JP2015031666A - センサ素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】グラフェンによる電界効果型トランジスタ素子を作製し、そのセンサ環境を制御することにより、様々な物理量が計測可能である。【解決手段】基板上に絶縁膜で覆われたゲート電極と、互いに対向させたソース電極およびドレイン電極とを積層して形成した電極基板の表面にグラフェン膜を積層したことを特徴とするセンサ素子。前記センサ素子を完全遮光した気密容器内で不活性ガス雰囲気にて封止したことを特徴とする温度測定センサ素子。前記温度測定センサ素子と、該素子に隣接した、前記センサ素子を被測定光波長に対して透明な気密容器内で不活性ガス環境にて封止したセンサ素子と備えることを特徴とする光センサ素子。【選択図】図1
Description
本発明は、外部環境を測定するセンサ素子に関する。
[グラフェン背景]
グラフェンは、炭素原子とその結合からできた蜂の巣のような平面六角形格子構造を有するsp結合炭素原子のシートであり、単層〜数原子層の2次元構造を有するシート構造物である。またグラフェンは、厚さが約0.3nmの非常に薄い状態でも安定な物質であることから、単位面積当たりの質量が0.77 mg/m^2と非常に軽量なシート状材料としての特徴を有している。さらに、弾性限界が約20%ある上に、破壊強度が130GPa以上であるため、非常に強靭な物質であるとともに、ヤング率が鉄の5倍となる約1.1TPaであり、非常に機械的強度に優れた材料でもある。さらに、グラフェン面内方向に約2300 W/mKのダイアモンドを超える約5,000W/mKの熱伝導度を有し、欠陥が無ければ高圧のHe気体も遮蔽可能であるガスバリアー性をも有している。
グラフェンは、炭素原子とその結合からできた蜂の巣のような平面六角形格子構造を有するsp結合炭素原子のシートであり、単層〜数原子層の2次元構造を有するシート構造物である。またグラフェンは、厚さが約0.3nmの非常に薄い状態でも安定な物質であることから、単位面積当たりの質量が0.77 mg/m^2と非常に軽量なシート状材料としての特徴を有している。さらに、弾性限界が約20%ある上に、破壊強度が130GPa以上であるため、非常に強靭な物質であるとともに、ヤング率が鉄の5倍となる約1.1TPaであり、非常に機械的強度に優れた材料でもある。さらに、グラフェン面内方向に約2300 W/mKのダイアモンドを超える約5,000W/mKの熱伝導度を有し、欠陥が無ければ高圧のHe気体も遮蔽可能であるガスバリアー性をも有している。
グラフェンの電子的性質は、ほとんどの既存の3次元的材料とは異なり、半金属、あるいはバンドギャップがゼロの半導体としての性質を有している。この原因は、グラフェンの二次元的な六角形のブリュアンゾーンにおける6個の頂点付近で、低エネルギーでのエネルギーの分散関係(E−k)が直線的となり、ディラックコーンと呼ばれる線形分散の特異なバンド構造のため、スピン1/2の粒子に関するディラック方程式で記述される相対論的粒子のように振舞うためと考えられており、キャリア電子の有効質量がゼロとなり、GaAs の約30倍(GaAs:8500(cm^2/Vs)、Siの100倍以上の室温下で約200,000cm^2/Vs以上の非常に高いキャリア移動度を有する。
また、電流密度の許容量も大きく、電流密度の銅(10^6A/cm^2)の100倍以上の高い10^8 A/cm^2以上の耐電流密度を有していることが見出されているため、高速電子デバイスへの応用やパワーデバイスへの応用も期待されている。
また光学的性質として、1原子層での垂直光透過率で約2.3%の非常に高い光吸収特性を有する。さらに、ディラックコーンと呼ばれる線形分散を有するバンド構造を有するため、光吸収帯域は非常に広帯域となることが知られており、可視光〜ミリ波といった様々な波長域での光相互作用を示すため、これまであまり有効な光デバイスが得られなかった光波長帯域における光デバイス応用が期待されている。また、高強度の光入射によってカー効果などの光非線形性を示し、より高強度のレーザー照射を行ったグラフェンでは、通常の可飽和吸収に加えて、非線形光学的カー効果による非線形的な位相シフトが生じることが知られている。
上記のように様々な特異な性質を有するグラフェンを光・電子デバイスとして用いる場合、グラフェン表面のπ電子により電子伝導が行われていることから、外部環境からの光照射、物質の物理吸着などの影響や基板の熱膨張に伴うグラフェンの炭素原子間の歪などにより、電子伝導が様々な影響を受けるため様々なセンサ応用が期待される。
[センサネットワーク]
一方、非特許文献2でも示されるように、複数のセンサ付無線機能などを有する端末を空間に散在させ、それらが協調して環境や物理的状況を採取することを可能とする無線ネットワークであるセンサネットワーク(Wireless Sensor Networks, WSN)の構想が検討されている。センサネットワークの構想は戦闘地域の監視など軍事目的に端を発するが、現在は民間用途などでも注目を浴びており、特に省エネルギー管理、工業計測装置、居住環境計測、自然保護監視、健康管理、交通状況監視などの情報収集モニタへの応用などにおいて期待が高まっている。センサネットワークに搭載するセンサの種類および入力形式は電力・温度・湿度・ガス・照度、アナログ・EIA−485・Modbusなど様々な種類、形式が求められており、センサネットワークの用途は主に監視、追跡、そして制御などを中心としてその応用は多岐にわたる。具体例では電力や温度などのモニタ、赤外線や慣性センサによる行動モニタ、GPS/電波/音波/慣性などによる追跡などが挙げられる。多点を同時計測できるため、物理現象の分布変化を把握するのにも有効であると考えられる。
一方、非特許文献2でも示されるように、複数のセンサ付無線機能などを有する端末を空間に散在させ、それらが協調して環境や物理的状況を採取することを可能とする無線ネットワークであるセンサネットワーク(Wireless Sensor Networks, WSN)の構想が検討されている。センサネットワークの構想は戦闘地域の監視など軍事目的に端を発するが、現在は民間用途などでも注目を浴びており、特に省エネルギー管理、工業計測装置、居住環境計測、自然保護監視、健康管理、交通状況監視などの情報収集モニタへの応用などにおいて期待が高まっている。センサネットワークに搭載するセンサの種類および入力形式は電力・温度・湿度・ガス・照度、アナログ・EIA−485・Modbusなど様々な種類、形式が求められており、センサネットワークの用途は主に監視、追跡、そして制御などを中心としてその応用は多岐にわたる。具体例では電力や温度などのモニタ、赤外線や慣性センサによる行動モニタ、GPS/電波/音波/慣性などによる追跡などが挙げられる。多点を同時計測できるため、物理現象の分布変化を把握するのにも有効であると考えられる。
家近泰、「グラフェンの高速トランジスタ応用への注目と課題」、科学技術動向、2010年5月号、P29−42
「センサネットワーク活動調査に関する報告書」、次世代電子取引推進協議会発行、平成20年3月
センサネットワーク用のセンサとしては、日照量、温度、湿度、気圧など、様々な観測量を求められるが、測定する物理量に応じて異なるセンサを用意する必要があった。
例えば、光の照射量を電気的に測定するためには、被測定光波長に応じた光センサ素子、例えば、可視光領域ではSi、近赤外光域ではGaAsの光ダイオード、などが必要である。また、温度を電気的に測定するには、熱電対が必要であり、酸素を電気的に測定するにはジルコニア式酸素濃度計などが、湿度を電気的に測定するには、塩化リチウム、高分子、セラミックを用いた電気抵抗式センサや、高分子電気容量式センサなどが必要であった。
そのため、外気環境センシングには、複数の様々なセンサを組み合わせた測定装置やデータ収集システムの構築が不可欠であり、観測点を増やすことも容易なことではなかった。しかし、詳細な環境情報を得るためには、できるだけ多くの観測点を緻密にかつ広範囲に設置して観測することが必要であり、そのため、各種センサの共用化、集積化による小型化、低コスト化などが求められている。例えば、チップ状のセンサを広範囲に空中散布することにより、センサネットワークを構築することが可能であれば、迅速に正確な環境情報を入手することが可能となる。
本発明者は、上記課題に鑑み鋭意検討した結果、グラフェンによる電界効果型トランジスタ(Field Effect Transistor、以下、FETと表記)素子を作製し、そのセンサ環境を制御することにより、様々な物理量が計測可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
上記の課題を解決するために、一実施形態に記載の発明は、基板上に絶縁膜で覆われたゲート電極と、互いに対向させたソース電極およびドレイン電極とを積層して形成した電極基板の表面にグラフェン膜を積層することを特徴とするセンサー素子である。
本発明のセンサ素子用いることにより光、温度、外気環境のセンサ素子が実現され、環境測定の分野で用いられる種々のセンサ素子として導入する事が可能となり、その産業上の利用価値は極めて大である。
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態にかかるセンサ素子の断面模式図である。第1の実施形態のセンサ素子(グラフェンFETセンサ素子)10は、基板1上に絶縁膜2で覆われたゲート電極3を積層し、その表面に対向させたソース電極4、ドレイン電極5を形成した電極基板1の表面にグラフェン膜6を積層した構成を備えている。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態にかかるセンサ素子の断面模式図である。第1の実施形態のセンサ素子(グラフェンFETセンサ素子)10は、基板1上に絶縁膜2で覆われたゲート電極3を積層し、その表面に対向させたソース電極4、ドレイン電極5を形成した電極基板1の表面にグラフェン膜6を積層した構成を備えている。
図1のセンサ素子は、いわゆるボトムゲート型FETの電極配置の素子であり、半導体部分であるグラフェン膜6が最表面に配置された構造となっている。グラフェン膜6は、単層もしくは10原子層未満であることが好ましい。
図1のセンサ素子の構造はグラフェン6表面がむき出しであり、かつ、予め電極付基板1を作製しておいてから、グラフェン膜6を転写・加工でき、作製プロセスを段階ごとで分けられるので作製効率がよく、量産性にも優れている。その他には、グラフェン6表面に絶縁膜もしくは誘電体膜2を積層し、その表面にゲート電極3を形成するトップゲート型FET素子20(図2)や、ソース電極4、ドレイン電極5に対して膜厚方向に上下にゲート電極3を配置したデュアルゲート型FET素子30(図3)なども作製可能である。
センサ素子のゲート電極3、ソース電極4、ドレイン電極5の材質としては、導電性を示す材料であればよく、金、銀、銅、アルミニウムなどの金属材料、高濃度にボロン、リン等ドーピング元素を導入したシリコン、ゲルマニウムなどの半導体材料のほか、ポリアセチレン、ポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ(p−フェニレンスルフィド)などの導電性高分子材料や、アントラセン、ルブレンなどの有機材料も含まれる。特に、グラフェン膜6との仕事関数差による電子や正孔の伝導障壁が発生することから、仕事関数差の小さいアントラセン等の芳香族有機分子材料などが望まれる。
ゲート電極3とソース電極4、ドレイン電極5を電気的に絶縁する絶縁膜2(ゲート絶縁膜)としては、SiO2やGeO2、HfO2、Al2O3、Ta2O5などの半導体および、金属材料の酸化物や、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)などの誘電性材料が望ましい。ゲート絶縁膜2の厚さは、グラフェン6に掛かる電界強度の可変幅を広く取り、低電圧駆動も可能にするため、1ミクロン以下が望ましく、ゲート絶縁膜2の耐電圧が許せば、100nm以下がさらに望ましい。
図4に、グラフェンのブリュアンゾーンにおける6個の頂点付近で形成されるディラックコーンと呼ばれる線形分散のバンド構造の模式図を示し、また図5にグラフェンFETセンサ素子の光電流の発生原理模式図を示す。図4において、外部よりグラフェン6に光が入射された場合、グラフェン6の電子が光吸収を起こし、ディラックコーンの下円錐中のエネルギー準位から上円錐のエネルギー順位に遷移し、伝導電子とホール(正孔)が発生する。それら発生した電子と正孔は、図5中のソース電極4、ドレイン電極5間に掛かっている電位差によって、それぞれソース電極4、ドレイン電極5に引き寄せられ、電流となって光電流が発生する。
さらに図5のソース−ドレイン間の電流は、グラフェン6のバンドギャップがゼロのため、光照射がなくても電流が流れる。その際、グラフェン6表面に物理吸着した酸素・水分等の極性物質の影響でグラフェン膜6自体のドーピング濃度が変化する。また、グラフェン膜6中に掛かる応力歪の影響で原子間隔が変化し、それに伴ってバンド構造が歪むと、グラフェン膜6の電気伝導度が変化するため、特定のゲート電圧に対するソース−ドレイン間の電流に変化が生じる。
以上のような変化から、光、熱、外気中に含まれる酸素、水分といったドーピング濃度が変化する極性分子の物理吸着をゲート電圧に対するソース−ドレイン電流の変化として検知することが可能となる。
次に、第1の実施形態のセンサ素子の製造方法について図6を用いて説明する。図6は第1の実施形態にかかるセンサ素子の製造方法を示すものである。
まず、基板1表面にフォトレジストによるリフトオフ法やプラズマもしくはイオンエッチング法などにより、スパッタ法や真空蒸着法で堆積した金属膜を加工し、ゲート電極3を作製し、その上に、スパッタ法、真空蒸着法、化学気相成長法、原子堆積法などを用いてSiO2、HfO2、Ta2O3、Al2O3などの絶縁膜を堆積し、ゲート絶縁膜を形成する(図6(a))。その後、ゲート電極3と同様に、フォトレジストによるリフトオフ法やプラズマもしくはイオンエッチング法などにより、スパッタ法や真空蒸着法で堆積した金属膜を加工しソース電極4とドレイン電極5を形成し、FET素子の基板1を得る(図6(b))。その後、基板1表面にグラフェン膜6を転写し、レジスト等を用いてパターニング後、酸素プラズマなどでRIE加工することにより、グラフェンFETセンサ素子を得る(図6(c))。
このグラフェンは、剥離法によりグラファイトから粘着シートを用いてグラフェン6を剥離したり、SiC基板を1500℃以上で熱分解してグラフェン6を形成した後に粘着シート等で剥離したり、CuやNiなどの金属基板1上に化学気相成長(CVD)法でグラフェン6を製膜し、PMMAなどの有機膜を支持層にして、金属基板をエッチングし、転写したものでも構わない。
(第2の実施形態)
図7に第2の実施形態にかかるセンサ素子の断面模式図を示す。第2の実施形態のセンサ素子は、第1の実施形態のグラフェンFETセンサ素子を完全遮光された気密容器8内で不活性ガス7にて封止して構成されている。これは、第1の実施形態のグラフェンFETセンサ素子のままでは、光、熱のみならず、外気中の分子の物理吸着の全ての影響を受けて特定のゲート電圧に対するソース−ドレイン電流も変化してしまう。そのため、光および雰囲気変化の影響を可能な限り削減し、温度センサとしての測定感度を高めるために、第1の実施形態のグラフェンFETセンサ素子を完全遮光状態で密閉し、かつ、不活性ガス7雰囲気で封入することにより温度の測定を可能とするものである。完全遮光された気密容器8としては、自由電子を持つ金属材料で作られた容器が望ましい。また、不活性ガス7としては、アルゴン、ヘリウムなどの希ガスが望ましいが、測定感度によっては、窒素ガスで封入することもできる。
図7に第2の実施形態にかかるセンサ素子の断面模式図を示す。第2の実施形態のセンサ素子は、第1の実施形態のグラフェンFETセンサ素子を完全遮光された気密容器8内で不活性ガス7にて封止して構成されている。これは、第1の実施形態のグラフェンFETセンサ素子のままでは、光、熱のみならず、外気中の分子の物理吸着の全ての影響を受けて特定のゲート電圧に対するソース−ドレイン電流も変化してしまう。そのため、光および雰囲気変化の影響を可能な限り削減し、温度センサとしての測定感度を高めるために、第1の実施形態のグラフェンFETセンサ素子を完全遮光状態で密閉し、かつ、不活性ガス7雰囲気で封入することにより温度の測定を可能とするものである。完全遮光された気密容器8としては、自由電子を持つ金属材料で作られた容器が望ましい。また、不活性ガス7としては、アルゴン、ヘリウムなどの希ガスが望ましいが、測定感度によっては、窒素ガスで封入することもできる。
次に、第2の実施形態のセンサ素子の製造方法について図8を用いて説明する。図8は本発明の第2の実施形態にかかるセンサ素子の製造方法を示すものである。
図8(a)(b)(c)は、第1の実施形態と同様の工程で製造される。その後、金属などで作られた完全遮光のパッケージ内に、不活性ガス7を充填して封入されることにより、温度センサ素子を得ることができる。
(第3の実施形態)
図9に第3の実施形態にかかるセンサ素子の断面模式図を示す。第3の実施形態にかかるセンサ素子は、第2の実施形態の温度測定センサ素子と第1の実施形態の素子を被測定光波長に対して透明な気密容器8内で不活性ガス7環境にて封止した素子を併用して構成されている。本実施形態では、光電流の緩和(励起)時間が長いものの測定をしている。
図9に第3の実施形態にかかるセンサ素子の断面模式図を示す。第3の実施形態にかかるセンサ素子は、第2の実施形態の温度測定センサ素子と第1の実施形態の素子を被測定光波長に対して透明な気密容器8内で不活性ガス7環境にて封止した素子を併用して構成されている。本実施形態では、光電流の緩和(励起)時間が長いものの測定をしている。
第2の実施形態の素子の密閉容器を完全遮光にするのではなく、被測定波長に対して透明な密閉容器を用いることにより、温度変化と特定波長の光によって、ソース−ドレイン電流が変動するセンサ素子が作製可能となる。この素子と第2の発明の温度測定センサ素子を並べて、ソース−ドレイン電流の差分を検出することにより、温度変化に対する変動を取り除くことができ、被測定光波長の光強度を検出することが可能となる。
次に、第3の実施形態のセンサ素子の製造方法について図10を用いて説明する。図10は本発明の第3の実施形態にかかるセンサ素子の製造方法を示すものである。
図10(a)(b)(c)は、第1、2の実施形態と同様である。その後、2つの素子を用いて、一方は、第2の実施形態と同様に、金属などで作られた完全遮光のパッケージ内に、不活性ガス7を充填して封入され、もう一方は、光入射可能な窓などを設けたパッケージ内に不活性ガス7を充填して封入され、それら2つの素子を同一環境と見なせる程度に隣接して設置することにより、光センサ素子を得ることができる。
(第4の実施形態)
図11に第4の実施形態にかかるセンサ素子の断面模式図を示す。第4の実施形態のセンサ素子は、第3の実施形態のセンサ素子において被測定光波長の光取入れを周期的に開閉させるシャッター機構11を有し、かつ、気密容器8内で不活性ガス7環境にて封止した素子構造有する。本実施形態では、光電流の緩和(励起)時間が短いものの測定をしている。
図11に第4の実施形態にかかるセンサ素子の断面模式図を示す。第4の実施形態のセンサ素子は、第3の実施形態のセンサ素子において被測定光波長の光取入れを周期的に開閉させるシャッター機構11を有し、かつ、気密容器8内で不活性ガス7環境にて封止した素子構造有する。本実施形態では、光電流の緩和(励起)時間が短いものの測定をしている。
センサ素子において透明な気密容器8内で不活性ガス7環境にて封止した場合には、光と温度変動に対して、ソース−ドレイン電流は変化する。しかし、光電流の緩和(励起)時間は数ミリ秒以下で非常に短く、温度変化に対するソース−ドレイン電流の変動時間は、数ミリ秒以上で十分に長い。そのため、光の入射をシャッター11などで周期的に開閉させ、同期させてロックイン検出することにより、緩和時間の短い光電流のみを検出することが可能となり、光センサ素子が実現可能となる。
シャッター機構11としては、機械的な扉の開閉、ミラーやグレーティングの反射・干渉、空間光学のチョッパーのように穴の開いた円盤を回転させる機械的なものや、多層膜フィルタ、音響光学素子や液晶などを用いたシャッター機構11が挙げられる。
図12は本発明の第3の実施の形態を示すものである。
図12において(イ)(ロ)(ハ)は、第1、2の実施形態と同様である。その後、光入射がON/OFFできるシャッター11機能を持つ窓などを設けたパッケージ内、不活性ガス7を充填して封入されることにより、光センサ素子を得ることができる。この時シャッター機構11としては、機械的な扉の開閉、ミラーやグレーティングの反射・干渉、空間光学のチョッパーのように穴の開いた円盤を回転させる機械的なものや、多層膜フィルタ、音響光学素子や液晶などを用いたシャッター機構11が挙げられる。
図12において(イ)(ロ)(ハ)は、第1、2の実施形態と同様である。その後、光入射がON/OFFできるシャッター11機能を持つ窓などを設けたパッケージ内、不活性ガス7を充填して封入されることにより、光センサ素子を得ることができる。この時シャッター機構11としては、機械的な扉の開閉、ミラーやグレーティングの反射・干渉、空間光学のチョッパーのように穴の開いた円盤を回転させる機械的なものや、多層膜フィルタ、音響光学素子や液晶などを用いたシャッター機構11が挙げられる。
(第5の実施形態)
図13に第5の実施形態にかかるセンサ素子の断面模式図を示す。第5の実施形態にかかるセンサ素子は、第1の実施形態の気密容器8内で不活性ガス7にて封止したセンサ素子と、このセンサ素子に隣接して設けられ、被測定雰囲気中に暴露した第1の実施形態のセンサ素子とを備えている。
図13に第5の実施形態にかかるセンサ素子の断面模式図を示す。第5の実施形態にかかるセンサ素子は、第1の実施形態の気密容器8内で不活性ガス7にて封止したセンサ素子と、このセンサ素子に隣接して設けられ、被測定雰囲気中に暴露した第1の実施形態のセンサ素子とを備えている。
前記の通り、第1の実施形態のセンサ素子自体は、光、熱のみならず、外気中の分子の物理吸着の全ての影響を受けて特定のゲート電圧に対するソース−ドレイン電流も変化する。
一方、第2の実施形態のセンサ素子において透明な気密容器8内で不活性ガス7環境にて封止した場合には、光と温度変動に対してのみ、ソース−ドレイン電流は変化する。そのため、センサ素子を被測定雰囲気中に暴露した状態で、透明な気密容器8内で不活性ガス7環境にて封止したセンサ素子を並べて、そのソース−ドレイン電流の差分を検出することにより、外気中の分子の物理吸着の影響のみを抽出することが可能となる。
但し、検出されるソース−ドレイン電流の変化には、あくまでグラフェンFET素子のグラフェン膜6へのドーピングによる電流変動しか検出されないため、外気中の分子の種類まで特定することは困難である。しかし、後述の通り酸素の表面物理吸着に対するドーピング効果があるため、密閉容器中の大気漏洩などには、応用可能である。
図14は本発明の第5の実施の形態を示すものである。図14中(イ)(ロ)(ハ)は、第1、2の実施の形態と同様である。その後、2つの素子を用いて、一方は、光入射可能な窓などを設けたパッケージ内に不活性ガス7を充填して封入され、もう一方は、第1の実施の形態と同様のセンサ素子を組み合わせることにより、外気環境センサ素子を得ることができる。
上記各実施形態のセンサ素子は、外部環境を測定するものであり、また、高集積チップ表面に作製可能であるため、小型化や、低コスト化が期待され、環境中での光、温度、酸素、または水分の程度を測定する環境測定分野や、パッケージ等の気密性評価、LSIなどとモノリシック実装されたセンサ素子など様々な環境センシング素子として利用可能である。
さらに、同一素子構造で複数の光・温度、外気環境(酸素、水分)などの物理量を検知することが可能となるため、例えば、チップ状のセンサを並べてアレイ状に作製することにより、同時測定が可能となるとともに、まとめて実装できるため、集積化も実現しやすいという特徴も有している。さらに、ウエハ上で大面積プロセスにより作製することも可能であることから、大量生産が可能となり、安価なセンサ素子の製造も期待できる。
本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
高濃度ドーピングされた0.01Ω以下の低抵抗Siを基板として使用し、基板Siをボトムゲート電極として用いた。Si基板表面に熱酸化膜を形成し、ゲート絶縁膜とした。ゲート絶縁膜厚は約300nmであった。その後、フォトレジストによるパターニングと蒸着によりAu/Cr=280/20nmの電極をリフトオフにより作製し、センサ素子の基板を得た。
一方、アイトリックス社製の銅箔上単層グラフェンサンプルの表面にPMMA膜をスピンコートにて作製し、塩化鉄(III)水溶液を用いて、PMMA支持層付きの単層グラフェン膜を作製した。前記基板表面に水上にて転写後、乾燥し、フォトレジストによりグラフェンのパターニングを行い、O2−RIEによって加工後、有機溶剤等でレジストとPMMA膜を隔離し、グラフェンFETセンサ素子を作製した。センサ素子の動作は、温度制御可能な真空プローバ中にて評価した。
図15に、それぞれ約2Paの真空中で、光入射なしの密閉環境における(A)26℃、(B)41℃、(C)56℃の各温度でのゲート電圧(Vgs)に対するソース−ドレイン電流(Ids)を示す。ソース−ドレイン間距離は、4μmで作製し、ソース−ドレイン間電圧(Vds)は、1.0Vで測定した。どの温度においても、極小値を有するV字型のIds電流変化を示し、ディラック点における極小値を有するグラフェンFET特有の挙動が確認できた。
また、(A)26℃、(B)41℃、(C)56℃と温度を変化させることにより、ディラック点を示す電圧(VD)は、徐々に高電位側にシフトし、それに伴って、Ids電流が変化していることが観測された。例えば(A)26℃、(B)41℃、(C)56℃と温度を変化させることにより、ゲート電圧(Vgs)が−40Vでは、Ids電流が約80μA増加し、Vgsが+40Vでは、Ids電流が約80μA減少した。この結果より、ゲート電圧(Vgs)を一定にして、ソース−ドレイン電流(Ids)を計測することにより、温度変化が検出できることがわかる。
実施例1と同様に試料を作製し、光入射可能な真空プローバを用いて長期緩和を伴う光入射変化に対する電気特性依存性を評価した。
図16に、それぞれ約2Paの真空中で(A)光入射なし(密閉状態)、(B)波長660nmレーザーダイオード(LD)光入射時のソース−ドレイン電圧(Vds)に対するソース−ドレイン電流(Ids)と、波長660nmLD光入射ON/OFFによるIds電流の差分を示す。ソース−ドレイン間距離は、8μmで作製し、ゲート電圧(Vgs)は、0Vで測定した。光入射ON/OFFによって、Ids電流が変化しており、その差分の変化量は、Vds電圧の絶対値が大きくなるほど、大きな差分が観測された。
実施例1と同様に試料を作製し、光入射可能な真空プローバを用いて短期緩和を伴う光入射に対する変化に対する電気特性依存性を評価した。実施例3では、光電流成分のみを検出するため、入射光の660nmLDの強度を50kHzで強度変調して、入射し、Ids電流から50kHz成分のみをロックイン検出して、光電流を測定した。
図17に、50kHz変調光照射ON/OFFに対する光電流のVgs依存性を示す。ソース−ドレイン間距離は、8μmで作製し、ソース−ドレイン間電圧(Vds)は、1.0Vで測定した。光入射ON/OFFによって、Vgsが0Vより小さい領域では、光電流が観測された。
実施例1と同様に試料を作製し、光入射可能な真空プローバを用いて、封入雰囲気変化に対する電気特性依存性を評価した。
図18に、それぞれ(A)約0.2Paの真空中、(B)窒素中(1気圧)、(C)大気中(1気圧)でのゲート電圧(Vgs)に対するソース−ドレイン電流(Ids)を示す。ソース−ドレイン間距離は、8μmで作製し、ソース−ドレイン間電圧(Vds)は、1.0Vで測定した。その環境下においても、極小値を有するV字型のIds電流変化を示し、ディラック点における極小値を有するグラフェンFET特有の挙動が確認できた。
さらに、(A)真空中、(B)窒素中、(C)大気中と環境を変化させることにより、ディラック点を示す電圧(VD)は、徐々に高電位側にシフトし、それに伴って、Ids電流が変化していることが観測された。例えば、ゲート電圧(Vgs)が−40Vで、真空中から大気中への環境変化で、Idsは約30μA増加し、Vgsが+40Vでは、Idsは約30μA増加した。この結果より、ゲート電圧(Vgs)を一定にして、ソース−ドレイン電流(Ids)を計測することにより、温度変化が検出できることがわかる。
1 基板
2 絶縁膜
3 ゲート電極
4 ソース電極
5 ドレイン電極
6 グラフェン膜
2 絶縁膜
3 ゲート電極
4 ソース電極
5 ドレイン電極
6 グラフェン膜
Claims (5)
- 基板上に絶縁膜で覆われたゲート電極と、互いに対向させたソース電極およびドレイン電極とを積層して形成した電極基板の表面にグラフェン膜を積層したことを特徴とするセンサ素子。
- 請求項1に記載のセンサ素子を完全遮光した気密容器内で不活性ガス雰囲気にて封止したことを特徴とする温度測定センサ素子。
- 請求項2に記載の温度測定センサ素子と、該素子に隣接した、請求項1の素子を被測定光波長に対して透明な気密容器内で不活性ガス環境にて封止したセンサ素子と備えることを特徴とする光センサ素子。
- 請求項1に記載のセンサ素子を被測定光波長の光取入れを周期的に開閉させるシャッター機構を有する気密容器内で不活性ガス環境にて封止したことを特徴とする光センサ素子。
- 請求項1に記載の素子を気密容器内で不活性ガスにて封止した素子と、該素子に隣接して設けられ、被測定雰囲気中に暴露した請求項1に記載のセンサ素子とを備えること特徴とする外気環境センサ素子。
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