JP2013062014A5 - - Google Patents

Claims (3)

1. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、を有し、
   前記第１のトランジスタの導電型と、前記第２のトランジスタの導電型と、前記第３のトランジスタの導電型と、は同じであり、
   前記第１のトランジスタは、チャネルが形成される第１の半導体層と、第１のゲート電極と、第２のゲート電極と、を有し、
   前記第１のゲート電極は、第１のゲート絶縁層を介して前記第１の半導体層と重なる領域を有し、
   前記第２のゲート電極は、第２のゲート絶縁層を介して前記第１の半導体層と重なる領域を有し、
   前記第２のトランジスタは、チャネルが形成される第２の半導体層と、第３のゲート電極と、第４のゲート電極と、を有し、
   前記第３のゲート電極は、前記第１のゲート絶縁層を介して前記第２の半導体層と重なる領域を有し、
   前記第４のゲート電極は、前記第２のゲート絶縁層を介して前記第２の半導体層と重なる領域を有し、
   前記第３のトランジスタは、チャネルが形成される第３の半導体層と、第５のゲート電極と、第６のゲート電極と、を有し、
   前記第５のゲート電極は、前記第１のゲート絶縁層を介して前記第３の半導体層と重なる領域を有し、
   前記第６のゲート電極は、前記第２のゲート絶縁層を介して前記第３の半導体層と重なる領域を有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のゲート電極と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のゲート電極と電気的に接続され、
   前記第１のゲート電極は、第１の電源線と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の電源線と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のゲート電極と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の電源線と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のゲート電極と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方には、第１の信号が入力され、
   前記第５のゲート電極には、第２の信号が入力され、
   前記第１の電源線は、第１の電位を供給する機能を有し、
   前記第２の電源線は、前記第１の電位とは異なる第２の電位を供給する機能を有し、
   前記第１の信号は、前記第２の信号の論理値が反転した信号であることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の半導体層、前記第２の半導体層、及び、前記第３の半導体層は、酸化物半導体を用いて形成されることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項２において、
   前記第１の半導体層、前記第２の半導体層、及び、前記第３の半導体層は、脱水化又は脱水素化処理を行った後、酸素が供給される工程を経て形成されたものであることを特徴とする半導体装置。