TWI458109B

TWI458109B - 紫外光檢測器的製造方法

Info

Publication number: TWI458109B
Application number: TW099136794A
Authority: TW
Inventors: Jinn Kong Sheu; Wei Chih Lai; Shih Chang Shei
Original assignee: Just Innovation Corp
Priority date: 2010-10-27
Filing date: 2010-10-27
Publication date: 2014-10-21
Also published as: TW201218405A

Description

紫外光檢測器的製造方法

本發明是有關於一種光檢測器的製造方法，且特別是有關於一種紫外光檢測器的製造方法。

一般而言，光檢測器係使光射入p型半導體層、未摻雜吸收層以及n型半導體層中，利用這些材料層具有之特殊能隙，使得當能量大於未摻雜吸收層之能隙的入射光光子為吸收層所吸收後，吸收層內會產生電子電洞對。此時，對此光檢測器外加一電壓後，即可令這些電子電洞對流動而產生電流。因此，利用上述原理，可檢測入射光。

圖1A為一種傳統紫外光檢測器的結構剖面圖。請參考圖1A，紫外光檢測器100包括基板110、晶核層120、n型緩衝層130、未摻雜吸收層140、p型接觸層150、半透明金屬層160、p型電極172以及n型電極174。晶核層120位於基板110上，而n型緩衝層130位於晶核層120上。未摻雜吸收層140位於部分之n型緩衝層130上，而p型接觸層150位於未摻雜吸收層140上，如圖1所示。

另外，半透明金屬層160位於p型接觸層150上，而p型電極172位於部分之半透明金屬層160，且n型電極174則位於n型緩衝層130未受到未摻雜吸收層106覆蓋的部分上。

請繼續參考圖1A，利用此紫外光檢測器100進行入射光180之檢測時，入射光180是從p型接觸層150上方朝未摻雜吸收層140與n型緩衝層130的方向射入紫外光檢測器100。其中，對於用以檢測能量較高之紫外光等的光檢測器，其p型接觸層150之鋁含量需提高，以增加p型接觸層150之能隙。然而，在p型接觸層150中，鋁含量的增加，會導致p型接觸層150之材料與p型摻質的活化效率下降，亦即摻雜效率降低，如此一來不易將p型接觸層150摻雜至高載子濃度(Carrier Concentration)，進而使得p型接觸層150之電阻率較高。

然而，為獲得較佳的歐姆接觸，半透明金屬層160必須製作在電阻率較低之材料層上。因此，在p型接觸層150具有較高之電阻率的情況下，半透明金屬層160與p型接觸層150之間便無法形成良好的歐姆接觸，而導致紫外光檢測器100的電性不佳。此外，受到p型接觸層150之電阻率較高的影響，可能會使部分之電場分散在p型接觸層150，如此亦會降低元件之檢測性能。

此外，在習知技術中，為了解決上述紫外光檢測器中p型半導體層摻雜效率不佳的問題，通常是使用覆晶技術，將基板110連同形成於其上之各材料層予以倒覆，藉以使入射光180可從基板110上方朝向n型緩衝層130與未摻雜吸收層140的方向射入紫外光檢測器100，如圖1B所示。然而，在製程實務上，完成紫外光感測器100各層的製作後，再進行覆晶動作，會使整個製程步驟更形複雜，不僅影響製程之流暢性，更會導致製程良率下降。

本發明提供一種紫外光檢測器的製造方法，其可製造出製程步驟較簡易且檢測性較佳的紫外光檢測器。

本發明提出一種紫外光檢測器的製造方法，其包括下列步驟。首先，提供一基板。接著，於基板上形成一p型Ⅲ-V族化合物半導體層。然後，於p型Ⅲ-V族化合物半導體層上形成暴露出部分p型Ⅲ-V族化合物半導體層的一罩幕層。而後，依序形成一具有一第一能隙的未摻雜Ⅲ-V族化合物光感測層以及一具有一第二能隙的n型Ⅲ-V族化合物半導體層於被罩幕層所暴露出的p型Ⅲ-V族化合物半導體層上，其中第一能隙小於等於第二能隙。接著，移除罩幕層。之後，分別形成一第一電極與一第二電極於p型Ⅲ-V族化合物半導體層與n型Ⅲ-V族化合物半導體層上。

在本發明之一實施例中，形成罩幕層的方法包括下列步驟。首先，形成一罩幕材料層於p型Ⅲ-V族化合物半導體層上。接著，圖案化罩幕材料層以暴露出部分p型Ⅲ-V族化合物半導體層。在本發明之一實施例中，形成罩幕材料層的材料為具有高成長選擇比之材料，且其包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鉿或氧化鋁。

在本發明之一實施例中，在進行移除罩幕層的步驟之前，更包括形成一導電層於n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層上。

在本發明之一實施例中，導電層為一半透明金屬層。

在本發明之一實施例中，形成導電層的材質包括鎳、鉻、金或上述組合。

在本發明之一實施例中，導電層為一透明導電層，形成透明導電層的材質包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅摻雜鋁薄膜(Aluminum-doped Zinc Oxide，ZnO:Al;AZO)、氧化錫鎘(CTO)、CuAlO₂ 、LaCuOS、CuGaO₂ 以及SrCu₂ O₂ ，且透明導電層的厚度=(2m-1)λ/4n，其中m為一整數，n為透明導電層的折射率，λ為紫外光檢測器的截止波長(Cut-off Wavelength)。

在本發明之一實施例中，在形成第一電極與第二電極之前，更包括形成一穿隧層(tunneling layer)於p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層上。在本發明之一實施例中，穿隧層結構包括Al_a In_b Ga_1-a-b N應力層(strained layer)，其中a,b0，0a+b<1。在本發明之一實施例中，應力層(strained layer)的厚度小於100 nm。

在本發明之一實施例中，在形成p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層之前，更包括形成一晶核層於基板上。在本發明之一實施例中，晶核層的材質為Ⅲ-Ⅴ族半導體化合物。在本發明之一實施例中，晶核層的材質為摻雜有或無n型摻質的Ⅲ-Ⅴ族半導體化合物。在本發明之一實施例中，晶核層的材質為摻雜有n型摻質的Ⅲ-Ⅴ族半導體化合物。

在本發明之一實施例中，形成第一電極與第二電極的材質包括金、鉻、鎳、鉑或上述組合。

在本發明之一實施例中，形成n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層的材質包括氮化鎵、氮化鋁鎵、氮化鋁銦鎵、磷化鋁銦鎵、砷化鋁鎵、砷化銦鎵或上述組合。

在本發明之一實施例中，形成p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層的材質包括氮化鎵、氮化鋁鎵、氮化鋁銦鎵、磷化鋁銦鎵、砷化鋁鎵、砷化銦鎵或上述組合。

在本發明之一實施例中，基材包括氧化鋁(sapphire)基材、碳化矽(SiC)基材、氧化鋅(ZnO)基材、矽(Si)基材、磷化鎵(GaP)基材，以及砷化鎵(GaAs)基材。

基於上述，本發明之紫外光檢測器的製造方法係於基板上形成p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層，並藉由罩幕層的使用依序地形成具有第一能隙的未摻雜Ⅲ-Ⅴ族化合物光感測層以及具有第二能隙的n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層於部分p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層上，其中第一能隙小於等於第二能隙。

由於，n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層在摻雜有金屬或半導體材料以提高第二能隙時，n型摻質的摻雜效率不易受影響。因此，在提升第二能隙的同時，仍可使n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層摻雜至高濃度，而具有較低的電阻值。換言之，採用本發明的製作方法可提高紫外光檢測器的檢測性能。另外，本發明的製作方法亦無須使用習知的覆晶技術，即可形成具有上述優點的結構，而具有製程較為簡易的優點。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖2A～圖2G為本發明一實施例之紫外光檢測器的製作流程剖面圖。首先，請參考圖2A，提供一基板210。在本實施例中，基板210可以是採用藍寶石(sapphire)基板、碳化矽(SiC)基板、氧化鋅(ZnO)基板、矽(Si)基板、磷化鎵(GaP)基板，以及砷化鎵(GaAs)基板。本實施例係以藍寶石基板作為舉例說明，但不僅限於此。

接著，於基板210上形成一p型Ⅲ-V族化合物半導體層220，如圖2B所示。在本實施例中，形成p型Ⅲ-V族化合物半導體層220的方式可以是採用金屬有機化學氣相沉積(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)法、分子束磊晶(molecular beam epitaxial,MBE)法或是其他適當的磊晶成長法。另外，形成p型Ⅲ-V族化合物半導體層220的材質可以是氮化鎵、氮化鋁鎵、氮化鋁銦鎵、磷化鋁銦鎵、砷化鋁鎵、砷化銦鎵或上述組合。本實施例係以p型摻雜氮化鋁銦鎵作為實施範例，但不僅限於此。

另外，p型Ⅲ-V族化合物半導體層220中可含有少量適當的金屬元素，如：鋁，藉以提升p型Ⅲ-V族化合物半導體層220的能隙。需要注意的是，藉由摻雜金屬元素來提高p型Ⅲ-V族化合物半導體層220的能隙會限制其本身的p型摻雜濃度(意即活化率低)，而會有較高的電阻值。如此一來，p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層220便無法與後續的導電材料產生良好的歐姆接觸，而影響整體的電性表現。因此，p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層220所含有金屬元素的比例，需視使用者考量整體電性效益而定。

然後，於p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層220上形成暴露出部分p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層220的一罩幕層230，如圖2C至圖2D所繪示。在本實施例中，形成罩幕層230的方式例如是先全面地形成一罩幕材料層232於p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層220上，如圖2C所示。接著，圖案化罩幕材料層232以形成暴露出部分p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層220的罩幕層230，如圖2D所示。詳細而言，圖案化罩幕材料層232的方式可以利用乾式蝕刻、濕式蝕刻或其他適當的蝕刻製程。

在本實施例中，罩幕材料層232的形成方式可以使用化學氣相沈積法(Chemical Vapor Deposition,CVD)，但不限於此，亦可使用其它適合的製程的方式，如：網版印刷、塗佈、噴墨、能量源處理等。另外，罩幕材料層232的材質例如是使用氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鉿或氧化鋁等具有高成長選擇比之材料之類的材料。

接著，依序形成一具有一第一能隙的未摻雜Ⅲ-Ⅴ族化合物光感測層240以及一具有一第二能隙的n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層250於被罩幕層230所暴露出的p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層220上，其中第一能隙小於等於第二能隙，如圖2E所示。在本實施例中，形成未摻雜Ⅲ-Ⅴ族化合物光感測層240與n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層250的方式與材質例如是使用上述形成p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層220的方式與材質，在此不再贅述。

另外，在形成n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層250於未摻雜Ⅲ-Ⅴ族化合物光感測層240時，可摻雜金屬材料(如：鋁或鎂之類)或半導體材料(如：矽)，藉以提高n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層250的第二能隙，以使第二能隙能大於第一能隙。意即是，若欲檢測能量較高之紫外光時，則n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層250之金屬含量需提高，以使n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層250的第二能隙能達到可吸收紫外光的能隙。

需要說明的是，由於n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層250的金屬含量提高，仍可提升n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層250內部n型摻質的整體濃度(意即活化率高)，進而使得n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層250可具有較低的電阻值。如此在後續形成電極的步驟時，其與電極之間會產生較佳的歐姆接觸，進而可提升電性表現。

而後，移除罩幕層230，如圖2F所示。在本實施例中，移除罩幕層230例如是採用乾式蝕刻、濕式蝕刻或其他適當蝕刻製程。

接著，分別形成一第一電極E1與一第二電極E2於p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層220與n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層250上，如圖2G所繪示。在本實施例中，形成第一電極E1與第二電極E2的方式可以採用金屬氧化化學氣相沉積法或是其他適當的製程。此外，第一電極E1與第二電極E2的材質可以是選用金、鉻、鎳、鉑或上述組合。至此大致完成一種紫外光檢測器200的製作方法。

在紫外光檢測器200中，來自外在的光線L1會從n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層250入射至未摻雜Ⅲ-Ⅴ族化合物光感測層240內，使得未摻雜Ⅲ-Ⅴ族化合物光感測層240產生電子電洞對，並藉由施加於第一電極E1與第二電極E2的偏壓，可使這些電子電洞對流動而產生電流，進而可檢測光線L1的強度。

在本實施例中，p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層220若摻雜高濃度的金屬或半導材料使其本身的能隙大於未摻雜Ⅲ-Ⅴ族化合物光感測層240的第一能階時，其p型摻質的濃度會受到限制(意即活化率低)，而使得電阻值不易降低。因此，若將p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層220形成於靠近光線L1入射的位置時(如習知技術之圖1所示)，如此便會影響紫外光檢測器200的檢測及電性表現。

另外，n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層250在摻有高濃度的金屬(如：鋁)或半導體材料(如：矽)，以使其第二能階能大於未摻雜Ⅲ-Ⅴ族化合物光感測層240的第一能階時，其n型摻質的濃度不易受到限制，而可達到最佳化的高濃度摻雜(意即活化率高)，使得其低電阻值較低並同時仍具有較高的能隙。換言之，若將n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層250形成於靠近光線L1入射的位置時(即本實施例所提及的形成步驟，如圖2G所示)，便可有效地提升紫外光檢測器200的檢測及電性表現。

承上述，本實施例之紫外光檢測器200的製作方法主要是藉由先將p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層220形成於基板210上，而後再依序形成未摻雜Ⅲ-Ⅴ族化合物光感測層240與n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層250於部分的p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層220上，如此，當光線L1從n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層250入射於紫外光檢測器200內部時，因n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層250同時兼具高能隙與低電阻值的特性，從而提升紫外光檢測器200的檢測性能與電性表現。

另外，圖2A～圖2G所描述的紫外光檢測器200的製作方法由於無須採用覆晶製程，而使得製程步驟較為簡易、並提高製程的流暢性，同時可提升製程良率。值得一提的是，上述的能隙係指能吸收紫外光波長的能隙值。

在另一實施例中，有時為了可進一步提高n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層250與第二電極E2之間的導電性，而可於進行移除罩幕層230的步驟之前，更形成一導電層260於n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層250上，而後再進行圖2F至圖2G的步驟，則可形成另一種如圖3所示的紫外光檢測器300。

在紫外光檢測器300中，導電層260可以是為一半透明金屬層、鎳、金或其組合、或一透明導電層。其中，導電層260若是透明導電層時，其材質可以是氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅摻雜鋁薄膜(Aluminum-doped Zinc Oxide，ZnO:Al；AZO)、氧化錫鎘(CTO)、CuAlO₂ 、LaCuOS、CuGaO₂ 以及SrCu₂ O₂ ，且此透明導電層的厚度=(2m-1)λ/4n，其中m為一整數，n為透明導電層的折射率，λ為紫外光檢測器的截止波長(Cut-off Wavelength)。

在再一實施例中，有時為了進一步提高p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層220與第一電極E1之間的導電性，而可於進行前述如圖2G之形成第一電極E1與第二電極E2的步驟之前，更包括形成一穿隧層270於p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層220上，而後再進行圖2G的步驟，則可形成另一種如圖4所示的紫外光檢測器400。

在紫外光檢測器400中，穿隧層270主要是提升第一電極E1與p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層220之間的歐姆接觸，其材質例如是鎳/金堆疊結構(Ni/Au)。

在更一實施例中，為了可使p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層220能順利成長於基板210上，而可於進行前述如圖2B之形成p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層220於基板210的步驟之前，更包括形成一晶核層280於基板210上，而後再進行圖2B至圖2G的步驟，則可形成另一種如圖5所示的紫外光檢測器500。

在又一實施例中，上述的穿隧層270除了形成於p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層220與第一電極E1之間外，更可於形成p型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層220與未摻雜Ⅲ-Ⅴ族化合物光感測層240之間，如圖6所示。在圖6所繪示的紫外光檢測器600中，包括形成一晶核層280於基板210上，而穿隧層270的材質可為Al_a In_b Ga_1-a-b N應力層(strained layer)，其中a,b0，0a+b<1，且此應力層(strained layer)的厚度可小於100 nm。

在紫外光檢測器500、600中，晶核層280的材質可以是為Ⅲ-V族半導體化合物或是摻雜有n型摻質的Ⅲ-V族半導體化合物。值得一提的是，圖3至圖5的形成方式僅是一種舉例說明，在其他實施例中，紫外光檢測器也可以組合上述導電層260、穿隧層270以及晶核層280至少其二的形成方式。

綜上所述，本發明之紫外光檢測器的製造方法至少具有下列優點。首先，於基板上形成p型Ⅲ-V族化合物半導體層，並藉由罩幕層的使用依序地形成具有第一能隙的未摻雜Ⅲ-V族化合物光感測層以及具有第二能隙的n型Ⅲ-V族化合物半導體層於部分p型Ⅲ-V族化合物半導體層上。其中，n型Ⅲ-V族化合物半導體層在摻雜有金屬或半導體材料以提高第二能隙時，n型摻質的摻雜效率仍可維持高濃度(意即活化率高)。因此，利用n型Ⅲ-V族化合物半導體層同時兼具高能隙與低電阻值的特性，而將其製作於最外側以先直接接收入射光線，如此則可提高紫外光檢測器的檢測性能。

另外，本發明之紫外光檢測器的製造方法無須使用習知的覆晶技術，即可形成具有上述優點的結構，而具有製程較為簡易及製程良率較高的優點。換言之，本發明的製作方法可製作出製程步驟較簡易且檢測性較佳的紫外光檢測器。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100、200、300、400、500‧‧‧紫外光檢測器

110、210‧‧‧基板

120‧‧‧晶核層

130‧‧‧n型緩衝層

140‧‧‧未摻雜吸收層

150‧‧‧p型接觸層

160‧‧‧半透明金屬層

172‧‧‧p型電極

174‧‧‧n型電極

180‧‧‧入射光

220‧‧‧p型Ⅲ-V族化合物半導體層

230‧‧‧罩幕層

232‧‧‧罩幕材料層

240‧‧‧未摻雜Ⅲ-V族化合物光感測層

250‧‧‧n型Ⅲ-V族化合物半導體層

260‧‧‧導電層

270‧‧‧穿隧層

280‧‧‧晶核層

E1‧‧‧第一電極

E2‧‧‧第二電極

L1‧‧‧光線

圖1A為一種傳統紫外光檢測器的結構剖面圖。

圖1B為一種傳統紫外光檢測器進行覆晶製程後的結構剖面圖。

圖2A～圖2G為本發明一實施例之紫外光檢測器的製作流程剖面圖。

圖3為本發明另一實施例之紫外光檢測器的製作剖面圖。

圖4為本發明再一實施例之紫外光檢測器的製作剖面圖。

圖5為本發明更一實施例之紫外光檢測器的製作剖面圖。

圖6為本發明又一實施例之紫外光檢測器的製作剖面圖。

200．．．紫外光檢測器

210．．．基板

220．．．p型Ⅲ-V族化合物半導體層

240．．．未摻雜Ⅲ-V族化合物光感測層

250．．．n型Ⅲ-V族化合物半導體層

E1．．．第一電極

E2．．．第二電極

L1．．．光線

Claims

一種紫外光檢測器的製造方法，包括：提供一基板；於該基板上形成一p型Ⅲ-V族化合物半導體層；於該p型Ⅲ-V族化合物半導體層上形成暴露出部分該p型Ⅲ-V族化合物半導體層的一罩幕層；依序形成一具有一第一能隙的未摻雜Ⅲ-V族化合物光感測層以及一具有一第二能隙的n型Ⅲ-V族化合物半導體層於被該罩幕層所暴露出的該p型Ⅲ-V族化合物半導體層上，其中該第一能隙小於或等於該第二能隙；移除該罩幕層，以暴露出另一部份之該p型Ⅲ-V族化合物半導體層；以及分別形成一第一電極與一第二電極於該另一部份p型Ⅲ-V族化合物半導體層與該n型Ⅲ-V族化合物半導體層上。
如申請專利範圍第1項所述之紫外光檢測器的製造方法，其中形成該罩幕層的方法包括：形成一罩幕材料層於該p型Ⅲ-V族化合物半導體層上；以及圖案化該罩幕材料層以暴露出部分該p型Ⅲ-V族化合物半導體層。
如申請專利範圍第2項所述之紫外光檢測器的製造方法，其中形成該罩幕材料層的材料為具有高成長選擇比之材料，且其包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鉿或氧化鋁。
如申請專利範圍第2項所述之紫外光檢測器的製造方法，在移除該罩幕層之前，更包括形成一導電層於該n型Ⅲ-V族化合物半導體層上。
如申請專利範圍第4項所述之紫外光檢測器的製造方法，其中該導電層為一半透明金屬層。
如申請專利範圍第4項所述之紫外光檢測器的製造方法，其中形成該導電層的材質包括鎳、金或上述組合。
如申請專利範圍第4項所述之紫外光檢測器的製造方法，其中該導電層為一透明導電層，形成該透明導電層的材質包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅摻雜鋁薄膜(Aluminum-doped Zinc Oxide，ZnO：Al；AZO)、氧化錫鎘(CTO)、CuAlO₂ 、LaCuOS、CuGaO₂ 以及SrCu₂ O₂ ，且該透明導電層的厚度=(2m-1)λ/4n，其中m為一整數，n為該透明導電層的折射率，λ為該紫外光檢測器的截止波長(Cut-off Wavelength)。
如申請專利範圍第1項所述之紫外光檢測器的製造方法，在形成罩幕層之前，更包括形成一穿隧層(tunneling layer)於該p型Ⅲ-V族化合物半導體層上。
如申請專利範圍第8項所述之紫外光檢測器的製造方法，其中該穿隧層結構包括Al_a In_b Ga_1-a-b N應力層(strained layer)，其中a,b0，0a+b<1。
如申請專利範圍第9項所述之紫外光檢測器的製造方法，其中該應力層(strained layer)的厚度小於100nm。
如申請專利範圍第1項所述之紫外光檢測器的製造方法，在形成該p型Ⅲ-V族化合物半導體層之前，更包括形成一晶核層於該基板上。
如申請專利範圍第11項所述之紫外光檢測器的製造方法，其中該晶核層的材質為Ⅲ-V族半導體化合物。
如申請專利範圍第11項所述之紫外光檢測器的製造方法，其中該晶核層的材質為摻雜有n型摻質的Ⅲ-V族半導體化合物。
如申請專利範圍第1項所述之紫外光檢測器的製造方法，其中形成該第一電極與該第二電極的材質包括金、鉻、鎳、鉑或上述組合。
如申請專利範圍第1項所述之紫外光檢測器的製造方法，其中形成該n型Ⅲ-V族化合物半導體層的材質包括氮化鎵、氮化鋁鎵、氮化鋁銦鎵或上述組合。
如申請專利範圍第1項所述之紫外光檢測器的製造方法，其中形成該p型Ⅲ-V族化合物半導體層的材質包括氮化鎵、氮化鋁鎵、氮化鋁銦鎵、磷化鋁銦鎵、砷化鋁鎵、砷化銦鎵或上述組合。
如申請專利範圍第1項所述之紫外光檢測器的製造方法，其中該基板包括氧化鋁(sapphire)基板、碳化矽(SiC)基板、氧化鋅(ZnO)基板、矽(Si)基板、磷化鎵(GaP)基板，以及砷化鎵(GaAs)基板。