CN105682780B - 不平行岛蚀刻 - Google Patents

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Abstract

蚀刻岛被形成在衬底的第一面和衬底的与第一面不平行的第二面上。衬底的第一面和第二面同时暴露至与蚀刻岛反应的溶液，以同时形成延伸到第一面和第二面内的多孔区域。

Description

不平行岛蚀刻
背景技术
目前，各种材料去除技术被用于形成微机电(MEM)和其他器件中的沟道、空腔和其他结构。现有的材料去除技术可能缓慢、昂贵且难于控制。
附图说明
图1是示例过滤器的截面图。
图2是用于形成图1的过滤器的示例方法的流程图。
图3是示出根据图2的方法形成图1的过滤器的透视图。
图4是示例导流器的截面图。
图5是用于形成图6的过滤器的形成在衬底的不平行表面上的蚀刻岛的透视图。
图6是另一个示例过滤器的透视图。
图7是用于形成图9的过滤器的示例方法的流程图。
图8是示出在衬底内形成蚀刻控制器和在衬底的不平行面上形成蚀刻岛的衬底的截面图。
图9是根据图7的方法形成的示例过滤器的截面图。
图10是示例导流器的截面图。
图11是用于整体封装蚀刻岛的示例方法的流程图。
图12是具有根据图11的方法封装的蚀刻岛的示例整体的截面图。
图13是图12的整体的俯视平面图。
图14是根据图11的方法形成的另一个示例整体的截面图。
具体实施方式
图1是示出示例过滤器20的截面图。如此后描述，过滤器20非常适合于用作小尺寸过滤器机构。过滤器20包括衬底22、过滤通道24、26和金属蚀刻岛34、36。
衬底22包括具有与金属岛34、36反应的属性的材料层或材料块，以使在具有沉积于其上的金属蚀刻岛34、36的衬底被暴露至溶液时金属蚀刻岛34、36蚀刻到衬底22内。在一个实施方式中，衬底22具有与针对金属辅助化学蚀刻被配置的金属岛34、36反应的属性。在一个实施方式中，衬底22包括硅、多晶硅、硅锗、氮化物和氧化物、聚合物、陶瓷、金属、(元素周期表中的)III-V族材料或其组合。
虽然被示出为块，但是衬底22可以包括层或任意其他结构。衬底22可以包括用于微机电(MEM)器件、打印头或其他器件的结构。虽然衬底22被示出为单个块或层，但是衬底22可以包括彼此定位或结合的一个或多个层或块。例如，衬底22可以包括彼此接合的多个衬底，其中多个衬底可以具有相同或不同的晶向。
过滤通道24、26包括分别从衬底22的不平行面或表面42、44延伸至衬底22内的多孔通道。过滤通道24、26过滤诸如液体和气体的流体并且可以提供两相流过滤。在示出的示例中，过滤通道24、26从彼此垂直的表面42、44延伸至衬底22内。在其他实施方式中，表面42、44可以相对彼此而倾斜。
在示出的示例中，过滤通道24、26彼此相交以形成在表面42上具有入口28和在表面44上具有出口30的连续弯曲或转向的过滤路径49。结果，过滤器20不仅过滤流体流而且使流体流的方向改变。在一些实施方式中，因为通道49在衬底22内弯曲或转向，所以过滤路径49的部分具有在衬底22的第一方向或第一维度上延伸的中心线，而通道29的其他部分具有在衬底22的第二方向或第二维度上延伸的中心线。结果，与过滤面简单地从衬底22的一侧延伸至另一个相对侧相比，过滤路径49可以具有更长的总长度。因为过滤路径49具有更长的总长度，所以过滤路径49可以以更紧凑的空间节约方式提供更好的过滤。
在示出的示例中，过滤通道24、26中每一个的一端是密闭的，其在衬底22内的封闭端部分50处终止，其中衬底22的封闭端部分50在通道24、26中的每一个的线性端处形成盖帽。虽然被示出为延伸经过并横跨彼此，但是在其他实施方式中，过滤通道24、26可以分别在过滤通道24、26中的另一个内或内部终止。在这些实施方式中，因为过滤路径24、26在衬底22内终止，而不是完全延伸穿过衬底22，所以衬底22提供关于整体过滤路径49的更好的结构完整性和稳定性。在又一个实施方式中，过滤通道24、26中的一个或两个可以替代性地延伸完全穿过衬底22。在一些实施方式中，这些过滤通道24、26的开口端可以被密封、覆盖或堵塞，以引导进入入口28的全部流体流穿过出口30。
过滤通道24、26中的每一个包括互连孔隙38，这种孔隙38是由于金属岛34、36与金属岛34、36和衬底22被暴露至的溶液之间的反应而被蚀刻的。在一个实施方式中，过滤通道34、36和孔隙38具有10nm和1000nm之间且通常是100nm的大小、直径或最大尺寸。结果，过滤通道24、26非常适合于诸如在MEM器件中利用的小尺寸过滤机构。在其他实施方式中，过滤通道34、36和孔隙38可以具有其他过滤属性。
金属岛34、36包括在过滤通道24、26内或沿着过滤通道24、26的金属蚀刻岛或金属包。金属岛34、36由具有在暴露至金属辅助蚀刻溶液时与衬底22反应并蚀刻衬底22的属性的金属或其他材料组成。在一个实施方式中，金属岛34、36包括在氢氟酸和过氧化氢的溶液内反应以蚀刻衬底22的金属催化剂或其他金属。可以使用的金属的示例包括但不限于银、铂、钌、铂、钯、钼、铬、铜、钽、钛、金、铱、以及其混合物或合金。
在金属岛34、36被暴露至溶液之前，金属岛34、36在衬底22内的大小和间隔基于金属岛34、36的属性、在过滤器20的形成期间它们与溶液的反应速率以及金属岛34、36在衬底22的外表面上的大小和分布。在一个实施方式中，衬底22内没有与其他金属岛34、36合并的金属岛34、36具有大约10nm和200nm之间的大小/直径分布(在垂直于流体通道24、26中心线的方向上测量)。在一个实施方式中，金属岛34、36具有衬底体积的25％至75％的衬底上/内密度。在一个实施方式中，金属蚀刻岛34、36包括位于表面42上的蚀刻材料，诸如金粒子，在蚀刻之前蚀刻材料具有小于50μm的大小/直径且相邻岛之间具有从10nm至2000nm的间距。在一个实施方式中，金属蚀刻岛34、36以大群的形式形成在表面42上，其中岛34、36的这些群彼此间隔开20μm和50μm之间。这种大小和密度有助于形成具有增强的过滤属性的过滤通道24、26。在其他实施方式中，金属岛34、36可以具有其他大小和密度。
在一个实施方式中，利用不同的金属岛大小、不同的金属岛密度或金属岛24、26的不同材料形成过滤通道24、26，以使流体通道24、26的过滤属性和孔隙38的大小或互连在通道24、26之间存在不同。结果，过滤通道24、26提供不同的过滤功能。在又一个实施方式中，过滤通道24、26利用相同或大体上类似的金属岛大小、金属岛密度和/或材料而形成，以使流体通道24、26的过滤属性和孔隙38的大小或互连大体上相同。
在一个实施方式中，夹带入多孔过滤通道24、26内的金属岛34、36可以与过滤器20一起保留。这些金属岛34、36可以用作标签，用于识别过滤器20的供给者或源，识别不同过滤通道24、26的过滤属性和/或识别特定过滤器20的批号或制造日期。通过随后分析夹带的金属蚀刻岛34、36的组分，上面提及的标签可以被读取。
图2是用于形成过滤器20的示例方法100的流程图。图3是示出过滤器20的形成的透视图。如图2中的步骤102指示并在图3中示出的，形成蚀刻岛的金属蚀刻岛34、36被形成在衬底22的外表面42上。在示出的示例中，这些蚀刻岛34、36以图案的形式沉积，或沉积在衬底22的表面42和44的选择部分的位置上，以随后形成下面的过滤通道24、26(以虚线示出)。在一个实施方式中，表面42上的蚀刻岛34、36具有大约10nm和200nm之间的大小/直径分布(在平行于表面42的方向上测量)。在一个实施方式中，金属蚀刻岛34、36包括在表面42上的蚀刻材料，诸如金粒子，在蚀刻之前蚀刻材料具有小于50μm的大小/直径且相邻岛之间具有从10nm至2000nm的间距。在一个实施方式中，金属蚀刻岛34、36以大群的形式形成在表面42上，其中岛34、36的这些群彼此间隔开20μm和50μm之间。这些大小和密度有助于形成具有增强的过滤属性的过滤通道24、26。在其他实施方式中，金属岛34、36可以具有其他大小和密度。如上指出，在一个实施方式中，蚀刻岛34、36具有这样的属性：使得蚀刻岛34、36与金属辅助蚀刻溶液有不同反应以便以用于进行不同蚀刻的不同速率进行蚀刻，以使下面形成的过滤通道24、26具有不同的过滤属性。
在一个实施方式中，蚀刻岛34、36通过在100至200W范围的功率用量下溅射几秒至5分钟的时间范围而形成在表面42上。这种溅射期间的温度处于环境温度至250℃的范围内。溅射期间的压力处于1E-07Torr至1E2Torr的范围内。在又一个实施方式中，这种溅射的参数可以变化。在又一个其他实施方式中，蚀刻岛34、36可以利用诸如喷墨打印等其他沉积技术而沉积或以其他方式形成在表面42上。在一些实施方式中，使用掩模来实现表面42上蚀刻岛34、36的图案化。
如图2中的步骤104所指示和图3中进一步示出的，一旦金属岛34、36已经被形成或者以其他方式沉积在表面42、44上，蚀刻岛34、36就被暴露至蚀刻溶液48以形成互连孔隙38(图1中示出)的过滤通道24、26。在示出的示例中，在表面42、44上沉积有金属岛34、36的衬底22被放入蚀刻溶液48的浴器中，蚀刻溶液48通过对岛34、36进行蚀刻而开始孔隙38的金属辅助化学蚀刻。在示出的示例中，溶液48包括与蚀刻岛34、36反应的氢氟酸(HF)和过氧化氢(H2O2)。在其他实施方式中，溶液48可以包括促进金属辅助蚀刻的其他流体或液体，诸如盐酸(HCL)和过氧化氢(H2O2)。在其他实施方式中，蚀刻岛34、36可以以其他方式暴露至溶液48。一旦蚀刻岛34、36充分蚀刻到衬底22内，就将衬底22从溶液48移出。在一个实施方式中，衬底22被暴露至蚀刻停止或抑制淬火。例如，衬底22可以被暴露至去离子水的淬火。
在一个实施方式中，这种蚀刻以环境温度执行。在一些实施方式中，蚀刻可以在高于环境的温度下使用蚀刻溶液48发生，以增加或另外影响蚀刻速率或蚀刻属性。在一个实施方式中，衬底22的蚀刻在搅拌下执行。在另一个实施方式中，这种蚀刻可以仍在浴器中执行。溶液48的配方可以变化以提供特定蚀刻速率。例如，过氧化氢与氢氟酸与水的比率可以取决于特定蚀刻速率。这个比率可以在由岛34、36进行蚀刻期间被调节。
图4是示出导流器220的截面图。除了内部孔隙38被去除以形成分别代替过滤通道24、26的开放流动路径224、226之外，导流器220类似于过滤器20。正正如过滤通道24、26，流动通道224、226形成在衬底22的表面42中具有入口228和在衬底22的表面44具有出口230的连续的流动路径249。
除了导流器220的形成包括去除形成孔隙38的内部多孔材料的附加步骤之外，导流器220以类似于如上结合图2中示出的方法100所描述的过滤器20的形成方式而形成。在一个实施方式中，衬底22被暴露至蚀刻掉衬底22的蚀刻溶液。由于形成衬底22内的孔隙38的材料的多孔性质，因此与衬底22的固态非多孔区域相比，形成孔隙38的材料优选以更快的速率蚀刻或修剪。结果，流动通道224、226和流动路径249具有与蚀刻岛34、36所形成的初始多孔通道大体相同的形状。在其他实施方式中，形成孔隙38的材料以其他方式去除。
图5和6示出图2中示出的方法100的另一个示例实施方式。图5和6示出过滤器320的形成，过滤器320是过滤器20的另一个示例实施方式。如示出完成状态的过滤器320的图6所示，除了过滤器320包括过滤通道24、26(上面描述)且附加地包括过滤通道327和蚀刻岛337之外，过滤器320类似于过滤器20。过滤通道24、26从衬底22的表面42和44延伸。过滤通道327从衬底22的与表面42和44中的每一个不平行且名义上垂直于表面42和44中的每一个的表面45延伸。像过滤通道24、26一样，过滤通道327由具有互连孔隙38的多孔区域组成，流体可以流过互连孔隙38同时被过滤。通道327的这种孔隙通过蚀刻岛327的蚀刻(图5中示出)来形成。与分别形成流动通道24和26的蚀刻岛34、36一样，蚀刻岛337可能保持被夹带在多孔区域内，用作过滤器320的标签。
过滤通道24、26和327形成具有入口28和一对出口30、330的复合或整体过滤路径349。在另一个实施方式中，过滤器320可以包括一对入口30、330和单个出口28。过滤器320有助于使用衬底22的体积的更大百分比对流体进行过滤。过滤器320有助于在过滤通道24中的第一级中对液体或流体进行过滤，并将流体流分割到过滤通道26、327之一中，其中流体可以被不同地过滤，并且可以被导向过滤后流体的不同接收器或消耗器。在一个实施方式中，由于不同的孔隙密度和孔隙大小等，过滤通道24、26和327的过滤属性可以彼此不同。在又一个实施方式中，过滤通道24、26和327的过滤属性可以具有类似的孔隙大小和孔隙密度，但是由于它们在衬底22内的长度不同，所以可以具有不同的过滤特性。
图5示出在衬底22被暴露至蚀刻溶液48(如图3所示)以开始用于形成过滤通道24、26和327的对应多孔区域的蚀刻之前，对衬底22的表面42、44和45上的蚀刻岛34、36和337进行图案化。如图5所示，蚀刻岛337被沉积在不平行于并且名义上垂直于表面42和44中的每一个的表面45上。像蚀刻岛34、36一样，蚀刻岛337与蚀刻溶液48反应以蚀刻到衬底22内并穿过衬底22。在一个实施方式中，蚀刻岛337包括与形成蚀刻岛34、36的材料相同的材料。在其他实施方式中，蚀刻岛337由与蚀刻岛34、36相比不同的蚀刻材料或不同的金属形成。在一个实施方式中，蚀刻岛34、蚀刻岛36或蚀刻岛337中的一个或多个的组分、大小和/或密度可以彼此不同，以使过滤通道24、26和327具有不同长度、不同孔隙密度和/或不同孔隙大小以具有不同的过滤属性。
如虚线所示，在衬底22接下来被暴露至蚀刻溶液48(诸如通过浸到蚀刻溶液48的浴器中(图3中示出))时，形成流动通道24、26和327的多孔区域从不平行面中的每一个同时形成或蚀刻，这减少了生产时间。在示出的示例中，这些多孔区域的蚀刻被允许继续，直到过滤通道24、26和327的多孔区域在衬底22内相交，如图6所示。在这样的时间点，衬底22可以被浸入或另外暴露至诸如淬火去离子水的浴器之类的蚀刻终止液体中。
在示出的示例中，过滤通道24、26和327中每一个的一端是密闭的，在衬底22内的封闭端部分处终止，其中衬底22的封闭端部分在通道24、26中的每一个的线性端处形成盖帽。虽然被示出为延伸经过并横跨彼此，但是在其他实施方式中，过滤通道24、26和327可以都在过滤通道24、26中的其他通道内或内部终止。在这些实施方式中，因为过滤路径24、26、327在衬底22内终止，而不是完全延伸穿过衬底22，所以衬底22提供关于整体过滤通道349的更好的结构完整性和稳定性。在又一个实施方式中，过滤通道24、26、327中的一个或多个可以替代性地延伸完全穿过衬底22。在一些实施方式中，这些过滤通道24、26、327的开口端可以被密封、覆盖或堵塞，以引导进入入口28的全部流体流穿过出口30、330。
在特定的实施方式中，形成过滤通道24、26和327的多孔区域随后可以通过蚀刻或其他材料去除工艺去除，以形成类似于图4中示出的开放流动通道的开放流动通道。在一些实施方式中，代替形成穿过衬底22的开放流动通道，从衬底22的多个不平行表面或面形成多孔区域和随后通过优选蚀刻而去除这些多孔区域可以被用于形成具有三维形状的三维结构，三维形状例如是沿着每个正交面变化的三维形状。例如，由蚀刻岛34、36和337形成的多孔区域可以沿着衬底22的外表面延伸，以形成沿着衬底22的外表面的外沟道和形状。外多孔区域的去除重构了衬底22的外部轮廓以形成三维结构。
图7是示出用于形成图9中的完成状态所示的过滤器420的示例方法400的流程图。如步骤402所示，蚀刻阻滞层或控制器474、476被最初形成在衬底22内。图8是示出衬底20内的蚀刻控制器474、476的形成的截面图。蚀刻控制器474、476包括阻碍、抵抗或阻止通过蚀刻岛34、36进行的蚀刻的材料层。蚀刻控制器474相对于并面对蚀刻岛34而形成在衬底22内，或者形成在表面42的蚀刻岛34所位于的部分上。蚀刻控制器476相对于并面对蚀刻岛36而形成在衬底22内，或者形成在表面44的蚀刻岛36所位于的部分上。结果，蚀刻控制器474限制并控制过滤通道24的由蚀刻岛34蚀刻的部分的深度或长度。同样，蚀刻控制器474限制并控制过滤通道26的由蚀刻岛36蚀刻的部分的深度或长度。通过这种方式，蚀刻控制器474、476分别控制过滤通道424、426交叉的位置以形成过滤路径449。
在示出的示例中，蚀刻控制器474、476各自包括诸如掩埋氧化物的蚀刻阻滞材料层。在一个实施方式中，蚀刻控制器474、476包括通过对衬底22进行掺杂(由图8中的箭头481示意性表示)而形成或图案化的层。在其他实施方式中，蚀刻控制器474、476可以由其他材料形成，并且可以以其他方式形成或定位。在其他实施方式中，较少的和附加的蚀刻控制器可以形成在衬底22内以控制衬底22的蚀刻。
如图7的步骤404所示，蚀刻岛34、36被形成在衬底22的不平行面42、44上，如图8所示。如图7中步骤406所示，表面42、44和蚀刻岛34、36被同时暴露至蚀刻溶液48(图3中示出)，以同时蚀刻过滤通道424、426的多孔区域(如图9中示出)。步骤404、407分别类似于上面结合步骤102、104的描述来实施。
图10是导流器520的截面图。除了内部孔隙38被去除以形成分别代替过滤通道424、426的开放流动路径524、526之外，导流器520类似于过滤器420。正如过滤通道424、426，流动通道524、526形成在衬底22的表面42中具有入口528和在衬底22的表面44中具有出口530的连续的流动路径549。
除了导流器520的形成包括去除形成孔隙38和过滤通道424、426的内部多孔材料的附加步骤之外，导流器520以类似于如上结合图7中示出的方法400所描述的过滤器420的形成方式而形成。在一个实施方式中，衬底22被暴露至蚀刻掉硅22的蚀刻溶液。由于形成衬底22内的孔隙38的材料的多孔性质，所以与衬底22的固态非多孔区域相比，形成孔隙38的材料优选以更快的速率蚀刻。结果，流动通道524、226和流动路径549具有与蚀刻岛34、36所形成的初始多孔通道大体相同的形状。在其他实施方式中，形成孔隙38的材料以其他方式去除。
图11是方法600的流程图，其是图2中示出的方法100的示例实施方式。方法600有助于掩埋或封装的金属化或导电的区域在衬底内的形成。图12和13是示出具有掩埋金属化或导电的层621的示例整体620的截面图。如图11中的步骤602所示，首先蚀刻岛34(上面描述)被形成或沉积在衬底22的表面42上。
如步骤604所示，表面42上的蚀刻岛34被暴露至蚀刻溶液48(图3中示出)，诸如通过将衬底22浸入蚀刻溶液48的浴器中。蚀刻岛34与蚀刻溶液48相互作用以蚀刻进表面42和衬底22内，以形成具有孔隙38的多孔区域624。在一个实施方式中，蚀刻岛34蚀刻进或陷入衬底22的深度通过控制衬底22暴露至蚀刻溶液48的持续时间来控制，其中蚀刻通过将衬底22暴露至诸如去离子水淬火之类的蚀刻停止而终止。在其他实施方式中，蚀刻岛34蚀刻进或陷入衬底22的深度使用如上结合蚀刻控制器474、476描述的掩埋蚀刻阻滞层或蚀刻控制器来控制。
如步骤606所示，封装材料629(由双向影线示意性表示)穿过多孔区域624的互连孔隙38以封装蚀刻岛34。在一个实施方式中，封装材料629包括介电材料，诸如聚合物。在另一个实施方式中，封装材料629可以包括导电材料以电联接至蚀刻岛34。在一个实施方式中，封装材料具有粘性以流过孔隙38，以覆盖并封装蚀刻岛34。在一个实施方式中，封装材料填充多孔区域624的孔隙38。在一个实施方式中由金属形成的封装的蚀刻岛34保持被封装或掩埋在衬底22内，以提供用于标识衬底22和整体620的签名，或用作内部导电结构。由封装的蚀刻岛34提供的内部导电构造器随后可以通过蚀刻或施加至衬底22的其他材料去除技术来暴露。
图14是示出整体720的截面图，是金属蚀刻岛34被封装在衬底22内的整体620的另一个示例实施方式。除了在两个封装材料层穿过多孔区域624以封装蚀刻岛34之外，整体720类似于整体620并根据方法600以与整体620类似的方式形成。在蚀刻岛34已蚀刻进衬底22内并形成多孔区域624之后，第一封装材料739(由双向影线739示意性表示)穿过多孔区域624以覆盖并封装蚀刻岛34，同时多孔区域64的填料438邻近于封装岛34而延伸。此后，第二封装材料741(由双向影线741示意性表示)穿过多孔区域624以填充封装材料739上的孔隙38。在一个实施方式中，封装材料739包括导电材料，诸如导电金属，其中封装材料741包括介电材料，以选择性使由封装岛34形成的掩埋导电区域与封装材料739绝缘。
虽然已结合示例实施例描述了本公开，但是本领域技术人员将意识到，可以在不脱离权利要求主题的精神和范围的情况下进行形式和细节上的改变。例如，虽然不同的示例实施例已被描述为包括用于提供一个或多个益处的一个或多个特征，但是可以预期，在所描述的示例实施例或在其它可替代实施例中，所描述的特征可以彼此互换或可替代地彼此结合。由于本公开的技术相对复杂，所以并不是该技术的所有改变都是可预见的。结合示例实施例描述且在所附权利要求中记载的本公开显然旨在尽可能地宽泛。例如，除非特别作出其他指示，否则记载单个特定元素的权利要求也包含多个这种特定元素。

Claims (12)

1.一种方法，包括：
在衬底的第一面和所述衬底的与所述第一面不平行的第二面上形成蚀刻岛；以及
将所述衬底的所述第一面和所述第二面同时暴露至与所述蚀刻岛反应的溶液，以同时形成包括互连孔隙的延伸到所述第一面和所述第二面内的多孔区域；
将延伸到所述第一面内的多孔区域与延伸到所述第二面内的多孔区域互连，以形成穿过所述衬底的过滤通道。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
在与所述第一面不平行且与所述第二面不平行的第三面上形成蚀刻岛；以及
将所述衬底的所述第一面、所述第二面和所述第三面同时暴露至与所述蚀刻岛反应的所述溶液，以同时形成延伸到所述第一面、所述第二面和所述第三面内的多孔区域。
3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括去除所述多孔区域。
4.根据权利要求1所述的方法，其中形成在所述第一面上的蚀刻岛在被暴露至所述溶液时具有第一蚀刻速率，并且其中形成在所述第二面上的蚀刻岛在被暴露至所述溶液时具有与所述第一蚀刻速率不同的第二蚀刻速率。
5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述衬底内形成蚀刻控制器，所述蚀刻控制器用于在与所述衬底内的所述蚀刻岛相互作用时调节所述蚀刻岛的蚀刻速率。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述蚀刻控制器包括蚀刻阻滞剂。
7.根据权利要求5所述的方法，其中在所述衬底内形成蚀刻控制器包括：对所述衬底进行掺杂。
8.根据权利要求1所述的方法，包括将所述衬底沉入所述溶液内。
9.一种方法，包括：
在衬底的第一面和所述衬底的与所述第一面不平行的第二面上形成导电金属的蚀刻岛；
将所述衬底暴露至与所述蚀刻岛反应的溶液，以使所述蚀刻岛蚀刻进所述衬底内，以在所述衬底中形成掩埋金属化区域；以及
封装所述掩埋金属化区域。
10.一种装置，包括：
衬底；
从所述衬底的第一面延伸进所述衬底内的孔隙的第一区域；
从所述衬底的与所述第一面不平行的第二面延伸进所述衬底内的孔隙的第二区域；
位于所述孔隙的第一区域和第二区域内的金属岛，其中所述金属岛被封装在所述第一区域和所述第二区域内。
11.根据权利要求10所述的装置，进一步包括从所述衬底的与所述第一面不平行且与所述第二面不平行的第三面延伸进所述衬底内的孔隙的第三区域。
12.根据权利要求10所述的装置，其中所述孔隙的第一区域延伸进所述第一面内至第一深度，并且其中所述孔隙的第二区域延伸进所述第二面内至不同于所述第一深度的第二深度。
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