JP2013089832A5 - 光電変換装置の作製方法 - Google Patents

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  1. シリコン基板に、複数の開口部を有する薄膜を形成する工程と、
    前記薄膜を用いて、前記シリコン基板の表面に凹凸を形成する工程と、
    前記凹凸が形成されたシリコン基板の一方の面に、第１の電極を形成する工程と、
    前記シリコン基板の他方の面に、第２の電極を形成する工程と、を有し、
    前記薄膜は、シリコンよりも電気陰性度の大きい金属を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
  2. シリコン基板に、複数の開口部を有する薄膜を形成する工程と、
    前記薄膜を用いて、前記シリコン基板の表面に凹凸を形成する工程と、
    前記凹凸が形成されたシリコン基板の一方の面に、第１の電極を形成する工程と、
    前記シリコン基板の他方の面に、第２の電極を形成する工程と、を有し、
    前記薄膜は、金、白金、銀、銅、又は鉛を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
  3. シリコン基板に、複数の開口部を有する薄膜を形成する工程と、
    前記薄膜を用いて、前記シリコン基板の表面に凹凸を形成する工程と、
    前記凹凸が形成されたシリコン基板の一方の面に、第１の領域を形成する工程と、
    前記第１の領域と接する、第１の電極を形成する工程と、
    前記シリコン基板の他方の面に、第２の領域を形成する工程と、
    前記第２の領域と接する、第２の電極を形成する工程と、を有し、
    前記薄膜は、シリコンよりも電気陰性度の大きい金属を有し、
    前記第１の領域は、前記シリコン基板の導電型とは異なる導電型を有し、
    前記第２の領域は、前記シリコン基板の導電型と同じ導電型を有し、
    前記第２の領域は、前記シリコン基板のキャリア密度より高いキャリア密度を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
  4. シリコン基板に、複数の開口部を有する薄膜を形成する工程と、
    前記薄膜を用いて、前記シリコン基板の表面に凹凸を形成する工程と、
    前記凹凸が形成されたシリコン基板の一方の面に、第１の領域を形成する工程と、
    前記第１の領域と接する、第１の電極を形成する工程と、
    前記シリコン基板の他方の面に、第２の領域を形成する工程と、
    前記第２の領域と接する、第２の電極を形成する工程と、を有し、
    前記薄膜は、金、白金、銀、銅、又は鉛を有し、
    前記第１の領域は、前記シリコン基板の導電型とは異なる導電型を有し、
    前記第２の領域は、前記シリコン基板の導電型と同じ導電型を有し、
    前記第２の領域は、前記シリコン基板のキャリア密度より高いキャリア密度を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
    前記複数の開口部は、前記薄膜を形成したときに形成されていることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
  6. 請求項３乃至請求項５のいずれか一において、
    前記第２の領域は、前記第２の電極を形成した後、加熱処理を行い、前記第２の電極が有する材料を、前記シリコン基板へ拡散させて、形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
  7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
    前記薄膜の膜厚は、３０ｎｍ未満であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
  8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
    前記薄膜における開口部の割合は、８％以上５０％以下であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
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