JP2013074209A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板11の上に、第1の半導体層14、第2の半導体層15及びp型の不純物元素が含まれている半導体キャップ層16を順次形成する工程と、前記半導体キャップ層を形成した後、開口部を有する誘電体層21を形成する工程と、前記開口部において露出している前記半導体キャップ層の上に、p型の不純物元素が含まれている第3の半導体層17を形成する工程と、前記第3の半導体層の上にゲート電極31を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。
【選択図】図2
Description
(半導体装置)
図2に基づき本実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置は、基板11上に、第1のバッファ層12、第2のバッファ層13、第1の半導体層である電子走行層14、第2の半導体層である電子供給層15、半導体キャップ層である下部MgドープGaN層16が順次形成されている。尚、半導体キャップ層である下部MgドープGaN層16は、p型の不純物材料がドープされた窒化物半導体層である。ゲート電極31の直下における下部MgドープGaN層16の上には、第3の半導体層であるp型の不純物材料がドープされた窒化物半導体層である上部MgドープGaN層17が形成されている。また、下部MgドープGaN層16上において、上部MgドープGaN層17が形成されている領域を除く領域には、誘電体層21が形成されている。ゲート電極31は、上部MgドープGaN層17の上に、絶縁膜22を介して形成されており、ソース電極32及びドレイン電極33は、下部MgドープGaN層16と接するように形成されている。
次に、第1の実施の形態における半導体装置の製造方法について、図3〜図4に基づき説明する。
(半導体装置)
次に、第2の実施の形態について説明する。図7に示されるように、本実施の形態における半導体装置は、基板11上に、第1のバッファ層12、第2のバッファ層13、第1の半導体層である電子走行層14、第2の半導体層である電子供給層15が順次形成されている。ゲート電極31の直下における電子供給層15の上には、第3の半導体層であるp型の不純物材料がドープされた窒化物半導体層であるMgドープGaN層117が形成されている。また、電子供給層15上において、MgドープGaN層117が形成されている領域を除く領域には、誘電体層21が形成されている。ゲート電極31は、MgドープGaN層117の上に、絶縁膜22を介して形成されており、ソース電極32及びドレイン電極33は、電子供給層15と接するように形成されている。
次に、第1の実施の形態における半導体装置の製造方法について、図8〜図9に基づき説明する。
次に、第3の実施の形態について説明する。本実施の形態は、半導体デバイス、電源装置及び高周波増幅器である。
(付記1)
基板の上に、第1の半導体層、第2の半導体層及びp型の不純物元素が含まれている半導体キャップ層を順次形成する工程と、
前記半導体キャップ層を形成した後、開口部を有する誘電体層を形成する工程と、
前記開口部において露出している前記半導体キャップ層の上に、p型の不純物元素が含まれている第3の半導体層を形成する工程と、
前記第3の半導体層の上にゲート電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記2)
前記誘電体層を形成する工程の後、窒素雰囲気中で熱処理を行う工程を有し、
前記窒素雰囲気中で熱処理を行なった後、前記第3の半導体層を形成する工程を行なうことを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
(付記3)
基板の上に、第1の半導体層及び第2の半導体層を順次形成する工程と、
前記第2の半導体層を形成した後、開口部を有する誘電体層を形成する工程と、
前記開口部において露出している前記第2の半導体層の上に、p型の不純物元素が含まれている第3の半導体層を形成する工程と、
前記第3の半導体層の上にゲート電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記4)
前記第3の半導体層を形成する工程は、前記第3の半導体層を成膜し、前記第3の半導体層を成膜した後、窒素雰囲気中で熱処理を行うものであることを特徴とする付記1から3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記5)
前記第3の半導体層の上に、絶縁膜を形成する工程を有し、
前記ゲート電極は、前記絶縁膜を介した前記第3の半導体層上に形成されるものであることを特徴とする付記1から4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記6)
前記p型の不純物元素は、Mgであることを特徴とする付記1から5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記7)
前記第3の半導体層は、MOVPEにより形成されるものであることを特徴とする付記1から6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記8)
前記第2の半導体層または前記半導体キャップ層に接してソース電極及びドレイン電極を形成する工程を有することを特徴とする付記1から7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記9)
基板の上に形成された第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上に形成された第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の上に形成された半導体キャップ層と、
前記半導体キャップ層の上において、ゲート電極が形成される領域の下に形成された第3の半導体層と、
前記第3の半導体層の上に形成された前記ゲート電極と、
前記第2の半導体層または前記半導体キャップ層に接して形成されたソース電極及びドレイン電極と、
を有し、
前記半導体キャップ層及び前記第3の半導体層には、半導体材料にp型不純物元素がドープされており、
前記第3の半導体層は、p型であることを特徴とする半導体装置。
(付記10)
前記半導体キャップ層において、前記ゲート電極の直下にはp型領域が形成されており、前記p型領域を除く領域は、前記p型領域よりも抵抗の高い高抵抗領域が形成されていることを特徴とする付記9に記載の半導体装置。
(付記11)
前記半導体キャップ層において、前記高抵抗領域における水素の濃度は、前記p型領域における水素の濃度よりも高いことを特徴とする付記10に記載の半導体装置。
(付記12)
前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、前記半導体キャップ層及び前記第3の半導体層は、窒化物半導体により形成されているものであることを特徴とする付記9から11のいずれかに記載の半導体装置。
(付記13)
前記半導体キャップ層の上において、前記第3の半導体層が形成されている領域を除く領域には、誘電体層が形成されていることを特徴とする付記9から12のいずれかに記載の半導体装置。
(付記14)
基板の上に形成された第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上に形成された第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の上において、ゲート電極が形成される領域の下に形成された第3の半導体層と、
前記第2の半導体層の上において、前記第3の半導体層が形成されている領域を除く領域に形成された誘電体層と、
前記第3の半導体層の上に形成された前記ゲート電極と、
前記第2の半導体層に接して形成されたソース電極及びドレイン電極と、
を有し、
前記第3の半導体層には、半導体材料にp型不純物元素がドープされており、p型であることを特徴とする半導体装置。
(付記15)
前記第1の半導体層、前記第2の半導体層及び前記第3の半導体層は、窒化物半導体により形成されているものであることを特徴とする付記14に記載の半導体装置。
(付記16)
前記誘電体層は、SiO2またはSiNを含む材料により形成されていることを特徴とする付記9から15のいずれかに記載の半導体装置。
(付記17)
前記p型不純物元素は、Mgであることを特徴とする付記9から16のいずれかに記載の半導体装置。
(付記18)
前記第3の半導体層と前記ゲート電極との間には、絶縁膜が形成されていることを特徴とする付記9から17のいずれかに記載の半導体装置。
(付記19)
付記9から18のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする電源装置。
(付記20)
付記9から18のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする増幅器。
12 第1のバッファ層
13 第2のバッファ層
14 電子走行層(第1の半導体層)
14a 2DEG
15 電子供給層(第2の半導体層)
16 下部MgドープGaN層(半導体キャップ層)
16a p−GaN領域(p型領域)
16b 高抵抗領域
17 上部MgドープGaN層(第3の半導体層)
21 誘電体層
21a 開口部
22 絶縁膜
31 ゲート電極
32 ソース電極
33 ドレイン電極
Claims (12)
- 基板の上に、第1の半導体層、第2の半導体層及びp型の不純物元素が含まれている半導体キャップ層を順次形成する工程と、
前記半導体キャップ層を形成した後、開口部を有する誘電体層を形成する工程と、
前記開口部において露出している前記半導体キャップ層の上に、p型の不純物元素が含まれている第3の半導体層を形成する工程と、
前記第3の半導体層の上にゲート電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記誘電体層を形成する工程の後、窒素雰囲気中で熱処理を行う工程を有し、
前記窒素雰囲気中で熱処理を行なった後、前記第3の半導体層を形成する工程を行なうことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 基板の上に、第1の半導体層及び第2の半導体層を順次形成する工程と、
前記第2の半導体層を形成した後、開口部を有する誘電体層を形成する工程と、
前記開口部において露出している前記第2の半導体層の上に、p型の不純物元素が含まれている第3の半導体層を形成する工程と、
前記第3の半導体層の上にゲート電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第3の半導体層を形成する工程は、前記第3の半導体層を成膜し、前記第3の半導体層を成膜した後、窒素雰囲気中で熱処理を行うものであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3の半導体層の上に、絶縁膜を形成する工程を有し、
前記ゲート電極は、前記絶縁膜を介した前記第3の半導体層上に形成されるものであることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第3の半導体層は、MOVPEにより形成されるものであることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 基板の上に形成された第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上に形成された第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の上に形成された半導体キャップ層と、
前記半導体キャップ層の上において、ゲート電極が形成される領域の下に形成された第3の半導体層と、
前記第3の半導体層の上に形成された前記ゲート電極と、
前記第2の半導体層または前記半導体キャップ層に接して形成されたソース電極及びドレイン電極と、
を有し、
前記半導体キャップ層及び前記第3の半導体層には、半導体材料にp型不純物元素がドープされており、
前記第3の半導体層は、p型であることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体キャップ層において、前記ゲート電極の直下にはp型領域が形成されており、前記p型領域を除く領域は、前記p型領域よりも抵抗の高い高抵抗領域が形成されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 前記半導体キャップ層の上において、前記第3の半導体層が形成されている領域を除く領域には、誘電体層が形成されていることを特徴とする請求項7または8に記載の半導体装置。
- 前記第3の半導体層と前記ゲート電極との間には、絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項7から9のいずれかに記載の半導体装置。
- 請求項7から10のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする電源装置。
- 請求項7から10のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする増幅器。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018101667A (ja) * | 2016-12-19 | 2018-06-28 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
US10038086B2 (en) | 2016-03-16 | 2018-07-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for forming a high electron mobility transistor |
CN108352324A (zh) * | 2015-12-28 | 2018-07-31 | 德州仪器公司 | 用于族iiia-n装置的非蚀刻性气体冷却外延堆叠 |
JP2018160668A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | ローム株式会社 | 窒化物半導体装置 |
JP2019134041A (ja) * | 2018-01-30 | 2019-08-08 | ローム株式会社 | 窒化物半導体装置 |
KR102065113B1 (ko) * | 2013-05-01 | 2020-01-10 | 삼성전자주식회사 | 고전자이동도 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
US11769825B2 (en) | 2016-08-24 | 2023-09-26 | Rohm Co., Ltd. | Nitride semiconductor device and nitride semiconductor package |
Families Citing this family (179)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
CN102637723A (zh) * | 2012-03-28 | 2012-08-15 | 华为技术有限公司 | GaN衬底、半导体器件及其制作方法 |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
TW201513341A (zh) | 2013-08-01 | 2015-04-01 | Efficient Power Conversion Corp | 用於增強模式氮化鎵電晶體之具有自對準凸出部的閘極 |
JP5707463B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-30 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置とその製造方法 |
KR102216538B1 (ko) * | 2013-10-23 | 2021-02-18 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터 및 그 동작 방법 |
US9590494B1 (en) | 2014-07-17 | 2017-03-07 | Transphorm Inc. | Bridgeless power factor correction circuits |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US20190288089A9 (en) * | 2015-12-28 | 2019-09-19 | Texas Instruments Incorporated | Methods for transistor epitaxial stack fabrication |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
CN106935653A (zh) * | 2017-04-21 | 2017-07-07 | 中航(重庆)微电子有限公司 | 一种氮化镓二次外延增强型电子器件及其制备方法 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10630285B1 (en) | 2017-11-21 | 2020-04-21 | Transphorm Technology, Inc. | Switching circuits having drain connected ferrite beads |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
CN111344522B (zh) | 2017-11-27 | 2022-04-12 | 阿斯莫Ip控股公司 | 包括洁净迷你环境的装置 |
CN107887435A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-04-06 | 中国科学院半导体研究所 | 增强型GaN HEMT的制备方法 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
EP3737779A1 (en) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10756207B2 (en) | 2018-10-12 | 2020-08-25 | Transphorm Technology, Inc. | Lateral III-nitride devices including a vertical gate module |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) * | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
US11810971B2 (en) | 2019-03-21 | 2023-11-07 | Transphorm Technology, Inc. | Integrated design for III-Nitride devices |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN110459472B (zh) * | 2019-08-05 | 2022-12-09 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 增强型GaN场效应晶体管及其制造方法 |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
CN110690284A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-01-14 | 南方科技大学 | 一种氮化镓基场效应晶体管及其制备方法 |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
CN111477547A (zh) * | 2020-04-26 | 2020-07-31 | 广东省半导体产业技术研究院 | 一种增强型功率器件及其制作方法 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
US20230015133A1 (en) * | 2020-06-03 | 2023-01-19 | Enkris Semiconductor, Inc. | Semi-conductor structure and manufacturing method thereof |
US11749656B2 (en) | 2020-06-16 | 2023-09-05 | Transphorm Technology, Inc. | Module configurations for integrated III-Nitride devices |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
US20220005944A1 (en) * | 2020-07-02 | 2022-01-06 | Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd. | Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
CN116325158A (zh) | 2020-08-05 | 2023-06-23 | 创世舫科技有限公司 | 包含耗尽层的iii族氮化物器件 |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
CN113838931A (zh) * | 2021-08-23 | 2021-12-24 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 高电子迁移率晶体管芯片及其制备方法 |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007220895A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体装置およびその製造方法 |
JP2008098434A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体トランジスタ及びその製造方法 |
JP2009094337A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体素子の製造方法 |
JP2011029506A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4186032B2 (ja) * | 2000-06-29 | 2008-11-26 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JP4663156B2 (ja) | 2001-05-31 | 2011-03-30 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置 |
JP2004260114A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 化合物半導体素子 |
US7709859B2 (en) | 2004-11-23 | 2010-05-04 | Cree, Inc. | Cap layers including aluminum nitride for nitride-based transistors |
US7456443B2 (en) * | 2004-11-23 | 2008-11-25 | Cree, Inc. | Transistors having buried n-type and p-type regions beneath the source region |
US7709269B2 (en) * | 2006-01-17 | 2010-05-04 | Cree, Inc. | Methods of fabricating transistors including dielectrically-supported gate electrodes |
TWI512831B (zh) * | 2007-06-01 | 2015-12-11 | Univ California | 氮化鎵p型/氮化鋁鎵/氮化鋁/氮化鎵增強型場效電晶體 |
JP5032965B2 (ja) * | 2007-12-10 | 2012-09-26 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体トランジスタ及びその製造方法 |
KR101694883B1 (ko) * | 2009-04-08 | 2017-01-10 | 이피션트 파워 컨버젼 코퍼레이션 | 역확산 억제 구조 |
US20100270591A1 (en) | 2009-04-27 | 2010-10-28 | University Of Seoul Industry Cooperation Foundation | High-electron mobility transistor |
US8895993B2 (en) * | 2011-01-31 | 2014-11-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Low gate-leakage structure and method for gallium nitride enhancement mode transistor |
-
2011
- 2011-09-28 JP JP2011213471A patent/JP5784440B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-08-08 US US13/569,536 patent/US8962409B2/en active Active
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- 2012-09-05 KR KR1020120098283A patent/KR101394206B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007220895A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体装置およびその製造方法 |
JP2008098434A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体トランジスタ及びその製造方法 |
JP2009094337A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体素子の製造方法 |
JP2011029506A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102065113B1 (ko) * | 2013-05-01 | 2020-01-10 | 삼성전자주식회사 | 고전자이동도 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
CN108352324A (zh) * | 2015-12-28 | 2018-07-31 | 德州仪器公司 | 用于族iiia-n装置的非蚀刻性气体冷却外延堆叠 |
JP2019500755A (ja) * | 2015-12-28 | 2019-01-10 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | Iiia−n族デバイスのための非エッチ気体冷却エピタキシャルスタック |
JP7068676B2 (ja) | 2015-12-28 | 2022-05-17 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド | Iiia-n族デバイスのための非エッチ気体冷却エピタキシャルスタック |
US10038086B2 (en) | 2016-03-16 | 2018-07-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for forming a high electron mobility transistor |
US11769825B2 (en) | 2016-08-24 | 2023-09-26 | Rohm Co., Ltd. | Nitride semiconductor device and nitride semiconductor package |
JP2018101667A (ja) * | 2016-12-19 | 2018-06-28 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2018160668A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | ローム株式会社 | 窒化物半導体装置 |
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