JP2013197167A - SiC半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
高移動度の4H−SiC/SiO2 絶縁膜界面を実現し、素子特性の向上をはかる。
【解決手段】4H−SiC基板100,102の表面部の少なくとも一部に形成されたp型の4H−SiC領域121と、4H−SiC領域121上に形成され、p型ドーパントが導入された3C−SiC薄膜からなる第1のゲート絶縁膜112と、第1のゲート絶縁膜112上に形成された第2のゲート絶縁膜130と、第2のゲート絶縁膜130上に形成されたゲート電極140とを備えている。そして、第1のゲート絶縁膜112は、3C−SiC薄膜にC欠陥を導入することで絶縁化されている。
【選択図】 図3
Description
4H−SiC基板/SiO2 ゲート絶縁膜界面には多くの界面状態が存在し、それが移動度低下を引き起こしていることが分かっている。しかし、その起源については明確になっていない。
4H−SiCと、3C−SiC中でのC欠陥の電子状態を第一原理計算により求めた。ここで、第一原理計算は、局所密度近似による密度汎関数法に基づいている。Siはノルム保存擬ポテンシャル、CなどSi以外の物質は、バンダービルトらによって開発された、ウルトラソフト擬ポテンシャルを用いている。図1(a)(b)はそれぞれ、4H−SiCと、3C−SiC中でのC欠陥の状態密度を説明するための図である。
まず始めに、SiC基板中での欠陥の生成エネルギーを第一原理計算により求めた。C欠陥生成に必要なエネルギーは4.0eV、Si欠陥生成に必要なエネルギーは7.5eVであり、SiC基板ではC欠陥が最も発生し易いことが分かった。
従来からのエピタキシャル成長(「エピプロセス」と名づける)により、表面にpドープの3C−SiCをエピタキシャル成長させることが可能である。それ以外にも、「4H−SiCの表面に強くp型ドーパントをインプラすること(「インプラプロセス」と名づける)で、表面をアモルファス化させて、熱をかけることで表面にpドープの3C−SiCを作製することも可能である。また、ゲート絶縁膜として機能させるので、必ずしも結晶化させる必要はない。熱工程を省略、或いは最少限にとどめることで、アモルファス状態、或いは多結晶状態にとどめることも可能である。この方がコスト面で利得がる上、絶縁膜としての特性も、結晶化させた時と遜色はない。従来行われているのインプラプロセスによるチャネル形成では、ドープ量が少なく、できる限り結晶を傷つけないように低エネルギーにて打ち込みを行い、アモルファス化させないことが特徴であった。今回は、一旦アモルファス化させている点が大きく異なる。エピプロセスでも、インプラプロセスでも、どちらの方法でも構わない。
通常の埋め込みチャネルと違って、カウンタードープを行わないことが、大きな特徴である。カウンタードープでは、「SiCのMOS構造では、思ったほど移動度が上昇しないという問題」があった。それは、ドープの過程で、C欠陥が増えてしまうので、チャネル部分のC欠陥が増えることが、大きな原因と分かった。従来は、C欠陥に関するケアーが無かったので、思ったほど移動度が上昇しないという問題となって現れていたことになる。それに対し、本実施形態では、カウンタードープは不要である。ここでは、3C−SiC上にSiO2 を作製すると、界面にC欠陥が発生し、それによりn型化することを用いる。それにより、p型3C−SiC超薄膜を自己整合的に完全補償させ、3C−SiC薄膜がゲート絶縁膜の一部とみなせるようにする。つまり、C欠陥に対するケアーが不要であり、むしろC欠陥を積極活用する。
C欠陥量は、p型ドーパント濃度がある程度高く、3C−SiC薄膜の膜厚がある程度薄ければ、「p型ドーパント濃度」と「3C−SiC薄膜の膜厚」に応じて変化して、p型ドーパントを自動的に補償するように、C欠陥を生成することができる。つまり、自己整合的に完全補償ができる。pドーパントの濃度が1017/cm3 以上(3C−SiC中のp型ドーパント同士が十分に相互作用できる最小値)、1021/cm3 以下(SiCのpドーパントの通常用いる最大値)であると、膜厚が十分薄ければ、C欠陥が表面で発生し、それが拡散することで、膜全体を補償するようにC欠陥が再分布する。C欠陥はpドーパントに電子を渡し安定化できるので、C欠陥はp濃度に合わせる形で分布する。これにより、膜全体が最安定な状態になることができる。
従来の埋め込みチャネルでは、チャネルの支配力が低下してしまうという問題があった。その結果、移動度ピークが低電圧側の一部になってしまい、実動作電圧での電流が十分に取れないという問題がある。また、閾値が低くなるために、高温で動作させると、ノーマリーオンになってしまうという問題もあった。しかし、本実施形態は、完全補償して絶縁膜となった3C−SiCをゲート絶縁膜として機能させ、3C−SiC上に成膜するSiO2 膜を必要最小限の膜厚とすることで、チャネル支配力を十分に高めている。
まず、下限であるが、2nm未満の薄さでは、十分にC欠陥を吸収できず、下層の4H−SiC基板側にC欠陥が出現してしまい、移動度劣化を招く。C欠陥を吸収することが最大のポイントであり、その面だけから考えるなら、厚い程良いと言える。
デバイスチップ全体の終端構造作製は、通常イオン打ち込みで作っている。今回の実施形態でも、3C薄膜が挟まっているだけなので、同様にすればよい。更に、強力な終端構造が必要な場合は、STI(Shallow Trench Isolation)によって、SiO2 酸化膜を埋め込む方法も有効である。
DiMOSFET、IGBTなどを念頭に入れると、金属とのコンタクト抵抗を十分に低いものにする必要が出てくる。ここでは、n型、p型3C−SiCと金属との低接触抵抗化についてまとめる。
図3は、第1の実施形態に係わるSiC半導体装置の素子構造を示す断面図であり、特にDiMOSFETに適用した例である。
アニール工程(S9)として、ソース電極150を作製した後に、550℃という低温の熱処理を行うことが可能となる。例えば、アルゴン(Ar)ガス中で加熱時間5分とする。かかる熱処理により、Ni2Si電極150が形成される。n型SiC領域122の表面は前記図5(a)に示した3C−SiC薄膜110の形成により3C構造となっているので、電子障壁がなくなり、低い接触抵抗の電極構造が得られる。同時に、p型のコンタクトについては、大量のAlが導入されているので、簡単に低接触抵抗のコンタクトが取れる。
次に、ドレイン電極形成工程(S11)として、SiC基板100の裏面上にドレイン電極となる電極160を形成することにより、前記図3に示す構造が得られる。ここで、裏面電極に関して、従来の電極構成、例えばNi電極などを使うと、800℃を越える高温過程が必要になる。本実施形態の方法では、SiO2 /SiC界面が荒れても大丈夫なので、1050℃という高温過程も大丈夫である。例えば、アルゴン(Ar)ガス中で加熱時間5分とする。かかる熱処理により、界面にNi2Siができ、オーミック接続ができる。
第1の実施形態では、3C−SiC薄膜112の厚さ分だけ、SiO2 から離れた、埋め込みチャネルができており、印加電圧の全領域に亘って、移動度が十分に大きく、ピークでは300cm2/Vs程度である。
電極と3C−SiC薄膜との接合部分では、3C−SiC薄膜と金属とが反応して、n型・p型共に、4H−SiC層よりも低接触抵抗のコンタクトが取れるようになる。第一の理由は、バンドギャップが小さくなったことである。そのため、金属との界面のバリアーが低くなっている。第二の理由は、金属との反応領域にあったドーパントが基板側界面に集中することである。そのため、界面のバリアーの厚みが薄くなっている。接触抵抗を低減することができる。
図7は、第2の実施形態に係わるSiC半導体装置の素子構造を示す断面図であり、特にIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)に適用した例である。なお、図3と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
SiC基板200の裏面には、導電性材料の電極260が形成されている。この電極260はコレクタ電極(第2の通電電極)となる。本実施形態では、Ti/Al積層膜を用いた。例えば、1050℃、Ar中2分のアニール工程により、オーミック接続が得られる。本実施形態では、埋め込みチャネル構造を用いているので、高温アニールが可能である。
裏面電極形成の変形例としては、SiC基板200の裏面に、Alなどのイオンを打ち込むことで、3C−SiCを形成すると効果的である。この時、電極260は、SiC基板200の裏面にオーミック接続される点は、既に説明したとおりである。
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。
102…n- 型SiC層
110…p+ 型3C−SiC薄膜
111…3C−SiC薄膜
112…3C−SiC薄膜(第1のゲート絶縁膜)
120…表面領域
121…p- 型4H−SiC領域(第1の4H−SiC領域)
122…n+ 型4H−SiC領域(第2の4H−SiC領域)
123…p+ 型4H−SiC領域(第3の4H−SiC領域)
130…ゲート絶縁膜(第2のゲート絶縁膜)
140…ゲート電極
150…ソース電極(第1の通電電極)
160…ドレイン電極(第2の通電電極)
200…p+ 型4H−SiC基板
201…n+ 型4H−SiC層
202…n- 型4H−SiC層
250…エミッタ電極(第1の通電電極)
260…コレクタ電極(第2の通電電極)
Claims (10)
- 4H−SiC基板の表面部の少なくとも一部に形成されたp型の4H−SiC領域と、
前記4H−SiC領域上に形成され、p型ドーパントが導入された3C−SiC薄膜からなる第1のゲート絶縁膜と、
前記第1のゲート絶縁膜上に形成された酸化膜からなる第2のゲート絶縁膜と、
前記第2のゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
を具備したことを特徴とするSiC半導体装置。 - 前記第1のゲート絶縁膜は、前記3C−SiC薄膜にC欠陥を導入することで絶縁化されていることを特徴とする、請求項1記載のSiC半導体装置。
- 前記第1のゲート絶縁膜は、アモルファス構造又は多結晶構造であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のSiC半導体装置。
- 前記第1のゲート絶縁膜の厚みが2nm以上で5nm以下であり、且つ前記第1のゲート絶縁膜中に含まれるp型ドーパント量が1×1018cm3 以上で1×1021cm3 以下であることを特徴とする、請求項1〜3の何れかに記載のSiC半導体装置。
- 4H−SiC基板の表面部の一部に形成されたp型の第1の4H−SiC領域と、
前記第1の4H−SiC領域の表面部の一部に、該領域の端部から離間して形成されたn型の第2の4H−SiC領域と、
前記第1の4H−SiC領域の表面部の一部に、前記第2の4H−SiC領域よりも前記端部と反対側に形成された、前記第1の4H−SiC領域よりも不純物濃度の高いp型の第3の4H−SiC領域と、
前記第1の4H−SiC領域の表面部の一部に、前記第2の4H−SiC領域よりも前記端部側に形成され、p型ドーパントが導入された3C−SiC薄膜からなる第1のゲート絶縁膜と、
前記第1のゲート絶縁膜上に形成された酸化膜からなる第2のゲート絶縁膜と、
前記第2のゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記第2の4H−SiC領域及び前記第3の4H−SiC領域に跨るように形成された第1の通電電極と、
前記基板の裏面側に形成された第2の通電電極と、
を具備したことを特徴とするSiC半導体装置。 - 前記第1の通電電極と前記第2の4H−SiC領域との界面部にn型の3C−SiC薄膜が形成され、前記第1の通電電極と前記第3の4H−SiC領域との界面部にp型の3C−SiC薄膜が形成されていることを特徴とする、請求項5記載のSiC半導体装置。
- 前記SiC基板は、n型の4H−SiCであることを特徴とする、請求項1〜6の何れかに記載のSiC半導体装置。
- 前記SiC基板は、p型の4H−SiCとn型の4H−SiCとの積層構造であることを特徴とする、請求項1〜6の何れかに記載のSiC半導体装置。
- 4H−SiC基板の表面部の少なくともチャネルとすべき領域上に、p型の3C−SiC薄膜を形成し、該薄膜にC欠陥を導入することで絶縁化させて第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記SiC基板の表面部の前記3C−SiC薄膜を含む領域に、p型の4H−SiC領域を形成する工程と、
前記第1のゲート絶縁膜上に第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第2のゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とするSiC半導体装置の製造方法。 - 4H−SiC基板の表面部の少なくともチャネルとすべき領域上に、p型不純物をイオン打ち込みすることにより、アモルファス化する工程と、
前記アモルファス化した部分を熱処理することにより、C欠陥が導入された3C−SiC薄膜からなる第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記SiC基板の表面部の前記3C−SiC薄膜を含む領域に、p型の4H−SiC領域を形成する工程と、
前記第1のゲート絶縁膜上に第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第2のゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とするSiC半導体装置の製造方法。
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