JP2013516661A5 - - Google Patents

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  1. 光フィルタであって、
    少なくとも1つの基板と、
    第1の複数の交互の第1および第2の材料層、ならびに第2の複数の交互の第1および第2の材料層であって、前記第1および第2の複数の前記第1および第2の材料層の各々は、それぞれ異なる屈折率を有する、材料層と、を備え、
    前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する電磁放射の第1の方向に対する第1の角度で第1の法線ベクトルを有する第1の表面を呈し、第1の波長で前記第1の角度の関数として可同調カットオンエッジを呈するように構成され、
    前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の第2の方向に対する第2の角度で第2の法線ベクトルを有する第2の表面を呈し、第2の波長で前記第2の角度の関数として可同調カットオフエッジを呈するように構成され、
    前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層は、全て前記第1の角度の関数として、前記第1の波長で第1の偏光分離を呈し、第1のS阻止帯域の波長で第1のS阻止帯域エッジを呈し、
    前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、全て前記第2の角度の関数として、前記第2の波長で第2の偏光分離を呈し、第2のS阻止帯域の波長で第2のS阻止帯域エッジを呈し、
    約0度〜約40度の値の任意の第1の角度の場合、前記第1の偏光分離は、前記第1の角度の関数として前記第1の波長の約1パーセントを超えず、
    約0度〜約40度の値の任意の第2の角度の場合、前記第2の偏光分離は、前記第2の角度の関数として前記第2の波長の約1パーセントを超えず、
    前記第1の角度の前記値および前記第2の角度の前記値は、前記第2のS阻止帯域の波長がほぼ前記第1の波長以下になり、前記第1の波長が前記第2の波長未満になり、前記第2の波長未満がほぼ前記第1のS阻止帯域の波長以下になるような値である、光フィルタ。
  2. 前記基板は、第1の基板表面と、第2の基板表面とを有し、
    前記第1の複数の交互の第1および第2の材料は、前記第1の基板表面に被着され、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の基板表面に被着される、請求項1に記載の光フィルタ。
  3. 前記少なくとも1つの基板を回転させるように構成されるガルボスキャナをさらに備える、請求項2に記載の光フィルタ。
  4. 前記基板は、第1の基板表面と、第2の基板表面とを有し、
    前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層が前記第1の基板表面に被着された前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層に被着される、第1の構成、ならびに前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層が前記第1の基板表面に被着された前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層に被着される、第2の構成のうちの1つから選択される構成に従って、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層ならびに前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層が前記基板に被着される、請求項1に記載の光フィルタ。
  5. 前記少なくとも1つの基板を回転させるように構成されるガルボスキャナをさらに備える、請求項4に記載の光フィルタ。
  6. 前記第2の基板表面に被着された反射防止コーティングをさらに備える、請求項4に記載の光フィルタ。
  7. 広範囲遮断フィルタをさらに備える、請求項1に記載の光フィルタ。
  8. 広範囲遮断フィルタをさらに備える、請求項4に記載の光フィルタ。
  9. 第2の基板をさらに備え、
    前記第1の複数の交互の第1および第2の材料は、前記少なくとも1つの基板に被着され、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の基板に被着される、請求項1に記載の光フィルタ。
  10. 前記少なくとも1つの基板を回転させるように構成される第1のガルボスキャナと、
    前記第2の基板を回転させるように構成される第2のガルボスキャナと、をさらに備える、請求項9に記載の光フィルタ。
  11. 前記少なくとも1つの基板は、前記第1の表面に平行な第1の軸の周囲を回転するように構成され、前記第2の基板は、前記第2の表面に平行な第2の軸の周囲を回転するように構成される、請求項9に記載の光フィルタ。
  12. 前記少なくとも1つの基板の回転は、前記少なくとも1つの基板に入射する前記電磁放射に第1の横方向シフトを導入するように構成され、前記第2の基板の回転は、前記第2の基板に入射する前記電磁放射に第2の横方向シフトを導入するように構成される、請求項11に記載の光フィルタ。
  13. 前記第1の横方向シフトおよび前記第2の横方向シフトは、ほぼ等しく、かつ反対方向である、請求項12に記載の光フィルタ。
  14. 約40度〜約60度の値の任意の第1の角度の場合、前記第1の偏光分離は、さらに、前記第1の角度の関数として前記第1の波長の約1%を超えない、請求項1に記載の光フィルタ。
  15. 約40度〜約60度の値の任意の第2の角度の場合、前記第2の偏光分離は、さらに、前記第2の角度の関数として前記第2の波長の約1パーセントを超えない、請求項1に記載の光フィルタ。
  16. 約40度〜約60度の値の任意の第2の角度の場合、前記第2の偏光分離は、さらに、前記第2の角度の関数として前記第2の波長の約1パーセントを超えない、請求項14に記載の光フィルタ。
  17. 光フィルタを作製する方法であって、
    第1の複数の交互の第1および第2の材料層を第1の基板表面に被着するステップと、
    第2の複数の交互の第1および第2の材料層を第2の基板表面に被着するステップと、を含み、
    前記第1および第2の複数の前記第1および第2の材料層の各々は、それぞれ異なる屈折率を有し、
    前記第1の基板表面に被着された前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する電磁放射の第1の方向に対する第1の角度で第1の法線ベクトルを有する第1の表面を呈し、第1の波長で前記第1の角度の関数として可同調カットオンエッジを呈するように構成され、
    前記第2の基板表面に被着された前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の第2の方向に対する第2の角度で第2の法線ベクトルを有する第2の表面を呈し、第2の波長で前記第2の角度の関数として可同調カットオフエッジを呈するように構成され、
    前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第1の基板表面に被着された前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層は、全て前記第1の角度の関数として、前記第1の波長で第1の偏光分離を呈し、第1のS阻止帯域の波長で第1のS阻止帯域エッジを呈するように構成され、
    前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第2の基板表面に被着された前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、全て前記第2の角度の関数として、前記第2の波長で第2の偏光分離を呈し、第2のS阻止帯域の波長で第2のS阻止帯域エッジを呈するように構成され、
    約0度〜約40度の値の任意の第1の角度の場合、前記第1の偏光分離は、前記第1の角度の関数として前記第1の波長の約1パーセントを超えず、
    約0度〜約40度の値の任意の第2の角度の場合、前記第2の偏光分離は、前記第2の角度の関数として前記第2の波長の約1パーセントを超えず、
    前記第1の角度の前記値および前記第2の角度の前記値は、前記第2のS阻止帯域の波長がほぼ前記第1の波長以下になり、前記第1の波長が前記第2の波長未満になり、前記第2の波長未満がほぼ前記第1のS阻止帯域の波長以下になるような値であり、
    前記第1の角度の前記値によって決定される第1の波長と、前記第2の角度の前記値によって決定される第2の波長との分離は、通過帯域領域の電磁放射が少なくとも約80%透過されるような通過帯域領域である、
    方法。
  18. 第1の側面および第2の側面を有する少なくとも1つの基板を導入することをさらに含み、
    前記少なくとも1つの基板は、前記第1の側面上に前記第1の基板表面を呈し、前記第2の側面上に前記第2の基板表面を呈する、請求項17に記載の光フィルタを作製する方法。
  19. 第1の側面および第2の側面を有する少なくとも1つの基板を導入することをさらに含み、
    前記少なくとも1つの基板は、前記第1の側面上に前記第1の基板表面を呈し、
    前記第1の基板表面が、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層であり、前記第2の基板表面が、前記第1の側面である、第1の構成、ならびに前記第1の基板表面が、前記第1の側面であり、前記第2の基板表面が、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層である、第2の構成のうちの1つから選択される構成に従って、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層が前記第1の基板表面に被着され、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層が前記第2の基板表面に被着される、請求項17に記載の光フィルタを作製する方法。
  20. 前記第2の側面に反射防止コーティングを被着することをさらに含む、請求項19に記載の光フィルタを作製する方法。
  21. 広範囲遮断フィルタを導入することをさらに含む、請求項17に記載の光フィルタを作製する方法。
  22. 広範囲遮断フィルタを導入することをさらに含む、請求項19に記載の光フィルタを作製する方法。
  23. 第1の側面を有する少なくとも1つの基板を導入することと、
    第2の側面を有する第2の基板を導入することと、をさらに含み、
    前記第1の基板表面は、前記第1の側面であり、前記第2の基板表面は、前記第2の側面である、請求項17に記載の光フィルタを作製する方法。
  24. 前記少なくとも1つの基板は、前記第1の表面に平行な第1の軸の周囲を回転するように構成され、前記第2の基板は、前記第2の表面に平行な軸の周囲を回転するように構成される、請求項23に記載の光フィルタを作製する方法。
  25. 前記少なくとも1つの基板の回転は、前記少なくとも1つの基板に入射する前記電磁放射に第1の横方向シフトを導入するように構成され、前記第2の基板の回転は、前記第2の基板に入射する前記電磁放射に第2の横方向シフトを導入するように構成される、請求項24に記載の光フィルタを作製する方法。
  26. 前記第1の横方向シフトおよび前記第2の横方向シフトは、ほぼ等しく、かつ反対方向である、請求項25に記載の光フィルタを作製する方法。
  27. 約40度〜約60度の値の任意の第1の角度の場合、前記第1の偏光分離は、さらに、前記第1の角度の関数として前記第1の波長の約1%を超えない、請求項17に記載の光フィルタを作製する方法。
  28. 約40度〜約60度の値の任意の第2の角度の場合、前記第2の偏光分離は、さらに、前記第2の角度の関数として前記第2の波長の約1パーセントを超えない、請求項17に記載の光フィルタを作製する方法。
  29. 約40度〜約60度の値の任意の第2の角度の場合、前記第2の偏光分離は、さらに、前記第2の角度の関数として前記第2の波長の約1パーセントを超えない、請求項27に記載の光フィルタを作製する方法。
  30. 光フィルタであって、
    少なくとも1つの基板と、
    第1の複数の交互の第1および第2の材料層、ならびに第2の複数の交互の第1および第2の材料層であって、前記第1および第2の複数の前記第1および第2の材料層の各々は、それぞれ異なる屈折率を有る、材料層と、を備え、
    前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する電磁放射の第1の方向に対する第1の角度で第1の法線ベクトルを有する第1の表面を呈し、第1の波長で前記第1の角度の関数として可同調カットオンエッジを呈するように構成され、
    前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の第2の方向に対する第2の角度で第2の法線ベクトルを有する第2の表面を呈し、第2の波長で前記第2の角度の関数として可同調カットオフエッジを呈するように構成され、
    前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層は、全て前記第1の角度の関数として、前記第1の波長で第1の偏光分離を呈し、第1のS阻止帯域の波長で第1のS阻止帯域エッジを呈し、
    前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、全て前記第2の角度の関数として、前記第2の波長で第2の偏光分離を呈し、第2のS阻止帯域の波長で第2のS阻止帯域エッジを呈し、
    前記第1の角度の第1の値および前記第2の角度の第1の値は、前記第2のS阻止帯域の波長がほぼ前記第1の波長以下になり、前記第1の波長が前記第2の波長未満になり、前記第2の波長未満がほぼ前記第1のS阻止帯域の波長以下になるような値であり、前記第1の角度の前記第1の値によって決定される前記第1の波長と、前記第2の角度の前記第1の値によって決定される前記第2の波長との分離は、第1の通過帯域領域の電磁放射が少なくとも約80%透過され、前記第1の角度の前記第1の値によって決定される前記第1の波長と、前記第2の角度の前記第1の値によって決定される前記第2の波長との差が、第1の通過帯域幅であるような第1の通過帯域領域であり、
    前記第1の角度の第2の値および前記第2の角度の第2の値は、前記第2のS阻止帯域の波長がほぼ前記第1の波長以下になり、前記第1の波長が前記第2の波長未満になり、前記第2の波長未満がほぼ前記第1のS阻止帯域の波長以下になるような値であり、前記第1の角度の前記第2の値によって決定される前記第1の波長と、前記第2の角度の前記第2の値によって決定される前記第2の波長との分離は、第2の通過帯域領域の電磁放射が少なくとも約80%透過され、前記第1の角度の前記第2の値によって決定される前記第1の波長と、前記第2の角度の前記第2の値によって決定される前記第2の波長との差が、第2の通過帯域幅であるような第2の通過帯域領域であり、
    前記第1の角度の前記第1の値と前記第1の角度の前記第2の値との間の値の任意の第1の角度の場合、前記第1の偏光分離は、前記第1の角度の関数として前記第1の波長の約1パーセントを超えず、
    前記第2の角度の前記第1の値と前記第2の角度の前記第2の値との間の値の任意の第2の角度の場合、前記第2の偏光分離は、前記第2の角度の関数として前記第2の波長の約1パーセントを超えず、
    前記第1の角度の前記第2の値によって決定される前記第1の波長は、前記第1の角度の前記第1の値によって決定される前記第1の波長の少なくとも約6パーセント以内であり、前記第2の角度の前記第2の値によって決定される前記第2の波長は、前記第2の角度の前記第1の値によって決定される前記第2の波長の少なくとも約6パーセント以内である、光フィルタ。
  31. 前記第1の通過帯域幅は、前記第2の通過帯域幅とほぼ等しい、請求項30に記載の光フィルタ。
  32. 前記基板は、第1の基板表面および第2の基板表面、を有し、
    前記第1の複数の交互の第1および第2の材料は、前記第1の基板表面に被着され、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の基板表面に被着される、請求項30に記載の光フィルタ。
  33. 前記基板は、第1の基板表面および第2の基板表面を有し、
    前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層が前記第1の基板表面に被着された前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層に被着される、第1の構成、ならびに前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層が前記第1の基板表面に被着された前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層に被着される、第2の構成のうちの1つから選択される構成に従って、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層ならびに前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層が前記基板に被着される、請求項30に記載の光フィルタ。
  34. 前記第2の基板表面に被着された反射防止コーティングをさらに備える、請求項33に記載の光フィルタ。
  35. 広範囲遮断フィルタをさらに備える、請求項30に記載の光フィルタ。
  36. 広範囲遮断フィルタをさらに備える、請求項33に記載の光フィルタ。
  37. 第2の基板をさらに備え、
    前記第1の複数の交互の第1および第2の材料は、前記少なくとも1つの基板に被着され、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の基板に被着される、請求項30に記載の光フィルタ。
  38. 前記少なくとも1つの基板は、前記第1の表面に平行な第1の軸の周囲を回転するように構成され、前記第2の基板は、前記第2の表面に平行な軸の周囲を回転するように構成される、請求項37に記載の光フィルタ。
  39. 前記少なくとも1つの基板の回転は、前記少なくとも1つの基板に入射する前記電磁放射に第1の横方向シフトを導入するように構成され、前記第2の基板の回転は、前記第2の基板に入射する前記電磁放射に第2の横方向シフトを導入するように構成される、請求項38に記載の光フィルタ。
  40. 前記第1の横方向シフトおよび前記第2の横方向シフトは、ほぼ等しく、かつ反対方向である、請求項39に記載の光フィルタ。
  41. 前記第1の角度の前記第2の値によって決定される前記第1の波長は、前記第1の角度の前記第1の値によって決定される前記第1の波長の少なくとも約12パーセント以内であり、前記第2の角度の前記第2の値によって決定される前記第2の波長は、前記第2の角度の前記第1の値によって決定される前記第2の波長の少なくとも約12パーセント以内である、請求項30に記載の光フィルタ。
  42. 空気の屈折率よりも高い屈折率を有する入射媒体をさらに備え、
    前記第1の複数の交互の第1および第2の材料ならびに前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記入射媒体に埋め込まれる、請求項30に記載の光フィルタ。
  43. 前記入射媒体は、第1の埋め込み材料と、第2の埋め込み材料と、屈折率整合油とを含み、
    前記第1の埋め込み材料は、第1の入射面と、第2の入射面と、前記屈折率整合油を収容する実質的に円筒状の空洞とともに構成され、
    前記第2の埋め込み材料は、実質的に円筒状であり、前記第1の埋め込み材料の前記屈折率整合油を収容する前記実質的に円筒状の空洞内に回転可能に配置されるように構成され、
    前記第1の埋め込み材料と、前記第2の埋め込み材料と、前記屈折率整合油とは全て、実質的に等しい屈折率を呈し、
    前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層ならびに前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の埋め込み材料に埋め込まれるように構成される、請求項42に記載の光フィルタ。
  44. 前記第1の入射面と前記第2の入射面とは、実質的に平行であり、前記電磁放射の第1の方向に対する第3の角度で第3の法線ベクトルを呈するように構成され、前記第3の角度は実質的にゼロである、請求項43に記載の光フィルタ。
  45. 前記第1の入射面に被着された第1の反射防止コーティングと、前記第2の入射面に被着された第2の反射防止コーティングと、をさらに備える、請求項44に記載の光フィルタ。
  46. 前記第1の埋め込み材料および前記第2の埋め込み材料は、ガラスを含む、請求項45に記載の光フィルタ。
  47. 前記第2の埋め込み材料を回転させるように構成される少なくとも1つのガルボスキャナをさらに備える、請求項46に記載の光フィルタ。
  48. 前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層ならびに前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の埋め込み材料の直径を実質的に横断して被着されるように構成される、請求項46に記載の光フィルタ。
  49. 前記入射媒体は、第1の埋め込み材料と、第2の埋め込み材料と、第3の埋め込み材料と、屈折率整合油とを含み、
    前記第1の埋め込み材料は、第1の入射面と、第2の入射面と、前記屈折率整合油を収容する第1の実質的に円筒状の空洞と、前記屈折率整合油を収容する第2の実質的に円筒状の空洞とともに構成され、
    前記第2の埋め込み材料は、実質的に円筒状であり、前記第1の埋め込み材料の前記屈折率整合油を収容する前記第1の実質的に円筒状の空洞内に回転可能に配置されるように構成され、
    前記第3の埋め込み材料は、実質的に円筒状であり、前記第1の埋め込み材料の前記屈折率整合油を収容する前記第2の実質的に円筒状の空洞内に回転可能に配置されるように構成され、
    前記第1の埋め込み材料と、前記第2の埋め込み材料と、前記第3の埋め込み材料と、前記屈折率整合油とは全て、実質的に等しい屈折率を呈し、
    前記複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の埋め込み材料に埋め込まれるように構成され、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第3の埋め込み材料に埋め込まれるように構成される、請求項42に記載の光フィルタ。
  50. 空気の屈折率よりも高い屈折率を有する入射媒体をさらに備え、
    前記第1の複数の交互の第1および第2の材料ならびに前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記入射媒体に埋め込まれる、請求項38に記載の光フィルタ。
  51. 前記入射媒体は、第1の埋め込み材料と、第2の埋め込み材料と、第3の埋め込み材料と、屈折率整合油とを含み、
    前記第1の埋め込み材料は、第1の入射面と、第2の入射面と、前記屈折率整合油を収容する第1の実質的に円筒状の空洞と、前記屈折率整合油を収容する第2の実質的に円筒状の空洞とともに構成され、
    前記第2の埋め込み材料は、実質的に円筒状であり、前記第1の埋め込み材料の前記屈折率整合油を収容する前記第1の実質的に円筒状の空洞内に回転可能に配置されるように構成され、
    前記第3の埋め込み材料は、実質的に円筒状であり、前記第1の埋め込み材料の前記屈折率整合油を収容する前記第2の実質的に円筒状の空洞内に回転可能に配置されるように構成され、
    前記第1の埋め込み材料と、前記第2の埋め込み材料と、前記第3の埋め込み材料と、前記屈折率整合油とは全て、実質的に等しい屈折率を呈し、
    前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の埋め込み材料に埋め込まれるように構成され、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第3の埋め込み材料に埋め込まれるように構成される、請求項50に記載の光フィルタ。
  52. 請求項30に記載の第1の光フィルタと、
    請求項30に記載の第2の光フィルタと、を備え、
    前記第1の光フィルタの前記第1の角度の前記第2の値によって決定される前記第1の波長が、前記第2の光フィルタの前記第2の角度の前記第1の値によって決定される前記第2の波長とほぼ同じになるように、前記第1の光フィルタの前記第2の通過帯域幅は、前記第2の光フィルタの前記第1の通過帯域幅と重複するように構成される、光学システム。
  53. 請求項32に記載の第1の光フィルタと、
    請求項32に記載の第2の光フィルタと、を備え、
    前記第1の光フィルタの前記第1の角度の前記第2の値によって決定される前記第1の波長が、前記第2の光フィルタの前記第2の角度の前記第1の値によって決定される前記第2の波長とほぼ同じになるように、前記第1の光フィルタの前記第2の通過帯域幅は、前記第2の光フィルタの前記第1の通過帯域幅と重複するように構成される、光学システム。
  54. 光フィルタであって、
    少なくとも1つの基板と、
    第1の複数の交互の第1および第2の材料層、ならびに第2の複数の交互の第1および第2の材料層であって、前記第1および第2の複数の前記第1および第2の材料層の各々は、それぞれ異なる屈折率を有する、材料層と、を備え、
    前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する電磁放射の第1の方向に対する第1の角度で第1の法線ベクトルを有する第1の表面を呈し、第1の波長で前記第1の角度の関数として可同調カットオンエッジを呈するように構成され、
    前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の第2の方向に対する第2の角度で第2の法線ベクトルを有する第2の表面を呈し、第2の波長で前記第2の角度の関数として可同調カットオフエッジを呈するように構成され、
    前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層は、全て前記第1の角度の関数として、前記第1の波長で第1の偏光分離を呈し、第1のS阻止帯域の波長で第1のS阻止帯域エッジを呈し、
    前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、全て前記第2の角度の関数として、前記第2の波長で第2の偏光分離を呈し、第2のS阻止帯域の波長で第2のS阻止帯域エッジを呈し、
    約0度〜約40度の値の任意の第1の角度の場合、前記第1の偏光分離は、前記第1の角度の関数として前記第1の波長の約1パーセントを超えず、
    約0度〜約40度の値の任意の第2の角度の場合、前記第2の偏光分離は、前記第2の角度の関数として前記第2の波長の約1パーセントを超えず、
    前記第1の角度の値および前記第2の角度の値は、前記第2のS阻止帯域の波長がほぼ前記第1の波長以下になり、前記第1の波長が前記第2の波長未満になり、前記第2の波長未満がほぼ前記第1のS阻止帯域の波長以下になるような値であり、
    前記第1の角度の前記値によって決定される第1の波長と、前記第2の角度の前記値によって決定される第2の波長との分離は、通過帯域領域の電磁放射が少なくとも約80%透過されるような通過帯域領域である、
    光フィルタ。
  55. 光フィルタを作製する方法であって、
    第1の複数の交互の第1および第2の材料層を第1の基板表面に被着するステップと、
    第2の複数の交互の第1および第2の材料層を第2の基板表面に被着するステップと、を含み、
    前記第1および第2の複数の前記第1および第2の材料層の各々は、それぞれ異なる屈折率を有し、
    前記第1の基板表面に被着された前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する電磁放射の第1の方向に対する第1の角度で第1の法線ベクトルを有する第1の表面を呈し、第1の波長で前記第1の角度の関数として可同調カットオンエッジを呈するように構成され、
    前記第2の基板表面に被着された前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の第2の方向に対する第2の角度で第2の法線ベクトルを有する第2の表面を呈し、第2の波長で前記第2の角度の関数として可同調カットオフエッジを呈するように構成され、
    前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第1の基板表面に被着された前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層は、全て前記第1の角度の関数として、前記第1の波長で第1の偏光分離を呈し、第1のS阻止帯域の波長で第1のS阻止帯域エッジを呈するように構成され、
    前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第2の基板表面に被着された前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、全て前記第2の角度の関数として、前記第2の波長で第2の偏光分離を呈し、第2のS阻止帯域の波長で第2のS阻止帯域エッジを呈するように構成され、
    約0度〜約40度の値の任意の第1の角度の場合、前記第1の偏光分離は、前記第1の角度の関数として前記第1の波長の約1パーセントを超えず、
    約0度〜約40度の値の任意の第2の角度の場合、前記第2の偏光分離は、前記第2の角度の関数として前記第2の波長の約1パーセントを超えず、
    前記第1の角度の値および前記第2の角度の値は、前記第2のS阻止帯域の波長がほぼ前記第1の波長以下になり、前記第1の波長が前記第2の波長未満になり、前記第2の波長未満がほぼ前記第1のS阻止帯域の波長以下になるような値であり、
    前記第1の角度の前記値によって決定される第1の波長と、前記第2の角度の前記値によって決定される第2の波長との分離は、通過帯域領域の電磁放射が少なくとも約80%透過されるような通過帯域領域である、
    方法。
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