JP2013040087A - 単結晶製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高周波発振器から高周波電圧が供給される誘導加熱コイルで原料結晶を部分的に加熱溶融して浮遊帯域を形成し、該浮遊帯域を移動させて単結晶を製造するFZ法(フローティングゾーン法又は浮遊帯溶融法)による単結晶製造方法であって、予め、前記製造する単結晶と同一直径及び同一方位を有する単結晶に関して、供給する高周波電圧の発振周波数を変化させた場合の発振周波数毎の抵抗率バラツキを調べ、該発振周波数と抵抗率バラツキの関係に応じて前記製造する単結晶の直径及び方位毎の操業発振周波数を決定し、該決定した操業発振周波数に合わせて前記高周波発振器の調整を行い、該調整した高周波発振器を使用して単結晶を製造することを特徴とする単結晶製造方法。
【選択図】図1
Description
予め、前記製造する単結晶と同一直径及び同一方位を有する単結晶に関して、供給する高周波電圧の発振周波数を変化させた場合の発振周波数毎の抵抗率バラツキを調べ、該発振周波数と抵抗率バラツキの関係に応じて前記製造する単結晶の直径及び方位毎の操業発振周波数を決定し、
該決定した操業発振周波数に合わせて前記高周波発振器の調整を行い、
該調整した高周波発振器を使用して単結晶を製造することを特徴とする単結晶製造方法を提供する。
本発明者らは、FZ単結晶の抵抗率バラツキ改善について鋭意検討を重ねた。その結果、本発明者らは、同一の発振周波数の下では、発振周波数以外の操業条件の最適化を図っても、全ての直径・方位で、抵抗率バラツキが小さい良好な品質の単結晶を製造する事は難しく、直径及び方位毎に、発振周波数を変更する必要がある事に想到した。
本発明において、抵抗率バラツキは、RRG(Radial Resistivity Gradient)やロット内バラツキから求めることができる。
尚、この予め発振周波数毎の抵抗率バラツキを調べる単結晶を、製造する(目的とする)単結晶と直径及び方位以外も同一条件で製造されたものとすることによって、より抵抗率バラツキの低い単結晶を製造することができる。ここで、直径及び方位以外の条件とは、偏芯量、交互回転、成長速度等のことをいう。
この際、抵抗率バラツキが最も低い最適発振周波数を選ぶことが好ましいが、抵抗率バラツキ以外の単結晶品質や単結晶化率等のファクターも考慮して抵抗率バラツキが従来より改善するような発振周波数を選ぶ場合も、本発明の範囲内である。
単結晶の製造は、従来のFZ単結晶製造装置を用いて行うことができる。以下に、図2に示すFZ単結晶製造装置20を用いて、単結晶を製造する方法について説明する。
次に、高周波発振器8から誘導加熱コイル9に上記で決定した操業発振周波数の高周波電圧が供給される事で、原料結晶棒1を溶融して、種結晶5に融着させる。
尚、高周波発振器の発振周波数の調整は、発振回路を構成するコンデンサの数の変更、容量の異なるコンデンサへの交換、及び、径やターン数の異なる変流器(CT)へ交換することで行うことができる。
予め、直径128mm、直胴長さ150cmの<100>及び<111>シリコン単結晶を成長させ、供給する高周波電圧の発振周波数を変化させた場合の発振周波数毎の抵抗率バラツキを調べた(偏芯量:10mm、結晶回転速度:20rpm交互回転)。
図4に、直径128mm、<100>シリコン単結晶における、発振周波数による抵抗率バラツキの変化を調べた結果を示す。図5に、直径128mm、<111>シリコン単結晶における、発振周波数による抵抗率バラツキの変化を調べた結果を示す。
尚、抵抗率バラツキは、以下のように計測した。
製造したインゴットから30枚のウェーハを切り出し、平面研削後、XY方向に2.5mmピッチで抵抗率を測定した。図中のRRGave.は、各ウェーハ毎に算出したRRG[RRG(%)=(ρ最大値―ρ最小値)/ρ最小値×100]の平均値であり、ロット内バラツキは、全抵抗率測定値の標準偏差である。
これらのシリコン単結晶の製造の際には、偏芯量を10mmとし、結晶回転速度は20rpm交互回転とした。
この条件でFZ単結晶の製造を実施した所、<100>シリコン単結晶のロット内バラツキは1.62%、RRGは8.3%となり、<111>シリコン単結晶のロット内バラツキは1.59%、RRGは9.7%と、いずれも良好な抵抗率バラツキであった。
直径130mmのシリコン原料棒を、FZ法によりゾーニングを行い、N型100Ωcm以下の直径128mm、直胴長さ150cmの<100>及び<111>シリコン単結晶を製造した。
このシリコン単結晶の製造の際には、偏芯量を10mmとし、結晶回転速度は20rpm交互回転とした。また、発振周波数は、結晶製造前に調整せず、2.3MHz一定とした。この条件でFZ単結晶を製造した結果、<100>シリコン単結晶のロット内バラツキは、1.65%、RRGは、8.0%となり、<111>シリコン単結晶のロット内バラツキは、2.62%、RRGは、12.2%と、<111>シリコン単結晶の抵抗率バラツキは大きかった。
Claims (2)
- 高周波発振器から高周波電圧が供給される誘導加熱コイルで原料結晶を部分的に加熱溶融して浮遊帯域を形成し、該浮遊帯域を移動させて単結晶を製造するFZ法による単結晶製造方法であって、
予め、前記製造する単結晶と同一直径及び同一方位を有する単結晶に関して、供給する高周波電圧の発振周波数を変化させた場合の発振周波数毎の抵抗率バラツキを調べ、該発振周波数と抵抗率バラツキの関係に応じて前記製造する単結晶の直径及び方位毎の操業発振周波数を決定し、
該決定した操業発振周波数に合わせて前記高周波発振器の調整を行い、
該調整した高周波発振器を使用して単結晶を製造することを特徴とする単結晶製造方法。 - 前記予め発振周波数毎の抵抗率バラツキを調べる単結晶を、前記製造する単結晶と直径及び方位以外も同一条件で製造されたものとすることを特徴とする請求項1に記載の単結晶製造方法。
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