JP2015049207A - 赤外線受光素子 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の実施の形態に係る赤外線受光素子の斜視図の一例を示す。また、図2は、図1のA−A線における断面の一例を示し、図3は、図1のB−B線における断面の一例を示す。
本実施の形態に係る赤外線受光素子1は、電解質を含む部材によって表面に電気二重層が形成されるカーボンナノチューブを備える。そして、赤外線受光素子1は、カーボンナノチューブに対する赤外線の照射によって生じるカーボンナノチューブの抵抗変化を利用した受光素子である。具体的に、赤外線受光素子1は、基板10と、基板10上に設けられる第1電極12と、第1電極12から離間して設けられる第2電極14と、第1電極12及び第2電極14から離間して設けられる第3電極16と、第1電極12と第2電極14との間に設けられ、単一カイラリティの単層カーボンナノチューブを含んで構成されるチャネル部18と、第3電極16とチャネル部18とに接触して設けられ、電解質を含む制御部材20とを備える。
基板10は、半導体材料、高分子材料、セラミック材料、若しくは金属材料等を用い、赤外線受光素子1としての機械的強度を確保できる厚さを有して形成される。例えば、基板10は、シリコン基板(Si基板)、ポリマー基板、又はガラス基板等を用いることができる。また、基板10は、表面に絶縁層11を有する。絶縁層11は、例えば、二酸化ケイ素(SiO2)層等を用いることができるが、絶縁層11に断熱効果を備えさせることを目的として、パラキシレン系ポリマーであるパリレン(登録商標)からなるパリレン層を用いることもできる。絶縁層11は、真空蒸着法、スパッタリング法等の成膜技術又は熱酸化法を用いて基板10上に形成される。
第1電極12は、基板10上にソース電極として形成される。第1電極12は、基板10上に絶縁層11を介して設けられる。一方、第2電極14は、基板10上であって、第1電極12から離間した位置にドレイン電極として設けられる。第2電極14も、基板10上に絶縁層11を介して設けられる。例えば、第1電極12及び第2電極14は、平面視にて略長方形状を有し、基板10上に互いに対向する位置に設けられる。
第3電極16は、基板10上であって、第1電極12及び第2電極14から離れた位置にゲート電極として設けられる。例えば、第3電極16は、平面視にて略長方形状を有し、第1電極12及び第2電極14の間に設けられる。第3電極16は、チャネル部18に電場を発生させることでキャリアを注入する機能を奏するので、電気化学的に安定なAu若しくはPt等の金属材料を用いて形成される。なお、第1電極12、第2電極14、及び第3電極16は、真空蒸着法、スパッタリング法等の成膜技術を用いて形成することができる。
チャネル部18は、第1電極12と第2電極14との双方に接触して設けられ、単一カイラリティのカーボンナノチューブを含んで構成される。具体的に、チャネル部18は、単一カイラリティの複数の単層カーボンナノチューブを含んで形成されるネットワークであって、シート状に形成される。本実施の形態に係る単層カーボンナノチューブは、カイラリティを(n,m)で表した場合(ただし、n及びmは0以上の整数である)、「n−m」が3の倍数ではない単層カーボンナノチューブを用いる。すなわち、本実施の形態に係る単層カーボンナノチューブは、単一カイラリティの半導体型単層カーボンナノチューブ(以下、単一カイラリティの半導体型単層カーボンナノチューブを単に「半導体型Single−walled Carbon Nanotube(SWCNT)」と表す。)である。半導体型SWCNTを用いることにより、チャネル部18の抵抗を所望の抵抗に制御することができる。
制御部材20は、第3電極16の表面とチャネル部18の表面との双方に接触して設けられ、チャネル部18の抵抗率を制御する。具体的に、制御部材20は、チャネル部18の表面に電気二重層を形成可能な電解質を含んで形成される。例えば、制御部材20は、イオン液体若しくは塩を用いて形成される。イオン液体としては、例えば、N,N,N-Trimethyl-N-propylammonium bis (trifuluoromethanesulfonyl)imide(TMPA-TFSI)や、1-ethyl-3methylimidazolium bis(trifuluoromethylsulfonyl)imide(EMIM-TFSI)等を用いることができ、塩としては、例えば、リチウム塩等を用いることができる。塩を用いる場合、塩を水溶媒若しくは有機溶媒に溶解させて用いる。
本実施の形態に係る赤外線受光素子1は、第1電極12と第2電極14とを単一カイラリティの単層半導体型カーボンナノチューブを用いて構成されるチャネル部18によって接続し、チャネル部18のフェルミエネルギーの位置を制御部材20によって移動させることができるので、TCR値を大幅に向上させることができる。したがって、本実施の形態に係る赤外線受光素子1によれば、高いTCR値を備える赤外線受光素子を提供することができる。
本実施例では(6,5)カイラリティの単層カーボンナノチューブを用いた。単一カイラリティの半導体型単層カーボンナノチューブの精製方法としては、公知の種々の精製方法を用いることができる。ここでは、実施例において採用した(6,5)カイラリティの単層カーボンナノチューブの精製方法について説明する。
まず、シリコン基板を準備した。そして、シリコン基板上に厚さが200nmのSiO2絶縁膜を形成した。そして、絶縁膜上に、Auからなる第1電極12としてのソース電極と、Tiからなる第2電極14としてのドレイン電極と、Auからなる第3電極16としてのゲート電極をそれぞれ形成した。
10 基板
11 絶縁層
12 第1電極
14 第2電極
16 第3電極
18 チャネル部
20 制御部材
Claims (6)
- 基板と、
前記基板上に設けられる第1電極と、
前記基板上であって、前記第1電極から離間して設けられる第2電極と、
前記第1電極及び前記第2電極から離間して設けられる第3電極と、
前記第1電極と前記第2電極とに接触して設けられ、単一カイラリティの半導体型カーボンナノチューブを含んで構成されるチャネル部と
を備える赤外線受光素子。 - 前記第3電極と前記チャネル部とに接触して設けられ、前記チャネル部の抵抗率を制御する制御部材
を更に備える請求項1に記載の赤外線受光素子。 - 前記制御部材が、前記チャネル部の表面に電気二重層を形成可能な電解質を含んで構成される請求項2に記載の赤外線受光素子。
- 前記電解質が、イオン液体、若しくは塩である請求項3に記載の赤外線受光素子。
- 前記チャネル部が、複数の前記単一カイラリティの半導体型カーボンナノチューブのネットワークを含んで構成される請求項1〜4のいずれか1項に記載の赤外線受光素子。
- 前記第1電極を構成する材料の仕事関数と前記第2電極を構成する材料の仕事関数とが互いに異なる請求項1〜5のいずれか1項に記載の赤外線受光素子。
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