DE2331004C3 - Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen - Google Patents

Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen

Info

Publication number
DE2331004C3
DE2331004C3 DE2331004A DE2331004A DE2331004C3 DE 2331004 C3 DE2331004 C3 DE 2331004C3 DE 2331004 A DE2331004 A DE 2331004A DE 2331004 A DE2331004 A DE 2331004A DE 2331004 C3 DE2331004 C3 DE 2331004C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
induction heating
heating coil
coil according
insulation
tube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2331004A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2331004A1 (de
DE2331004B2 (de
Inventor
Wolfgang Dr.Rer.Nat. 8000 Muenchen Keller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE2331004A priority Critical patent/DE2331004C3/de
Priority to US460538A priority patent/US3898413A/en
Priority to IT23824/74A priority patent/IT1014933B/it
Priority to JP49067624A priority patent/JPS5037346A/ja
Priority to BE145560A priority patent/BE816495A/xx
Publication of DE2331004A1 publication Critical patent/DE2331004A1/de
Priority to JP1979161054U priority patent/JPS5755339Y2/ja
Publication of DE2331004B2 publication Critical patent/DE2331004B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2331004C3 publication Critical patent/DE2331004C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/02Induction heating
    • H05B6/36Coil arrangements
    • H05B6/362Coil arrangements with flat coil conductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16Heating of the molten zone
    • C30B13/20Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique

Description

Die vorliegende Patentanmeldung betrifft eine mit Hochfrequenz betreibbare als Flachspule ausgebildete Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen unter Luftausschluß, bestehend aus zwei aus metallenen Hohlkörpern gebildeten, von einem Kühlmittel durchströmbaren elektrisch in Reihe geschalteten Windungen, von denen die metallenen Oberflächen der inneren Windung wesentlich größere radiale als axiale Abmessungen aufweisen und die äußere Windung aus einem Rohr kreisförmigen Querschnitts f.eforml ist.
Eine entsprechende Induktionsheizspule ist aus der DE-AS 12 05 167 bekannt.
Beim tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterma
terial läßt man eine durch eine Induktionsheizspule aus Kupfer oder Silber erzeugte Schmelzzone durch einen stabförmigen Körper des zu behandelnden Materials wandern. Hierbei werden Verunreinigungen an das eine Ende des Stabes transportiert. Oft wird das Verfahren auch zürn Einkristallzüchten verwendet, indem an das eine Ende des Stabes ein Keimkristall angeschmolzen und von diesem ausgehend eine Schmelzzone durch den Stab geführt wird. Der stabförmige Körper wird dabei meist senkrecht stehend mit seinen Enden in Halterungen eingespannt.
Der Zonenschmelzprozeß wird entweder im Vakuum oder in Schutzgasatmosphäre, bestehend aus Wasserstoff, Argon oder einem anderen inerten Gas, durchgeführt.
Die Schmelzspulen für das Zonenschmelzen mit Hochfrequenz bestehen meist aus Kupfer- oder Silberrohr, durch das gleichzeitig Wasser zum Kühlen fließt. Bei diesen Anordnungen sind die stromführenden Teile nicht von der Aimosphäre der Sehmelzkammer getrennt.
Aus der DE-OS 16 15 429 ist es zwar bekannt, in einer VakuumZonenziehanlage zur Verhinderung von Störungen durch aufgedampftes Halbleitermaterial und zur Verbesserung der Reinigungsmöglichkeit der Heizspule die Spulenoberfläche möglichst allseitig grobkörnig mit Metall oder einem Metalloxid zu beschichten.
Um versetzungsfreies Kristallmaterial zu erhalten, wird aber in der Regel der Rezipient beim Zonenschmelzen mit einer hochgereinigten Schutzgasatmosphäre versehen und im Rezipienten bzw. in der Schmelzkammer ein Druck eingestellt, der höher ist als der Atmosphärendruck. Bei Verwendung von Argon als Schutzgas entstehen an den mit hochfrequentem Wechselstrom gespeisten, aus einer oder mehreren Windungen aus einem elektrisch gut leitenden Material bestehenden Induktionsheizspulen, wie z. B. bei der eingangs beschriebenen, aus der DE-AS 12 05 167 bekannten Induktionsheizspule, bei hoher Arbeitsfrequenz ^chon bei HF-Spannungen von ca. 500 V elektrische Überschläge, welche s:ch sehr schäülich auf die Kris'.allqualität des durch das tiegelfreie Zonenschmelzen gewonnenen Halbleiterstabes auswirken und außerdem die HF-Zuleitungen zerstören.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Induktionsheizspule der eingangs genannten Art so auszubilden, daß bei ihrem Betrieb in einer Schutzgasatmosphäre mit höherem als dem Atmosphärendruck Überschläge zwischen den Windungen weitgehend verhindert werden.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt erfindungsgemäß dadurch, daß die äußere Oberfläche des Rohres mit einer temperaturbeständigen Isolierung überzogen ist.
Durch die Verwendung einer als Flachspule ausgebildeten Induktionsheizspule (sogenannte Lochpfannkuchenspule) wird die Überschlagsneigung zum einen erheblich gemindert. Diese Spule braucht nur wenig Spannung, dafür aber viel Strom. Aufgrund ihrer niedrigen Induktivität braucht man noch bei 4 M Hz sehr große Kapazitäten zur Resonunzabstirnmung (ca. 24 000 pF). Niedrigere Frequenzen lassen sich nicht mehr abstimmen, weil die Kondensatorbatterie:! zu groß werden.
Diese Mangel werden zum anderen durch die Induktionsheizspule gemäß der Lehre der Erfindung beseitigt, da die Oberfläche der äuLiersten Windung der Spule mil einer temperaturbeständigen Isolierung überzogen ist. Dabei i.st in einer Weiterbildung des
Eürfindungsgedankens vorgesehen, den Anfang der äußeren Windung als Teil einer HF-Durchführung auszubilden. Dadurch wird erreicht, daß im Bereich der Durchführungen (höchste Spannung) keine spannungsführenden Teile einander unisoliert gegenüberstehen. Dies ist besonders wichtig für die Herstellung von Halbleiterstäben mit relativ großen Stabdurchmessern.
Die erfindungsgemäße Spule hai gegenüber der !-windigen Flachspule eine höhere Induktivität, braucht also mehr Spannung und weniger Strom. Dadurch lassen sich folgende Vorteile erreichen:
1. Wesentlich kleinere Abstimmkapazität (bei 4 MHz ca. 6000 pF);
2. lange HF-Durchführungen brauchen nicht mehr verschachtelt zu werden, weil der Strom niedrig ist;
3. auch bei niedrigerer Arbeitsfrequenz werden die Abstimmkondensatoren noch nicht unhandlich groß.
Es liegt im Rahmen der Erfindung, daß als Isolierung der äußeren Windung ein entsprechend gebogenes Quarz- oder Glasrohr verwendet ist und daß das Metallrohr aus Silber besteht.
Gemäß einem anderen besonders günstigen Ausführungsbeispiel besteht die Isolierung aus Keramikperlen, welche über das als äußere Windung dienende Metallrohr geschoben sind, deren Hohl- oder Zwischenräume mit im Vakuum aufgebrachtem temperaturbeständigem Isolierstoff ausgefüllt sind. Zu diesem Zweck wird beispielsweise Silikonkautschuk. Silikonharz oder Polybismaleinimid verwendet.
Eine weitere Möglichkeit der Isolierung besteht darin, daß ein mit einer Vergußmasse wie Silikonharz, Silikonkautschuk oder Polybismaleinimid getränktes Quarzgewebe, beispielsweise ein Quarzstrunipf, verwendet wird.
Um Halbleiterstäbe mit größeren Stabdurchmessern zonenzuschmelzen, ist gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel nach der Lehre der Erfindung die Induktionsheizspule zerlegbar aufgebaut, wobei die Spule mindestens zwei Bauteile aufweist, welche durch Schraubverbindungen unter Verwendung von für die Kühlung vorgesehene Abdichtungen miteinander verbunden sind.
Die Erfindung wird annand von zwei Ausführungsbeispielen und der F i g. 1 und 2 noch näher erläutert. Dabei zeigt
Fig. 1 in Draufsicht eine Induktionsheizspule, bei welcher die äußere Windung als Teil der HF-Durchführung ausgebildet ist, während
Fig. 2 eine Ausführungsform darstellt, bei welcher die äußere Windung über ein Metal'zwischenstück mit
κι der HF-Zuführung verbunden ist.
Die in Fig. 1 abgebildete mehrwindige Sicherheits-Induktionsheizspule für das Zonenschmelzen in Schutzgasatmosphäre, insbesondere in Argonatmosphäre, besteht aus einer als Flachspule (Lochpfannkuchenspu-
i"j Ie) -ausgebildeten inneren Windung 1 und einer aus einem gebogenen Metallrohr aus Silber bestehenden äußeren Windung 2. welche zugleich als Teil der HF-Durchfuhrung 3 ausgebildet ist und auf ihrer Oberfläche bis zur HF-Durchführung 3 eine Ummante-
JO iung mit einem temperaturbeständigen Isolierstoff 4 aufweist. Dieser Isolierstoff 4 besteht beispielsweise aus einem mit Silikonharz getränkten Quarzgewebe oder einem über das Silberrohr geschobenen Quarzrohr. Der Spulenteil 1 ist mit dem Spulenteil 2 über d..is
j'i Metallzwischenstück 5 durch Verschraubung verbunden. Ein Meiiill/wischenstück 6 sorgt für die Verbindung zwischen dem Spulenteil 1 und der HF-Durchführung .1. Die Abdichtung der Spulenanordnung erfolgt über die mil dem Bezugszeichen 7 bezeichneten Silikongummi·
so dichtungen. Der innere Spulenteil 1 enthält ein Ansatzstück in Form einer öse 8, an welcher die Spule geerdet werden kann.
In F i g. 2 ist eine ähnliche Ausführungsform wie in Fig. I dargestellt. Dabei wird die äußere Windung 2
3t nicht als Teil der HF-Durchführung verwendet, sondern über das Metallzwischenstück 9 mit der HF-Durchführung 3 verbunden. Auch bei dieser Spulenanordnung ist die äußere Windung 2 bis zum Metallzwischensiück 9 mit einer Ummantelung 4 aus einem temperaturfesten Isolierstoff wie Silikonharz oder -kautschuk versehen. Ansonsten gelten die gleichen Bezugszeiclien wie in Fig. 1.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (9)

Patentansprüche:
1. Mit Hochfrequenz betreibbare als Flachspule ausgebildete Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen unter Luftausschluß, bestehend aus zwei aus metallenen Hohlkörpern gebildeten, von einem Kühlmittel durchströmbaren elektrisch in Reihe geschalteten Windungen, von denen die metallenen Oberflächen der inneren Windung wesentlich größere radiale als axiale Abmessungen aufweisen und die äußere Windung aus einem Rohr kreisförmigen Querschnitts geformt ist. dadurch gekennzeichnet, daß die äußere Oberfläche des Rohres (2) mit einer temperaturbeständigen Isolierung überzogen ist.
2. Induktionsheizspule nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Anfang der äußeren Windung als Teil einer HF-Durchführung ausgebildet ist.
3. Induktionsheizspule nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Isolierung der äußeren Windung ein entsprechend gebogenes Quarz- oder Glasrohr verwendet ist.
4. Induktionsheizspule nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Metallrohr aus Silber besteht.
5. Induktionsheizspule nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierung aus Keramikperlen besteht, welche über das als äußere Windung dienende Metallrohr geschoben sind, deren Hohlräume mit im Vakuum aufgebrachtem temperaturbeständigem Isolierstoff ausgefüllt sind.
6. Induktionsheizspule nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß als temperaturbeständiger Isolierstoff Silikonharz, Silikonkautschuk oder PoIybismaleinimid verwendet ist.
7. Induktionsheizspule nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daO die Isolierung aus einem mit einer Vergußmasse wie Silikonharz, Silikonkautschuk oder Polybismaleinimid getränkten Quarzgewebe besteht.
8. Induktionsheizspule nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Spule zerlegbar aufgebaut ist.
9. Induktionsheizspule nach Anspruch 8. dadurch gekennzeichnet, daß die Spule mindestens zwei Bauteile aufweist, welche durch Schraubverbindungen unter Verwendung von für die Kühlung vorgesehenen Abdichtungen miteinander verbunden sind.
DE2331004A 1973-06-18 1973-06-18 Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen Expired DE2331004C3 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2331004A DE2331004C3 (de) 1973-06-18 1973-06-18 Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen
US460538A US3898413A (en) 1973-06-18 1974-04-12 Induction heat coil arrangement
IT23824/74A IT1014933B (it) 1973-06-18 1974-06-11 Bobina di riscaldamento a induzio ne per la fusione a zone senza cro giuolo di bacchette semiconduttrici
JP49067624A JPS5037346A (de) 1973-06-18 1974-06-13
BE145560A BE816495A (fr) 1973-06-18 1974-06-18 Bobine de chauffage par induction pour une fusion par zones sans creuset de barreaux semi-conducteurs
JP1979161054U JPS5755339Y2 (de) 1973-06-18 1979-11-20

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2331004A DE2331004C3 (de) 1973-06-18 1973-06-18 Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2331004A1 DE2331004A1 (de) 1975-01-09
DE2331004B2 DE2331004B2 (de) 1981-05-21
DE2331004C3 true DE2331004C3 (de) 1982-02-04

Family

ID=5884356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2331004A Expired DE2331004C3 (de) 1973-06-18 1973-06-18 Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3898413A (de)
JP (2) JPS5037346A (de)
BE (1) BE816495A (de)
DE (1) DE2331004C3 (de)
IT (1) IT1014933B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2357688A1 (de) * 1973-11-19 1975-05-22 Siemens Ag Induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen von halbleiterstaeben

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4184135A (en) * 1978-04-10 1980-01-15 Monsanto Company Breakapart single turn RF induction apparatus
DE3229461A1 (de) * 1982-08-06 1984-02-09 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines, insbesondere aus silicium bestehenden halbleiterstabes
DE4142245A1 (de) * 1991-12-17 1993-06-24 Tro Transformatoren Und Schalt Isolierung fuer induktoren von induktiven erhitzungsanlagen und verfahren zu ihrer herstellung
JP3127981B2 (ja) * 1995-01-31 2001-01-29 信越半導体株式会社 高周波誘導加熱装置
US5778681A (en) * 1997-04-15 1998-07-14 Varian Associates, Inc. Cooling device for cooling heatable gas chromatography analyte sample injector
JP4581977B2 (ja) * 2005-11-24 2010-11-17 信越半導体株式会社 シリコン単結晶の製造方法
EP1968355B1 (de) 2007-03-08 2013-02-27 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG Induktionsspule und Vorrichtung zum induktiven Erwärmen von Werkstücken
JP2009158598A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Panasonic Electric Works Co Ltd 平面コイル及びこれを用いた非接触電力伝送機器
WO2010007678A1 (ja) * 2008-07-17 2010-01-21 電気興業株式会社 高周波誘導加熱コイル用ガイドチップの構造
JP5505362B2 (ja) * 2011-04-21 2014-05-28 信越半導体株式会社 複巻誘導加熱コイル及びこれを有する単結晶製造装置並びにこれを用いた単結晶製造方法
JP5505365B2 (ja) * 2011-04-28 2014-05-28 信越半導体株式会社 誘導加熱コイルにおける放電防止用絶縁部材及びこれを用いた単結晶製造装置並びに単結晶製造方法
EP3995607A4 (de) 2019-07-05 2023-09-06 SUMCO Corporation Induktionsheizspule und vorrichtung zur herstellung von einkristallen damit

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2459971A (en) * 1945-08-30 1949-01-25 Induction Heating Corp Inductor for high-frequency induction heating apparatus
DE1044768B (de) * 1954-03-02 1958-11-27 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen eines stabfoermigen kristallinen Koerpers, vorzugsweise Halbleiterkoerpers
US3017485A (en) * 1957-11-19 1962-01-16 Asea Ab Means for electric vacuum furnaces
DE1205167C2 (de) * 1964-06-15 1973-05-03 Halbleiterwerk Frankfurt Oder Spulenkoerper zum induktiven Erhitzen eines elektrisch leitenden Koerpers im magnetischen Hochfrequenzfeld beim Zonenschmelzen
DE1615429C3 (de) * 1967-12-23 1974-08-22 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Stäben aus Halbleitermaterial
DE1802524B1 (de) * 1968-10-11 1970-06-04 Siemens Ag Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes,insbesondere Halbleiterstabes
US3697716A (en) * 1971-11-19 1972-10-10 Gen Electric Induction cooking power converter with improved coil position
DE2158274A1 (de) * 1971-11-24 1973-05-30 Siemens Ag Induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen von staeben aus halbleitermaterial
DE2217407A1 (de) * 1972-04-11 1973-11-29 Siemens Ag Induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2357688A1 (de) * 1973-11-19 1975-05-22 Siemens Ag Induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen von halbleiterstaeben

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5571170U (de) 1980-05-16
US3898413A (en) 1975-08-05
JPS5755339Y2 (de) 1982-11-30
DE2331004A1 (de) 1975-01-09
DE2331004B2 (de) 1981-05-21
JPS5037346A (de) 1975-04-08
BE816495A (fr) 1974-10-16
IT1014933B (it) 1977-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2331004C3 (de) Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen
DE4241927C2 (de) Zur Anordnung in einem Vakuumgefäß geeignete selbsttragende isolierte Elektrodenanordnung, insbesondere Antennenspule für einen Hochfrequenz-Plasmagenerator
DE1515296A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von duennen Schichten
DE2437774C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Elektrodeneinführung für eine Hochdruck-Entladungslampe und mittels dieses Verfahrens hergestellte Elektrodeneinführungen
EP0888634B1 (de) Niederdruckentladungslampe
DE2217407A1 (de) Induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen
DE3226713A1 (de) Als flachspule ausgebildete induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen
DE2307192C3 (de) Hochdruckentladungslampe
DE3229461A1 (de) Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines, insbesondere aus silicium bestehenden halbleiterstabes
DE3143146C2 (de)
DE1913881B2 (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen
DE2141188C3 (de) Vorrichtung für das tiegellose Zonenschmelzen
DE933352C (de) Wanderwellenroehre mit einem im Vakuumraum angeordneten wendelfoermigen Leiter
DE2953100C1 (de) Hochspannungs-Transformations- und Gleichrichtereinrichtung
DE1296132B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstaeben durch Ziehen aus der Schmelze
DE2158274A1 (de) Induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen von staeben aus halbleitermaterial
DE2458376A1 (de) Elektrischer leistungsschalter
DE2308136C3 (de) Gasdichte Stromzuführung
DE3143207A1 (de) Als flachspule ausgebildete induktionsspule zum tiegelfreien zonenschmelzen
DE1913881C (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonen schmelzen
DE3235504A1 (de) Abstandhalter zum verhindern von kurzschluessen zwischen leitenden platten in hf-plasmaabscheidungssystemen
DE2404362B1 (de) Heizkörper für eine indirekt geheizte Kathode
DE909713C (de) Einteiliger Isolierkoerper, insbesondere Spulenkoerper fuer Strom- und Spannungswandler
DE2757868A1 (de) Hf-induktionsheizungseinrichtung zum zonenschmelzen von halbleitern
DE762234C (de) Elektrisches Entladungsgefaess aus keramischem Werkstoff

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
AG Has addition no.

Ref country code: DE

Ref document number: 2357688

Format of ref document f/p: P

C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee