JP6491763B2 - シリコン単結晶インゴットの製造方法 - Google Patents
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Description
実施例に係るシリコン単結晶インゴット及びシリコン単結晶インゴットの製造方法は、単結晶の引き上げ速度及び温度条件を同時に変化させることによって、ショルダー部の形状を繰り返し性を持って再現することができるので、産業上の利用可能性がある。
Claims (5)
- チャンバと、
前記チャンバ内に配置され、シリコン溶融液を収容するるつぼと、
前記るつぼの外側に配置されて前記るつぼを加熱するヒーターと、
前記チャンバ内に配置される熱遮蔽部と、
前記シリコン溶融液から成長する単結晶を引き上げる引き上げ部とを含むシリコン単結晶成長装置を用いたシリコン単結晶インゴットの製造方法であって、
ネック部、ショルダー部及びボディー部をそれぞれ成長させる段階を含み、
前記ショルダー部を成長させる段階は、
前記ショルダー部の引き上げ速度を第1引き上げ速度から第2引き上げ速度に減少させ、工程温度下降管理値を第1管理値から第2管理値に減少させる第1ステップと、
前記ショルダー部の引き上げ速度を第2引き上げ速度に維持し、前記工程温度下降管理値を第2管理値に維持する第2ステップとを含み、
前記第1ステップは、
前記ショルダー部の引き上げ速度に対する前記工程温度下降管理値の比率が、前記ショルダー部の高さが大きくなるほど増加するステップである、
シリコン単結晶インゴットの製造方法。 - 前記比率は、前記ショルダー部の高さが大きくなるほど線形的に増加する、請求項1に記載のシリコン単結晶インゴットの製造方法。
- 前記第2ステップは、
前記ショルダー部の引き上げ速度に対する前記工程温度下降管理値の比率が一定の値に維持されるステップである、請求項1または2に記載のシリコン単結晶インゴットの製造方法。 - チャンバと、
前記チャンバ内に配置され、シリコン溶融液を収容するるつぼと、
前記るつぼの外側に配置されて前記るつぼを加熱するヒーターと、
前記チャンバ内に配置される熱遮蔽部と、
前記シリコン溶融液から成長する単結晶を引き上げる引き上げ部とを含むシリコン単結晶成長装置を用いたシリコン単結晶インゴットの製造方法であって、
ネック部、ショルダー部及びボディー部をそれぞれ成長させる段階を含み、
前記ショルダー部を成長させる段階は、
前記ショルダー部の引き上げ速度を第1引き上げ速度から第2引き上げ速度に減少させ、工程温度下降管理値を第1管理値から第2管理値に減少させる第1ステップと、
前記ショルダー部の引き上げ速度を第2引き上げ速度に維持し、前記工程温度下降管理値を第2管理値に維持する第2ステップとを含み、
前記第2ステップは、
前記ショルダー部の引き上げ速度に対する前記工程温度下降管理値の比率が一定の値に維持されるステップである、シリコン単結晶インゴットの製造方法。 - 前記ショルダー部を成長させる段階は、
前記熱遮蔽部と前記シリコン溶融液との間のメルトギャップを、30mmより大きく、38mmより小さく制御するステップを含む、請求項1乃至4のいずれか一項に記載のシリコン単結晶インゴットの製造方法。
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