KR101548681B1 - 광 검출 소자 및 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 광 검출 소자 및 제조 방법에 관한 것으로, 게이트 전극을 포함하고, 유전체 층이 형성된 기판, 유전체 층의 상부에 서로 이격되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 소스 전극과 드레인 전극을 연결하는 채널층, 채널층에 코팅된 염료 분자를 포함한다. 이때 채널층은 핵사고날 원자 물질로 구성 된 것이다.
Description
본 발명은 유연한 광 검출 소자 및 제조방법에 관한 것이다.
광 검출기는 광신호를 전기적인 신호로 바꾸어 주는 역할을 하는 소자로서, 초고속 대용량 광통신 시스템, 영상처리 시스템, 의료기기 등 다양한 산업 분야에서 다양한 용도로 사용되고 있다. 따라서, 광 검출기에 적용될 수 있는 공정 방법과 저비용, 고성능의 광 검출 소자에 관한 연구가 활발히 진행되고 있으며, 광 검출 소자들의 광 검출 민감도 등은 주요한 문제점으로 대두되고 있다.
이에 따라, 전자와 정공(hole)에 대해서 기존에 알려진 물질보다 높은 이동도(mobility)를 가지는 그래핀이나 금속 칼코제나이드 등의 물질을 광 검출 소자의 채널로 이용하여 광 검출 소자의 특성을 향상시키는 것에 관한 연구가 진행되고 있다. 이러한 광 검출 소자의 특성을 적외선에서 자외선 영역까지 넓은 파장 대역의 광에 대해 검출 민감도를 가진다.
앞서 전술한 예는, 대한민국 등록 특허 제 10-1154347 호(발명의 명칭: 그래핀 박막과 나노 입자를 이용한 광검출기 및 그 제조 방법)에 개시되어 있다.
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 하이브리드 구조를 통해 넓은 파장 대역의 빛을 높은 민감도로 검출 가능한 광 검출 소자를 제공하고자 한다.
다만, 본 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들로 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 존재할 수 있다.
상술한 같은 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 일 측면에 따른 광 검출 소자는, 게이트 전극을 포함하고, 유전체 층이 형성된 기판,유전체 층의 상부에 서로 이격되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 소스 전극과 드레인 전극을 연결하는 채널층, 채널층에 코팅된 염료 분자를 포함한다. 이때, 채널층은 핵사고날 원자 물질로 구성 된 것이다.
본 발명의 다른 측면에 따른 광 검출 소자의 제조 방법은, 게이트 전극을 포함하는 기판에 유전체층을 형성하는 단계; 유전체 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 전극 상에 채널층을 형성하는 단계; 및 채널층 상에 염료 분자를 코팅하는 단계를 포함한다. 이때, 채널층은 합성된 그래핀을 프린팅하여 형성할 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 광 검출 소자의 제조 방법은, 게이트 전극을 포함하는 기판에 유전체층을 형성하는 단계; 유전체 상에 채널층을 형성하는 단계; 채널층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 채널층 상에 염료 분자를 코팅하는 단계를 포함한다. 이때, 채널층은 금속칼코제나이드로 형성할 수 있다.
전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 광 검출 소자의 하이브리드 구조를 통해 고성능, 고효율의 광 검출이 가능하다.
또한, 본 발명의 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 기존의 광 검출 소자에 비하여 넓은 파장 대역의 빛을 높은 민감도로 검출 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 검출 소자의 단면 구조를 도시하고 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 금속칼코제나이드를 이용한 광 검출 소자의 제조방법을 상세히 설명하기 위한 순서도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀을 이용한 광 검출 소자의 제조방법을 상세히 설명하기 위한 순서도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 이황화 몰리브덴 을 이용한 광 검출 소자를 입체적으로 나타낸 모식도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 이황화몰리브덴을 이용한 광 검출 소자의 다양한 입사 파장에 따른 드레인 전류 특성을 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 이황화몰리브덴을 이용한 광 검출 소자의 입사 파장에 따른 광 전류 특성을 나타내는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 이황화몰리브덴을 이용한 광 검출 소자의 광 응답 특성을 나타내는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 이황화몰리브덴을 이용한 광 검출 소자의 광 세기에 따른 광 유도 전류 특성을 나타내는 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 이황화몰리브덴을 이용한 광 검출 소자의 시간 응답 특성을 나타낸 그래프이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 그래핀을 이용한 광 검출 소자를 입체적으로 나타낸 모식도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 그래핀을 이용한 광 검출 소자를 다양한 입사 파장에서 따른 게이트 전압에 따른 드레인 전류 특성을 나타내는 그래프이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 그래핀을 이용한 광 검출 소자의 입사 파장에 따른 광 검출 특성을 나타내는 그래프이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 그래핀을 이용한 광 검출 소자의 게이트 전압에 따른 드레인 전류 특성을 입사 광의 세기를 변화 시키면서 측정한 그래프이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 그래핀을 이용한 광 검출 소자의 광 응답 특성과 유효 양자 효율을 매우 낮은 입사광의 세기에서 측정한 그래프이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 그래핀을 이용한 광 검출 소자의 광 응답 특성과 유효 양자 효율을 나타내는 그래프이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀을 이용한 광 검출기의 스캐닝 사진이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 광검출기의 그래핀 채널층의 유효 양자 효율을 나타낸 그래프이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 검출기의 시간 응답 특성을 나타낸 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 금속칼코제나이드를 이용한 광 검출 소자의 제조방법을 상세히 설명하기 위한 순서도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀을 이용한 광 검출 소자의 제조방법을 상세히 설명하기 위한 순서도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 이황화 몰리브덴 을 이용한 광 검출 소자를 입체적으로 나타낸 모식도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 이황화몰리브덴을 이용한 광 검출 소자의 다양한 입사 파장에 따른 드레인 전류 특성을 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 이황화몰리브덴을 이용한 광 검출 소자의 입사 파장에 따른 광 전류 특성을 나타내는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 이황화몰리브덴을 이용한 광 검출 소자의 광 응답 특성을 나타내는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 이황화몰리브덴을 이용한 광 검출 소자의 광 세기에 따른 광 유도 전류 특성을 나타내는 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 이황화몰리브덴을 이용한 광 검출 소자의 시간 응답 특성을 나타낸 그래프이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 그래핀을 이용한 광 검출 소자를 입체적으로 나타낸 모식도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 그래핀을 이용한 광 검출 소자를 다양한 입사 파장에서 따른 게이트 전압에 따른 드레인 전류 특성을 나타내는 그래프이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 그래핀을 이용한 광 검출 소자의 입사 파장에 따른 광 검출 특성을 나타내는 그래프이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 그래핀을 이용한 광 검출 소자의 게이트 전압에 따른 드레인 전류 특성을 입사 광의 세기를 변화 시키면서 측정한 그래프이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 그래핀을 이용한 광 검출 소자의 광 응답 특성과 유효 양자 효율을 매우 낮은 입사광의 세기에서 측정한 그래프이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 그래핀을 이용한 광 검출 소자의 광 응답 특성과 유효 양자 효율을 나타내는 그래프이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀을 이용한 광 검출기의 스캐닝 사진이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 광검출기의 그래핀 채널층의 유효 양자 효율을 나타낸 그래프이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 검출기의 시간 응답 특성을 나타낸 그래프이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 리튬 이차전지 및 제조방법에 대해서 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 검출 소자의 단면 구조를 도시하고 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 광 검출 소자는, 게이트층(101)을 포함하는 기판(100), 기판 상부에 형성된 유전체층(102), 유전체층(102)의 상부에 서로 이격되어 형성된 드레인 전극(103) 및 소스 전극(104) 및, 드레인 전극(103) 및 소스 전극(104)을 연결하는 채널층(105), 채널층(105)에 코팅된 염료 분자(106)를 포함한다. 이때, 채널층(105)은 핵사고날 원자 물질로 구성된 것 중 어느 하나일 수 있으며 그 두께는 제한하지 않는다.
먼저, 기판(100)은 일반적으로 반도체 소자용으로 사용되는 기판으로서, 유리(glass), 석영(quartz), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge)등을 사용할 수 있다. 또한 유연한 광 검출 소자를 구현하기 위해서, 금, 은, 구리, 알루미늄등의 금속전극 또는 ITO, 그래핀 등의 투명전극이 코팅된 폴리에틸렌 프탈레이트(Polyethylene Phthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene Naphthalate, PEN), 폴리에틸렌이민(Polyethylenimine, PEI) 등을 포함하는 플라스틱 기판이 사용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 광 검출 소자는, 기판(100) 위에 유전체층(102)을 형성할 수 있다. 유전체층(102)은 일례로, 300nm 정도의 두께를 가지는 실리콘 산화막(SiO2)일 수 있으나, 이에 제한되지는 않으며, 유전체층(102)의 두께는 필요에 따라 조절 될 수 있다. 특히 핵사고날 질화 붕소(Boron Nitride)를 이용한 광 소자에서 고성능을 구현할 수 있을 것으로 기대한다.
또한, 유연한 광 검출 소자를 구현하기 위해서, 기판(100)은 폴리에틸렌 프탈레이트(Polyethylene Phthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene Naphthalate, PEN), 폴리에틸렌이민(Polyethylenimine, PEI) 등을 포함하는 플라스틱 기판에 전도성 게이트층(101)이 포함되어 형성될 수 있다. 이때 게이트층(101)은 금속으로 구성될 수 있고, 예를 들어, 알류미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni)등의 금속 및 그래핀, 은나노와이어필름, 금속그리드, ITO를 포함하는 투명전극 혹은 이들의 조합으로 이루어진 것으로 구성될 수 있다.
유전체층(102)의 상부에 서로 이격되어 형성되는 드레인 전극(103) 및 소스 전극(104)은 금속으로 구성될 수 있고, 예를 들어, 알류미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni) 및 이들의 조합으로 이루어진 것으로 구성될 수 있다.
이어서, 드레인 전극(103) 및 소스 전극(104)을 전기적으로 연결되도록 채널(105)층이 포함될 수 있다. 이때, 채널층(105)은 핵사고날 원자 물질로 구성된 것으로서, 일례로 이황화몰리브덴(MoS2)과 같은 금속칼코제나이드 또는 그래핀(Grephene)일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 광 검출 소자(100)는 채널층(105) 위에 염료 분자(106)가 코팅되어 있을 수 있는데, 이때 염료 분자(106)는 그래핀 또는 금속칼코제나이드와 Pi-Pi 결합을 이루는 로다민(Rhodamine 6G)과 같은 물질 일 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 금속칼코제나이드를 이용한 광 검출 소자의 제조방법을 상세히 설명하기 위한 순서도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 광 검출 소자는 채널층(105)에 금속칼코제나이드를 포함할 수 있는데, 금속칼코제나이드를 이용한 광 검출 소자의 제조방법은, 기판에 유전체를 형성하는 단계(s201); 채널층을 형성하는 단계(s202); 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계(s203); 및 염료 분자를 코팅하는 단계(s204)를 포함한다.
먼저, 전도성 게이트 전극을 포함하는 기판(100)에 유전체를 형성하는 단계(s201)에서 n-도핑 또는 p-도핑된 실리콘 웨이퍼 위에 실리콘 산화막을 300nm 정도의 두께로 열 성장 시킬 수 있다. 혹은 유전체를 플라즈마 화학기상증착법 혹은 원자층 증착법 등을 이용하여 고품질로 증착할 수 있다. 이때, 유전체는 실리콘 산화막뿐 아니라 알루미늄 산화막, 하프늄 산화막, 실리콘 질화막, 보론 질화막 등으로 특정 물질에 국한되지 않는다.
이어서, 채널층을 형성하는 단계(s202)에서, 2차원 구조 물질은 금속 칼코게나이드(Metal Chalcogenide) 계열의 채널층(105)을 형성할 수 있다. 이때, 금속칼코제나이드 채널층(105)은 일례로, 스카치테이프(Scotch Tape)를 이용한 물리적인 박리를 통하여 형성할 수 있으며, 이외에 층상구조 사이에 산 등을 삽입하여 떼어내는 화학적 박리, 유기 용매에 분산하여 떼어내는 액상 박리, 물리적인 증착, 수열 합성, 전기화학적 합성, 산화(Molybdenum)의 황화, 황을 포함하는 전구체의 열분해, 또는 그래핀의 합성 방법과 같은 기상화학증기증착법 등을 이용하여 형성할 수 있다.
다음으로, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계(s203)에서, 이온빔 리소그래피로 전극 패턴을 형성하고, 드레인 전극(103) 및 소스 전극(104)을 증착시킨 후 리프트오프(Lift Off)하여 형성할 수 있다. 이때, 드레인 전극(103) 및 소스 전극(104)은 도전성을 가지는 물질 또는 금속을 포함할 수 있고, 예를 들어 알류미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni) 및 이들의 조합으로 이루어진 것을 포함할 수 있다. 드레인 전극(103) 및 소스 전극(104)은 화학기상증착법, 플라즈마 여기 CVD(Plasma Enhanced CVD; PECVD), 저압 CVD(Low Pressure CVD; LPCVD), 물리기상증착법(Physical Vapor Deposition; PVD), 스퍼터링(Sputtering), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)등의 증착 방법에 의하여 형성될 수 있다.
다음으로, 염료 분자를 코팅하는 단계(s204)에서 금속칼코제나이드와 Pi-Pi 결합을 이루는 물질을 금속칼코제나이드 채널층(105) 상에 코팅 시킬 수 있다. 금속칼코제나이드와 Pi-Pi 결합을 이루는 물질은 일례로 로다민(Rhodamine 6G; R6G) 일 수 있으며, 금속칼코제나이드 채널층(105) 상에 드랍 캐스팅(Drop Casting), 스핀코팅(Spin Coating), 스프레이코팅(Spray Coating), 바코팅(Bar Coating), 딥핑(Dipping) 공정 등에 의하여 코팅 될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀을 이용한 광 검출 소자의 제조방법을 상세히 설명하기 위한 순서도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 광 검출 소자는 채널층(105)에 그래핀을 포함할 수 있다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀을 이용한 광 검출 소자의 제조방법은, 기판에 유전체를 형성하는 단계(s301); 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계(s302); 채널층을 형성하는 단계(s303); 및 염료 분자를 코팅하는 단계(s304)를 포함한다.
그래핀을 이용한 광 검출기의 제작 공정은 금속칼코제나이드를 이용한 광 검출기의 제작 공정과 유사하나, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계(s302)와 채널층을 형성하는 단계(s303)에서 그 순서와 방법에 차이가 있다.
그래핀을 이용한 광 검출기의 제작 공정은 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계(s302)에서, 쉐도우 마스크를 이용하여 드레인 전극(103) 및 소스 전극(104)을 증착 시킬 수 있다. 이때, 드레인 전극(103) 및 소스 전극(104)은 도전성을 가지는 물질 또는 금속을 포함할 수 있고, 예를 들어 알류미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni) 및 이들의 조합으로 이루어진 것을 포함할 수 있다. 드레인 전극(103) 및 소스 전극(104)은 열증기증착법 (Thermal Evaporation), 전자빔증기증착법 (E-beam Evaporation), 화학기상증착법, 플라즈마 여기 CVD(Plasma Enhanced CVD, CVD), 저압 CVD(Low Pressure CVD; LPCVD), 물리기상증착법(Physical Vapor Deposition, PVD), 스퍼터링(Sputtering), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)등의 증착 방법에 의하여 형성될 수 있다.
이어서, 채널층을 형성하는 단계(s303)에서, 드레인 전극(103) 및 소스 전극(104)과 전기적으로 연결되도록 그래핀 채널층(105)을 형성할 수 있다. 그래핀 채널층(105)은 CVD 증착 기법으로 성장된 것을 전사시켜 형성할 수 있으며, 환원된 산화 그래핀 등을 이용할 수 있다. 또한 그래핀 채널은 단층, 이층 또는 다층으로 형성할 수 있으며, 그래핀 채널층(105)을 기판(100)상에 직접 성장시킬 수도 있다.
p-도핑된 실리콘 기판(100)위에, 300nm두께의 실리콘 산화막을 증착시킨후, 금속칼코제나이드 물질중의 하나인 이황화몰리브덴 나노시트(natural single crystal, SPI Supplies)을 붙였다 떼어내는 물리적인 박리를 통하여 채널층을 형성할 수 있다. 다음으로, 드레인 전극(103) 및 소스 전극(104)의 패턴을 형성하기 위하여, 감광제인 PMMA를 스핀코팅 시킨 후에, 180°C에서 3분 정도 베이킹 시켜준다. 이어서, 이빔리소그래피를 이용하여 패턴을 그리고, IPA : MIB용액에 40초 동안 현상시켜 패턴을 완성한 후, 크롬(Cr) 5nm, 골드(Au) 50nm를 증착시켜 아세톤을 이용하여 리프트오프 공정을 진행한다. 마지막으로, 300°C 에서 아르곤가스(Ar) 60sccm 과 수소가스(
) 6sccm이 흘려주면서 2시간 동안 어닐링(annealing) 시켜주면, 폭과 길이가 각각 6.25μm, 13μm인 이황화 몰리브덴 채널층(105) 상에 CR/Au의 소스 전극(103) 및 드레인 전극(104)이 형성된다. 이후에 이황화몰리브덴과 Pi-Pi 결합을 이루는 염료 분자(106)를 이황화몰리브덴 채널층(105) 상에 코팅할 수 있는데, 일례로 로다민(rhodamine 6G; R6G) 1mM을 증류수(DI water)에 희석시켜, 이황화몰리브덴 채널층(105) 상에 드랍 캐스팅(drop casting)하여 코팅 할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 이황화 몰리브덴 을 이용한 광 검출 소자를 입체적으로 나타낸 모식도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 이황화몰리브덴을 이용한 광 검출 소자의 다양한 입사 파장에 따른 드레인 전류 특성을 나타내는 그래프이다.
도 5를 참조하면, 암(dark)상태에서, 염료 분자가 코팅된 이황화몰리브덴을 이용한 광 검출 소자와 이황화몰리브덴만을 이용한 광 검출 소자의 드레인 전류특성을 비교할 수 있다. 1mW의 광 세기를 가지는 광 소스의 입사 파장을 변화 시키면서 드레인 전류 변화를 살펴본 결과, 염료 분자가 코팅된 이황화몰리브덴을 이용한 광 검출 소자는 이황화몰리브덴만을 이용한 광 검출소자에 비하여 드레인 전류가 더 높게 흐르며 UV에서 IR영역까지 넓은 파장대역에서 잘 구동하는 것을 확인 할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 이황화몰리브덴을 이용한 광 검출 소자의 입사 파장에 따른 광 전류 특성을 나타내는 그래프이다.
도 6을 참조하면, 이황화몰리브덴 채널 상에 R6G가 코팅된 하이브리드 구조의 광 검출 소자는, R6G의 흡수 피크와 동일한 530nm파장 근처에서 최대의 흡수 피크를 보이며, 모든 파장 대역에서, 더욱 효과적으로 빛을 흡수하는 것을 관찰 할 수 있다. 또한 0V의 게이트 전압에서, 400nm에서 980nm 의 광전류를 측정한 결과, 일반적인 이황화몰리브덴만을 이용한 광 검출 소자에 비하여, 더욱 많은 광전류가 흐르는 것을 확인할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 이황화몰리브덴을 이용한 광 검출 소자의 광 응답 특성을 나타내는 그래프이다.
광 응답 특성(photoresoponsivity; R)은 광 검출 소자의 성능 특성을 나타내는 중요한 파라미터로, 아래의 수학식 1에 의해 계산될 수 있다.
여기서 
는 광전류를 나타내며, 
은 입사되는 광의 파워를 나타낸다.
도 7에 도시된 바와 같이, 이황화몰리브덴 채널 상에 R6G가 코팅된 하이브리드 구조의 광 검출 소자는 일반적인 이황화몰리브덴만을 이용한 광 검출 소자에 비하여, 모든 파장 대역에서, 광 응답 특성이 개선된 것을 확인 할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 이황화몰리브덴을 이용한 광 검출 소자의 광 세기에 따른 광 유도 전류 특성을 나타내는 그래프이다.
도 8를 참조하면, 0V의 게이트 전압, 520nm 광 소스의 입사 파장에서 광 세기에 따른 광 유도 전류는 선형적인 특성을 나타내며, 염료 분자가 코팅된 이황화몰리브덴을 이용한 광 검출 소자의 광 전류 그래프가 이황화몰리브덴만을 이용한 광 검출소자의 광 유도 전류 그래프의 위쪽에 위치하는 것으로 보아 염료 분자를 코팅함으로써 광 검출 소자의 광 효율이 향상됨을 알 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 이황화몰리브덴을 이용한 광 검출 소자의 시간 응답 특성을 나타낸 그래프이다.
도 9의 오른쪽 위에 위치한 그래프는 인가된 온-오프 전류를 나타내는 그래프이고, 오른쪽 아래에 위치한 그래프는 인가된 온-오프 전류에 따른 광 검출 소자의 응답 특성을 나타내고 있다. 도 12를 참조하면, 드레인 전압을 1V에서 5V로 증가 시켰을 때, 광 전류는 2.4μA에서 17.2μA로 증가 되는 것을 확인할 수 있으며, 5V의 드레인 전압에서, 2.29sec의 빠른 응답시간을 가지는 것을 확인할 수 있다.
그래핀을 채널층으로 가지는 광 검출 소자의 제작 공정은 채널층과 전극을 형성하는 것만 실시예 1과 다르며 나머지 공정은 동일하다. 그래핀 채널층(105) 형성 공정은, 예를 들어, 촉매층으로써 
기판(100)에 구리(Cu)를 증착하여 화학기상증착(CVD)시스템의 쿼츠 튜브에 로딩시킨 후, 1000°C, 50mTorr에서 수소(
)가스 10sccm를 흘려 촉매층의 불순물 및 산화층을 제거하는 전처리 공정을 한 뒤, 4시간 후에, 5sccm의 수소와 메탄(
)의 혼합가스를 450mTorr에서 2시간 동안 반응시켜, 촉매층 위에 탄소원자를 흡수 또는 흡착시킬 수 있다. 이어서 50mTorr 에서, 수소가스 10sccm을 흘리면서 실온까지 급냉 시킨다. 이를 통해 탄소원자는 2차원적인 SP2 결합을 이루게 되고 100um의 99% 균일한 단일층 그래핀 필름이 합성된다. 화학기상증착법으로 성장된 그래핀은 금속 촉매위에 존재하기 때문에, 드레인 전극(103) 및 소스 전극(104)위로 전사 시키는 것이 필요하다.
전사시키는 방법으로는 먼저 고분자 지지층으로 PMMA를 그래핀 표면에 스핀 코팅한 후, 
플라즈마와 반응성 이온에칭(RIE)를 이용하여, 뒤편의 그래핀 필름을 제거하고, Ammoammon Per Sulfate 에천트를 이용하여 촉매금속을 제거할 수 있다. 그 후 고분자 지지층 상에 남아있는 그래핀 필름을 드레인 전극(103) 및 소스 전극(104)을 포함하는 기판(100)에 접촉하여 스탬핑(Stamping)을 하게 되면 그래핀을 전사시킬수 있다. 이때, 채널의 폭과 길이는 각각 1000μm 및 50μm 이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 그래핀을 이용한 광 검출 소자를 입체적으로 나타낸 모식도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 그래핀을 이용한 광 검출 소자를 다양한 입사 파장에서 따른 게이트 전압에 따른 드레인 전류 특성을 나타내는 그래프이다.
도 11에 도시된 바와 같이 0V의 드레인 전압에서, 염료 분자가 코팅된 그래핀을 이용한 광 검출 소자에 1mW의 광 세기를 가지는 광 소스의 입사 파장을 450nm에서 980nm까지 변화시키면서 게이트 전압에 따른 드레인 전류 변화를 살펴본 결과, 넓은 파장 대역에서 잘 구동하는 것을 확인할 수 있다. 또한 다양한 파장의 모든 입사 광은 0V의 게이트 전압에서, 염료 분자가 코팅되지 않은 그래핀만을 이용한 광 검출 소자에서 발생하는 수 μA의 광전류에 비하여 상당히 높은 수 mA의 광전류가 발생하는 것을 확인할 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 그래핀을 이용한 광 검출 소자의 입사 파장에 따른 광 검출 특성을 나타내는 그래프이다.
도 12를 참조하면, 그래핀 채널 상에 R6G가 코팅된 하이브리드 구조의 광 검출 소자는, R6G의 흡수 피크와 동일한 530nm의 파장에서 최대의 흡수 피크를 보이며, 모든 파장 대역에서, 더욱 효과적으로 빛을 흡수하는 것을 관찰할 수 있다. 또한 0의 게이트 전압에서, 400nm에서 980nm 의 파장 범위에 대하여 광전류를 측정한 결과, 530nm의 파장에서 1mA 정도의 광전류가 흐르는 것을 확인할 수 있다. 이는 일반적인 그래핀을 이용한 광 검출 소자에 1uA의 광전류가 흐르는 것에 비하여 매우 높은 수치임을 알 수 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 그래핀을 이용한 광 검출 소자의 게이트 전압에 따른 드레인 전류 특성을 입사 광의 세기를 변화시키면서 측정한 그래프이다.
도 13을 참조하면, 0.1V의 드레인 전압에서 520nm의 파장을 가지는 입사광의 세기를 변화시켜 게이트 전압에 따른 드레인 전류 특성을 확인한 결과, 그래핀을 이용한 광 검출 소자에 흐르는 전류는 입사광의 세기가 커질수록 증가하는 것을 확인할 수 있는데, 이는 입사 광에 의하여 염료분자의 광 여기 전자의 수가 증가하고, 그래핀층의 음효과전압에 의한 것임을 알 수 있다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 그래핀을 이용한 광 검출 소자의 광 응답 특성과 유효 양자 효율을 매우 낮은 입사광의 세기에서 측정한 그래프이다.
도 14에 도시된 바와 같이, 염료 분자가 코팅된 그래핀을 이용한 광 검출 소자는 
W의 매우 낮은 입사광의 세기에서 0.45mA의 전류가 흐르며, 
%의 유효 양자 효율을 가지는 것을 확인 할 수 있다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 염료 분자가 코팅된 그래핀을 이용한 광 검출 소자의 광 응답 특성과 유효 양자 효율을 나타내는 그래프이다.
도 15에 도시된 바와 같이, 그래핀 채널 상에 R6G가 코팅된 하이브리드 구조의 광 검출 소자는 일반적인 그래핀만을 이용한 광 검출 소자에 비하여, 모든 파장 대역에서, 광 응답 특성이 개선된 것을 확인 할 수 있다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀을 이용한 광 검출기의 스캐닝 사진이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 광검출기의 그래핀 채널층의 유효 양자 효율을 나타낸 그래프이다.
도 16과 도 17을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 광 검출기의 염료분자가 코팅된 그래핀 채널층 위에 3um의 스팟 사이즈를 가지며 파워가 100uW인 520nm의 레이저로 스캐닝을 하여 광 검출기의 응답 특성을 살펴보았을 때, 그래핀 채널층 전체에 걸쳐서 균일한 유효 양자 효율이 나타나는 것을 확인 할 수 있다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 검출기의 시간 응답 특성을 나타낸 그래프이다.
도 18의 (10)은 펄스레이저의 온-오프 전류를 나타내는 그래프이고, (20)은 펄스레이저를 이용하여 본 발명의 일 실시예에 따른 광 검출기의 광전류 특성을 나타내고 있다. 이 그래프는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 검출기가 얼마나 빠른 속도로 응답 하는지를 확인 할 수 있다. 라이즈-폴 타임 (Rise and Fall times)은 100ms미만으로 확인 되었다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 기판 101: 게이트층
102: 유전체층 103: 소스전극
104: 드레인전극 105: 채널층
106: 염료분자
102: 유전체층 103: 소스전극
104: 드레인전극 105: 채널층
106: 염료분자
Claims (8)
- 광 검출 소자에 있어서,
게이트 전극을 포함하고, 유전체 층이 형성된 기판,
상기 유전체 층의 상부에 서로 이격 되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극;
상기 소스 전극과 드레인 전극을 연결하는 채널층;
상기 채널층에 코팅된 염료 분자를 포함하되,
상기 채널층은 핵사고날 원자 물질로 구성된 것인 광 검출 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 핵사고날 원자 물질은 이황화몰리브덴(), 이황화텅스텐(
), 및 텅스텐디셀레나이드(
) 중 어느 하나인 금속칼코제나이드 물질 또는 그래핀(Grapheme), 인 광 검출 소자.
- 제 1항에 있어서,
상기 기판은 유리(Glass), 석영(Quartz), 실리콘(Si), 및 게르마늄(Ge) 또는 유연한 광 검출 소자를 구현하기 위해서, 폴리에틸렌 프탈레이트(Polyethylene Phthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene Naphthalate, PEN), 및 폴리에틸렌이민(Polyethylenimine, PEI) 중 하나 어느 하나를 포함하는 광 검출 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 염료 분자는
그래핀, 또는 금속칼코제나이드와 Pi-Pi 결합을 이루는
로다민(Rhodamine 6G, Rhodamine B), 프로토포르피린(Protoporphyrin 9), 루테늄계 염료(N3, N719), 및 크리스탈바이올렛(Crystal Violet; CV) 중 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 것인 광 검출 소자. - 광 검출 소자의 제조 방법에 있어서,
게이트 전극을 포함하는 기판에 유전체층을 형성하는 단계;
상기 유전체 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
상기 전극 상에 채널층을 형성하는 단계; 및
상기 채널층 상에 염료 분자를 코팅하는 단계를 포함하되,
상기 채널층은 그래핀(Graphene)으로 구성된 것인 광 검출 소자의 제조 방법. - 광 검출 소자의 제조 방법에 있어서,
게이트 전극을 포함하는 기판에 유전체층을 형성하는 단계;
상기 유전체 상에 채널층을 형성하는 단계;
상기 채널층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
상기 채널층 상에 염료 분자를 코팅하는 단계를 포함하되,
상기 채널층은 금속칼코제나이드로 구성된 것인 광 검출 소자의 제조 방법. - 제 5항 또는 제 6항에 있어서,
상기 염료 분자는
그래핀, 또는 금속칼코제나이드와 Pi-Pi 결합을 이루는 로다민(Rhodamine 6G, Rhodamine B), 프로토포르피린(Protoporphyrin 9), 루테늄계 염료(N3, N719), 및 크리스탈바이올렛(Crystal Violet; CV) 중 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 것인 광 검출 소자의 제조 방법. - 제 5항 또는 제 6항에 있어서,
상기 염료 분자를 코팅하는 단계는
드랍 캐스팅(Drop Casting), 스핀코팅(Spin Coating), 스프레이코팅(Spray Coating), 바코팅(Bar Coating), 및 딥핑(Dipping) 공정 중 어느 하나를 수행하는 것인 광 검출 소자의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140073226A KR101548681B1 (ko) | 2014-06-17 | 2014-06-17 | 광 검출 소자 및 제조 방법 |
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| KR1020140073226A KR101548681B1 (ko) | 2014-06-17 | 2014-06-17 | 광 검출 소자 및 제조 방법 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190055992A (ko) * | 2017-11-16 | 2019-05-24 | 한국세라믹기술원 | 전이금속 칼코겐화합물을 이용한 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법 |
| KR101990050B1 (ko) * | 2017-12-14 | 2019-09-30 | 재단법인 한국탄소융합기술원 | 전이금속 이유화 물질 광소자의 감도 조절 방법 |
| US10854445B2 (en) | 2018-06-08 | 2020-12-01 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Infrared optical sensor and manufacturing method thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110042650A1 (en) | 2009-08-24 | 2011-02-24 | International Business Machines Corporation | Single and few-layer graphene based photodetecting devices |
| KR101154347B1 (ko) | 2009-08-24 | 2012-06-13 | 한양대학교 산학협력단 | 그래핀 박막과 나노 입자를 이용한 광검출기 및 그 제조 방법 |
-
2014
- 2014-06-17 KR KR1020140073226A patent/KR101548681B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110042650A1 (en) | 2009-08-24 | 2011-02-24 | International Business Machines Corporation | Single and few-layer graphene based photodetecting devices |
| KR101154347B1 (ko) | 2009-08-24 | 2012-06-13 | 한양대학교 산학협력단 | 그래핀 박막과 나노 입자를 이용한 광검출기 및 그 제조 방법 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| PingAn Hu et al., "Highly Responsive Ultrathin GaS Nanosheet Photodetectors on Rigid and Flexible Substrates", Nano Lett. 2013, vol.13, pp.1649-1654 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190055992A (ko) * | 2017-11-16 | 2019-05-24 | 한국세라믹기술원 | 전이금속 칼코겐화합물을 이용한 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법 |
| KR102038552B1 (ko) * | 2017-11-16 | 2019-10-30 | 한국세라믹기술원 | 전이금속 칼코겐화합물을 이용한 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법 |
| KR101990050B1 (ko) * | 2017-12-14 | 2019-09-30 | 재단법인 한국탄소융합기술원 | 전이금속 이유화 물질 광소자의 감도 조절 방법 |
| US10854445B2 (en) | 2018-06-08 | 2020-12-01 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Infrared optical sensor and manufacturing method thereof |
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