JP2013502735A - 単一またはいくつかの層のグラフェン・ベースの光検出デバイスおよびその形成方法 - Google Patents
単一またはいくつかの層のグラフェン・ベースの光検出デバイスおよびその形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013502735A JP2013502735A JP2012526004A JP2012526004A JP2013502735A JP 2013502735 A JP2013502735 A JP 2013502735A JP 2012526004 A JP2012526004 A JP 2012526004A JP 2012526004 A JP2012526004 A JP 2012526004A JP 2013502735 A JP2013502735 A JP 2013502735A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- graphene
- photodetection
- light detection
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 50
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1606—Graphene
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/60—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation in which radiation controls flow of current through the devices, e.g. photoresistors
- H10K30/65—Light-sensitive field-effect devices, e.g. phototransistors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
【課題】単一または多層のグラフェンが光伝導層である光検出デバイスを提供する。
【解決手段】光検出層として単一または多層グラフェンを用いる光検出器を開示する。異なる電極構成を有する多数の実施形態を開示する。更に、撮像および監視等の用途のために、多数の光検出要素を含む光検出器アレイを開示する。
【選択図】図１
【解決手段】光検出層として単一または多層グラフェンを用いる光検出器を開示する。異なる電極構成を有する多数の実施形態を開示する。更に、撮像および監視等の用途のために、多数の光検出要素を含む光検出器アレイを開示する。
【選択図】図１
Description
本発明は、光検出器における光子検出層として単一または多層のグラフェンを用いることに関する。
光エネルギまたは他の電磁エネルギを検出または検知するために光検出器が用いられる。現在利用可能な光検出器は一般に、有線および無線の通信、検知、監視、科学計測、国家安全保障等の様々な実際的な用途において用いられる。
多くの光学光検出器は、光検出材料系として半導体材料を用いる。しかしながら、半導体材料はバンド・ギャップを有するので、バンド・ギャップよりも大きいエネルギを有する光子しか検出することができず、場合によっては検出されないままの光子がある。更に、半導体ベースの光検出器の固有帯域幅は、光検出領域におけるキャリア走行時間（carrier transit time）によって制限される。これら双方の制約の結果として、光検出器は決して最適とは言えない。
本発明の様々な態様は、以下で参照する特許請求の範囲において定義する。
本発明は、単一または多層のグラフェンが光伝導層である光検出デバイスを提供する。
本発明の一態様によれば、基板を用意し、その上にゲート酸化物層を堆積する。次いで、ゲート酸化物層上にグラフェンのチャネル層を堆積し、このグラフェン層上にソースおよびドレイン接点領域をパターニングする。
別の態様によれば、ソースおよびドレイン領域の上に分割ゲートを設けることができる。また、多数のソースおよびドレイン領域を設けることができる。
別の態様によれば、従来の信号処理読み取り回路と共に多数の光検出要素を設けて、光検出アレイを生成することができる。
本発明の実施形態ならびにその様々な特徴および有利な詳細について、添付図面に図示し以下の記載で詳述する限定でない実施形態を参照して、より完全に説明する。本明細書の実施形態を不必要に曖昧にしないように、周知のコンポーネントおよび処理技法の説明は省略する。本明細書に記載した構造を製造する場合、半導体処理において周知の従来のプロセスを利用することができる。本明細書で用いる例は、単に、本明細書の実施形態を実行可能である方法の理解を容易にすること、および当業者が本明細書の実施形態を実行できるようにすることを意図したに過ぎない。従って、これらの例は、本明細書の実施形態の範囲を限定するものとして解釈すべきではない。
本発明の実施形態は、光検出器における光検出層として単一または多層グラフェンを用いる。バンド・ギャップがゼロまたは極めて小さい材料であるというグラフェンの独特な特性のため、いかなる波長（またはいかなるエネルギ・レベル）の光子も吸収することができる。従って、少なくとも紫外線から遠赤外線までの範囲の波長における幅広い範囲のフォトニックの用途向けに、グラフェンは万能の材料として用いることができる。高電界のもとでのグラフェンのキャリア輸送速度は、フェルミ速度１０６メートル／秒に近付くことができ、これは従来の半導体におけるキャリア輸送速度の１０から１００倍の速度である。これによって、はるかに高い帯域幅を有する光検出器が可能となる。本発明を用いるデバイスは、光電流発生経路間の直接外部バイアスなしで動作することができる。これによって必然的に暗電流がゼロとなるので、低い暗電流が不可欠である撮像、遠隔検知、および監視において多くの適用を可能とする。また、本発明を用いるデバイスは、光電流発生経路間で直接外部バイアスを用いて動作することもできる。通常これによって効率が高くなるが、ある程度の暗電流を伴う。
図１を参照すると、本発明に従って形成された光検出器の第１の実施形態は、従来の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）と同様の基本設計を有し、検出効率を最大化するためにゲート・バイアスを印加してグラフェンｐ−ｎ接合を生成することによって光検出を実現する。バック・ゲート１０は、シリコン・バック・ゲート（高濃度にドーピングまたは低濃度にドーピングされている）から成る。バック・ゲート１０の上に、ゲート酸化物層１２が絶縁層として堆積されている。ゲート酸化物層１２はＳｉＯ２またはいずれかの誘電材料とすることができる。ゲート酸化物の上に、１つ以上の層の厚さとすることができるグラフェン層１４が設けられている。グラフェン層１４は、ドーピングされているかまたはドーピングされていないものとすることができる。グラフェン層は、機械的剥離、化学堆積、または成長を含む多数のプロセスによって生成することができる。次に、グラフェン／ゲート酸化物層１２の上に、ドレイン６およびソース８の接点をパターニングし、これによってグラフェンがドレイン６およびソース８の接点間のチャネルを形成する。良好な金属−グラフェン接合を生成するように、グラフェンならびにソースおよびドレイン接点は少なくとも１００ｎｍ重複しなければならない。
ゲート・バイアスＶＧを印加して、チャネル層１４の中央でグラフェンをフィールド・ドープする。ソースおよびドレインの近傍および下のグラフェンのドーピングは、バック・ゲートでなく接点によって支配される。ゲート・バイアスＶＧを適正に選択することによって良好な検出効率が得られる。ソース（またはドレイン）−グラフェン界面にグラフェンｐ−ｎ接合が形成されるからである。
図２は、図１のチャネル層１４の幅ｄ全体に発生する内部電位を示す。容易に認められるように、最大光検出の領域は、グラフェンｐ−ｎ接合が形成されたソース領域８およびドレイン領域６の至近距離であり、この領域において電界は最大となり、光により発生したキャリアが有効に分離される。
図３を参照すると、本発明に従って形成された光検出器の別の実施は、分割ゲート構造を用いて、高電界光検出領域を生成することを可能としている。基板３４およびゲート酸化物層１２の上で、単一またはいくつか（２つから５つ）のグラフェン層３８の上に、ソース領域３０およびドレイン領域３２が堆積されている。グラフェン３８、ソース領域３０、およびドレイン領域３２の上に、透明ゲート誘電層（高Ｋまたは低Ｋとすることができる）４０が堆積されている。次いで、誘電層４０の上にゲート４２および４４がパターニングされている。図３では、説明の目的のためにゲート誘電層４０を部分的に切り取って図示している。この層は、電気的接続が必要である位置を除いて、グラフェン・チャネルの全体ならびにソース領域およびドレイン領域を覆うことができる。
動作においては、ゲート４２および４４にそれぞれゲート・バイアスを印加して、相当に大きい電界が生じる高感度光検出領域をチャネル３８に生成する。ゲート・バイアスの大きさは、上部ゲート誘電体４０の厚さの関数である。図４は、図３のデバイスのソース領域３０およびドレイン領域３２間で上部ゲート４２および４４によって発生した電位をグラフで示す。
図５は、図３に見られるような分割ゲート光検出デバイスを示すが、グラフェンの下に光導波路５０が追加されている。このデバイスは、図３の光検出デバイスと同じように動作するが、より大きな面積にわたってデバイスに衝突する光子を捕捉しそれらをグラフェン層３８に運ぶ導波路５０の特性のために、いっそう高効率である。導波路５０は、シリコン、窒化シリコン、シリコン酸窒化物、またはいずれかの低損失材料から、材料成長、ウエハ・ボンディング、ウエットまたはドライ・エッチング等の典型的な半導体プロセスを用いて製造することができる。
図６は、前述の実施形態に対して行うことができる変形を示す。グラフェン層３８の上に、多数のソース領域（６４〜６７）およびドレイン領域（６０〜６３）を画定するかみ合わせフィンガ（interdigitated finger）がパターニングされている。この実施は、有効光検出面積を著しく向上させることができるので、極めて高感度の光検出器を可能とする。ゼロのソース−ドレイン・バイアスで、光キャリア分離のための内部電位を生成するように、異なる仕事関数を有する異なるソース金属およびドレイン金属を用いることができる。ソース−ドレイン・バイアスを印加すると、光検出効率を更に高めることができる。しかしながら、この場合、動作において暗電流が生じる。更に、ソースおよびドレイン接点に同一の金属を用いた場合は、シャドー・マスクを用いてソース／グラフェンまたはドレイン／グラフェン接点における光吸収を阻止して、光電流の発生を向上させることができる。
撮像（少なくとも赤外線から可視光までの極めて広い波長範囲において）および監視等の用途においては、光検出器アレイが極めて有用である。図７に示すように、本発明のグラフェン・ベースの光検出器を、標準的な半導体プロセスを用いて、かかるアレイ７０に製造することも可能である。従来の信号処理回路７２を追加することによって、検出器アレイの光検出要素７４の全てからの読み取りを可能とする。このアレイの各要素７４は前述の実施形態のいずれかに従った光検出器を含むことができる。
本発明を前出の例示的な実施形態に関連付けて記載したが、本発明はこれに限定されず、本発明の精神に該当する多くの可能な変更および変形があることは、当業者には理解されよう。
本開示の範囲は、本明細書に開示したいずれかの新規の特徴または特徴の組み合わせを含む。このため、本出願またはそこから導出されたいずれかの更に別の出願の手続の間に新規の特許請求項を構築してかかる特徴または特徴の組み合わせとすることができることは、当業者には認められよう。特に、添付の特許請求の範囲を参照して、従属クレームからの特徴を独立クレームのものと組み合わせることができ、各独立クレームからの特徴をいずれかの適切な方法で、単に特許請求の範囲に列挙した具体的な組み合わせでなく、組み合わせることができる。
不確かさを回避するため、本記載および特許請求の範囲を通じて本明細書で用いる場合、「〜を含む」という言葉は、「〜のみで構成される」という意味に解釈されないものとする。
Claims (15)
- ａ．基板（１０、３４）と、
ｂ．前記基板上に堆積されたゲート酸化物層（１２）と、
ｃ．前記ゲート酸化物層上に堆積されたグラフェンのチャネル層（１４、３８）と、
ｄ．前記グラフェン層上に配置されたソースおよびドレイン接点領域（６、８、３０、３２、６０〜６７）と、
を含む、光検出デバイス。 - 前記光検出層がグラフェンの単一層である、請求項１に記載の光検出デバイス。
- 前記光検出層がグラフェンの９層以下の層である、請求項１に記載の光検出デバイス。
- 多数のソース（６０〜６３）およびドレイン（６４〜６７）領域が設けられている、請求項１、２、または３に記載の光検出デバイス。
- 前記多数のソースおよびドレイン領域が金属製かみ合わせフィンガ（６０〜６７）を含む、請求項４に記載の光検出デバイス。
- 前記ソースおよびドレイン・フィンガ（６０〜６７）が異なる仕事関数を有する異なる金属で形成されている、請求項５に記載の光検出デバイス。
- ゲート・バイアスＶＧが印加されるバックゲート（１０）を更に含む、前出の請求項のいずれかに記載の光検出デバイス。
- 前記グラフェン層（１４、３８）上に堆積されたゲート誘電層（４０）と、
前記グラフェン層全体に電界を印加するために前記ゲート誘電層の上に堆積された分割ゲート（４２、４４）と、
を更に含む、前出の請求項のいずれかに記載の光検出デバイス。 - 前記基板に一体化された光導波路を更に含む、前出の請求項のいずれかに記載の光検出デバイス。
- 前記ゲート酸化物層に埋め込まれて前記グラフェンの下にある光導波路を更に含む、請求項１から８のいずれかに記載の光検出デバイス。
- 前記光導波路が低損失材料である、請求項９または１０のいずれかに記載の光検出デバイス。
- 前記光導波路が、シリコン、窒化シリコン、および酸窒化物から成る群から選択される、請求項９、１０、または１１のいずれかに記載の光検出デバイス。
- 前出の請求項のいずれかに記載の光検出デバイスの複数から成る光検出アレイ。
- ａ．基板（１０、３４）を用意するステップと、
ｂ．前記基板上に堆積したゲート酸化物層（１２）を堆積するステップと、
ｃ．前記ゲート酸化物層上にグラフェンのチャネル層（１４、３８）を堆積するステップと、
ｄ．前記グラフェン層上にソースおよびドレイン接点領域（６、８、３０、３２、６０〜６７）をパターニングするステップと、
を含む、光検出デバイスを形成する方法。 - 前記チャネル層としてグラフェンの単一層が堆積されている、請求項１４に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/546,097 | 2009-08-24 | ||
| US12/546,097 US8053782B2 (en) | 2009-08-24 | 2009-08-24 | Single and few-layer graphene based photodetecting devices |
| PCT/EP2010/061986 WO2011023603A2 (en) | 2009-08-24 | 2010-08-17 | Single and few-layer graphene based photodetecting devices |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013502735A true JP2013502735A (ja) | 2013-01-24 |
| JP2013502735A5 JP2013502735A5 (ja) | 2013-10-03 |
| JP5937006B2 JP5937006B2 (ja) | 2016-06-22 |
Family
ID=43604588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012526004A Expired - Fee Related JP5937006B2 (ja) | 2009-08-24 | 2010-08-17 | 単一またはいくつかの層のグラフェン・ベースの光検出デバイスおよびその形成方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8053782B2 (ja) |
| EP (1) | EP2438635B1 (ja) |
| JP (1) | JP5937006B2 (ja) |
| CN (1) | CN102473844B (ja) |
| TW (1) | TWI496310B (ja) |
| WO (1) | WO2011023603A2 (ja) |
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015031666A (ja) * | 2013-08-06 | 2015-02-16 | 日本電信電話株式会社 | センサ素子 |
| JP2015045629A (ja) * | 2013-04-26 | 2015-03-12 | 三菱電機株式会社 | 電磁波検出器および電磁波検出器アレイ |
| JP2015049207A (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 公立大学法人首都大学東京 | 赤外線受光素子 |
| KR20150039455A (ko) * | 2013-10-02 | 2015-04-10 | 한국기계연구원 | 유연 소자의 광전도성 측정 장치 |
| KR101541529B1 (ko) | 2013-02-26 | 2015-08-05 | 서울대학교산학협력단 | 그래핀 소자 및 그의 제조방법 |
| KR20160081102A (ko) * | 2014-12-30 | 2016-07-08 | 삼성전자주식회사 | 2차원 물질층을 포함하는 전자소자 및 잉크젯 프린팅을 이용한 전자소자의 제조방법 |
| KR101687526B1 (ko) * | 2015-07-07 | 2016-12-19 | 한국원자력연구원 | 방사선 검출기 및 이의 제조 방법 |
| JP2017009534A (ja) * | 2015-06-25 | 2017-01-12 | 日本電信電話株式会社 | 光センサ素子 |
| JP2017028682A (ja) * | 2015-06-10 | 2017-02-02 | フンダシオ インスティチュート デ サイエンセズ フォトニクス | 画像センサ、前記画像センサを備える光電子システム、および前記画像センサを製造するための方法 |
| JP2017079462A (ja) * | 2015-08-03 | 2017-04-27 | フンダシオ インスティチュート デ サイエンセズ フォトニクス | 非局所的読出し回路を有する画像センサおよびこの画像センサを備える光電子デバイス |
| WO2018012076A1 (ja) | 2016-07-12 | 2018-01-18 | 三菱電機株式会社 | 電磁波検出器及び電磁波検出器アレイ |
| US9893219B2 (en) | 2015-06-25 | 2018-02-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Graphene photodetector and graphene optical modulator |
| US10068934B2 (en) | 2015-01-28 | 2018-09-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Electromagnetic wave detector and electromagnetic wave detector array |
| WO2018163496A1 (ja) | 2017-03-10 | 2018-09-13 | 三菱電機株式会社 | 電磁波検出器、電磁波検出器アレイおよび電磁波検出方法 |
| WO2018173347A1 (ja) | 2017-03-22 | 2018-09-27 | 三菱電機株式会社 | 電磁波検出器、電磁波検出器アレイおよび電磁波検出方法 |
| JP2019002852A (ja) * | 2017-06-16 | 2019-01-10 | 株式会社豊田中央研究所 | 電磁波検出器およびその製造方法 |
| KR20190041742A (ko) * | 2017-10-13 | 2019-04-23 | 건국대학교 산학협력단 | 배리스터 기반의 광 검출기 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
| EP3422423A4 (en) * | 2016-02-24 | 2019-09-11 | Mitsubishi Electric Corporation | ELECTROMAGNETIC WAVE DETECTOR |
| WO2019171622A1 (ja) | 2018-03-06 | 2019-09-12 | 三菱電機株式会社 | 電磁波検出器及びそれを備えた電磁波検出器アレイ |
| WO2021065884A1 (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 学校法人慶應義塾 | グラフェン受光素子、及びその作製方法 |
| US11264417B2 (en) | 2018-11-08 | 2022-03-01 | Fujitsu Limited | Photo detection element, optical sensor, and method of manufacturing photo detection element |
| US11296251B2 (en) | 2018-03-06 | 2022-04-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Electromagnetic wave detector and electromagnetic wave detector array including the same |
| US11630273B2 (en) | 2020-01-07 | 2023-04-18 | Samsung Electronics Co.. Ltd. | Light detecting device and optical system including the same |
| JP7338491B2 (ja) | 2020-01-27 | 2023-09-05 | 富士通株式会社 | 光センサ装置 |
| US11757055B2 (en) | 2018-06-26 | 2023-09-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Electromagnetic wave detector, and electromagnetic wave detector array |
| JP7477766B2 (ja) | 2020-09-25 | 2024-05-02 | 富士通株式会社 | 光検出装置 |
Families Citing this family (95)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8227842B2 (en) | 2009-09-21 | 2012-07-24 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Quantum well graphene structure |
| US8106383B2 (en) * | 2009-11-13 | 2012-01-31 | International Business Machines Corporation | Self-aligned graphene transistor |
| US8554022B1 (en) * | 2009-12-21 | 2013-10-08 | University Of Washington Through Its Center For Commercialization | Silicon-graphene waveguide photodetectors, optically active elements and microelectromechanical devices |
| US20110163298A1 (en) * | 2010-01-04 | 2011-07-07 | Chien-Min Sung | Graphene and Hexagonal Boron Nitride Devices |
| US8247060B2 (en) * | 2010-04-30 | 2012-08-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Flexible metamaterial structure based on graphene structures |
| SG184904A1 (en) * | 2010-05-05 | 2012-11-29 | Univ Singapore | Hole doping of graphene |
| US8461567B2 (en) * | 2010-06-24 | 2013-06-11 | Nokia Corporation | Apparatus and method for sensing photons |
| US20120001761A1 (en) * | 2010-07-01 | 2012-01-05 | Nokia Corporation | Apparatus and method for detecting radiation |
| US8969779B2 (en) * | 2011-02-11 | 2015-03-03 | Nokia Corporation | Photodetecting structure with photon sensing graphene layer(s) and vertically integrated graphene field effect transistor |
| US9513244B2 (en) | 2011-04-14 | 2016-12-06 | Regents Of The University Of Minnesota | Ultra-compact, passive, varactor-based wireless sensor using quantum capacitance effect in graphene |
| US9157888B2 (en) * | 2011-05-05 | 2015-10-13 | Graphensic Ab | Field effect transistor for chemical sensing using graphene, chemical sensor using the transistor and method for producing the transistor |
| KR20130014249A (ko) | 2011-07-29 | 2013-02-07 | 한국전자통신연구원 | 광검출기 |
| WO2013066447A1 (en) | 2011-08-01 | 2013-05-10 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Lens-free planar imager and wireless transmitter |
| KR101819980B1 (ko) | 2011-09-09 | 2018-01-19 | 삼성전자주식회사 | 광센싱 장치 및 그 구동 방법, 광센싱 장치를 포함하는 광터치 스크린 장치 |
| KR101871295B1 (ko) | 2011-10-19 | 2018-08-03 | 삼성전자 주식회사 | 그래핀을 이용한 광 변조기 |
| WO2013059665A1 (en) | 2011-10-19 | 2013-04-25 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Ultracompact fabry-perot array for ultracompact hyperspectral imaging |
| US8610989B2 (en) | 2011-10-31 | 2013-12-17 | International Business Machines Corporation | Optoelectronic device employing a microcavity including a two-dimensional carbon lattice structure |
| KR101771427B1 (ko) | 2011-11-02 | 2017-09-05 | 삼성전자주식회사 | 도파로 일체형 그래핀 광검출기 |
| KR101539671B1 (ko) * | 2011-11-21 | 2015-07-27 | 삼성전자주식회사 | 복합 투명 전극을 포함하는 그래핀 기반 포토 디텍터와 그 제조방법 및 포토 디텍터를 포함하는 장치 |
| US8916825B1 (en) * | 2011-12-01 | 2014-12-23 | Magnolia Optical Technologies, Inc. | Ultraviolet, infrared and terahertz photo/radiation sensors using graphene layers to enhance sensitivity |
| US9202945B2 (en) * | 2011-12-23 | 2015-12-01 | Nokia Technologies Oy | Graphene-based MIM diode and associated methods |
| CN102540506A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-07-04 | 泰州巨纳新能源有限公司 | 基于d型光纤的石墨烯电光调制器及其制备方法 |
| CN102569407A (zh) * | 2012-02-14 | 2012-07-11 | 北京中瑞经纬科技有限公司 | 硅基石墨烯场效应晶体管及其制作方法 |
| WO2013148349A1 (en) | 2012-03-30 | 2013-10-03 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Graphene photonics for resonator-enhanced electro-optic devices and all-optical interactions |
| KR101532311B1 (ko) | 2012-04-27 | 2015-06-29 | 삼성전자주식회사 | 그래핀을 이용한 광검출기와 그 제조방법 |
| KR101919424B1 (ko) | 2012-07-23 | 2018-11-19 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| US20150243826A1 (en) * | 2012-08-28 | 2015-08-27 | Northeastern University | Tunable heterojunction for multifunctional electronics and photovoltaics |
| CN102983178B (zh) * | 2012-09-07 | 2015-04-15 | 清华大学 | 石墨烯光探测器及其制备方法 |
| KR101919425B1 (ko) | 2012-10-09 | 2018-11-19 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 채널을 포함한 터널링 전계효과 트랜지스터 |
| US9212948B2 (en) | 2012-11-07 | 2015-12-15 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Lossless hyperspectral imaging |
| US8927964B2 (en) * | 2012-11-20 | 2015-01-06 | Nokia Corporation | Photodetection |
| US20160172527A1 (en) * | 2012-12-03 | 2016-06-16 | Sandia Corporation | Photodetector with Interdigitated Nanoelectrode Grating Antenna |
| US9293627B1 (en) * | 2012-12-03 | 2016-03-22 | Sandia Corporation | Sub-wavelength antenna enhanced bilayer graphene tunable photodetector |
| WO2014089454A2 (en) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for graphene photodetectors |
| KR101399195B1 (ko) | 2012-12-11 | 2014-05-27 | 경희대학교 산학협력단 | 가변 에너지 그래핀 발광 투과 트랜지스터 |
| US9685559B2 (en) | 2012-12-21 | 2017-06-20 | The Regents Of The University Of California | Vertically stacked heterostructures including graphene |
| KR101430650B1 (ko) | 2013-01-11 | 2014-08-19 | 경희대학교 산학협력단 | 광검출 소자 |
| GB201300695D0 (en) * | 2013-01-15 | 2013-02-27 | Univ Exeter The | Graphene deposition enquiry |
| US10620431B2 (en) * | 2013-01-29 | 2020-04-14 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | System, method and computer-accessible medium for depth of field imaging for three-dimensional sensing utilizing a spatial light modulator microscope arrangement |
| US9680038B2 (en) | 2013-03-13 | 2017-06-13 | The Regents Of The University Of Michigan | Photodetectors based on double layer heterostructures |
| US8901689B1 (en) | 2013-05-10 | 2014-12-02 | International Business Machines Corporation | Graphene photodetector |
| KR101481000B1 (ko) * | 2013-05-13 | 2015-01-14 | 경희대학교 산학협력단 | 그래핀 양자점 광 검출기 및 이의 제조 방법 |
| CN103258895B (zh) * | 2013-05-16 | 2015-09-16 | 东南大学 | 带有底栅控电极的平面电子发射光探测器 |
| TWI493739B (zh) * | 2013-06-05 | 2015-07-21 | Univ Nat Taiwan | 熱載子光電轉換裝置及其方法 |
| CN103531665A (zh) * | 2013-10-28 | 2014-01-22 | 鲍桥梁 | 与硅光波导集成的石墨烯异质结光探测器的制备方法 |
| CN103531655A (zh) * | 2013-10-28 | 2014-01-22 | 鲍桥梁 | 一种与硅光波导集成的石墨烯异质结光探测器 |
| KR102189605B1 (ko) | 2014-01-06 | 2020-12-14 | 한국전자통신연구원 | 광검출기 |
| CN103811568B (zh) * | 2014-02-21 | 2016-04-20 | 中国科学院半导体研究所 | 一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器 |
| CN103901638B (zh) * | 2014-04-22 | 2016-06-08 | 电子科技大学 | 具有四层石墨烯结构的光调制器 |
| CN103956402B (zh) * | 2014-05-14 | 2016-03-30 | 合肥工业大学 | 一种自驱动高速肖特基结近红外光电探测器及其制备方法 |
| CN104062676A (zh) * | 2014-05-29 | 2014-09-24 | 中国空间技术研究院 | 基于石墨烯电场效应的x射线和带电粒子探测器及探测方法 |
| US9812603B2 (en) * | 2014-05-30 | 2017-11-07 | Klaus Y. J. Hsu | Photosensing device with graphene |
| US9812604B2 (en) * | 2014-05-30 | 2017-11-07 | Klaus Y. J. Hsu | Photosensing device with graphene |
| KR101548681B1 (ko) | 2014-06-17 | 2015-09-01 | 성균관대학교산학협력단 | 광 검출 소자 및 제조 방법 |
| TWI573257B (zh) | 2014-06-27 | 2017-03-01 | 友達光電股份有限公司 | 感測裝置 |
| KR102266615B1 (ko) | 2014-11-17 | 2021-06-21 | 삼성전자주식회사 | 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US9859513B2 (en) | 2014-11-25 | 2018-01-02 | University Of Kentucky Research Foundation | Integrated multi-terminal devices consisting of carbon nanotube, few-layer graphene nanogaps and few-layer graphene nanoribbons having crystallographically controlled interfaces |
| TWI509230B (zh) * | 2014-12-25 | 2015-11-21 | Univ Nat Cheng Kung | 石墨烯光電能量感測器及使用其之光電能量感測方法 |
| US9945728B2 (en) * | 2015-04-03 | 2018-04-17 | Raytheon Bbn Technologies Corp. | Graphene-based infrared single photon detector |
| CN104795410B (zh) * | 2015-04-15 | 2017-10-31 | 重庆大学 | 基于光波导的石墨烯纳米带阵列太赫兹传感器 |
| KR102238110B1 (ko) * | 2015-04-20 | 2021-04-12 | 한국전자통신연구원 | 광검출기 |
| CN104867817A (zh) * | 2015-05-21 | 2015-08-26 | 北京工业大学 | 一种薄膜平面化的半导体工艺 |
| US9933310B2 (en) | 2015-06-17 | 2018-04-03 | Raytheon Bbn Technologies Corp. | Graphene-based infrared bolometer |
| US9799817B2 (en) | 2015-06-18 | 2017-10-24 | Raytheon Bbn Technologies Corp. | Josephson junction readout for graphene-based single photon detector |
| US10437329B2 (en) | 2015-08-03 | 2019-10-08 | Fundació Institut De Ciències Fotòniques | Gaze tracking apparatus |
| KR20170019623A (ko) * | 2015-08-12 | 2017-02-22 | 고려대학교 산학협력단 | 광위치 검출기 및 이의 제조 방법 |
| EP3163633B1 (en) | 2015-10-28 | 2021-09-01 | Nokia Technologies Oy | A light-based sensor apparatus and associated methods |
| US10097281B1 (en) | 2015-11-18 | 2018-10-09 | Hypres, Inc. | System and method for cryogenic optoelectronic data link |
| CN105489693B (zh) * | 2015-12-31 | 2017-09-29 | 南京大学 | 基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件 |
| CN105655420B (zh) * | 2016-01-12 | 2017-05-31 | 浙江大学 | 石墨烯光吸收特性的玻璃基波导型光电探测器及制备方法 |
| CN105720127A (zh) * | 2016-02-05 | 2016-06-29 | 浙江大学 | 基于石墨烯/半导体异质结的多功能发电机及其制造方法 |
| US9899547B2 (en) | 2016-04-25 | 2018-02-20 | International Business Machines Corporation | Multi-wavelength detector array incorporating two dimensional and one dimensional materials |
| CN105826413A (zh) * | 2016-06-03 | 2016-08-03 | 泰州巨纳新能源有限公司 | 一种基于复合衬底的石墨烯光电探测器 |
| WO2018005838A1 (en) * | 2016-06-30 | 2018-01-04 | The Regents Of The Universtiy Of California | Chemically assembled two-dimensional junctions |
| US10830640B2 (en) * | 2016-09-13 | 2020-11-10 | Sony Corporation | Electromagnetic wave detection element, electromagnetic wave sensor, electronic apparatus, and structural body |
| CN106784115B (zh) * | 2017-01-23 | 2018-08-14 | 电子科技大学 | 费米能级可调的pin结构石墨烯光探测器及其制备方法 |
| CN107104168A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-08-29 | 上海幂方电子科技有限公司 | 紫外线传感器及其制备方法 |
| EP3635752B1 (en) * | 2017-06-01 | 2023-12-27 | The Regents of The University of California | Metallo-graphene nanocomposites and methods for using metallo-graphene nanocomposites for electromagnetic energy conversion |
| CN107394001B (zh) * | 2017-06-09 | 2019-04-09 | 北京交通大学 | 一种基于石墨烯的微型超宽带光探测器及其制作方法 |
| CN107316915B (zh) * | 2017-07-04 | 2019-04-02 | 中山大学 | 可见光波段的集成石墨烯二硫化钼的光电探测器及其制备方法 |
| CN107579128B (zh) * | 2017-09-04 | 2019-06-07 | 北京工业大学 | 一种基于石墨烯的焦平面成像器件及其制备方法 |
| CN108231803B (zh) * | 2017-12-26 | 2020-08-11 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 氮化硅光波导器件和石墨烯探测器集成芯片及其制作方法 |
| KR102088244B1 (ko) * | 2018-02-05 | 2020-03-12 | 고려대학교 산학협력단 | 무전력 화학물질 감지센서 및 센싱방법 |
| US10741707B2 (en) | 2018-03-23 | 2020-08-11 | International Business Machines Corporation | Graphene-contacted nanotube photodetector |
| CN110323266B (zh) * | 2018-03-28 | 2021-03-30 | 华为技术有限公司 | 石墨烯场效应晶体管 |
| CN108899388B (zh) * | 2018-06-29 | 2020-02-14 | 华中科技大学 | 一种硅基石墨烯光电探测器 |
| CN109119507B (zh) * | 2018-09-05 | 2020-06-12 | 南京大学 | 一种基于集成电路工艺的石墨烯红外探测器制备方法 |
| EP3691253B1 (en) * | 2019-01-31 | 2023-11-15 | Fundació Institut de Ciències Fotòniques | Charge sensing device with readout of signal by detecting a change of capacitance of combined gate and quantum capacitance compared to a reference capacitancea |
| US11908901B1 (en) | 2019-03-14 | 2024-02-20 | Regents Of The University Of Minnesota | Graphene varactor including ferroelectric material |
| CN110221385B (zh) * | 2019-05-17 | 2020-09-01 | 天津大学 | 一种基于石墨烯的波导集成的多模电光调制器及制作方法 |
| EP3980271A4 (en) | 2019-06-08 | 2022-12-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | COATINGS FOR OPTICAL DROP DETECTORS |
| US10903396B1 (en) | 2019-08-20 | 2021-01-26 | International Business Machines Corporation | Layered material based quantum light emitting device |
| CN111599889A (zh) * | 2020-05-25 | 2020-08-28 | 华南师范大学 | 一种自驱动光电探测器及其光通信系统 |
| CN112331728B (zh) * | 2021-01-06 | 2021-03-16 | 武汉敏芯半导体股份有限公司 | 一种基于低维材料的波导晶体管探测器及其制备方法 |
| CN115265769B (zh) * | 2022-05-13 | 2023-09-29 | 中国科学院紫金山天文台 | 太赫兹石墨烯约瑟夫森结探测系统 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5679479A (en) * | 1979-12-03 | 1981-06-30 | Shunpei Yamazaki | Photoelectric conversion device |
| EP0063421B1 (en) * | 1981-04-20 | 1987-05-06 | Hughes Aircraft Company | High speed photoconductive detector |
| GB2168527B (en) * | 1984-12-15 | 1988-11-16 | Stc Plc | Photo-detector |
| US5514885A (en) | 1986-10-09 | 1996-05-07 | Myrick; James J. | SOI methods and apparatus |
| JP3162424B2 (ja) * | 1991-05-27 | 2001-04-25 | キヤノン株式会社 | 導波型光検出器及びその作製方法 |
| US6559376B2 (en) * | 1996-09-30 | 2003-05-06 | Nology Engineering, Inc. | Combustion initiation device and method for tuning a combustion initiation device |
| DE19905694A1 (de) | 1998-11-27 | 2000-08-17 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Bauelement |
| US6833980B1 (en) * | 1999-05-10 | 2004-12-21 | Hitachi, Ltd. | Magnetoelectric device |
| US7250642B2 (en) * | 2004-07-29 | 2007-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Field-effect transistor |
| US8003979B2 (en) * | 2006-02-10 | 2011-08-23 | The Research Foundation Of State University Of New York | High density coupling of quantum dots to carbon nanotube surface for efficient photodetection |
| US7619257B2 (en) * | 2006-02-16 | 2009-11-17 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Devices including graphene layers epitaxially grown on single crystal substrates |
| KR20090034988A (ko) * | 2006-07-18 | 2009-04-08 | 더 유니버시티 오브 써던 캘리포니아 | 나노튜브를 갖는 유기 광전자 소자 전극 |
| JP2008052076A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Fujifilm Corp | ガラス |
| US8431818B2 (en) * | 2007-05-08 | 2013-04-30 | Vanguard Solar, Inc. | Solar cells and photodetectors with semiconducting nanostructures |
| US7732859B2 (en) * | 2007-07-16 | 2010-06-08 | International Business Machines Corporation | Graphene-based transistor |
| KR101384665B1 (ko) | 2007-09-13 | 2014-04-15 | 성균관대학교산학협력단 | 그라펜 시트를 함유하는 투명 전극, 이를 채용한 표시소자및 태양전지 |
| US20090174435A1 (en) * | 2007-10-01 | 2009-07-09 | University Of Virginia | Monolithically-Integrated Graphene-Nano-Ribbon (GNR) Devices, Interconnects and Circuits |
| US20100132771A1 (en) * | 2008-10-06 | 2010-06-03 | The Regents Of The University Of California | 3D Carbon Nanotubes Membrane as a Solar Energy Absorbing Layer |
-
2009
- 2009-08-24 US US12/546,097 patent/US8053782B2/en active Active
-
2010
- 2010-08-06 TW TW099126308A patent/TWI496310B/zh active
- 2010-08-17 EP EP10744585.0A patent/EP2438635B1/en active Active
- 2010-08-17 CN CN201080035978.1A patent/CN102473844B/zh active Active
- 2010-08-17 JP JP2012526004A patent/JP5937006B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-17 WO PCT/EP2010/061986 patent/WO2011023603A2/en active Application Filing
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| JPN6013057278; Ｆ．Ｘｉａ: '"Ｐｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔ Ｉｍａｇｉｎｇ ａｎｄ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ Ｐｈｏｔｏｎ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ｉｎ ａ Ｇｒａｐｈｅｎｅ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ"' Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔｅｒｓ Ｖｏｌ．９， Ｎｏ．３， Ｆｅｂｒｕａｒｙ ９， ２００９, ｐ．１０３９-１０４４ * |
| JPN6013057279; Ｔ．Ｍｕｅｌｌｅｒ: '"Ｒｏｌｅ ｏｆ ｃｏｎｔａｃｔｓ ｉｎ ｇｒａｐｈｅｎｅ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ： Ａ ｓｃａｎｎｉｎｇ ｐｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔ ｓｔｕｄｙ"' Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｂ Ｖｏｌ．７９， Ｎｏ．２４， ２５ Ｊｕｎｅ ２００９, ２４５４３０ * |
| JPN6013057280; Ｖ．Ｒｙｚｈｉｉ: '"Ｇｒａｐｈｅｎｅ ｂｉｌａｙｅｒ ｆｉｅｌｄ-ｅｆｆｅｃｔ ｐｈｏｔｏｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ｆｏｒ ｔｅｒａｈｅｒｔｚ ａｎｄ ｉｎｆｒａｒｅｄ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ"' Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｂ Ｖｏｌ．７９， Ｎｏ．２４， １６ Ｊｕｎｅ ２００９, ２４５３１１ * |
Cited By (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101541529B1 (ko) | 2013-02-26 | 2015-08-05 | 서울대학교산학협력단 | 그래핀 소자 및 그의 제조방법 |
| JP2015045629A (ja) * | 2013-04-26 | 2015-03-12 | 三菱電機株式会社 | 電磁波検出器および電磁波検出器アレイ |
| US9157789B2 (en) | 2013-04-26 | 2015-10-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Electromagnetic wave detector and electromagnetic wave detector array |
| JP2015031666A (ja) * | 2013-08-06 | 2015-02-16 | 日本電信電話株式会社 | センサ素子 |
| JP2015049207A (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 公立大学法人首都大学東京 | 赤外線受光素子 |
| KR101652037B1 (ko) | 2013-10-02 | 2016-08-29 | 한국기계연구원 | 유연 소자의 광전도성 측정 장치 |
| KR20150039455A (ko) * | 2013-10-02 | 2015-04-10 | 한국기계연구원 | 유연 소자의 광전도성 측정 장치 |
| KR20160081102A (ko) * | 2014-12-30 | 2016-07-08 | 삼성전자주식회사 | 2차원 물질층을 포함하는 전자소자 및 잉크젯 프린팅을 이용한 전자소자의 제조방법 |
| JP2016127267A (ja) * | 2014-12-30 | 2016-07-11 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 二次元物質層を含む電子素子、及びインクジェットプリンティングを利用した電子素子の製造方法 |
| US10460935B2 (en) | 2014-12-30 | 2019-10-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electronic device having two-dimensional (2D) material layer and method of manufacturing the electronic device by inkjet printing |
| KR102412965B1 (ko) * | 2014-12-30 | 2022-06-24 | 삼성전자주식회사 | 2차원 물질층을 포함하는 전자소자 및 잉크젯 프린팅을 이용한 전자소자의 제조방법 |
| US10068934B2 (en) | 2015-01-28 | 2018-09-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Electromagnetic wave detector and electromagnetic wave detector array |
| JP2017028682A (ja) * | 2015-06-10 | 2017-02-02 | フンダシオ インスティチュート デ サイエンセズ フォトニクス | 画像センサ、前記画像センサを備える光電子システム、および前記画像センサを製造するための方法 |
| JP2017009534A (ja) * | 2015-06-25 | 2017-01-12 | 日本電信電話株式会社 | 光センサ素子 |
| US9893219B2 (en) | 2015-06-25 | 2018-02-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Graphene photodetector and graphene optical modulator |
| KR101687526B1 (ko) * | 2015-07-07 | 2016-12-19 | 한국원자력연구원 | 방사선 검출기 및 이의 제조 방법 |
| US10408948B2 (en) | 2015-07-07 | 2019-09-10 | Korea Atomic Energy Research Institute | Radiation detector and method for manufacturing same |
| JP2017079462A (ja) * | 2015-08-03 | 2017-04-27 | フンダシオ インスティチュート デ サイエンセズ フォトニクス | 非局所的読出し回路を有する画像センサおよびこの画像センサを備える光電子デバイス |
| US11302834B2 (en) | 2016-02-24 | 2022-04-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Electromagnetic wave detector |
| EP3422423A4 (en) * | 2016-02-24 | 2019-09-11 | Mitsubishi Electric Corporation | ELECTROMAGNETIC WAVE DETECTOR |
| JP6297233B1 (ja) * | 2016-07-12 | 2018-03-20 | 三菱電機株式会社 | 電磁波検出器及び電磁波検出器アレイ |
| WO2018012076A1 (ja) | 2016-07-12 | 2018-01-18 | 三菱電機株式会社 | 電磁波検出器及び電磁波検出器アレイ |
| US10784394B2 (en) | 2016-07-12 | 2020-09-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Electromagnetic wave detector and electromagnetic wave detector array |
| US10957810B2 (en) | 2017-03-10 | 2021-03-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Electromagnetic wave detector, electromagnetic wave detector array, and electromagnetic wave detection method |
| WO2018163496A1 (ja) | 2017-03-10 | 2018-09-13 | 三菱電機株式会社 | 電磁波検出器、電磁波検出器アレイおよび電磁波検出方法 |
| WO2018173347A1 (ja) | 2017-03-22 | 2018-09-27 | 三菱電機株式会社 | 電磁波検出器、電磁波検出器アレイおよび電磁波検出方法 |
| US11353360B2 (en) | 2017-03-22 | 2022-06-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Electromagnetic wave detector, electromagnetic wave detector array, and electromagnetic wave detection method |
| JP2019002852A (ja) * | 2017-06-16 | 2019-01-10 | 株式会社豊田中央研究所 | 電磁波検出器およびその製造方法 |
| KR20190041742A (ko) * | 2017-10-13 | 2019-04-23 | 건국대학교 산학협력단 | 배리스터 기반의 광 검출기 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
| KR101984398B1 (ko) | 2017-10-13 | 2019-05-30 | 건국대학교 산학협력단 | 배리스터 기반의 광 검출기 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
| US11296251B2 (en) | 2018-03-06 | 2022-04-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Electromagnetic wave detector and electromagnetic wave detector array including the same |
| WO2019171622A1 (ja) | 2018-03-06 | 2019-09-12 | 三菱電機株式会社 | 電磁波検出器及びそれを備えた電磁波検出器アレイ |
| US11757055B2 (en) | 2018-06-26 | 2023-09-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Electromagnetic wave detector, and electromagnetic wave detector array |
| US11264417B2 (en) | 2018-11-08 | 2022-03-01 | Fujitsu Limited | Photo detection element, optical sensor, and method of manufacturing photo detection element |
| WO2021065884A1 (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 学校法人慶應義塾 | グラフェン受光素子、及びその作製方法 |
| US11630273B2 (en) | 2020-01-07 | 2023-04-18 | Samsung Electronics Co.. Ltd. | Light detecting device and optical system including the same |
| JP7338491B2 (ja) | 2020-01-27 | 2023-09-05 | 富士通株式会社 | 光センサ装置 |
| JP7477766B2 (ja) | 2020-09-25 | 2024-05-02 | 富士通株式会社 | 光検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2011023603A2 (en) | 2011-03-03 |
| US8053782B2 (en) | 2011-11-08 |
| WO2011023603A3 (en) | 2011-11-03 |
| EP2438635A2 (en) | 2012-04-11 |
| TW201133910A (en) | 2011-10-01 |
| TWI496310B (zh) | 2015-08-11 |
| EP2438635B1 (en) | 2020-02-12 |
| US20110042650A1 (en) | 2011-02-24 |
| JP5937006B2 (ja) | 2016-06-22 |
| CN102473844B (zh) | 2014-12-24 |
| CN102473844A (zh) | 2012-05-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5937006B2 (ja) | 単一またはいくつかの層のグラフェン・ベースの光検出デバイスおよびその形成方法 | |
| US9054008B2 (en) | Solar blind ultra violet (UV) detector and fabrication methods of the same | |
| US9337220B2 (en) | Solar blind ultra violet (UV) detector and fabrication methods of the same | |
| WO2016121408A1 (ja) | 電磁波検出器および電磁波検出器アレイ | |
| US9219177B2 (en) | Photo detector and integrated circuit | |
| US11217709B2 (en) | Graphene-semiconductor heterojunction photodetector and method of manufacturing the same | |
| JP2010278045A (ja) | 光半導体装置 | |
| US8461571B2 (en) | Method and apparatus for converting photon energy to electrical energy | |
| WO2018228277A1 (zh) | 光电探测结构及其制作方法、光电探测器 | |
| Tran et al. | Photoresponsive properties of ultrathin silicon nanowires | |
| CN108281443B (zh) | 一种基于soi衬底的石墨烯/硅异质结ccd像素阵列及其制备方法 | |
| US8586400B2 (en) | Fabricating method of organic photodetector | |
| US20220262968A1 (en) | Opto-electronic device and image sensor including the same | |
| KR20200127778A (ko) | 어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자 및 이의 제조방법 | |
| JP7374222B2 (ja) | 電磁波検出器および電磁波検出器集合体 | |
| JP7321403B1 (ja) | 電磁波検出器及び電磁波検出器アレイ | |
| CN113629158B (zh) | 一种宽光谱偏振光探测器及其制备方法 | |
| KR102320117B1 (ko) | 그래핀-반도체 이종접합 광전소자 및 이의 제조방법 | |
| JP7399361B2 (ja) | 電磁波検出器及び電磁波検出器アレイ | |
| CN117153927A (zh) | 光电器件、光电探测装置、显示面板及光电器件制备方法 | |
| TWI458109B (zh) | 紫外光檢測器的製造方法 | |
| JP5723135B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2011053897A (ja) | 入力装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130501 |
|
| RD12 | Notification of acceptance of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7432 Effective date: 20130731 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130808 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20130808 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130731 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20131114 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131120 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131126 |
|
| RD14 | Notification of resignation of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7434 Effective date: 20131204 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140226 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140325 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140819 |
|
| RD12 | Notification of acceptance of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7432 Effective date: 20150626 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20150629 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160119 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160511 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5937006 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |