CN105682769A - 岛蚀刻的过滤通道 - Google Patents

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Abstract

一种方法包括：在衬底上形成蚀刻岛，并将具有蚀刻岛的衬底暴露至与蚀刻岛反应的溶液，以在衬底中形成互连孔隙的过滤通道。过滤通道具有进入衬底的入口和离开衬底的出口。

Description

岛蚀刻的过滤通道
背景技术
过滤机构有时被用于去除污染物或其他粒子。小尺寸过滤机构的制造可能是困难且昂贵的。
附图说明
图1是示例过滤器的截面图。
图2是用于形成图1的过滤器的示例方法的流程图。
图3是示出根据图2的方法形成图1的过滤器的透视图。
图4是示出根据图2的方法的另一个实施方式形成图1的过滤器的透视图。
图4A是图4的衬底和沉积的蚀刻岛的仰视平面图。
图5-7是示出根据图4示出的方法的实施方式蚀刻图1的过滤器的截面图。
图8是被暴露至用于形成图11的过滤器的蚀刻溶液的衬底和蚀刻岛的截面图。
图9-11是示出蚀刻图8的衬底以形成图11的过滤器的透视图。
图12-14是示出蚀刻衬底以形成图15中示出的另一个示例过滤器的透视图。
图15是通过图12-14的蚀刻形成的且附加有沟槽盖的过滤器的截面图。
图16是用于在蚀刻过滤器时控制过滤属性的示例方法的流程图。
图17是具有蚀刻岛和用于控制蚀刻的过滤器的过滤属性的蚀刻阻滞层的衬底的截面图。
图18是基于检测的蚀刻到衬底内的金属岛的组分而识别过滤器的方法的流程图。
具体实施方式
图1是示出示例过滤器20的截面图。如此后描述，过滤器20非常适合于用作小尺寸过滤器机构。过滤器20包括衬底22、过滤通道24、26和金属岛34、36。
衬底22包括具有与金属岛34、36反应的属性的材料层或材料块，以使在具有沉积于其上的金属岛34、36的衬底被暴露至溶液时金属岛34、36蚀刻到衬底22内。在一个实施方式中，衬底22具有与针对金属辅助化学蚀刻被配置的金属岛34、36反应的属性。在一个实施方式中，衬底22包括硅、多晶硅、硅锗、氮化物和氧化物、聚合物、陶瓷、金属、(元素周期表中的)III-V族材料或其组合。
虽然被示出为块，但是衬底22可以包括层或任意其他结构。衬底22可以包括用于微机电(MEM)器件、打印头或其他器件的结构。虽然衬底22被示出为单个块或层，但是衬底22可以包括彼此定位或结合的一个或多个层或块。例如，衬底22可以包括彼此接合的多个衬底，其中多个衬底可以具有相同或不同的晶向。
过滤通道24、26包括延伸至衬底22内并穿过衬底22的多孔通道。过滤通道24、26过滤诸如液体、气体的流体，并且可以提供两相流过滤。过滤通道24、26中的每一个包括入口28和出口30。虽然过滤通道24、26被示出为从第一侧42延伸，穿过衬底22，至衬底22的第二相对侧142，并从第二相对侧142出来，但是在其他实施方式中，过滤通道24、26可以在第一侧或面进入衬底22，并且可以在与第一侧或面不平行的第二侧或面上退出衬底22。例如，过滤通道24、26中的一个或两个可以通过衬底22的顶部或底部进入，并且通过衬底22的侧面退出。
过滤通道24、26中的每一个包括互连孔隙38，这种孔隙38是由于金属岛34、36与金属岛34、36和衬底22被暴露至的溶液之间的反应而被蚀刻的。在一个实施方式中，过滤通道34、36和孔隙38具有10nm和1000nm之间且通常是100nm的最大尺寸或直径。结果，过滤通道24、26非常适合于诸如在MEM器件中利用的小尺寸过滤机构。在其他实施方式中，过滤通道34、36和孔隙38可以具有其他过滤属性。
金属岛34、36包括在过滤通道24、26内或沿着过滤通道24、26的金属岛或金属包。金属岛34、36由具有在暴露至金属辅助蚀刻溶液时与衬底22反应并蚀刻衬底22的属性的金属或其他材料组成。在一个实施方式中，金属岛34、36包括与氢氟酸和过氧化氢的溶液反应以蚀刻衬底22的金属催化剂或其他金属。可以使用的金属的示例包括但不限于银、铂、钌、铂、钯、钼、铬、铜、钽、钛、金、铱、以及其混合物或合金。
在金属岛34、36被暴露至溶液之前，金属岛34、36在衬底22内的大小和间隔基于金属岛34、36的属性、在过滤器20的形成期间它们与溶液的反应速率以及金属岛34、36在衬底22的外表面上的大小和分布。在一个实施方式中，衬底22内没有与其他金属岛34、36合并的金属岛34、36具有大约10nm和200nm之间的大小/直径分布(在垂直于流体通道24、26中心线的方向上测量)。在一个实施方式中，金属岛34、36具有衬底体积的25％至75％的衬底内密度。在一个实施方式中，金属蚀刻岛34、36包括位于表面42上的蚀刻材料，诸如金粒子，在蚀刻之前蚀刻材料具有小于50μm的大小/直径且相邻岛之间具有从10nm至2000nm的间距。在一个实施方式中，金属蚀刻岛34、36以大群的形式形成在表面42上，其中岛34、36的这些群彼此间隔开20μm和50μm之间。这种大小和密度有助于形成具有增强的过滤属性的过滤通道24、26。在其他实施方式中，金属岛34、36可以具有其他大小和密度。
在一个实施方式中，利用不同的金属岛大小、不同的金属岛密度或金属岛24、26的不同材料形成过滤通道24、26，以使流体通道24、26的过滤特性和孔隙38的大小或互连在通道24、26之间存在不同。结果，过滤通道24、26提供不同的过滤功能。在又一个实施方式中，过滤通道24、26利用相同或大体上类似的金属岛大小、金属岛密度和/或材料而形成，以使流体通道24、26的过滤特性和孔隙38的大小或互连大体上相同。
在一个实施方式中，夹带入多孔过滤通道24、26内的金属岛34、36可以与过滤器20一起保留。这些金属岛34、36可以用作标签，用于识别过滤器20的供给者或源，识别不同过滤通道24、26的过滤属性和/或识别特定过滤器20的批号或制造日期。通过随后分析夹带的金属岛34、36的组分，上面提及的标签可以被读取。
图2是用于形成过滤器20的示例方法100的流程图。图3是示出过滤器20的形成的透视图。如图2中的步骤102指示并在图3中示出的，形成蚀刻岛的金属岛34、36被形成在衬底22的外表面42上。在示出的示例中，这些蚀刻岛34、36以图案的形式沉积，或沉积在衬底22的表面42的选择部分的位置上，以随后形成下面的过滤通道24、26(以虚线示出)。在一个实施方式中，表面42上的蚀刻岛34、36具有大约10nm和200nm之间的大小/直径分布(在平行于表面42的方向上测量)。在一个实施方式中，金属蚀刻岛34、36包括在表面42上的蚀刻材料，诸如金粒子，在蚀刻之前蚀刻材料具有小于50μm的大小/直径且相邻岛之间具有从10nm至2000nm的间距。在一个实施方式中，金属蚀刻岛34、36以大群的形式形成在表面42上，其中岛34、36的这些群彼此间隔开20μm和50μm之间。这些大小和密度有助于形成具有增强的过滤属性的过滤通道24、26。在其他实施方式中，金属岛34、36可以具有其他大小和密度。如上指出，在一个实施方式中，蚀刻岛34、36具有这样的属性：使得蚀刻岛34、36与金属辅助蚀刻溶液有不同反应以便以用于进行不同蚀刻的不同速率进行蚀刻，以使下面形成的过滤通道24、26具有不同的过滤属性。
在一个实施方式中，蚀刻岛34、36通过在100至200W范围的功率用量下溅射几秒至5分钟的时间范围而形成在表面42上。这种溅射期间的温度处于环境温度至250℃的范围内。溅射期间的压力处于1E-07Torr至1E2Torr的范围内。在又一个实施方式中，这种溅射的参数可以变化。在又一个其他实施方式中，蚀刻岛34、36可以利用诸如喷墨打印等其他沉积技术而沉积或以其他方式形成在表面42上。在一些实施方式中，使用掩模来实现表面42上蚀刻岛34、36的图案化。在又一个实施方式中，表面42上蚀刻34、36的图案化通过受控制的喷墨打印来实现。
如图2中的步骤104所指示和图3中进一步示出的，一旦金属岛34、36已经被形成或者以其他方式沉积在表面42上，蚀刻岛34、36就被暴露至溶液48以形成互连孔隙38(图1中示出)的过滤通道24、26。在示出的示例中，在表面42上沉积有金属岛34、36的衬底22被放入溶液48的浴器中，溶液48通过对岛34、36进行蚀刻而开始孔隙38的金属辅助化学蚀刻。在示出的示例中，溶液48包括与蚀刻岛34、36反应的氢氟酸(HF)和过氧化氢(H2O2)。在其他实施方式中，溶液48可以包括促进金属辅助蚀刻的其他流体或液体，诸如盐酸(HCL)和过氧化氢(H2O2)。在其他实施方式中，蚀刻岛34、36可以以其他方式暴露至溶液48。一旦岛34、36充分蚀刻到衬底22内，就将衬底22从溶液48移出。在一个实施方式中，衬底22被暴露至蚀刻停止或抑制淬火。例如，衬底22可以被暴露至去离子水的淬火。
在一个实施方式中，这种蚀刻以环境温度执行。在一些实施方式中，蚀刻可以在高于环境的温度下使用溶液48发生，以增加或另外影响蚀刻速率或蚀刻特性。在一个实施方式中，衬底22的蚀刻在搅拌下执行。在另一个实施方式中，这种蚀刻可以仍在浴器中执行。溶液48的配方可以变化以提供特定蚀刻速率。例如，过氧化氢与氢氟酸与水的比率可以取决于特定蚀刻速率。这个比率可以在由岛34、36进行蚀刻期间被调节。
图4-7示出图2中示出的方法100的另一个示例实施方式。与图3示出的实施方式相比，图4和4A中示出的实施方式包括附加地在衬底22的与表面42相对且平行的底表面142上形成蚀刻岛134、136。在示出的示例中，蚀刻岛134、136与面42上的蚀刻岛34和36大体类似且相对。在另一个实施方式中，蚀刻岛134、136相对于蚀刻岛34、36分别在x和y方向中的一个或两个上轻微偏移，以增强或有助于孔隙38的形成。虽然图4和4A分别示出表面42和142上的相等数目的对应岛34、134和36、136，但是在其他实施方式中，岛34的数目和位置可以与岛134的数目和位置不同。同样，岛36的数目和位置可以与岛136的数目和位置不同。如图4所示，一旦蚀刻岛34、36、134、136分别被形成或以其他方式沉淀在表面42、142上，就将这些岛暴露至溶液48。在示出的示例中，衬底22被浸入浴器48中，浴器48开始进行蚀刻。
如图5-7所示，一旦被暴露至金属辅助蚀刻溶液(在示出的示例中是水、氢氟酸和过氧化氢的组合)，表面42上的岛34、36和表面142上的岛134、136就从相对的侧面或表面42、142同时蚀刻到衬底22内。如图7所示，在示出的示例中，这种同步蚀刻被允许继续到岛34、36和岛134、136充分陷入衬底22中或蚀刻到衬底22中以在衬底22内彼此相遇或经过。在一个实施方式中，这种蚀刻被允许继续到蚀刻岛34、36、134、136相遇，以形成过滤通道24、26。
在又一个实施方式中，这种蚀刻被允许继续到蚀刻岛34、36、134、136在衬底22内相互经过预定程度。通过控制蚀刻岛34、36、134、136相互经过的程度，以继续蚀刻过之前被已经经过的蚀刻岛所蚀刻的区域，衬底22的至少选择的部分被蚀刻两次，一次由蚀刻岛34、36中的一个蚀刻，并且第二次由蚀刻岛134、136蚀刻，反之亦然。结果，过滤通道24和26的孔隙度和过滤特性可以被控制和调节。如上指出，在一个实施方式中，这种蚀刻通过从金属辅助蚀刻溶液48移出衬底22或通过使衬底22受到去离子水或其他淬火液体的淬火来终止。
通过从衬底22的相对侧蚀刻过滤通道24、26，形成过滤通道24、26的时间可以被减少，以减少成本。此外，蚀刻岛34、36、134、136在形成过滤器20期间更可靠地保留在衬底22内。结果，蚀刻岛34、36、134、136的组分可以被更可靠地确定以用作标签，诸如用于识别过滤器20的源、过滤器20的过滤特性和/或过滤器20的制造或制备批号或者生产地址。
图11示出过滤器220，过滤器20的另一个实施方式。如图11所示，过滤器220包括衬底22(上面描述)、过滤通道224A、224B、224C(统称为过滤通道224)和226、以及蚀刻岛234A、234B、234C(统称为蚀刻岛234)和236。
过滤通道224包括从衬底22的表面42延伸至过滤通道226的不同的间隔开的过滤通道。正如过滤通道24和26，过滤通道224包括互连孔隙38，这种孔隙38是由于金属岛234与金属岛234和衬底22被暴露至的溶液之间的反应而被蚀刻的。在一个实施方式中，过滤通道224及其孔隙38具有10nm和1000nm之间且通常是100nm的最大尺寸或直径。结果，过滤通道224非常适合于诸如在MEM器件中利用的小尺寸过滤机构。在其他实施方式中，过滤通道224及其孔隙38可以具有其他过滤属性。
在一个实施方式中，过滤通道224中的每一个具有不同的过滤特性和/或连接至要过滤的不同流体源。例如，在一个实施方式中，过滤通道224A具有第一密度的孔隙38或具有第一密度的、具有第一平均大小的孔隙38，而过滤通道224B具有不同的第二密度的孔隙38和/或具有不同的第二密度的、具有不同的第二平均大小的孔隙38，而过滤通道224C又具有不同的第三密度的孔隙38和/或具有不同的第三密度、具有不同的第三平均大小的孔隙38。在又一个实施方式中，过滤通道224中的每一个具有类似的过滤属性。
过滤通道226从过滤通道224中的每一个接收过滤的流体，并提供附加的第二级过滤。过滤通道226包括互连孔隙38，这种孔隙38是由于金属岛236与金属岛236和衬底22被暴露至的溶液之间的反应而被蚀刻的。在一个实施方式中，过滤通道226及过滤通道226的孔隙38具有10nm和1000nm之间且通常是100nm的最大直径或大小。结果，过滤通道226非常适合于诸如在MEM器件中利用的小尺寸过滤机构。
在一个实施方式中，过滤通道226具有与过滤通道224中的一个或多个不同的过滤属性。例如，在一个实施方式中，过滤通道226可以包括具有与过滤通道224中的一个或多个不同的密度或大小的孔隙38。在其他实施方式中，过滤通道226及其孔隙38可以具有其他过滤属性。
如图11进一步示出的，在示出的示例中，过滤通道224中的每一个具有长度L1，而过滤通道226具有小于L1的长度L2。结果，流体经过过滤通道224的时间或长度比相同的流体经过过滤通道226的时间或长度大。过滤通道224的附加长度是影响过滤器220的过滤属性的参数。如此后描述，在一个实施方式中，不同长度L1和L2通过采用在暴露至示出在图8左前的蚀刻溶液48时具有与蚀刻岛236不同的蚀刻特性或属性的蚀刻岛234来实现，结果，不同长度L1、L2可以被实现，同时也采用从衬底22的两个表面42、142的同步蚀刻。在又一个实施方式中，不同长度L1、L2通过在淬火之前采用不同的蚀刻时间段依次蚀刻流体通道224和226来实现，或者采用其他蚀刻停止。
虽然过滤通道224分别被示出为具有大体相同的长度，并且虽然过滤通道226被示出为在衬底22内的大体相同深度处连接至过滤通道224中的每一个，但是在其他实施方式中，过滤通道224中的一个或多个可以具有彼此不同的长度。例如，在一个实施方式中，过滤通道224A可以具有与过滤通道224B和224C相比较短的长度。在这个实施方式中，过滤器220包括具有类似于过滤通道226的过滤属性而且具有更大长度的附加下过滤通道，以连接至具有较短长度的附加下过滤通道。在又一个实施方式中，过滤通道244中的一个或多个可以通过经过且不连接至过滤通道226而替代地完全延伸穿过衬底22。
蚀刻岛234、236类似于上面描述的岛34、36、134、136。蚀刻岛234、236包括在过滤通道224、226内且沿着过滤通道224、226的金属岛或金属包。蚀刻岛234、236由金属或具有在暴露至金属辅助蚀刻溶液时与衬底22反应并蚀刻衬底22的属性的其他材料组成。在一个实施方式中，蚀刻岛234、236包括金属催化剂或与氢氟酸和过氧化氢的溶液反应以蚀刻衬底22的其他金属。可以使用的金属的示例包括但不限于银、铂、钌、铂、钯、钼、铬、铜、钽、钛、金、铱、以及其混合物或合金。
在金属岛34、36被暴露至溶液之前，蚀刻岛234、236在衬底22内的大小和间隔基于蚀刻岛234、236的属性、在过滤器20的形成期间它们与溶液的反应速率以及金属岛34、36在衬底22的外表面上的大小和分布。在一个实施方式中，衬底22内没有与其他蚀刻岛234、236合并的蚀刻岛234、236具有大约10nm和200nm之间的大小/直径分布(在垂直于流体通道224、226中心线的方向上测量)。在一个实施方式中，蚀刻岛234、236具有衬底体积的25％至75％的衬底内密度。在一个实施方式中，金属蚀刻岛34、36包括在表面42上的蚀刻材料，诸如金粒子，在蚀刻之前蚀刻材料具有小于50μm的大小/直径且相邻岛之间具有从10nm至2000nm的间距。在一个实施方式中，金属蚀刻岛34、36以大群的形式形成在表面42上，其中岛34、36的这些群彼此间隔开20μm和50μm之间。这种大小和密度有助于形成具有增强的过滤属性的过滤通道224、226。在其他实施方式中，蚀刻岛234、236可以具有其他大小和密度。
在一个实施方式中，利用与边缘岛224、226不同的金属岛大小、不同的金属岛密度或不同材料形成过滤通道224、226，以使流体通道224、226的过滤特性和孔隙38的大小或互连在通道224、226之间存在不同。结果，过滤通道224、226提供不同的过滤功能。在又一个实施方式中，过滤通道224、226利用相同或大体上类似的金属或蚀刻岛大小、蚀刻岛密度和/或材料而形成，以使流体通道224、226的过滤特性和孔隙38的大小或互连大体上相同。
在一个实施方式中，夹带到多孔过滤通道224、226内的蚀刻岛234、236可以与过滤器220一起保留。这些蚀刻岛234、236可以用作标签，用于识别过滤器220的供给者或源，识别不同过滤通道224、226的过滤属性和/或识别特定过滤器220的批号或制造日期。通过随后分析夹带的金属岛234、236的组分，上面提及的标签可以被读取。
图8-11示出在图2中略述并结合图4-7描述的方法的另一个实施方式。图8-11示出过滤器220(在图11中以完成的状态示出)的形成。图8示出在开始蚀刻之前，在将衬底22置于蚀刻溶液48内的过程中，将蚀刻岛234、236沉积在衬底上。图9和10示出处于被蚀刻岛234、236蚀刻过程中的衬底22。图11示出完成的过滤器220。
除了沉积在表面42上的蚀刻岛234和沉积在表面142上的蚀刻岛236(如图8所示)在暴露至蚀刻溶液48时具有不同蚀刻属性和蚀刻速率之外，图8-11中示出的形成过滤器220的方法类似于上面结合图4-7示出和描述的方法。结果，虽然过滤通道224、226从相对的表面42、142同步蚀刻，但是过滤通道224、226具有不同长度L1、L2(上面描述)。在一个实施方式中，与蚀刻岛236的材料相比，蚀刻岛234由不同材料组成，以便以与蚀刻岛236相比更大的速率进行蚀刻。在又一个实施方式中，与蚀刻岛236相比，蚀刻岛234具有更大的密度或更大的尺寸，以便以与蚀刻岛236相比更大的速率进行蚀刻。
图15示出过滤器320，过滤器20的另一个实施方式。过滤器320利用相对较薄的衬底322提供流体的延长过滤。具体地，过滤器320过滤以相反方向流动穿过衬底322的流体，以提供与衬底322的变薄成比例有效延长的过滤器。
如图15所示，过滤器320包括衬底322、过滤通道324、326、蚀刻岛24、26、124、126(上面描述)和沟槽盖350。除了衬底322被示出为具体包括沟槽352、354之外，衬底322类似于上面描述的衬底22。沟槽352、354包括延伸到面42、142内的槽沟、通道、凹槽、凹进或凹陷等。沟槽352、354中的每一个具有过滤通道324、326从其延伸的底面356。
沟槽352有助于要过滤的流体(不管流体是液体、气体还是多相材料)源至过滤通道326的连接以及过滤后的流体的接收器至过滤通道324的连接。在其他实施方式中，沟槽352可以被省略。沟槽354提供过滤通道324、326之间的流体流动通道，允许被过滤通道326过滤的流体在沟槽354内按照箭头360指示流动至过滤通道324内。虽然被示出为长方形或梯形，但是沟槽352和354可以具有其他大小、形状或结构。
除了过滤通道324、326在沟槽352、354的底面356之间延伸之外，过滤通道324、326类似于上面描述的过滤通道24、26。在一个实施方式中，过滤通道324、326具有类似的过滤属性。在又一个实施方式中，由于被具有不同蚀刻属性的蚀刻岛24、26、124、126蚀刻，过滤通道324、326具有不同的过滤属性。在示出的示例中，过滤通道326具有在沟槽352的邻近表面42的底面356上的入口和在沟槽354的邻近表面142的底面356上的出口。过滤通道324具有在沟槽354的邻近表面142的底面356上的入口和在沟槽356的邻近表面42的底面356上的出口。
沟槽盖350包括横跨沟槽354延伸的帽、顶或盖以封闭沟槽354的内部。沟槽盖350形成在过滤通道326的出口和过滤通道324的入口之间延伸的流动通道362。结果，被过滤的流体在U型转弯路径中流动，流入过滤通道326，横跨流动通道362并穿过过滤通道324，提供将衬底322的厚度两次用于过滤路径的细长过滤路径。在其他实施方式中，过滤器320可以包括多个间隔开的沟槽、大于两个的过滤通道和不止一个的沟槽盖，以针对更长的过滤路径形成来回穿过衬底322的整体蛇形路径。
图12-15示出用于形成过滤器320的示例方法。图12示出在衬底322的面42、142中形成沟槽352、354。图12进一步示出在衬底322被暴露至蚀刻溶液48之前沉积或形成蚀刻岛34、134、36、136。图13示出通过蚀刻岛34、134、36、136对衬底322进行蚀刻。图14示出这种蚀刻的完成，同时图15示出在穿过过滤通道326、324的流动方向上添加沟槽盖350。图12-15示出的形成过滤器220的方法类似于上面结合图4-7描述并示出的方法。结果，过滤通道224、226从相对的表面42、142同步蚀刻。
图17示出方法400，图2中示出的方法100的示例实施方式，用于控制和/或调节由方法100形成的过滤器的过滤属性。如步骤402所示，具有不同蚀刻属性的蚀刻岛被形成在衬底22的相对的表面上。如步骤404所示，蚀刻阻滞层被形成在这种相对的表面之间。图17示出步骤402、404的实施。图17示出在表面42和142上沉积蚀刻岛34、36、134、136和在衬底22内形成蚀刻阻滞层474、476之后但是在衬底22和蚀刻岛34、36、134、136被暴露至蚀刻溶液48(图4中示出)之前且在过滤通道24、26(虚线示出)的任意蚀刻之前的衬底22。
蚀刻阻滞层474、476包括阻碍、抵抗或阻止蚀刻岛34、134和/或蚀刻岛36、136进行蚀刻的材料层。蚀刻阻滞层474被形成在蚀刻岛34、134之间。蚀刻阻滞层476被形成在蚀刻岛36、136之间。结果，蚀刻阻滞层474限制并控制过滤通道24由蚀刻岛34蚀刻的部分的深度或长度以及过滤通道24由蚀刻岛134蚀刻的部分的深度或长度。同样，蚀刻阻滞层474限制并控制过滤通道26由蚀刻岛34蚀刻的部分的深度或长度以及过滤通道26由蚀刻岛136蚀刻的部分的深度或长度。蚀刻阻滞层474、476允许过滤通道24和26的过滤特性被调节。例如，在一个实施方式中，蚀刻岛34、36具有与蚀刻岛134、136相比不同的蚀刻属性。由蚀刻岛34、36蚀刻的那些部分的过滤特性具有与由蚀刻岛134、136蚀刻的那些部分不同的过滤特性。通过改变由蚀刻岛34形成的部分所组成的过滤通道24与由蚀刻岛134形成的部分所组成的过滤通道24的百分比，过滤通道24的整体过滤属性可以被调节或控制。类似的过滤属性调节可以通过以类似的方式在蚀刻岛36、136之间选择性定位我们形成的蚀刻阻滞层476来进行。
在示出的示例中，蚀刻阻滞层474、476分别包括诸如掩埋氧化物的蚀刻阻挡材料层。在一个实施方式中，蚀刻阻滞层474、476包括通过掺杂衬底22而形成的层。在一个实施方式中，层474、476被图案化以包括穿过层474、476的孔478，以允许流体流过蚀刻阻滞层474、476。在又一个实施方式中，层474、476很薄或者被另外配置为使蚀刻岛34、134形成横跨并穿过层474、476的互连流动通道或互连孔隙。在又一个实施方式中，蚀刻阻滞层474、476可以由其他材料形成，并且可以以其他方式形成或定位。
如由步骤406所示，蚀刻岛34、36、134、136同步并同时被暴露至蚀刻溶液48(图4中示出)以形成过滤通道24、26。虽然被示出为在衬底22中形成两个类似大小的过滤通道24、26，但是方法400可以附加地被用于形成具有不同大小和位置的过滤通道。例如，在另一个实施方式中，方法400被用于形成过滤器220(图11中示出)和过滤器320(图15中示出)。
如上指出，蚀刻岛34、36、134、136具有用作与条形码或序列号类似的标签的特定组分，以允许随后确定关于特定过滤器的各种信息，诸如过滤器20的供给者或源的标识、不同过滤通道24、26的过滤属性的标识和/或特定过滤器20的批号或制造日期的标识。图18是示出利用蚀刻岛34、36、134、136的标签属性的示例方法500的流程图。如步骤502所示，一个或多个传感器被用于攻击过滤器的衬底内的金属岛34、36、134和/或136的组分。在一个实施方式中，不同的制造地址可以针对这些蚀刻岛采用不同的特定组分。在一个实施方式中，不同批次的过滤器可以被提供有不同的蚀刻岛组分。在一个实施方式中，制造可以利用在形成过滤器之后保留在衬底内的蚀刻岛的材料的特定的非功能性组分或比例。
如步骤504所示，使用检测到的、蚀刻到衬底内的金属蚀刻岛的组分，特定过滤器的标识被作出。在一个实施方式中，处理器，遵循包含在非瞬态计算机可读介质中的指令，将检测到的、在衬底中蚀刻的金属蚀刻岛的组分与查找表或其他数据库相比较，以识别过滤器，并输出或显示过滤器的标识。对于这个公开的目的，识别过滤器意思是确定过滤器的真实性(相对于伪造)、特定过滤器的批号或制造时间、特定过滤器的过滤属性和特定过滤器的制造地址等中的一个或多个。
虽然已结合示例实施例描述了本公开，但是本领域技术人员将意识到，可以在不脱离权利要求主题的精神和范围的情况下进行形式和细节上的改变。例如，虽然不同的示例实施例已被描述为包括用于提供一个或多个益处的一个或多个特征，但是可以预期，在所描述的示例实施例或在其它可替代实施例中，所描述的特征可以彼此互换或可替代地彼此结合。由于本公开的技术相对复杂，所以并不是该技术的所有改变都是可预见的。结合示例实施例描述且在所附权利要求中记载的本公开显然旨在尽可能地宽泛。例如，除非特别作出其他指示，否则记载单个特定元素的权利要求也包含多个这种特定元素。

Claims (15)

1.一种方法，包括：
在衬底上形成蚀刻岛；以及
将具有蚀刻岛的所述衬底暴露至与所述蚀刻岛反应的溶液，以在所述衬底中形成互连孔隙的过滤通道，所述过滤通道具有进入所述衬底的入口和离开所述衬底的出口。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述入口在所述衬底的第一面上，并且所述出口在所述衬底的第二面上。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一面和所述第二面平行。
4.根据权利要求2所述的方法，其中形成蚀刻岛包括：在所述第一面上形成第一蚀刻岛和在所述第二面上形成第二蚀刻岛。
5.根据权利要求4所述的方法，其中在所述第一面上的所述第一蚀刻岛和在所述第二面上的所述第二蚀刻岛响应于暴露至所述溶液而同时反应，以分别从所述第一面和所述第二面同时蚀刻到所述衬底内。
6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述衬底中形成沟槽以使所述第一过滤通道和所述第二过滤通道互连。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述入口在所述衬底的第一面上，并且所述出口在所述衬底的第二面上。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻岛沿着所述第一过滤通道和所述第二过滤通道中的至少一个保留在所述衬底内。
9.根据权利要求1所述的方法，网状岛包括在所述溶液中具有第一蚀刻特性的第一金属的第一岛和在所述溶液中具有与所述第一蚀刻特性不同的第二蚀刻特性的第二金属的第二岛。
10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述衬底内形成蚀刻控制器，所述蚀刻控制器在与所述衬底内的所述蚀刻岛交互时调节所述蚀刻岛的蚀刻速率。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述蚀刻控制器包括蚀刻阻滞剂。
12.一种方法，包括：
检测被蚀刻到衬底内的金属岛的组分；以及
基于检测到的组分识别所述衬底的来源。
13.一种装置，包括：
衬底；
延伸到所述衬底内的互连孔隙的第一过滤通道；
延伸到所述衬底内的互连孔隙的第二过滤通道，所述第二过滤通道与所述第一过滤通道连通；
沿着所述衬底内的所述第一过滤通道和所述第二过滤通道中的至少一个的金属岛。
14.根据权利要求13所述的装置，其中所述第一过滤通道和所述第二过滤通道分别从所述衬底的第一面和第二面延伸到所述衬底内。
15.根据权利要求14所述的装置，进一步包括：从所述第二面延伸到所述衬底内并连接至所述第一过滤通道的互连孔隙的第三过滤通道。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004165781A (ja) * 2002-11-11 2004-06-10 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 誘電体フィルタの製造方法
US20080090074A1 (en) * 2004-11-09 2008-04-17 Osaka University Method Of Forming Pores In Crystal Substrate, And Crystal Substrate Containing Pores Formed By the same
JP2010248449A (ja) * 2009-04-20 2010-11-04 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd ガスハイドレート製造方法及び装置
US20110316145A1 (en) * 2010-06-29 2011-12-29 National Central University Nano/micro-structure and fabrication method thereof
WO2013093504A2 (en) * 2011-12-23 2013-06-27 Nexeon Limited Etched silicon structures, method of forming etched silicon structures and uses thereof

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3615953A (en) * 1968-12-17 1971-10-26 Bryan H Hill Etch-retarding oxide films as a mask for etching
JPS5089741A (zh) * 1973-12-18 1975-07-18
JPH06120203A (ja) * 1992-10-06 1994-04-28 Hitachi Ltd 液体の温度調節方法及び液体の温度調節装置
US6762134B2 (en) 2000-11-27 2004-07-13 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Metal-assisted chemical etch to produce porous group III-V materials
DE10392752T5 (de) 2002-06-06 2005-06-02 Kansai Technology Licensing Organization Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung eines multikristallinen Siliziumsubstrats für Solarzellen
US6902962B2 (en) 2003-04-04 2005-06-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Silicon-on-insulator chip with multiple crystal orientations
US7625603B2 (en) 2003-11-14 2009-12-01 Robert Bosch Gmbh Crack and residue free conformal deposited silicon oxide with predictable and uniform etching characteristics
US7172076B2 (en) * 2003-12-19 2007-02-06 Xerox Corporation Internal die filters with multiple passageways which are fluidically in parallel
JP2008540070A (ja) * 2005-04-29 2008-11-20 ユニバーシティー オブ ロチェスター 超薄多孔質ナノスケール膜、その製造方法および使用
JP2007076188A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Fuji Xerox Co Ltd 液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出ヘッド
US7510967B2 (en) 2006-05-29 2009-03-31 Nec Electronics Corporation Method for manufacturing semiconductor device
KR100849366B1 (ko) 2006-08-24 2008-07-31 세메스 주식회사 기판을 처리하는 장치 및 방법
EP2404317A4 (en) 2009-03-06 2014-06-11 Solexel Inc METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM SUBSTRATE
US8278191B2 (en) * 2009-03-31 2012-10-02 Georgia Tech Research Corporation Methods and systems for metal-assisted chemical etching of substrates
US8263006B2 (en) 2009-05-31 2012-09-11 Corning Incorporated Reactor with upper and lower manifold structures
JP5564209B2 (ja) * 2009-07-13 2014-07-30 ニッタ株式会社 エッチング加工用保護テープおよびエッチング加工方法
US20120168713A1 (en) 2009-09-03 2012-07-05 Korea Research Institute Of Standards And Science Method for manufacturing a silicon nanowire array using a porous metal film
JP5596330B2 (ja) 2009-11-16 2014-09-24 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
GB201117279D0 (en) * 2011-10-06 2011-11-16 Nexeon Ltd Etched silicon structures, method of forming etched silicon structures and uses thereof
JP5917082B2 (ja) 2011-10-20 2016-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置の作製方法
GB201205178D0 (en) * 2012-03-23 2012-05-09 Nexeon Ltd Etched silicon structures, method of forming etched silicon structures and uses thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004165781A (ja) * 2002-11-11 2004-06-10 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 誘電体フィルタの製造方法
US20080090074A1 (en) * 2004-11-09 2008-04-17 Osaka University Method Of Forming Pores In Crystal Substrate, And Crystal Substrate Containing Pores Formed By the same
JP2010248449A (ja) * 2009-04-20 2010-11-04 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd ガスハイドレート製造方法及び装置
US20110316145A1 (en) * 2010-06-29 2011-12-29 National Central University Nano/micro-structure and fabrication method thereof
WO2013093504A2 (en) * 2011-12-23 2013-06-27 Nexeon Limited Etched silicon structures, method of forming etched silicon structures and uses thereof

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
W埃尔费尔德: "《微反应器-现代化学中的新技术》", 31 October 2004, 化学工业出版社 *
杨春晟等: "《原子光谱分析》", 28 February 2010, 化学工业出版社 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP3062907A4 (en) 2017-08-16
JP2016537188A (ja) 2016-12-01
WO2015065394A1 (en) 2015-05-07
JP6348586B2 (ja) 2018-06-27
US10086317B2 (en) 2018-10-02
US20160346714A1 (en) 2016-12-01
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