JP2013200935A - 不揮発性メモリ装置、メモリシステム、及びそれのプログラム方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明によるプログラム方法は、前記メモリセルの第1論理ページ領域と第2論理ページ領域とにワードラインを交互に選択してデータをプログラムする段階を含む。そして、前記第1論理ページ領域と前記第2論理ページ領域に対するプログラムが完了された後に、前記メモリセルの第3論理ページ領域に前記ワードラインの配列された順序にしたがって、データをプログラムする段階を含む。前記ワードラインの配列された順序にしたがって、データをプログラムする段階で、前記ワードラインは接地選択ラインからストリング選択ライン方向に順次的に1つずつ選択される。
【選択図】図6A
Description
120、420 行デコーダー
130、430 ページバッファ
140、440 制御ロジック
111 基板
112 絶縁物質
113 ピラー
114 表面層
115 内部層
116 絶縁膜
211、221、231、241、251、261、271、281、291 第1導電物質
213、223、233、243、253、263、273、283、293 第1導電物質
311、312、313、314 ドーピング領域
320 ドレーン
331、332、333 ビットライン
510、610、710、810 メモリコントローラ
520、620、720、820 不揮発性メモリ装置
1100 ホスト
1200 SSD
1210 SSDコントローラ
1220 バッファメモリ
1230 不揮発性メモリ装置
2100 フラッシュメモリ
2200 メモリコントローラ
2210 CPU
2220 ホストインターフェイス
2230 SRAM
2240 ECC
2260 メモリインターフェイス
3100 フラッシュメモリ
3200 フラッシュインターフェイス
4100 フラッシュメモリ
4200 メモリコントローラ
4300 モデム
4400 システムバス
4500 マイクロプロセッサー
4600 ユーザーインターフェイス
4700 バッテリー
Claims (36)
- 複数のワードラインに連結されるマルチレベルメモリセルを含む不揮発性メモリユニットのプログラム方法において、
第1データを選択されたワードラインの第1ページ領域及び第2ページ領域にプログラムするために前記選択されたワードラインを交互順序に選択する段階と、
前記交互順序にしたがって、前記第1データを前記選択されたワードラインの第1ページ領域及び第2ページ領域にプログラムする段階と、
第2データを前記選択されたワードラインの第3ページ領域にプログラムするために前記選択されたワードラインを順次順序に選択する段階と、
前記順次順序にしたがって、前記第2データを前記選択されたワードラインの第3ページ領域にプログラムする段階と、を含むプログラム方法。 - 前記選択されたワードラインを順次順序に選択する段階は、
接地選択ラインに隣接するワードラインからワードラインを1つずつ選択する段階を含む請求項1に記載のプログラム方法。 - 前記第1ページ領域及び前記第3ページ領域は前記マルチレベルセルの最下位ビット(LSB)ページ領域に対応する請求項1に記載のプログラム方法。
- 前記不揮発性メモリユニットは消去単位に対応するメモリブロックを含む請求項1に記載のプログラム方法。
- 複数のワードラインに連結されるマルチレベルメモリセルを含む不揮発性メモリユニットのプログラム方法において、
第1データをプログラムするためのワードラインを交互順序にしたがって選択する段階と、
前記選択されたワードラインの下位ページに前記第1データを前記交互順序にしたがってプログラムする段階と、
第2データをプログラムするためのワードラインを順次順序にしたがって選択する段階と、
前記第2データを前記選択されたワードラインの上位ページに前記第1データを前記順次順序にしたがってプログラムする段階と、を含むプログラム方法。 - 前記ワードラインを順次順序にしたがって選択する段階は、
接地選択ラインに隣接するワードラインからワードラインを1つずつ選択する段階を含む請求項5に記載のプログラム方法。 - 前記不揮発性メモリユニットは消去単位に対応するメモリブロックを含む請求項5に記載のプログラム方法。
- 複数のワードラインに連結されるマルチレベルメモリセルを含む不揮発性メモリ装置のプログラム方法において、
コントローラから第1アドレスシーケンスの第1アドレスを受信する段階と、
前記第1アドレスシーケンスにしたがって、前記複数のワードラインの中の選択された第1ワードラインに対応する少なくとも2つのページ領域をプログラムする段階と、
前記コントローラから第2アドレスシーケンスの第2アドレスを受信する段階と、
前記第2アドレスシーケンスにしたがって、前記複数のワードラインの中の選択された第2ワードラインに対応する残りページ領域をプログラムする段階と、を含むプログラム方法。 - 前記第1アドレスシーケンスは少なくとも1つの上位ワードラインの少なくとも1つの下位ビットが少なくとも1つの下位ワードラインの少なくとも1つの上位ビットより先にプログラムされる順序を含む請求項8に記載のプログラム方法。
- 前記第1アドレスシーケンスにしたがって、前記少なくとも2つのページ領域がプログラムされた以後に、前記第2アドレスにしたがって、前記残りページ領域がプログラムされる段階をさらに含む請求項8に記載のプログラム方法。
- 前記第1アドレスシーケンスにしたがって、前記少なくとも2つのページ領域がプログラムされる以前に、前記第2アドレスにしたがって、前記残りページ領域がプログラムされる段階をさらに含む請求項8に記載のプログラム方法。
- 前記第2アドレスシーケンスを使用するプログラム動作の間に、前記複数のワードラインの中の1つに対応する少なくとも2つのページ領域にデータが同時にプログラムされる段階をさらに含む請求項8に記載のプログラム方法。
- ページ単位にプログラムされるマルチレベルセルを含むメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイのビットラインと連結されるページバッファと、
ワードラインを通じて前記メモリセルアレイに連結される行デコーダーと、
選択されたメモリユニットに含まれる複数のページ領域にデータをプログラムするように前記ページバッファ又は前記行デコーダーを制御する制御ロジックと、を含み、
前記制御ロジックは書込みデータが前記選択されたメモリユニットの記憶容量より小さい場合、前記複数の各行のページ領域の中で少なくとも2つのページ領域を第1スクランブル方式でプログラムし、少なくとも1つの他のページ領域を第2スクランブル方式でプログラムするように前記ページバッファ又は前記行デコーダーを制御する不揮発性メモリ装置。 - 前記少なくとも1つの他のページ領域は最上位ビット(MSB)ページ領域又は最下位ビット(LSB)ページ領域に対応する請求項13に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記第1スクランブル方式は前記少なくとも2つのページ領域をプログラムするために前記複数のワードラインが交互に選択される請求項14に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記書込みデータが前記選択されたメモリユニットの記憶容量と同一である場合、前記制御ロジックは前記複数のページ領域に前記書込みデータを第1スクランブル方式と第2スクランブル方式との中でいずれか1つの方式でプログラムするように前記ページバッファ又は前記行デコーダーを制御する請求項13に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記制御ロジックは外部から提供されるプログラムモードにしたがって、前記選択されたメモリユニットを前記第1スクランブル方式と前記第2スクランブル方式との中でいずれか1つを選択する請求項13に記載の不揮発性メモリ装置。
- 選択されたメモリブロックの少なくとも2つの下位ページ領域が、ワードラインが交互に選択される交互プログラム方式にしたがって、そして少なくとも1つの上位ページ領域が順次プログラム方式にしたがってプログラムする部分交互プログラムモードと、前記選択されたメモリブロックの少なくとも2つの下位ページ領域と前記少なくとも1つの上位ページ領域が順次プログラム方式にしたがってプログラムするフル交互プログラムモードとの中のいずれか1つのモードに書込みデータをプログラムする不揮発性メモリ装置と、
属性(Attribute)を参照して前記部分交互プログラムモード又は前記フル交互プログラムモードの中のいずれか1つのモードに前記書込みデータをプログラムされるように前記不揮発性メモリ装置を制御するメモリコントローラと、を含むメモリシステム。 - 前記メモリコントローラは、前記書込みデータの属性がメタデータに対応する場合、前記部分交互プログラムモードに前記書込みデータがメタデータ領域にプログラムされるように前記不揮発性メモリ装置を制御する請求項18に記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは前記書込みデータの属性がユーザーデータに対応する場合、前記フル交互プログラムモードに前記書込みデータがユーザーデータ領域にプログラムされるように前記不揮発性メモリ装置を制御する請求項19に記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、前記書込みデータの属性がメタデータに対応する場合、前記フル交互プログラムモードに前記書込みデータがメタデータ領域にプログラムされるように前記不揮発性メモリ装置を制御する請求項18に記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは前記書込みデータの属性がユーザーデータに対応する場合、前記部分交互プログラムモードに前記書込みデータがユーザーデータ領域にプログラムされるように前記不揮発性メモリ装置を制御する請求項21に記載のメモリシステム。
- 選択されたメモリブロックの一部論理ページ領域を、行が交互に選択される交互プログラム方式にしたがってプログラムする部分交互プログラムモードと、前記メモリブロックの全て論理ページ領域を前記交互プログラム方式にしたがってプログラムするフル交互プログラムモードとの中のいずれか1つのモードに書込みデータをプログラムする不揮発性メモリ装置と、
電源管理モードを参照して部分交互プログラムモード又は前記フル交互プログラムモードの中のいずれか1つのモードに前記書込みデータをプログラムされるように前記不揮発性メモリ装置を制御するメモリコントローラと、を含むメモリシステム。 - 前記メモリコントローラは前記電源管理モードをホストの基本入出力システム(BIOS)情報又はヒューズオフセット情報から読み出す請求項23に記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは前記電源管理モードが予期せぬ瞬電(SPO)に対応するように設定された場合、前記フル交互プログラムモードに前記書込みデータが選択されたメモリ領域にプログラムされるように前記不揮発性メモリ装置を制御する請求項23に記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは前記電源管理モードが予期せぬ瞬電(SPO)に対応するように設定されない場合、前記部分交互プログラムモードに前記書込みデータが選択されたメモリ領域にプログラムされるように前記不揮発性メモリ装置を制御する請求項25に記載のメモリシステム。
- 複数の各行に連結されたマルチレベルメモリセルにページ単位にデータをプログラムする不揮発性メモリ装置のプログラム方法において、
選択されたメモリユニットに対して少なくとも2つの論理ページ領域に行が交互に選択される交互プログラム方式に第1データをプログラムする段階と、
前記選択されたメモリユニットで他の少なくとも1つの論理ページ領域に行の配列順序にしたがって選択する順次プログラム方式に第2データをプログラムする段階と、を含むプログラム方法。 - 前記他の少なくとも1つの論理ページ領域には最上位ビット(MSB)ページ領域又は最下位ビット(LSB)ページ領域が含まれる請求項27に記載のプログラム方法。
- 前記不揮発性メモリ装置は複数のセルストリングが基板に対して垂直方向に形成されるセルアレイを含む請求項27に記載のプログラム方法。
- 前記選択されたメモリユニットは前記不揮発性メモリ装置の消去単位に対応する請求項27に記載のプログラム方法。
- 前記選択されたメモリユニットはいずれか1つのストリング選択ラインによって選択される複数のセルストリングに対応する請求項27に記載のプログラム方法。
- 前記不揮発性メモリ装置は複数のメモリチップを含み、前記選択されたメモリユニットは前記複数のメモリチップの中のいずれか1つに対応する請求項27に記載のプログラム方法。
- 前記不揮発性メモリ装置は複数のチャンネルに連結される複数のメモリ装置を含み、前記選択されたメモリユニットは前記チャンネル単位、又はスーパーブロック単位に対応し、
前記複数のチャンネルによって互いに異なるメモリ装置から少なくとも2つのメモリブロックを同時に選択する段階をさらに含む請求項27に記載のプログラム方法。 - 各々ページ単位にプログラムされ、複数のワードラインに連結されるマルチレベルメモリセルを含む不揮発性メモリ装置のプログラム方法において、
プログラムモードに対する情報を前記不揮発性メモリ装置に提供するための命令語を受信する段階と、
データストローブ信号のデュアルエッジに同期して書込みデータを受信する段階と、
前記プログラムモードに基づいて前記複数のワードラインの中で選択されたワードラインの第1及び第2ページ領域に第1アドレスシーケンスにしたがって、前記書込みデータの一部をプログラムする段階と、
前記プログラムモードにしたがって、前記複数のワードラインの中で選択されたワードラインの第3ページ領域に第2アドレスシーケンスにしたがって、前記書込みデータの残りをプログラムする段階と、を含むプログラム方法。 - 前記プログラムモードに基づいて前記書込みデータをプログラムするための前記第1及び第2アドレスシーケンスの中のいずれか1つを決定する段階をさらに含む請求項34に記載のプログラム方法。
- 前記プログラムモードは部分交互プログラムシーケンスに該当する請求項34に記載のプログラム方法。
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