - Google Patents
離間された放熱板を有するパッケージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013522880A JP2013522880A JP2012557220A JP2012557220A JP2013522880A JP 2013522880 A JP2013522880 A JP 2013522880A JP 2012557220 A JP2012557220 A JP 2012557220A JP 2012557220 A JP2012557220 A JP 2012557220A JP 2013522880 A JP2013522880 A JP 2013522880A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- lead frame
- die
- pad
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000012778 molding material Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000006855 networking Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 heat sink Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
リードフレームと、リードフレームのパッドの第1の表面に添着されるダイと、を含む、集積回路(IC)パッケージ。ダイは、リードフレームにワイヤボンディングされる。パッケージは、パッドの第2の表面から離間された放熱板を含み、第2の表面は、第1の表面に対向する。成形材料は、リードフレームおよびダイを封入する。成形材料は、放熱板とパッドの第2の表面との間に配置され、放熱板、第2の表面、および/または2つのある組み合わせ上に配置される、突出特徴を通して、放熱板と第2の表面との間のアクセスが可能となる。
Description
(背景)
現在のワイヤボンディングパッケージは、リードフレームのダイパドルに対して、配置される、すなわち、「ドロップイン」される、放熱板を提供する。そのようなパッケージでは、ダイパドルと放熱板との間に、接着剤が存在しない。しかしながら、成形材料は、本構成では、ダイパドルと放熱板との間のエリアを貫通することはできない。本エリア内における成形材料の欠如は、パッケージの熱抵抗を増加させ、ダイパドルと放熱板との間のエリア内の膨張力により、パッケージ内に内部応力を生成する。加えて、ダイサイズおよびダイパドルサイズが増加するのに伴って、これらの膨張力は、パッケージ内にさらに多くの内部応力を生成する。これらの内部応力への接触暴露は、最終的に、剥離を生じさせ、素子の欠陥へとつながり得る。
現在のワイヤボンディングパッケージは、リードフレームのダイパドルに対して、配置される、すなわち、「ドロップイン」される、放熱板を提供する。そのようなパッケージでは、ダイパドルと放熱板との間に、接着剤が存在しない。しかしながら、成形材料は、本構成では、ダイパドルと放熱板との間のエリアを貫通することはできない。本エリア内における成形材料の欠如は、パッケージの熱抵抗を増加させ、ダイパドルと放熱板との間のエリア内の膨張力により、パッケージ内に内部応力を生成する。加えて、ダイサイズおよびダイパドルサイズが増加するのに伴って、これらの膨張力は、パッケージ内にさらに多くの内部応力を生成する。これらの内部応力への接触暴露は、最終的に、剥離を生じさせ、素子の欠陥へとつながり得る。
これは、後述の実施形態が生じる文脈内にある。
(概要)
本明細書に説明される実施形態は、構造的完全性を向上させた集積回路のためのパッケージを提供する。本発明は、プロセス、装置、システム、素子、または方法等、数多くの方法で実装することができることを理解されたい。以下、本発明のいくつかの発明的実施形態を説明する。
本明細書に説明される実施形態は、構造的完全性を向上させた集積回路のためのパッケージを提供する。本発明は、プロセス、装置、システム、素子、または方法等、数多くの方法で実装することができることを理解されたい。以下、本発明のいくつかの発明的実施形態を説明する。
本発明の一側面では、集積回路(IC)パッケージは、リードフレームと、リードフレームのパッドの第1の表面に添着されるダイと、を含む。ダイは、リードフレームにワイヤボンディングされる。パッケージは、パッドの第2の表面から離間された放熱板を含み、第2の表面は、第1の表面に対向する。成形材料は、リードフレームおよびダイを封入する。成形材料は、放熱板とパッドの第2の表面との間に配置され、放熱板、第2の表面、および/または2つのある組み合わせ上に配置される、突出特徴を通して、放熱板と第2の表面との間のアクセスが可能となる。突出特徴は、放熱板および第2の表面の離間構成に関与する。
本発明の別の側面では、半導体素子をパッケージ化する方法が提供される。方法は、ダイをリードフレームのダイパッドの第1の表面に添着するステップから開始する。方法は、ダイの接着パッドをリードフレームから延在するリードにワイヤボンディングするステップと、放熱板の表面が、第2の表面の一部から離間され、放熱板の表面が、第2の表面の異なる部分に接触するように、放熱板をダイパッドの第2の表面上に配置するステップと、を含む。ダイおよびリードフレームは、成形材料が、放熱板の表面と第2の表面の一部との間に画定される空洞を充填するように、成形材料によって、封入される。放熱板と第2の表面との間における成形材料の配置は、パッケージが、パッケージによって被られる熱膨張力による、内部応力により対抗可能となるため、パッケージの構造的完全性の向上を提供する。加えて、成形材料は、ダイパッドおよび放熱板のための接着剤として、機能する。
本発明の他の側面は、本発明の原理の一例として示される添付図面に関連してなされる、以下の発明を実施するための形態から明らかになるであろう。
本発明は、添付図面に関連してなされる以下の詳細な説明によって、容易に理解されるであろう。同一参照番号は、同一構造要素を指す。
図1は、本発明の一実施形態による、リードフレームを例証する、簡略化された概略図である。
図2は、本発明の一実施形態による、集積回路のためのパッケージ構成の断面図を例証する、簡略化された概略図である。
図3は、本発明の代替実施形態による、集積回路のためのパッケージ構成の断面図を例証する、簡略化された概略図である。
図4Aおよび4Bは、本発明の一実施形態による、突出特徴を有するリードフレームの代替図を例証する、簡略化された概略図である。
図4Aおよび4Bは、本発明の一実施形態による、突出特徴を有するリードフレームの代替図を例証する、簡略化された概略図である。
図5Aおよび5Bは、図4Aおよび4Bの実施形態から変形された実施形態のための突出特徴を有するリードフレームの代替図を例証する、簡略化された概略図である。
図5Aおよび5Bは、図4Aおよび4Bの実施形態から変形された実施形態のための突出特徴を有するリードフレームの代替図を例証する、簡略化された概略図である。
図6は、本発明の一実施形態による、ダイパドル表面上の中心に位置するオフセットを有するパッケージ構成を例証する、簡略化された概略図である。
図7は、本発明の一実施形態による、半導体素子をパッケージ化する方法動作を例証する、流れ図である。
本明細書に説明される実施形態は、集積回路のためのパッケージ構造を提供する。しかしながら、本発明が、これらの特定の詳細のうちの一部または全てを伴わずに実施され得ることは、当業者に明らかになるであろう。他の例では、本発明が不必要に不明瞭になることを避けるため、周知のプロセス動作は、詳細に説明されていない。
本明細書に説明される実施形態は、ドロップインされた放熱板との現在のワイヤボンディングパッケージ化構成を通して生成される、内部応力を解決するためのパッケージ解決策を提供する。後述の実施形態では、ダイパドル、放熱板、または両方の組み合わせのうちのいずれかの上の突出特徴は、成形材料に、ダイパドル表面と放熱板表面との間のエリアにアクセス可能にする。成形材料によって、突出特徴を通して生成される空洞を充填することによって、パッケージ上の応力に対する耐性がより高められ、より低い欠陥率をもたらす。
図1は、本発明の一実施形態による、リードフレームを例証する、簡略化された概略図である。リードフレーム100は、例示的目的のために、上面図として例証される。当業者は、リードフレーム100は、リード104が、ダイパドル102と異なる平面上に配向されるように、打刻されてもよいことを理解するであろう。以下により詳細に説明されるように、ダイパドル102は、ドロップインされた放熱板に対向する表面上に、突出特徴を含んでもよい。代替実施形態では、ドロップインされた放熱板は、ダイパドル10の対向表面から離間されるために、突出特徴を含んでもよい。実施形態は、ダイパドル102および放熱板の表面の両方に、突出特徴を含んでもよいことを理解されたい。故に、本明細書に説明される実施形態は、例示であるため、限定として意図されない。加えて、図1は、限定として意図されない、例示的構成の1つに過ぎないため、多数の他のリードフレーム構成も、本明細書に説明される実施形態によって実装可能である。
図2は、本発明の一実施形態による、集積回路のためのパッケージ構成の断面図を例証する、簡略化された概略図である。パッケージ構成120は、リードフレームのリード104にワイヤボンディングされる、ダイ102を含む。リードフレームは、リード104に接続されてもよく、またはそうでなくてもよい、ダイパドル106を含む。ダイ102は、ワイヤ112を通して、リード104にワイヤボンディングされる。放熱板108は、ダイパドル106からオフセット様式において、配置される。当業者は、放熱板108が、一実施形態では、パッケージ構成内にドロップインされることを理解するであろう。成形材料110は、ダイ102およびリードフレームを封入するために利用される。一実施形態では、成形材料110は、射出成形プロセスを通して、提供される。放熱板108は、突出特徴108aを含む。突出特徴108aは、ダイパドル106の表面に対向する放熱板108の表面から延在する。一実施形態では、突出特徴108aは、約5/1000から約10/1000インチの間において、放熱板108の表面から延在する。その結果、間隙または空洞が、放熱板108の表面とダイパドル106との間に生成される。したがって、成形材料110が、パッケージ内に注入されるのに伴って、成形材料は、突出特徴を通して生成される間隙または空洞を充填可能である。ダイ102は、マイクロプロセッサ、プログラマブル論理素子等、任意の好適な集積回路であってもよいことを理解されたい。
図3は、本発明の代替実施形態による、集積回路のためのパッケージ構成の断面図を例証する、簡略化された概略図である。パッケージ構成120は、ワイヤ112を通して、リードフレームのリード104にワイヤボンディングされる、ダイ102を含む。放熱板108は、ダイパドル106からオフセット様式において、配置される。前述のように、放熱板108は、一実施形態では、パッケージ構成内にドロップインされてもよい。成形材料110は、ダイ102およびリードフレームを封入するために利用される。一実施形態では成形材料110は、トランスファー成形プロセスを通して、提供される。ダイパドル106は、突出特徴130を含む。突出特徴130は、放熱板108の表面に対向するダイパドル106の表面から延在する。一実施形態では突出特徴130は、約5/1000および約10/1000インチの間において、ダイパドル106の表面から延在する。その結果、間隙または空洞が、放熱板108の表面とダイパドル106との間に生成され、その中に、成形材料110が注入される。図2および3における、突出特徴の設置は、例示であって、限定を意図するものではないことを理解されたい。すなわち、突出特徴は、ダイパドル106の外側周縁、ダイパドル106の中心に位置する領域、または2つの組み合わせに沿って、設置されてもよい。同一設置可用性は、放熱板108の突出特徴にも適用される。加えて、突出特徴は、放熱板108およびダイパドル106の組み合わせ上に設置されてもよい。当業者は、成形材料、放熱板、およびリードフレームのための組成物の材料が、ICパッケージのために利用される任意の材料であってもよいことを理解するであろう。
図4Aおよび4Bは、本発明の一実施形態による、突出特徴を有するリードフレームの代替図を例証する、簡略化された概略図である。図4Aは、上面図である一方、図4Bは、上部斜視図である。リード104は、一実施形態では、リードフレーム100のダイパドル106から延在する。リード104は、一実施形態では、ダイパドルに接続されなくてもよい。突出特徴130は、ダイパドル106の表面から延在して例証される。本実施形態では、2対の突出特徴130が、ダイパドル106の対向側の周縁領域から延在して例証される。当業者は、ダイパドル表面に向かって延在する突出特徴を有する放熱板が、一実施形態では、図4Aおよび4Bのリードフレームと嵌合してもよいことを理解するであろう。前述のように、リード104およびダイパドル106は、異なる平面に沿って、配向されてもよい。本配向は、一実施形態では、打刻プロセスを通して、達成されてもよい。
図5Aおよび5Bは、図4Aおよび4Bの実施形態から変形された実施形態のための突出特徴を有するリードフレームの代替図を例証する、簡略化された概略図である。図5Aは、上面図である一方、図5Bは、上部斜視図である。リード104は、一実施形態では、リードフレーム100のダイパドル106から延在する。突出特徴130は、ダイパドル106の表面から延在して例証される。本実施形態では、4対の突出特徴130が、ダイパドル106の両側のそれぞれの周縁領域から延在して例証される。当業者は、そこから突出特徴130が延在する、ダイパドル表面の異なる領域に向かって、放熱板の表面から同等量延在する突出特徴を有する放熱板が、一実施形態では、図5Aおよび5Bのリードフレームと嵌合されてもよいことを理解するであろう。
図6は、本発明の一実施形態による、ダイパドル表面上に中心に位置するオフセットを有するパッケージ構成を例証する、簡略化された概略図である。ダイ102は、ダイパドル106の表面上に配置される。ダイ102は、ワイヤ112を通して、リードフレームのリードにワイヤボンディングされる。ダイパドル106は、その上にダイ102が搭載される表面に対向するダイパドルフレーム106の表面から延在する中心に位置する突起130を有するように構成される。ダイ102は、エポキシ樹脂142を通して、ダイパドル106の表面に添着されることを理解されたい。中心に位置する突起130は、放熱板108の表面とダイパドル106との間に、離間された構成を提供する。放熱板108をドロップイン後、かつトランスファー成形に応じて、成形材料110は、中心に位置する突起130を通して生成される間隙内に貫通可能となる。すなわち、放熱板108の表面とダイパドル106との間の離間構成が、現時点では、パッケージに構造的完全性の向上をもたらすために、成形材料で充填される。中心に位置する突起130と放熱板108の表面との間の比較的に小さいエリアが、成形材料110が貫通するのを阻害するであろうことを理解されたい。本エリアは、間隙140によって表される。しかしながら、放熱板に対して中心に位置する突起の表面は、大幅に減少されるため、いくらかの膨張力の影響は、無視可能となる。
図7は、本発明の一実施形態による、半導体素子をパッケージ化する方法動作を例証する、流れ図である。方法は、ダイがダイパッドの第1の表面に添着される、動作150から開始する。前述のように、ダイは、エポキシ樹脂を通して、リードフレームのダイパドルの表面に添着されてもよい。方法は、ダイの接着パッドが、リードフレームのリードにワイヤボンディングされる動作152に進む。当業者は、ワイヤボンディングするための任意の周知の技法が、本動作において利用されてもよいことを理解するであろう。方法は、放熱板が、離間様式において、ダイパドルの第2の表面上に配置される動作154に進む。動作154では、放熱板は、パッケージ内にドロップインされてもよい。前述のように、放熱板は、図2、3、および6に例証される、離間構成を可能にする、突出特徴を有してもよい。代替として、ダイパドル表面は、そこから延在する、突起または突出特徴を有してもよい。加えて、ダイパッド表面および放熱板の両方が、突出特徴を有してもよい。次いで、方法は、ダイおよびリードフレームが、成形材料によって封入される動作156へと続く。成形材料は、当技術分野において周知のトランスファー成形手順を通して、注入されてもよいことを理解されたい。
要するに、実施形態は、放熱板とダイパドルとの間における成形材料のアクセスを可能にするために、突出特徴を通して離間される、ダイパッドの表面および放熱板の表面を有する、集積回路のためのパッケージを提供する。離間構成によって生成された間隙内の成形材料の存在は、ダイパッドの表面に対して、放熱板をドロップインし、表面間における成形材料を除外する以前の技法とは対照的に、パッケージの構造的完全性の向上を提供する。実施形態によって利用される成形材料は、エポキシ樹脂等、当技術分野において周知の任意の好適な成形材料であってもよい。
本明細書に説明されるプログラマブル論理素子は、以下の構成要素;メモリ、論理回路、I/O回路、および周辺素子のうちの1つ以上を含む、データ処理システムの一部であってもよい。データ処理システムは、コンピュータネットワーキング、データネットワーキング、計装、ビデオ処理、デジタル信号処理、またはプログラマブルまたは再プログラマブル論理を使用する利点が望ましい、あらゆる好適な他のアプリケーション等の種々のアプリケーションで使用することができる。プログラマブル論理素子は、種々の異なる論理機能を実施するために使用することができる。例えば、プログラマブル論理素子は、プロセッサとして、またはシステムプロセッサと協働するコントローラとして構成することができる。プログラマブル論理素子はまた、データ処理システムの中の共有リソースへのアクセスをアービトレートするためのアービタとして使用されてもよい。さらに別の実施例では、プログラマブル論理素子は、システムの中のプロセッサと他の構成要素のうちの1つとの間のインターフェースとして構成することができる。
本発明の一部を形成する、本明細書に説明される動作のいずれも、有用な機械動作である。本発明はまた、これらの動作を行うための素子または装置に関する。装置は、要求される目的のために、特殊構築することができる、あるいは装置は、コンピュータ内に格納されたコンピュータプログラムによって、選択的に起動または構成される、汎用コンピュータであることができる。特に、種々の汎用機械は、本明細書の教示に従って書き込まれるコンピュータプログラムと併用することができる、または要求される動作を行うために、より特殊な装置を構築するためにより便宜的であってもよい。
本明細書で使用されるように、プログラマブル論理素子は、所望の機能を果たすようにプログラムされ得る、任意の集積回路を指し、プログラマブル論理アレイ(PLA)、プログラマブルアレイ論理(PAL)、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)、複合プログラマブル論理素子(CPLD)、およびプログラムされ得る種々の他の論理およびメモリ素子を含む。多くの場合、そのようなPLDは、ソフトウェアパッケージの形態をとる電子設計自動化ツールを使用して、設計エンジニアによって、設計およびプログラムされる。
前述の本発明は、理解を明確にする目的である程度詳細に記載されているが、添付の特許請求の範囲内で、特定の変更および修正を行うことができることが明らかになるであろう。故に、本実施形態は、限定的なものではなく例示的なものであるとみなされるべきであり、また本発明は、本明細書に与えられる詳細に限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲およびその同等物の範囲内で変更され得るものである。請求項では、要素および/またはステップは、請求項に明示的に記載されない限り、任意の特定の動作順序を含意するものではない。
Claims (19)
- 集積回路(IC)パッケージであって、
リードフレームと、
前記リードフレームのパッドの第1の表面に添着されるダイであって、前記ダイは、前記リードフレームにワイヤボンディングされる、ダイと、
前記パッドの第2の表面から離間された放熱板であって、前記第2の表面は、前記第1の表面に対向する、放熱板と、
前記リードフレームおよび前記ダイを封入する成形材料であって、前記成形材料は、前記放熱板と前記パッドの第2の表面との間に配置される、成形材料と
を含む、ICパッケージ。 - 前記ダイは、前記リードフレームのリードの表面にワイヤボンディングされ、前記リードの表面は、前記第2の表面に対向する、請求項1に記載のICパッケージ。
- 前記パッドの第1の表面の平面は、前記リードの表面の平面からオフセットされる、請求項2に記載のICパッケージ。
- 前記放熱板は、前記パッドの第2の表面に対向する前記放熱板の表面から延在する複数の突起を含む、請求項1に記載のIC。
- 前記パッドの第1の表面は、前記リードの表面の平面からオフセットされ、前記パッドの第2の表面は、前記第2の表面から延在する複数の突起を含む、請求項1に記載のIC。
- 前記パッドの第1の表面は、前記リードの表面の平面からオフセットされ、前記パッドの第2の表面の内側部分は、前記放熱板に向かって外側に延在する、請求項2に記載のIC。
- 前記内側部分の上面は、放熱板が、前記第2の表面の外側部分から離間されるように、前記放熱板を支持する、請求項6に記載のIC。
- 前記放熱板の表面と前記第2の表面との間の距離は、約0.005インチから約0.010インチである、請求項1に記載のIC。
- 集積回路パッケージのためのリードフレームであって、
ダイを添着するための第1の表面を有するダイパッドエリアと、
前記ダイパッドから延在する複数のリードフレーム延長部であって、前記複数のリードフレーム延長部は、前記ダイパッドエリアの平面表面と異なる平面表面に沿って画定される、複数のリードフレーム延長部と、
前記第1の表面に対向する第2の表面から延在する突起であって、前記突起は、前記第2の表面の一部と前記突起に接触する放熱板との間に間隙を生成する、突起と
を含む、リードフレーム。 - 複数の突起が、前記第2の表面から延在する、請求項9に記載のリードフレーム。
- 前記複数の突起は、前記第2の表面の外側周縁に沿って位置する、請求項10に記載のリードフレーム。
- 前記突起は、前記第2の表面の重心から延在する、請求項9に記載のリードフレーム。
- 前記突起は、約0.005インチから約0.010インチの高さを有する、請求項9に記載のリードフレーム。
- 半導体素子をパッケージ化する方法であって、
ダイをリードフレームのダイパッドの第1の表面に添着することと、
前記ダイの接着パッドを前記リードフレームから延在するリードにワイヤボンディングすることと、
放熱板の表面が、前記第2の表面の一部から離間され、前記放熱板の表面が、前記第2の表面の別の部分に接触するように、前記ダイパッドの第2の表面上に放熱板を配置することと、
成形材料が、前記放熱板の表面と前記第2の表面の一部との間に画定される空洞を充填するように、成形材料によって、前記ダイおよび前記リードフレームを封入することと
を含む、方法。 - 前記放熱板は、前記放熱板の表面から延在する突起を含む、請求項14に記載の方法。
- 前記ダイパッドの第2の表面は、前記第2の表面の外側周縁から延在する突起を含む、請求項14に記載の方法。
- 前記ダイパッドの第2の表面は、そこから延在する中心に位置する突起を含む、請求項14に記載の方法。
- 前記空洞は、約0.005インチから約0.010インチである、請求項14に記載の方法。
- 前記リードフレームから延在する前記リードは、前記ダイパッドの第1の表面と異なる平面表面に沿って画定される、請求項14に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/721,486 | 2010-03-10 | ||
US12/721,486 US9054077B2 (en) | 2010-03-10 | 2010-03-10 | Package having spaced apart heat sink |
PCT/US2011/027768 WO2011112728A2 (en) | 2010-03-10 | 2011-03-09 | Package having spaced apart heat sink |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013522880A true JP2013522880A (ja) | 2013-06-13 |
Family
ID=44559166
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012557220A Withdrawn JP2013522880A (ja) | 2010-03-10 | 2011-03-09 | 離間された放熱板を有するパッケージ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9054077B2 (ja) |
EP (1) | EP2545584B1 (ja) |
JP (1) | JP2013522880A (ja) |
CN (1) | CN102834916B (ja) |
WO (1) | WO2011112728A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019021905A (ja) * | 2017-07-19 | 2019-02-07 | 株式会社村田製作所 | 電子モジュール |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8592970B2 (en) | 2011-06-27 | 2013-11-26 | International Business Machines Corporation | Multichip electronic packages and methods of manufacture |
US11387400B2 (en) * | 2017-07-19 | 2022-07-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic module with sealing resin |
Family Cites Families (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US88384A (en) * | 1869-03-30 | Troutman grob | ||
JPS60137041A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Matsushita Electronics Corp | 樹脂封止形半導体装置 |
JPS61166051A (ja) * | 1985-01-17 | 1986-07-26 | Matsushita Electronics Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JPS6377142A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH0732215B2 (ja) * | 1988-10-25 | 1995-04-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JPH04114455A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-15 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその実装構造 |
US5147821A (en) * | 1990-09-28 | 1992-09-15 | Motorola, Inc. | Method for making a thermally enhanced semiconductor device by holding a leadframe against a heatsink through vacuum suction in a molding operation |
JP2882101B2 (ja) * | 1991-07-09 | 1999-04-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP3322429B2 (ja) * | 1992-06-04 | 2002-09-09 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置 |
US5598034A (en) * | 1992-07-22 | 1997-01-28 | Vlsi Packaging Corporation | Plastic packaging of microelectronic circuit devices |
US5387554A (en) * | 1992-09-10 | 1995-02-07 | Vlsi Technology, Inc. | Apparatus and method for thermally coupling a heat sink to a lead frame |
US5859471A (en) * | 1992-11-17 | 1999-01-12 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device having tab tape lead frame with reinforced outer leads |
JPH06268144A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
US5430331A (en) * | 1993-06-23 | 1995-07-04 | Vlsi Technology, Inc. | Plastic encapsulated integrated circuit package having an embedded thermal dissipator |
US5444909A (en) * | 1993-12-29 | 1995-08-29 | Intel Corporation | Method of making a drop-in heat sink |
US6081028A (en) * | 1994-03-29 | 2000-06-27 | Sun Microsystems, Inc. | Thermal management enhancements for cavity packages |
JPH088384A (ja) * | 1994-06-17 | 1996-01-12 | Nippon Steel Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH088388A (ja) * | 1994-06-22 | 1996-01-12 | Hitachi Ltd | リードフレームおよびそれを用いて構成された半導体装置 |
JP3367299B2 (ja) * | 1994-11-11 | 2003-01-14 | セイコーエプソン株式会社 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
US5750423A (en) | 1995-08-25 | 1998-05-12 | Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. | Method for encapsulation of semiconductor devices with resin and leadframe therefor |
JP3435271B2 (ja) | 1995-11-30 | 2003-08-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JPH09172126A (ja) | 1995-12-18 | 1997-06-30 | Matsushita Electron Corp | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
US5872395A (en) * | 1996-09-16 | 1999-02-16 | International Packaging And Assembly Corporation | Bent tip method for preventing vertical motion of heat spreaders during injection molding of IC packages |
JP3630519B2 (ja) | 1997-02-28 | 2005-03-16 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置 |
US6046496A (en) * | 1997-11-04 | 2000-04-04 | Micron Technology Inc | Chip package |
US5973407A (en) * | 1998-07-23 | 1999-10-26 | Sampo Semiconductor Corporation | Integral heat spreader for semiconductor package |
US6258630B1 (en) | 1999-02-04 | 2001-07-10 | Nec Corporation | Resin-sealed semiconductor device having island for mounting semiconductor element coupled to heat spreader |
JP3062192B1 (ja) * | 1999-09-01 | 2000-07-10 | 松下電子工業株式会社 | リ―ドフレ―ムとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
JP3434752B2 (ja) * | 1999-11-29 | 2003-08-11 | Necエレクトロニクス株式会社 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
US6559525B2 (en) * | 2000-01-13 | 2003-05-06 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Semiconductor package having heat sink at the outer surface |
US6407411B1 (en) * | 2000-04-13 | 2002-06-18 | General Electric Company | Led lead frame assembly |
TW445615B (en) * | 2000-08-04 | 2001-07-11 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor package with enhanced heat dissipation function |
US6338992B1 (en) * | 2000-11-29 | 2002-01-15 | Lsi Logic Corporation | Programmable read only memory in CMOS process flow |
TW488042B (en) * | 2000-11-30 | 2002-05-21 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Quad flat non-leaded package and its leadframe |
US6664649B2 (en) * | 2001-02-28 | 2003-12-16 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Lead-on-chip type of semiconductor package with embedded heat sink |
JP2003124437A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-04-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
SG111935A1 (en) * | 2002-03-04 | 2005-06-29 | Micron Technology Inc | Interposer configured to reduce the profiles of semiconductor device assemblies and packages including the same and methods |
JP3828036B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2006-09-27 | 三菱電機株式会社 | 樹脂モールド型デバイスの製造方法及び製造装置 |
TW556469B (en) * | 2002-08-20 | 2003-10-01 | Via Tech Inc | IC package with an implanted heat-dissipation fin |
US7042071B2 (en) * | 2002-10-24 | 2006-05-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Leadframe, plastic-encapsulated semiconductor device, and method for fabricating the same |
JP2004179253A (ja) * | 2002-11-25 | 2004-06-24 | Nec Semiconductors Kyushu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2005033123A (ja) | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体パワーモジュール |
JP4307362B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2009-08-05 | パナソニック株式会社 | 半導体装置、リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
US20060103008A1 (en) * | 2004-11-15 | 2006-05-18 | Stats Chippac Ltd. | Hyper thermally enhanced semiconductor package system |
KR100579397B1 (ko) * | 2004-12-16 | 2006-05-12 | 서울반도체 주식회사 | 리드프레임과 직접 연결된 히트싱크를 채택하는 발광다이오드 패키지 |
US7554179B2 (en) * | 2005-02-08 | 2009-06-30 | Stats Chippac Ltd. | Multi-leadframe semiconductor package and method of manufacture |
US7635613B2 (en) * | 2005-06-27 | 2009-12-22 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device having firmly secured heat spreader |
KR101146973B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2012-05-22 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 패키지 프레임 및 그를 이용한 반도체 패키지 |
US7250685B2 (en) * | 2005-08-09 | 2007-07-31 | Stats Chippac Ltd. | Etched leadframe flipchip package system |
US7833840B2 (en) * | 2006-08-03 | 2010-11-16 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with down-set die pad and method of manufacture thereof |
KR101418397B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2014-07-11 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 반도체 패키지 및 그의 제조방법 |
US7939379B2 (en) * | 2008-02-05 | 2011-05-10 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Hybrid carrier and a method for making the same |
US7777320B2 (en) * | 2008-09-23 | 2010-08-17 | Stats Chippac Ltd. | Quad flat pack in quad flat pack integrated circuit package system |
US7858443B2 (en) * | 2009-03-09 | 2010-12-28 | Utac Hong Kong Limited | Leadless integrated circuit package having standoff contacts and die attach pad |
US8530990B2 (en) * | 2009-07-20 | 2013-09-10 | Sunpower Corporation | Optoelectronic device with heat spreader unit |
-
2010
- 2010-03-10 US US12/721,486 patent/US9054077B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-09 CN CN201180013333.2A patent/CN102834916B/zh active Active
- 2011-03-09 JP JP2012557220A patent/JP2013522880A/ja not_active Withdrawn
- 2011-03-09 WO PCT/US2011/027768 patent/WO2011112728A2/en active Application Filing
- 2011-03-09 EP EP11754019.5A patent/EP2545584B1/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019021905A (ja) * | 2017-07-19 | 2019-02-07 | 株式会社村田製作所 | 電子モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102834916B (zh) | 2016-03-23 |
EP2545584B1 (en) | 2019-06-26 |
EP2545584A4 (en) | 2014-05-21 |
US20110221048A1 (en) | 2011-09-15 |
US9054077B2 (en) | 2015-06-09 |
EP2545584A2 (en) | 2013-01-16 |
CN102834916A (zh) | 2012-12-19 |
WO2011112728A3 (en) | 2012-01-12 |
WO2011112728A2 (en) | 2011-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103715150B (zh) | 芯片帽及戴有芯片帽的倒装芯片封装 | |
US8921994B2 (en) | Thermally enhanced package with lid heat spreader | |
US20140167243A1 (en) | Semiconductor packages using a chip constraint means | |
KR20080080347A (ko) | 이중 노출면을 가진 패키징 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
TWI628760B (zh) | 用於經封裝半導體晶粒之內部熱擴散之設備及方法 | |
JP5673423B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US9142523B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
TWI716532B (zh) | 樹脂密封型半導體裝置 | |
JP2010135723A (ja) | 半導体装置 | |
US8741694B1 (en) | Placing heat sink into packaging by strip formation assembly | |
JP2013522880A (ja) | 離間された放熱板を有するパッケージ | |
BRPI0904647A2 (pt) | pacote semicondutor e método de fabricação de pacote semicondutor | |
US20080157346A1 (en) | Method for fabricating heat-dissipating package and heat-dissipating structure applicable thereto | |
US20200098670A1 (en) | Integrated electronic device having a dissipative package, in particular dual side cooling package | |
JP6288831B2 (ja) | ヒートスプレッダを有する半導体デバイスアセンブリ | |
US9257311B2 (en) | Method of fabricating a semiconductor package with heat dissipating structure having a deformed supporting portion | |
US6696750B1 (en) | Semiconductor package with heat dissipating structure | |
US10622270B2 (en) | Integrated circuit package with stress directing material | |
JP7134131B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI242864B (en) | Semiconductor package with heat dissipating structure | |
TWI253731B (en) | Semiconductor package | |
TW200529333A (en) | Window ball grid array semiconductor package with substrate having opening and method for fabricating the same | |
TWI290359B (en) | IC package | |
TW573331B (en) | Strengthened window-type semiconductor package | |
US20080246142A1 (en) | Heat dissipation unit and a semiconductor package that has the heat dissipation unit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20140513 |