JP2013122945A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1導電型の半導体基板と、第2導電型の第1不純物拡散領域と、第1導電型の第2不純物拡散領域と、第2導電型の第3不純物拡散領域と、第2導電型の第4不純物拡散領域と、第1コンタクトと、第1の電源と、を含み、第1不純物拡散領域は半導体基板内に設けられ、第2不純物拡散領域は第1不純物拡散領域内に設けられ、第3不純物拡散領域は第2不純物拡散領域内に設けられ、第4不純物拡散領域の第1の部分は第2不純物拡散領域内に第3不純物拡散領域に離間して設けられ、第4不純物拡散領域の第2の部分は第1不純物拡散領域の第3の部分の半導体基板の表面側に設けられ、第1コンタクトは第2の部分に接するように設けられ、第1コンタクトと第3の部分とが平面視において重なり、前記第1の電源は前記第3不純物拡散領域に接続されていることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本適用例にかかる半導体装置は、第1導電型の半導体基板と、第2導電型の第1不純物拡散領域と、第1導電型の第2不純物拡散領域と、第2導電型の第3不純物拡散領域と、第2導電型の第4不純物拡散領域と、第1コンタクトと、第1の電源と、を含み、前記第1不純物拡散領域は、前記半導体基板内に設けられ、前記第2不純物拡散領域は、前記第1不純物拡散領域内に設けられ、前記第3不純物拡散領域は、前記第2不純物拡散領域内に設けられ、前記第4不純物拡散領域の第1の部分は、前記第2不純物拡散領域内に、前記第3不純物拡散領域に離間して設けられ、前記第4不純物拡散領域の第2の部分は、前記第1不純物拡散領域の第3の部分の前記半導体基板の表面側に設けられ、前記第1の部分と前記第2の部分が連続し、前記第1コンタクトは、前記第2の部分に接するように設けられ、前記第1コンタクトと前記第3の部分とが平面視において重なり、前記第1の電源は前記第3不純物拡散領域に接続されていることを特徴とする。尚、本明細書において、「離間」というのは、接することなく適切な距離を保っていることを言う。
上記適用例にかかる半導体装置において、前記第1コンタクトと、前記第3の部分との間で前記第2不純物拡散領域を挟むことができる前記第1不純物拡散領域の所定の領域とが、第1の配線で接続されていることが好ましい。
本適用例にかかる半導体装置は、第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板内に設けられた第2導電型の第1不純物拡散領域と、前記第1不純物拡散領域内に設けられた第1導電型の第2不純物拡散領域と、前記第2不純物拡散領域内に設けられた第2導電型の第3不純物拡散領域と、第2導電型の第4不純物拡散領域と、前記第2不純物拡散領域内に設けられた第2導電型の第5不純物拡散領域と、第1コンタクトと、第1の電源と、を含み、前記第2不純物拡散領域は、平面視において、前記第1不純物拡散領域の第1の領域に囲まれると共に前記第1不純物拡散領域の第2の領域を囲むように配置され、前記第3不純物拡散領域及び前記第5不純物拡散領域は、平面視において、前記第2の領域が間に位置するように配置され、前記第4不純物拡散領域は、平面視において、前記第3不純物拡散領域と前記第5不純物拡散領域との間に配置され、前記第4不純物拡散領域は、第1部分と、第2部分と、第3部分とからなり、前記第2部分は前記第2の領域に配置され、前記第1部分は前記第2不純物拡散領域の前記第3不純物拡散領域側に前記第3不純物拡散領域に離間して配置され、前記第3部分は前記第2不純物拡散領域の前記第5不純物拡散領域側に前記第5不純物拡散領域に離間して配置され、前記第1部分と、前記第2部分と、前記第3部分が連続し、前記第1コンタクトは、前記第2部分に接するように設けられ、前記第1の電源は前記第3不純物拡散領域および前記第5不純物拡散領域に接続されていることを特徴とする。
上記適用例にかかる半導体装置において、前記第1コンタクトと前記第1の領域とが第1の配線で接続されていることが好ましい。
図1に、本発明を適用した半導体装置100の所定部分における断面図を示す。半導体装置100は、第1導電型の半導体基板10に、第2導電型の第1不純物拡散領域20、第1導電型の第2不純物拡散領域30、第2導電型の第3不純物拡散領域40、第2導電型の第3不純物拡散領域41及び第2導電型の第4不純物拡散領域50が形成されたものである。また、第3不純物拡散領域40と第4不純物拡散領域50との間には第1ゲート60が設けられ、第3不純物拡散領域41と第4不純物拡散領域50との間には、第2ゲート61が設けられている。半導体基板10、第1不純物拡散領域20及び第2不純物拡散領域30による構造が、トリプルウェルの構造を構成している。尚、上述した従来例と同様に、ここで、第1導電型をP型、第2導電型をN型とする。第1不純物拡散領域20はN型ウェル、第2不純物拡散領域30はP型ウェルである。
本実施形態は、半導体装置200若しくは半導体装置300の製造方法について説明するものである。尚、本実施形態の説明において、第1実施形態で説明した半導体装置の構成要素と同じ若しくは同等の構成要素については同じ番号を付与し、その説明は省略する場合がある。
Claims (4)
- 第1導電型の半導体基板と、
第2導電型の第1不純物拡散領域と、
第1導電型の第2不純物拡散領域と、
第2導電型の第3不純物拡散領域と、
第2導電型の第4不純物拡散領域と、
第1コンタクトと、
第1の電源と、を含み、
前記第1不純物拡散領域は、前記半導体基板内に設けられ、
前記第2不純物拡散領域は、前記第1不純物拡散領域内に設けられ、
前記第3不純物拡散領域は、前記第2不純物拡散領域内に設けられ、
前記第4不純物拡散領域の第1の部分は、前記第2不純物拡散領域内に、前記第3不純物拡散領域に離間して設けられ、前記第4不純物拡散領域の第2の部分は、前記第1不純物拡散領域の第3の部分の前記半導体基板の表面側に設けられ、
前記第1の部分と前記第2の部分が連続し、
前記第1コンタクトは、前記第2の部分に接するように設けられ、
前記第1コンタクトと前記第3の部分とが平面視において重なり、
前記第1の電源は前記第3不純物拡散領域に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1コンタクトと、前記第3の部分との間で前記第2不純物拡散領域を挟むことができる前記第1不純物拡散領域の所定の領域とが、第1の配線で接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板内に設けられた第2導電型の第1不純物拡散領域と、
前記第1不純物拡散領域内に設けられた第1導電型の第2不純物拡散領域と、
前記第2不純物拡散領域内に設けられた第2導電型の第3不純物拡散領域と、
第2導電型の第4不純物拡散領域と、
前記第2不純物拡散領域内に設けられた第2導電型の第5不純物拡散領域と、
第1コンタクトと、
第1の電源と、を含み、
前記第2不純物拡散領域は、平面視において、前記第1不純物拡散領域の第1の領域に囲まれると共に前記第1不純物拡散領域の第2の領域を囲むように配置され、
前記第3不純物拡散領域及び前記第5不純物拡散領域は、平面視において、前記第2の領域が間に位置するように配置され、
前記第4不純物拡散領域は、平面視において、前記第3不純物拡散領域と前記第5不純物拡散領域との間に配置され、
前記第4不純物拡散領域は、第1部分と、第2部分と、第3部分とからなり、前記第2部分は前記第2の領域に配置され、前記第1部分は前記第2不純物拡散領域の前記第3不純物拡散領域側に前記第3不純物拡散領域に離間して配置され、前記第3部分は前記第2不純物拡散領域の前記第5不純物拡散領域側に前記第5不純物拡散領域に離間して配置され、
前記第1部分と、前記第2部分と、前記第3部分が連続し、
前記第1コンタクトは、前記第2部分に接するように設けられ、
前記第1の電源は前記第3不純物拡散領域および前記第5不純物拡散領域に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1コンタクトと前記第1の領域とが第1の配線で接続されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018125392A (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
JP2019029399A (ja) * | 2017-07-26 | 2019-02-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59217368A (ja) * | 1983-05-26 | 1984-12-07 | Hitachi Ltd | 集積回路とその製造方法 |
JP2001110995A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002026315A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2006013450A (ja) * | 2004-05-27 | 2006-01-12 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006202847A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2009088139A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 静電気破壊保護素子、静電気破壊保護回路、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2010021228A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100190008B1 (ko) * | 1995-12-30 | 1999-06-01 | 윤종용 | 반도체 장치의 정전하 보호 장치 |
JP3472911B2 (ja) | 1997-10-31 | 2003-12-02 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
JP3123489B2 (ja) | 1997-11-20 | 2001-01-09 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路における静電保護回路及びその製造方法 |
TW399337B (en) | 1998-06-09 | 2000-07-21 | Koninkl Philips Electronics Nv | Semiconductor device |
JP3317345B2 (ja) | 1999-07-23 | 2002-08-26 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
US6489653B2 (en) * | 1999-12-27 | 2002-12-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lateral high-breakdown-voltage transistor |
KR100448925B1 (ko) | 2002-03-11 | 2004-09-16 | 삼성전자주식회사 | 정전기 방전 보호를 위한 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR100645039B1 (ko) | 2003-12-15 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 정전기 방전 보호 소자 및 그 제조방법 |
JP4854934B2 (ja) * | 2004-06-14 | 2012-01-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 静電気放電保護素子 |
CN100446080C (zh) | 2005-06-30 | 2008-12-24 | 精工爱普生株式会社 | 集成电路装置及电子设备 |
US7190030B1 (en) * | 2005-09-07 | 2007-03-13 | United Microelectronics Corp. | Electrostatic discharge protection structure |
JP2008004703A (ja) | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5203850B2 (ja) | 2008-08-22 | 2013-06-05 | パナソニック株式会社 | 静電気保護素子 |
JP5349885B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-11-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59217368A (ja) * | 1983-05-26 | 1984-12-07 | Hitachi Ltd | 集積回路とその製造方法 |
JP2001110995A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002026315A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2006013450A (ja) * | 2004-05-27 | 2006-01-12 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006202847A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2009088139A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 静電気破壊保護素子、静電気破壊保護回路、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2010021228A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018125392A (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
JP2019029399A (ja) * | 2017-07-26 | 2019-02-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
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