DE2331004C3 - Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen - Google Patents
Induktionsheizspule zum tiegelfreien ZonenschmelzenInfo
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- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/02—Induction heating
- H05B6/36—Coil arrangements
- H05B6/362—Coil arrangements with flat coil conductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/20—Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique
Description
Die vorliegende Patentanmeldung betrifft eine mit Hochfrequenz betreibbare als Flachspule ausgebildete
Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen unter Luftausschluß, bestehend aus zwei aus metallenen
Hohlkörpern gebildeten, von einem Kühlmittel durchströmbaren elektrisch in Reihe geschalteten Windungen,
von denen die metallenen Oberflächen der inneren Windung wesentlich größere radiale als axiale Abmessungen
aufweisen und die äußere Windung aus einem Rohr kreisförmigen Querschnitts f.eforml ist.
Eine entsprechende Induktionsheizspule ist aus der DE-AS 12 05 167 bekannt.
Beim tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterma
terial läßt man eine durch eine Induktionsheizspule aus Kupfer oder Silber erzeugte Schmelzzone durch einen
stabförmigen Körper des zu behandelnden Materials wandern. Hierbei werden Verunreinigungen an das eine
Ende des Stabes transportiert. Oft wird das Verfahren auch zürn Einkristallzüchten verwendet, indem an das
eine Ende des Stabes ein Keimkristall angeschmolzen und von diesem ausgehend eine Schmelzzone durch den
Stab geführt wird. Der stabförmige Körper wird dabei meist senkrecht stehend mit seinen Enden in Halterungen
eingespannt.
Der Zonenschmelzprozeß wird entweder im Vakuum oder in Schutzgasatmosphäre, bestehend aus Wasserstoff,
Argon oder einem anderen inerten Gas, durchgeführt.
Die Schmelzspulen für das Zonenschmelzen mit Hochfrequenz bestehen meist aus Kupfer- oder
Silberrohr, durch das gleichzeitig Wasser zum Kühlen fließt. Bei diesen Anordnungen sind die stromführenden
Teile nicht von der Aimosphäre der Sehmelzkammer
getrennt.
Aus der DE-OS 16 15 429 ist es zwar bekannt, in einer VakuumZonenziehanlage zur Verhinderung von Störungen
durch aufgedampftes Halbleitermaterial und zur Verbesserung der Reinigungsmöglichkeit der Heizspule
die Spulenoberfläche möglichst allseitig grobkörnig mit Metall oder einem Metalloxid zu beschichten.
Um versetzungsfreies Kristallmaterial zu erhalten, wird aber in der Regel der Rezipient beim Zonenschmelzen
mit einer hochgereinigten Schutzgasatmosphäre versehen und im Rezipienten bzw. in der
Schmelzkammer ein Druck eingestellt, der höher ist als der Atmosphärendruck. Bei Verwendung von Argon als
Schutzgas entstehen an den mit hochfrequentem Wechselstrom gespeisten, aus einer oder mehreren
Windungen aus einem elektrisch gut leitenden Material bestehenden Induktionsheizspulen, wie z. B. bei der
eingangs beschriebenen, aus der DE-AS 12 05 167 bekannten Induktionsheizspule, bei hoher Arbeitsfrequenz
^chon bei HF-Spannungen von ca. 500 V elektrische Überschläge, welche s:ch sehr schäülich auf
die Kris'.allqualität des durch das tiegelfreie Zonenschmelzen gewonnenen Halbleiterstabes auswirken und
außerdem die HF-Zuleitungen zerstören.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Induktionsheizspule der eingangs genannten Art so
auszubilden, daß bei ihrem Betrieb in einer Schutzgasatmosphäre mit höherem als dem Atmosphärendruck
Überschläge zwischen den Windungen weitgehend verhindert werden.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt erfindungsgemäß dadurch, daß die äußere Oberfläche des Rohres mit
einer temperaturbeständigen Isolierung überzogen ist.
Durch die Verwendung einer als Flachspule ausgebildeten Induktionsheizspule (sogenannte Lochpfannkuchenspule)
wird die Überschlagsneigung zum einen erheblich gemindert. Diese Spule braucht nur wenig
Spannung, dafür aber viel Strom. Aufgrund ihrer niedrigen Induktivität braucht man noch bei 4 M Hz sehr
große Kapazitäten zur Resonunzabstirnmung (ca.
24 000 pF). Niedrigere Frequenzen lassen sich nicht mehr abstimmen, weil die Kondensatorbatterie:! zu
groß werden.
Diese Mangel werden zum anderen durch die Induktionsheizspule gemäß der Lehre der Erfindung
beseitigt, da die Oberfläche der äuLiersten Windung der Spule mil einer temperaturbeständigen Isolierung
überzogen ist. Dabei i.st in einer Weiterbildung des
Eürfindungsgedankens vorgesehen, den Anfang der
äußeren Windung als Teil einer HF-Durchführung auszubilden. Dadurch wird erreicht, daß im Bereich der
Durchführungen (höchste Spannung) keine spannungsführenden Teile einander unisoliert gegenüberstehen.
Dies ist besonders wichtig für die Herstellung von Halbleiterstäben mit relativ großen Stabdurchmessern.
Die erfindungsgemäße Spule hai gegenüber der !-windigen Flachspule eine höhere Induktivität, braucht
also mehr Spannung und weniger Strom. Dadurch lassen sich folgende Vorteile erreichen:
1. Wesentlich kleinere Abstimmkapazität (bei 4 MHz ca. 6000 pF);
2. lange HF-Durchführungen brauchen nicht mehr verschachtelt zu werden, weil der Strom niedrig ist;
3. auch bei niedrigerer Arbeitsfrequenz werden die Abstimmkondensatoren noch nicht unhandlich
groß.
Es liegt im Rahmen der Erfindung, daß als Isolierung der äußeren Windung ein entsprechend gebogenes
Quarz- oder Glasrohr verwendet ist und daß das Metallrohr aus Silber besteht.
Gemäß einem anderen besonders günstigen Ausführungsbeispiel besteht die Isolierung aus Keramikperlen,
welche über das als äußere Windung dienende Metallrohr geschoben sind, deren Hohl- oder Zwischenräume
mit im Vakuum aufgebrachtem temperaturbeständigem Isolierstoff ausgefüllt sind. Zu diesem Zweck
wird beispielsweise Silikonkautschuk. Silikonharz oder Polybismaleinimid verwendet.
Eine weitere Möglichkeit der Isolierung besteht darin,
daß ein mit einer Vergußmasse wie Silikonharz, Silikonkautschuk oder Polybismaleinimid getränktes
Quarzgewebe, beispielsweise ein Quarzstrunipf, verwendet wird.
Um Halbleiterstäbe mit größeren Stabdurchmessern zonenzuschmelzen, ist gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel
nach der Lehre der Erfindung die Induktionsheizspule zerlegbar aufgebaut, wobei die
Spule mindestens zwei Bauteile aufweist, welche durch Schraubverbindungen unter Verwendung von für die
Kühlung vorgesehene Abdichtungen miteinander verbunden sind.
Die Erfindung wird annand von zwei Ausführungsbeispielen und der F i g. 1 und 2 noch näher erläutert. Dabei
zeigt
Fig. 1 in Draufsicht eine Induktionsheizspule, bei welcher die äußere Windung als Teil der HF-Durchführung
ausgebildet ist, während
Fig. 2 eine Ausführungsform darstellt, bei welcher
die äußere Windung über ein Metal'zwischenstück mit
κι der HF-Zuführung verbunden ist.
Die in Fig. 1 abgebildete mehrwindige Sicherheits-Induktionsheizspule
für das Zonenschmelzen in Schutzgasatmosphäre, insbesondere in Argonatmosphäre,
besteht aus einer als Flachspule (Lochpfannkuchenspu-
i"j Ie) -ausgebildeten inneren Windung 1 und einer aus
einem gebogenen Metallrohr aus Silber bestehenden äußeren Windung 2. welche zugleich als Teil der
HF-Durchfuhrung 3 ausgebildet ist und auf ihrer Oberfläche bis zur HF-Durchführung 3 eine Ummante-
JO iung mit einem temperaturbeständigen Isolierstoff 4
aufweist. Dieser Isolierstoff 4 besteht beispielsweise aus einem mit Silikonharz getränkten Quarzgewebe oder
einem über das Silberrohr geschobenen Quarzrohr. Der Spulenteil 1 ist mit dem Spulenteil 2 über d..is
j'i Metallzwischenstück 5 durch Verschraubung verbunden.
Ein Meiiill/wischenstück 6 sorgt für die Verbindung zwischen dem Spulenteil 1 und der HF-Durchführung .1.
Die Abdichtung der Spulenanordnung erfolgt über die mil dem Bezugszeichen 7 bezeichneten Silikongummi·
so dichtungen. Der innere Spulenteil 1 enthält ein Ansatzstück in Form einer öse 8, an welcher die Spule
geerdet werden kann.
In F i g. 2 ist eine ähnliche Ausführungsform wie in
Fig. I dargestellt. Dabei wird die äußere Windung 2
3t nicht als Teil der HF-Durchführung verwendet, sondern
über das Metallzwischenstück 9 mit der HF-Durchführung 3 verbunden. Auch bei dieser Spulenanordnung ist
die äußere Windung 2 bis zum Metallzwischensiück 9 mit einer Ummantelung 4 aus einem temperaturfesten
Isolierstoff wie Silikonharz oder -kautschuk versehen. Ansonsten gelten die gleichen Bezugszeiclien wie in
Fig. 1.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (9)
1. Mit Hochfrequenz betreibbare als Flachspule ausgebildete Induktionsheizspule zum tiegelfreien
Zonenschmelzen unter Luftausschluß, bestehend aus zwei aus metallenen Hohlkörpern gebildeten, von
einem Kühlmittel durchströmbaren elektrisch in Reihe geschalteten Windungen, von denen die
metallenen Oberflächen der inneren Windung wesentlich größere radiale als axiale Abmessungen
aufweisen und die äußere Windung aus einem Rohr kreisförmigen Querschnitts geformt ist. dadurch
gekennzeichnet, daß die äußere Oberfläche des Rohres (2) mit einer temperaturbeständigen
Isolierung überzogen ist.
2. Induktionsheizspule nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Anfang der äußeren
Windung als Teil einer HF-Durchführung ausgebildet ist.
3. Induktionsheizspule nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Isolierung der
äußeren Windung ein entsprechend gebogenes Quarz- oder Glasrohr verwendet ist.
4. Induktionsheizspule nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Metallrohr
aus Silber besteht.
5. Induktionsheizspule nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierung aus
Keramikperlen besteht, welche über das als äußere Windung dienende Metallrohr geschoben sind,
deren Hohlräume mit im Vakuum aufgebrachtem temperaturbeständigem Isolierstoff ausgefüllt sind.
6. Induktionsheizspule nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß als temperaturbeständiger
Isolierstoff Silikonharz, Silikonkautschuk oder PoIybismaleinimid verwendet ist.
7. Induktionsheizspule nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daO die Isolierung aus
einem mit einer Vergußmasse wie Silikonharz, Silikonkautschuk oder Polybismaleinimid getränkten
Quarzgewebe besteht.
8. Induktionsheizspule nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Spule
zerlegbar aufgebaut ist.
9. Induktionsheizspule nach Anspruch 8. dadurch gekennzeichnet, daß die Spule mindestens zwei
Bauteile aufweist, welche durch Schraubverbindungen unter Verwendung von für die Kühlung
vorgesehenen Abdichtungen miteinander verbunden sind.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2331004A DE2331004C3 (de) | 1973-06-18 | 1973-06-18 | Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen |
US460538A US3898413A (en) | 1973-06-18 | 1974-04-12 | Induction heat coil arrangement |
IT23824/74A IT1014933B (it) | 1973-06-18 | 1974-06-11 | Bobina di riscaldamento a induzio ne per la fusione a zone senza cro giuolo di bacchette semiconduttrici |
JP49067624A JPS5037346A (de) | 1973-06-18 | 1974-06-13 | |
BE145560A BE816495A (fr) | 1973-06-18 | 1974-06-18 | Bobine de chauffage par induction pour une fusion par zones sans creuset de barreaux semi-conducteurs |
JP1979161054U JPS5755339Y2 (de) | 1973-06-18 | 1979-11-20 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2331004A DE2331004C3 (de) | 1973-06-18 | 1973-06-18 | Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2331004A1 DE2331004A1 (de) | 1975-01-09 |
DE2331004B2 DE2331004B2 (de) | 1981-05-21 |
DE2331004C3 true DE2331004C3 (de) | 1982-02-04 |
Family
ID=5884356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2331004A Expired DE2331004C3 (de) | 1973-06-18 | 1973-06-18 | Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3898413A (de) |
JP (2) | JPS5037346A (de) |
BE (1) | BE816495A (de) |
DE (1) | DE2331004C3 (de) |
IT (1) | IT1014933B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2357688A1 (de) * | 1973-11-19 | 1975-05-22 | Siemens Ag | Induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen von halbleiterstaeben |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4184135A (en) * | 1978-04-10 | 1980-01-15 | Monsanto Company | Breakapart single turn RF induction apparatus |
DE3229461A1 (de) * | 1982-08-06 | 1984-02-09 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines, insbesondere aus silicium bestehenden halbleiterstabes |
DE4142245A1 (de) * | 1991-12-17 | 1993-06-24 | Tro Transformatoren Und Schalt | Isolierung fuer induktoren von induktiven erhitzungsanlagen und verfahren zu ihrer herstellung |
JP3127981B2 (ja) * | 1995-01-31 | 2001-01-29 | 信越半導体株式会社 | 高周波誘導加熱装置 |
US5778681A (en) * | 1997-04-15 | 1998-07-14 | Varian Associates, Inc. | Cooling device for cooling heatable gas chromatography analyte sample injector |
JP4581977B2 (ja) * | 2005-11-24 | 2010-11-17 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
EP1968355B1 (de) | 2007-03-08 | 2013-02-27 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Induktionsspule und Vorrichtung zum induktiven Erwärmen von Werkstücken |
JP2009158598A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 平面コイル及びこれを用いた非接触電力伝送機器 |
WO2010007678A1 (ja) * | 2008-07-17 | 2010-01-21 | 電気興業株式会社 | 高周波誘導加熱コイル用ガイドチップの構造 |
JP5505362B2 (ja) * | 2011-04-21 | 2014-05-28 | 信越半導体株式会社 | 複巻誘導加熱コイル及びこれを有する単結晶製造装置並びにこれを用いた単結晶製造方法 |
JP5505365B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2014-05-28 | 信越半導体株式会社 | 誘導加熱コイルにおける放電防止用絶縁部材及びこれを用いた単結晶製造装置並びに単結晶製造方法 |
EP3995607A4 (de) | 2019-07-05 | 2023-09-06 | SUMCO Corporation | Induktionsheizspule und vorrichtung zur herstellung von einkristallen damit |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2459971A (en) * | 1945-08-30 | 1949-01-25 | Induction Heating Corp | Inductor for high-frequency induction heating apparatus |
DE1044768B (de) * | 1954-03-02 | 1958-11-27 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen eines stabfoermigen kristallinen Koerpers, vorzugsweise Halbleiterkoerpers |
US3017485A (en) * | 1957-11-19 | 1962-01-16 | Asea Ab | Means for electric vacuum furnaces |
DE1205167C2 (de) * | 1964-06-15 | 1973-05-03 | Halbleiterwerk Frankfurt Oder | Spulenkoerper zum induktiven Erhitzen eines elektrisch leitenden Koerpers im magnetischen Hochfrequenzfeld beim Zonenschmelzen |
DE1615429C3 (de) * | 1967-12-23 | 1974-08-22 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Stäben aus Halbleitermaterial |
DE1802524B1 (de) * | 1968-10-11 | 1970-06-04 | Siemens Ag | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes,insbesondere Halbleiterstabes |
US3697716A (en) * | 1971-11-19 | 1972-10-10 | Gen Electric | Induction cooking power converter with improved coil position |
DE2158274A1 (de) * | 1971-11-24 | 1973-05-30 | Siemens Ag | Induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen von staeben aus halbleitermaterial |
DE2217407A1 (de) * | 1972-04-11 | 1973-11-29 | Siemens Ag | Induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen |
-
1973
- 1973-06-18 DE DE2331004A patent/DE2331004C3/de not_active Expired
-
1974
- 1974-04-12 US US460538A patent/US3898413A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-06-11 IT IT23824/74A patent/IT1014933B/it active
- 1974-06-13 JP JP49067624A patent/JPS5037346A/ja active Pending
- 1974-06-18 BE BE145560A patent/BE816495A/xx unknown
-
1979
- 1979-11-20 JP JP1979161054U patent/JPS5755339Y2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2357688A1 (de) * | 1973-11-19 | 1975-05-22 | Siemens Ag | Induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen von halbleiterstaeben |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5571170U (de) | 1980-05-16 |
US3898413A (en) | 1975-08-05 |
JPS5755339Y2 (de) | 1982-11-30 |
DE2331004A1 (de) | 1975-01-09 |
DE2331004B2 (de) | 1981-05-21 |
JPS5037346A (de) | 1975-04-08 |
BE816495A (fr) | 1974-10-16 |
IT1014933B (it) | 1977-04-30 |
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Legal Events
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OD | Request for examination | ||
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