JP2013171951A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013171951A JP2013171951A JP2012034504A JP2012034504A JP2013171951A JP 2013171951 A JP2013171951 A JP 2013171951A JP 2012034504 A JP2012034504 A JP 2012034504A JP 2012034504 A JP2012034504 A JP 2012034504A JP 2013171951 A JP2013171951 A JP 2013171951A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fuse
- insulating film
- semiconductor device
- region
- cut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体基板10上に形成され、電流を流すことにより溶断されるヒューズ14と、半導体基板上にヒューズを覆うように形成された第1の絶縁膜18とを有し、ヒューズの被切断領域16aにおける絶縁膜中の酸素濃度は、他の領域における前記絶縁膜中の酸素濃度よりも高い。
【選択図】図1
Description
一実施形態による半導体装置及びその製造方法を図1乃至図7を用いて説明する。
まず、本実施形態による半導体装置について図1を用いて説明する。図1は、本実施形態による半導体装置を示す断面図及び平面図である。図1(a)は断面図であり、図1(b)は平面図である。図1(a)は、図1(b)のA−A′線断面に対応している。
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法について図5乃至図7を用いて説明する。図5乃至図7は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
半導体基板上に形成され、電流を流すことにより溶断されるヒューズと、
前記半導体基板上に前記ヒューズを覆うように形成された第1の絶縁膜とを有し、
前記ヒューズの被切断領域における前記絶縁膜中の酸素濃度は、他の領域における前記絶縁膜中の酸素濃度よりも高い
ことを特徴とする半導体装置。
付記1記載の半導体装置において、
切断対象の前記ヒューズの前記被切断領域が溶断されている
ことを特徴とする半導体装置。
付記1又は2記載の半導体装置において、
前記第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜と、
前記ヒューズの両端にそれぞれ達するように前記第2の絶縁膜及び前記第1の絶縁膜に形成されたコンタクトホール内に形成された導体プラグとを更に有する
ことを特徴とする半導体装置。
付記1乃至3のいずれかに記載の半導体装置において、
前記ヒューズは、ポリシリコンにより形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
付記1乃至4のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第1の絶縁膜は、シリコン酸化膜である
ことを特徴とする半導体装置。
電流を流すことにより溶断されるヒューズを半導体基板上に形成する工程と、
前記半導体基板上に、前記ヒューズを覆うように第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記ヒューズの被切断領域における前記第1の絶縁膜に酸素イオンを注入する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
付記6記載の配線構造の製造方法において、
切断対象の前記ヒューズに電流を流すことにより、前記切断対象の前記ヒューズの前記被切断領域を溶断する工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
付記6又は7記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1の絶縁膜に酸素イオンを注入する工程の後、前記ヒューズの前記被切断領域を溶断する工程の前に、前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記ヒューズの両端にそれぞれ達するコンタクトホールを前記第2の絶縁膜及び前記第1の絶縁膜に形成する工程と、前記コンタクトホール内に導体プラグを形成する工程とを更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
付記6乃至8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記ヒューズは、ポリシリコンにより形成されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
付記6乃至9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1の絶縁膜は、シリコン酸化膜である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
12…絶縁層
14…ヒューズ
15…溶融片
16a…被切断領域
16b、16c…端子
17…絶縁膜
18…絶縁膜
20…領域
22…絶縁膜
23…層間絶縁膜
24…コンタクトホール
26…導体プラグ
28…配線
30…トランジスタ
32…判定回路
34a〜34f…メモリセルブロック
36a〜36f…センスアンプ
38a〜38f…配線
40…冗長切り替え回路
42a〜42e…データバスライン
44…フォトレジスト膜
46…開口部
Claims (5)
- 半導体基板上に形成され、電流を流すことにより溶断されるヒューズと、
前記半導体基板上に前記ヒューズを覆うように形成された第1の絶縁膜とを有し、
前記ヒューズの被切断領域における前記絶縁膜中の酸素濃度は、他の領域における前記絶縁膜中の酸素濃度よりも高い
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
切断対象の前記ヒューズの前記被切断領域が溶断されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2記載の半導体装置において、
前記ヒューズは、ポリシリコンにより形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記第1の絶縁膜は、シリコン酸化膜である
ことを特徴とする半導体装置。 - 電流を流すことにより溶断されるヒューズを半導体基板上に形成する工程と、
前記半導体基板上に、前記ヒューズを覆うように第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記ヒューズの被切断領域における前記第1の絶縁膜に酸素イオンを注入する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012034504A JP5906794B2 (ja) | 2012-02-20 | 2012-02-20 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012034504A JP5906794B2 (ja) | 2012-02-20 | 2012-02-20 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013171951A true JP2013171951A (ja) | 2013-09-02 |
JP5906794B2 JP5906794B2 (ja) | 2016-04-20 |
Family
ID=49265728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012034504A Active JP5906794B2 (ja) | 2012-02-20 | 2012-02-20 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5906794B2 (ja) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04199608A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-20 | Fujitsu Ltd | Soiウエハの製造方法 |
JPH08339996A (ja) * | 1995-06-12 | 1996-12-24 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005051020A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-24 | Sony Corp | ヒューズ及び同ヒューズを有するトリミング回路及び同ヒューズを有する半導体装置 |
JP2005136381A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ポリシリコンヒューズを有する半導体装置及びそのトリミング方法 |
JP2006013338A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2007258461A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Yamaha Corp | ヒューズ素子の切断ないし高抵抗化方法 |
JP2008034838A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ヒューズメモリを搭載した半導体装置 |
JP2008071991A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012023356A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
-
2012
- 2012-02-20 JP JP2012034504A patent/JP5906794B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04199608A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-20 | Fujitsu Ltd | Soiウエハの製造方法 |
JPH08339996A (ja) * | 1995-06-12 | 1996-12-24 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005051020A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-24 | Sony Corp | ヒューズ及び同ヒューズを有するトリミング回路及び同ヒューズを有する半導体装置 |
JP2005136381A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ポリシリコンヒューズを有する半導体装置及びそのトリミング方法 |
JP2006013338A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2007258461A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Yamaha Corp | ヒューズ素子の切断ないし高抵抗化方法 |
JP2008034838A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ヒューズメモリを搭載した半導体装置 |
JP2008071991A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012023356A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5906794B2 (ja) | 2016-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100808997B1 (ko) | 퓨즈 소자 및 그 절단 방법 | |
US8816312B2 (en) | Semiconductor device | |
US7256471B2 (en) | Antifuse element and electrically redundant antifuse array for controlled rupture location | |
US20090243032A1 (en) | Electrical fuse structure | |
US9865536B2 (en) | Electrical fuse structure and method of formation | |
US9219040B2 (en) | Integrated circuit with semiconductor fin fuse | |
JP5783174B2 (ja) | 半導体装置及びその動作方法 | |
KR20150033690A (ko) | 안티퓨즈를 특징으로 하는 집적 회로 디바이스 및 이를 제조하는 방법 | |
JPH0722513A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
WO2012086104A1 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
US8735242B2 (en) | Graphene-based eFuse device | |
CN104022100A (zh) | 电熔丝及制造电熔丝的方法 | |
WO2006039669A2 (en) | E-fuse with reverse bias p-n junction | |
JP5906794B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4701034B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN107622991B (zh) | 电熔丝结构及其制作方法 | |
JP2012129403A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US11309244B2 (en) | Electrical fuse structure and method of formation | |
KR20100055823A (ko) | 안티 퓨즈를 구비하는 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
CN104051417B (zh) | 电熔丝结构及其形成方法 | |
CN110556380B (zh) | 熔丝单元、熔丝位单元结构及其制造方法 | |
TWI514539B (zh) | 電熔絲結構 | |
TWI666756B (zh) | 一種電熔絲結構及其製造方法 | |
WO2011024340A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2006135035A (ja) | 半導体記憶装置及びその製造方法。 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131106 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141031 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150911 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150929 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160223 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160307 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5906794 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |