JP5505362B2 - 複巻誘導加熱コイル及びこれを有する単結晶製造装置並びにこれを用いた単結晶製造方法 - Google Patents
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Description
そして、上軸と下軸を回転させながら原料結晶棒と単結晶棒を誘導加熱コイルに対して相対的に下降させることで浮遊帯域を原料結晶棒と単結晶棒の間に形成し、前記浮遊帯域を保持したまま原料結晶棒の上端まで移動させてゾーニングし、単結晶棒を成長させ、単結晶を製造する。
またこのとき、前記外側に位置するコイルは、金属からなる母材の表面に、前記内側に位置するコイルの材質よりも電気抵抗率の小さい材質からなる被覆膜が形成されたものとすることができる。
また本発明は、FZ法による単結晶製造方法であって、本発明の単結晶製造装置を用いて単結晶を製造することを特徴とする単結晶製造方法を提供する。
またこれによって、転位の無い高品質な単結晶を高生産性で製造することができる。
この単結晶製造装置30は、原料結晶棒1及び、下端に絞り部9に続いて形成される単結晶棒2を収容するチャンバー11と、原料結晶棒1と単結晶棒2の間の浮遊帯域10を形成するための加熱源となる複巻誘導加熱コイル7と、複巻誘導加熱コイル7に電力を供給する高周波発振機12と、原料結晶棒1を保持するための上部保持具4と、原料結晶棒1を回転・移動させるための上軸3と、種結晶8を保持するための下部保持具6と、種結晶8を回転・移動させるための下軸5と、浮遊帯域10に向かってドーパントガスを導入するためのドープノズル20を有するものである。
このような複巻誘導加熱コイル7に高周波発振機12より高周波電流を流すことにより、複巻誘導加熱コイル7からの、成長中の単結晶の中心部と外周部への加熱量を均一に近づけることができるため、浮遊帯域10における固液界面深さを小さくすることができ、単結晶中の熱せん断応力の増加を抑制し、これによる有転位化の発生も抑止することができる。
まず、直径200mmの発熱分布測定具を使用し、図1に示したような、複合材料から構成されている本発明の2回巻の誘導加熱コイル(内側コイル:材質は銅、外径160mm、電気抵抗率1.67×10−6Ωcm(室温)、外側コイル:材質は銀、外径280mm、電気抵抗率1.59×10−6Ωcm(室温))の発熱温度分布測定を実施した。ここで、発熱分布測定具は、ワークコイル下面より20mm下に、かつ誘導加熱コイルの内径中心と発熱分布測定具の中心が一致するように設置した。そして、発熱分布測定具の中心が700℃になるように誘導加熱コイルに高周波電流を印加した。そして温度測定点は電極側0°から345°において15°刻み、かつ発熱分布測定具の中心から外周まで10mm刻みで測定を行った。このときの結果を図3及び下記表1に示す。
このシリコン単結晶の製造の際には、図2に示したような一般的な単結晶製造装置を用いた。また、誘導加熱コイルとしては、該発熱温度分布測定で用いたものと同じものを用いることとし、炉内圧を0.19MPa、Ar流量を50L/min、成長速度を2.0mm/min、偏芯量を12mmとした。
そして、このような条件の下でFZ法によるシリコン単結晶の引上げ行った。このとき、製造されたシリコン単結晶における有転位化率は40%であった。また製造されたシリコン単結晶の固液界面深さを調査したところ、27.0mmであった。このときの結果を下記表1に示す。
誘導加熱コイルの外側コイルの材質を、厚さ100μmの銀メッキが施された銅(外径280mm、銅の電気抵抗率1.67×10−6Ωcm(室温)、銀メッキの電気抵抗率1.59×10−6Ωcm(室温))とし、実施例1と同様に、FZ法によるシリコン単結晶の引上げ行ったところ、製造されたシリコン単結晶における有転位化率は42%であった。また製造されたシリコン結晶の固液界面深さを調査したところ、27.2mmであった。このときの結果を下記表1に示す。
誘導加熱コイルの外側コイルの材質を、内側コイルと同様に銅(外径280mm、電気抵抗率1.67×10−6Ωcm(室温))としたこと以外は実施例1と同様に、2回巻の誘導加熱コイルの発熱温度分布測定を実施した。このときの結果を図4及び下記表1に示す。
また、誘導加熱コイルとしては、該発熱温度分布測定で用いたものと同じものを用いて、実施例1と同様にFZ法によるシリコン単結晶の引上げ行ったところ、製造されたシリコン単結晶における有転位化率が60%であった。また製造されたシリコン結晶の固液界面深さを調査したところ、28.3mmであった。このときの結果を下記表1に示す。
実施例2についても、固液界面深さが比較例の28,3mmから実施例2の27.2mmと1.1mm小さくなり、有転位化率も60%から42%へと改善されたことがわかった。
6…下部保持治具、 7…複巻誘導加熱コイル、 8…種結晶、 9…絞り部、
10…浮遊帯域、 11…チャンバー、 12…高周波発振機、 13…内側コイル、
14…外側コイル、 20…ドープノズル、 30…単結晶製造装置。
Claims (6)
- FZ法において、原料結晶棒を加熱して浮遊帯域を形成するために用いられる複巻誘導加熱コイルであって、外側に位置するコイルの方が、内側に位置するコイルよりも電気抵抗率が小さいものを有することを特徴とする複巻誘導加熱コイル。
- 前記外側に位置するコイルは、前記内側に位置するコイルの材質よりも電気抵抗率が小さい材質からなるものであることを特徴とする請求項1に記載の複巻誘導加熱コイル。
- 前記外側に位置するコイルは、金属からなる母材の表面に、前記内側に位置するコイルの材質よりも電気抵抗率の小さい材質からなる被覆膜が形成されたものであることを特徴とする請求項1に記載の複巻誘導加熱コイル。
- 前記被覆膜は、厚さが1μm以上であることを特徴とする請求項3に記載の複巻誘導加熱コイル。
- FZ法による単結晶製造装置であって、請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の複巻誘導加熱コイルを具備するものであることを特徴とする単結晶製造装置。
- FZ法による単結晶製造方法であって、請求項5に記載の単結晶製造装置を用いて単結晶を製造することを特徴とする単結晶製造方法。
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